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平成１７年（行ケ）第１００５８号（東京高裁平成１５年（行ケ）第５６９号）　
審決取消請求事件（平成１７年３月２９日口頭弁論終結）
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　　　決
　　　　　　　原　　　　　　告　　大機エンジニアリング株式会社
　　　　　　　訴訟代理人弁護士　　　溝上哲也
　　　　　　　同　　　　　　　　　　岩原義則
　　　　　　　被　　　　　　告　　　ダイソー株式会社
訴訟代理人弁護士　　　滝井朋子
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　　　文
　原告の請求を棄却する。
　訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　　　　　　　事実及び理由
第１　請求
　特許庁が無効２００３－３５０４２号事件について平成１５年１１月５日に
した審決を取り消す。
第２　当事者間に争いのない事実
１　特許庁における手続の経緯
　被告は，名称を「酸素発生陽極及びその製法」とする特許第２５７４６９９
号発明（平成元年４月２１日出願，平成８年１０月２４日設定登録，以下，「本件
発明」といい，その特許を「本件特許」といい，本件特許に係る特許出願を「本件
特許出願」という。）の特許権者である。
　原告は，平成１５年２月７日，本件特許につき無効審判の請求をし，特許庁
は，同請求を無効２００３－３５０４２号事件（以下「本件審判事件」という。）
として審理した上，同年１１月５日に「本件審判の請求は，成り立たない。」との
審決をし，その謄本は，同月１７日，原告に送達された。
２　本件発明の要旨
　バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に３５０～５５０℃の熱
分解温度で白金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質を被覆した電極におい
て，該基体と電極活性被覆層との間に，スパッタリング法により形成された結晶性
金属タンタルを主成分とする厚さ１～３ミクロンの薄膜中間層を設けたことを特徴
とする酸素発生陽極。
３　審決の理由
審決は，別添審決謄本写しのとおり，（ⅰ）本件特許出願の願書に添付した
明細書（以下「本件明細書」という。）の記載は，平成２年法律第３０号による改
正前の特許法３６条３項及び４項（以下「特許法旧３６条３項及び４項」とい
う。）に規定する要件を満たさないものであり，（ⅱ）本件特許出願は，明細書の
要旨を変更する手続補正書が提出された平成４年８月５日にされたとみなすべきで
あり（注，平成５年法律第２６号による改正前の特許法４０条〔以下「特許法旧４
０条」という。〕），そうすると，本件発明は，その出願前に頒布された刊行物で
ある特開平２－２４７３９３号公報（甲１０，以下「甲１０公報」という。），特
開平２－２６３９９９号公報（甲１１，以下「甲１１公報」という。）等に記載さ
れた発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので，特許
法２９条２項の規定に違反して特許されたものであり，（ⅲ）仮に，上記明細書の
要旨変更がないとしても，本件発明は，（イ）特開昭６３－２３５４９３号公報
（甲４，以下「甲４公報」という。）に記載された発明（以下「甲４発明」とい
う。）と，特開昭４８－４０６７６号公報（甲１，以下「甲１公報」という。），
特開昭５９－９６２８７号公報（甲２，以下「甲２公報」という。），特開昭５３
－９５１８０号公報（甲３，以下「甲３公報」という。），特開昭５６－７１８２
１号公報（甲５，以下「甲５公報」という。）及び昭和６２年１１月３０日東京大
学出版会発行，堂山昌男ら編「材料テクノロジー９　材料のプロセス技術［Ⅰ］」
１３８～１４１頁（甲６，以下「甲６文献」という。）に記載された発明とに基づ
いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり（以下，この主張を「無
効理由イ」という。），（ロ）甲１公報に記載された発明（以下「甲１発明」とい
う。）と，甲３公報，甲５公報及び甲６文献に記載された発明とに基づいて，当業
者が容易に発明をすることができたものであり（以下，この主張を「無効理由ロ」
という。）又は，（ハ）甲２公報に記載された発明（以下「甲２発明」という。）
と，甲３公報及び甲１公報等に記載された発明とに基づいて当業者が容易に発明を
することができたものである（以下，この主張を「無効理由ハ」という。）ので，
特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものであるとの請求人（原告）の主
張をいずれも排斥して，請求人の主張及び証拠方法によっては，本件特許を無効と
することはできないとした。
第３　原告主張の審決取消事由
　審決は，本件明細書の記載が特許法旧３６条３項及び４項に規定する要件を
満たさないものであることを看過し（取消事由１），また，平成４年８月５日付け
手続補正書（甲９，以下「平成４年補正書」という。）等による補正が明細書の要
旨を変更するものであることを看過した（取消事由２）結果，甲１０公報及び甲１
１公報は，本件特許出願後に頒布された刊行物であって，それらに基づく特許法２
９条２項違反の主張は採用することができないとの誤った判断をし，さらに，無効
理由イについて，本件発明と甲４発明との相違点（Ａ）及び（Ｂ）に関する判断な
いし認定判断を誤り（取消事由３，４），無効理由ロについて，本件発明と甲１発
明との相違点（ｂ）に関する判断を誤り（取消事由５），無効理由ハについて，本
件発明と甲２発明との相違点（ⅰ）に関する判断を誤った（取消事由６）ものであ
るから，違法として取り消されるべきである。
１　取消事由１（明細書の記載不備の看過）
(1)　本件審判事件において，請求人である原告は，本件明細書の記載において
は，①非晶質のタンタルと結晶質のタンタルとの作用の差が不明であり，②β－タ
ンタルの形成，効果についての開示ないことから，当業者が容易にその実施をする
ことができる程度にその発明の目的，構成及び効果が記載されておらず，また，特
許を受けようとする発明が，発明の詳細な説明に記載されたものでないとして，明
細書の記載不備を主張したのに対し，審決は，上記①及び②のいずれの点について
も理由がないとした（審決謄本８頁最終段落～１０頁第２段落）が，以下のとお
り，誤りである。
(2)　非晶質のタンタルと結晶質のタンタルとの作用の差が不明である点
　本件特許出願の願書に最初に添付した明細書（甲７，以下「当初明細書」
という。甲３６はその公開公報である。）の特許請求の範囲の請求項１の記載は，
「バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に電極活性物質を被覆した電
極において，該基体と電極活性物質被覆層との間に，金属タンタル又はその合金を
主成分とする薄膜中間層を設けたことを特徴とする酸素発生陽極」というものであ
った。
　その後，審査請求の際，平成４年補正書（甲９）による補正によって，上
記請求項１の記載は，「バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に電極
活性物質を被覆した電極において，該基体と電極活性物質被覆層との間に，金属タ
ンタルを主成分とする薄膜中間層を設けたことを特徴とする酸素発生陽極」（下線
は補正部分を示す。この項において同じ。）と補正されたが，平成５年６月１６日
付け拒絶理由通知（甲１２，以下「甲１２拒絶理由通知」という。）により，甲１
０公報記載の「タンタルからなる非晶質層」を有することを特徴とする電解用電極
（請求項１，２）の発明と同一であるとして，特許法２９条の２の規定により特許
を受けることができないとの拒絶理由が通知された。そこで，平成４年補正により
追加された発明の詳細な説明中の「結晶性の金属タンタル」という記載を根拠とし
て，平成５年９月１０日付け手続補正書（甲１３，以下「平成５年補正書」とい
う。）による補正によって，上記請求項１の記載は，「バルブ金属又はその合金よ
りなる導電性金属基体上に白金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質を被覆し
た電極において，該基体と電極活性物質被覆層との間に，スパッタリング法により
形成された結晶性金属タンタルを主成分とする薄膜中間層を設けたことを特徴とす
る酸素発生陽極」と更に補正された。
　以上のように，本件発明は，甲１０公報記載の発明との重複を避けるため
に「金属タンタル」を「結晶性」のものに限定したものであるが，この点につい
て，拒絶査定に対する不服の審判における審判官は，「溶射技術によるもの及び非
晶質によるものの各中間層と本願結晶質（スパッタリング法）との電極耐用性のデ
ータが不明」との質問をしたにもかかわらず，「スパッタリングで非晶質タンタル
層は形成できず，この点の対比成績が出ない」との応答がされたのみであり，審判
官は，結局のところ，「非晶質層と結晶質の作用の差不明の点については理解しな
かった」としている（甲１４）。すなわち，本件発明については，スパッタリング
法により形成するタンタルを，何ら限定のないものから「結晶性金属タンタル」に
補正していながら，肝心の非晶質層と結晶質層の作用の差について何ら応答せず，
かつ，非晶質層と結晶質層との作用の差が不明なまま，特許請求の範囲の請求項１
に「結晶性金属タンタル」との記載がされていることになる。したがって，この点
について，当業者が容易にその実施をすることができる程度にその発明の目的，構
成及び効果が開示されているということはできず，本件明細書が特許法旧３６条３
項に規定する要件を満たさないものであることは明らかである。
(3)　β－タンタルの形成，効果についての開示がない点
　結晶性金属タンタルには，α－タンタル（体心立方構造）とβ－タンタル
（正方晶系構造）が存在する（甲１７参照）ところ，設定登録に係る本件明細書
（甲３５，以下「登録明細書」という。）においては，本件発明の実施例として，
「α型結晶構造を持つ金属タンタル」（３頁左欄第１段落）を主成分とする薄膜中
間層を設けた例が記載されており，また，甲１２拒絶理由通知に対する応答として
被告が提出した平成５年９月１０日付け意見書（甲１５，以下「甲１５意見書」と
いう。）に添付されたⅩ線解析図（甲１６，以下「甲１６解析図」という。）も，
α－タンタルスパッタリング被膜に関するものである。にもかかわらず，登録明細
書の特許請求の範囲の請求項１においては，β－タンタルまでもが含まれるかのよ
うな「結晶性金属タンタル」との記載がされているから，登録明細書の記載は，特
許法旧３６条３項及び４項に規定する要件を満たさないものというべきである。
　そもそも，特開昭５８－１４１５０９号公報（甲１８，以下「甲１８公
報」という。）に示されるとおり，本件特許出願当時の技術では，基板上に酸素基
あるいは水酸基が存在することがβ－タンタルの形成に不可欠であって，特にチタ
ンの基体上には，β－タンタルの形成が困難であった。したがって，仮に，本件発
明が，登録明細書に実施例として記載されていないβ－タンタルをも含むものであ
るとすれば，どのようにしてβ－タンタルを形成させ，その結果，どのような効果
を奏するのかをデータの裏付けをもって開示しなければならないというべきである
が，登録明細書の発明の詳細な説明には，この点について，当業者が容易にその実
施をすることができる程度に開示する記載はない。
　また，出願人である被告の本件特許出願当時の認識としても，本件発明
が，β－タンタルを含むものであると考えていたわけではない。被告は，審査段階
で提出した甲１５意見書において，「これに対し本願発明において形成される薄膜
中間層は結晶性の金属タンタルである点で相違する。真空スパッタリングにより形
成される金属タンタルが通常結晶性であることは参考資料１，２（特開昭６３－１
８５０５２号〔注，甲１７〕，特開昭５８－１４１５０９号〔注，甲１８公報〕）
及び参考資料３〔注，甲１６解析図〕（本願発明電極中間層のⅩ線回折図により結
晶性を示すピークが認められる）によって明らかである。なお本願明細書（注，登
録明細書）中には金属タンタル中間層が結晶性であるとの直接的な記載はないが，
上記Ⅹ線回析図により証明される」（６頁最終段落～７頁第１段落）と述べている
ところ，上記引用に係る参考資料２である甲１８公報には，従来技術として，「基
板上に酸素基あるいは水酸基が存在することがベータタンタルの形成に不可欠な要
件であ」った（１頁右下欄第１段落）旨の記載があり，さらに，基板上に酸素基あ
るいは水酸基が存在することがベータタンタルの形成に不可欠であったという当該
課題を解決した甲１８公報記載のβ－タンタル薄膜の形成方法の発明においても，
「ベータタンタルが生成されなかった唯一の材料はチタンであった」（２頁右上欄
第１段落）と記載されているのであるから，被告の本件特許出願当時の認識におい
ては，スパッタリング法により形成されるのは，α－タンタルのみであると考えて
いたことは明らかである。加えて，被告が甲１５意見書に添付した甲１６解析図
は，α－タンタルのみから成るスパッタリング被膜を対象とするものであると認め
られるから，被告は，本件発明の中間層となる結晶性タンタルはα－タンタルであ
ると認識し，そのことを前提に補正を行い，意見を述べたとみるほかはない。
　さらに，被告が本件特許出願後の平成６年１２月２６日（優先権主張日平
成５年１２月２４日）に行った特許出願（以下「後願」という。）に係る明細書
（甲２９，以下「後願明細書」という。）には，「本発明者らは，酸素発生用不溶
性電極において，チタン基体と電極活性物質被覆層との問にスパッタリング法によ
りβ－タンタル中間層を形成した陽極が，α－タンタル中間層タイプの種々の電
極，例えばイオンプレーティングやプラズマ溶射，スパッタリング法で被覆したα
－タンタル層を有する陽極のみならず，タンタル基板そのものに電極活性物質を被
覆した電極よりも優れた機能を持つことを見出し，本発明を完成したものである」
（段落【０００６】）と記載されているが，この記載は，時期的に見て甲１５意見
書提出時における被告の認識を端的に表したものであるとみられる。すなわち，被
告は，本件特許出願時において，β－タンタル中間層を形成した陽極が，α－タン
タル層を有する陽極よりも優れた機能を有することを知見していなかったからこ
そ，後願を出願したものであり，後願明細書の上記記載は，そのことを被告自らが
認めるものといわざるを得ない。
　また，被告が，本件無効審判事件において，平成１５年６月２日付けで提
出した上申書に添付のデータには，１００％α－タンタル結晶構造である基盤温度
が２７５℃のデータと１００％β－タンタル結晶構造である基盤温度が１７０℃の
データとが含まれており，このうち，基盤温度が２７５℃のもののⅩ線解析図は甲
１６解析図に合致するから，甲１５意見書の提出時には，上記平成１５年６月２日
付け上申書に添付のデータは，既に被告が保有していたものと考えるのが相当であ
る。そうすると，被告は，保有するデータのうち，１００％β－タンタル結晶構造
である基盤温度が１７０℃のデータを使用せずに，１００％α－タンタル結晶構造
である基盤温度が２７５℃のデータのみを甲１５意見書に添付したということにな
るから，被告は，甲１５意見書の提出時点において，本件発明から，β－タンタル
を意識的に排除し，α－タンタルに限定する意思を有していたものと理解すること
ができる。
　以上によれば，登録明細書の発明の詳細な説明は，β－タンタルの形成，
効果について，当業者が容易にその実施をすることができる程度に開示するもので
はない上，本件特許出願当時の被告の認識において，本件発明は，β－タンタルを
対象とするものでないことが明らかであるにもかかわらず，登録明細書の特許請求
の範囲の記載は，後に後願として特許出願したβ－タンタルを含む発明をも本件発
明の技術的範囲に含むかのように記載するものであって，登録明細書は，特許法旧
３６条３項及び４項に規定する要件を満たさないものというべきである。
２　取消事由２（補正による明細書の要旨変更の看過）
(1)　本件審判事件において，請求人である原告は，平成４年補正書（甲９）及び
平成６年１月１３日付け手続補正書（甲１９，以下「平成６年補正書」という。）
における薄膜中間層の厚さを１～３ミクロンとする補正は，明細書の要旨を変更す
るものであるので，本件特許出願は，特許法旧４０条により，平成４年補正書が提
出された平成４年８月５日にされたとみなすべきである旨主張した。これに対し，
審決は，当初明細書（甲７，３６）に，①「本発明の目的を達成するためには０．
５ミクロン更に好ましくは１ミクロン以上の厚みを必要とする」（甲３６の３頁左
上欄第２段落）と記載され，②実施例１として，高周波スパッタリングにより，
「厚さ３ミクロン」（同３頁右下欄第１段落）の金属タンタルを主成分とする中間
層が形成されたことが記載されていることなどを考慮すると，「出願当初の明細書
（注，当初明細書）には，１ミクロン以上であって３ミクロンまでの厚さの中間
層，即ち，『厚さ１～３ミクロンの薄膜中間層』が実質的に記載されていたと認め
ることができ，そして，この補正により，発明の構成に関する技術的事項が，実質
的に出願当初の明細書に記載された事項の範囲内でないものとなると言うことはで
きない」（審決謄本１０頁下から第２段落）と判断した。
(2)　しかしながら，当初明細書の上記(1)①の記載から読み取れるのは，中間層
の厚さの下限が「０．５ミクロン以上，好ましくは，１ミクロン以上」ということ
であって，上限に限定はない。他方，上記(1)②の記載から読み取れるのは，実施例
１が３ミクロンを取っているということであり，上記(1)①で示された数値の範囲内
での一実施例を示したにすぎない。したがって，当初明細書の上記(1)の①及び②の
記載からは，中間層の厚さの上限値が３ミクロンであることは読み取ることができ
ないというほかはなく，他に，当初明細書には，中間層の厚さの「上限」を３ミク
ロンとすることに関する記載は全く存在しない。
　にもかかわらず，平成４年補正書（甲９）は，発明の詳細な説明に，「通
常厚み５ミクロン未満，特に３ミクロン以下が好ましい」（２頁下から第３段落）
との記載を挿入し，中間層の厚さについての上限を初めて限定したものである。
(3)　ところで，平成４年補正書（甲９）の提出時には，本件特許出願時には公開
されていなかった甲１０公報及び甲１１公報が公開されているところ，当初明細書
（甲７，３６）の記載のままであれば，本件発明は，甲１０公報ないし甲１１公報
に記載された発明と同一であるとして，特許法２９条の２の規定により特許を受け
ることができないことが予想されるものであった。このような時期に，出願人であ
る被告は，当初明細書には全く記載されていなかった，金属タンタルが「α型結晶
構造を持つ」（甲９の３頁第１段落）という点と，中間層の厚さが「３ミクロン以
下」（同２頁下から第３段落）である点とを追加する補正をしたものであって，そ
の意図が，本来，拒絶されるはずの出願を特許として成立させることにあったこと
は明らかである。すなわち，平成４年補正書による補正は，いわば補正によって未
完成の発明を完成に導いたに等しいものである。
　特許法旧４０条の下において，明細書の補正が要旨変更となるかどうか
は，出願当初の記載と補正後の記載を形式的に比較して決すべきではなく，むし
ろ，実質的に発明の本質ないしは実体に変更があるかどうかを比較すべきである
（東京高裁昭和４１年８月２５日判決・行裁集１７巻７・８号９３４頁参照）とこ
ろ，平成４年補正書による補正により追加された上記事項は，当初明細書の記載か
ら自明なものではなく，当初明細書に記載した範囲内の事項ではないというべきで
あり，実質上，本件発明の要旨となる実施条件を追加する補正として，要旨変更に
なるとみるべきである。
(4)　以上によれば，要旨変更を認めなかった審決の上記判断は誤りであって，こ
の誤りが審決の結論に影響を及ぼすことは明らかというべきである。
３　取消事由３（無効理由イに係る相違点（Ａ）に関する判断の誤り）
(1)　構成の容易想到性に関する判断の誤り
ア　審決は，本件発明と甲４発明との相違点（Ａ）として認定した，「上記
中間層の形成手段について，本件発明ではスパッタリング法により形成されるもの
であるのに対して，甲第４号証（注，甲４公報）に記載のものでは，イリジウム化
合物とタンタル化合物とを含有する溶液を塗布後，酸化性雰囲気中で熱処理して得
られるものである点」（審決謄本１２頁最終段落～１３頁第１段落）について，
「甲第３号証（注，甲３公報）には，本件発明における中間層に相当する『基膜』
をタンタルで形成し得ること，及びスパッタリングで形成し得ることが開示されて
いるということができる」（同頁最終段落）と正当に認定しながらも，「甲第３号
証の記載を精査すると，同号証に係る発明は，陽極被覆層の上層を構成する『ドー
ピング膜』と，中間層を構成する『基膜』との両者を，ともに真空中で付着させる
ことを必須とするものであり，しかも，同号証には，当該発明の目的につき『両膜
の付着が真空中で行なわれることにより達成される』・・・と，上記両膜を真空中
で付着させる必要性が説明されている。してみれば，下地層及び酸化イリジウム層
の両者を熱処理で形成する甲第４号証に記載の発明（注，甲４発明）に対して，
『基膜』及び『ドーピング膜』の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第
３号証に記載の発明を適用し，もって，上層については甲第４号証に記載の熱処理
で形成する一方，中間層については甲第３号証に記載されたスパッタリング等，真
空中での付着を選択して行うことを，当業者が容易に想到したとすることはでき
ず，したがって，電極活性物質の形成を熱分解で行う一方，中間層の形成はスパッ
タリングで行うという，上記相違点（Ａ）に係る構成を，当業者が容易に想到し得
たとすることはできない」（同１４頁第１段落～第２段落）と判断した。
イ　審決の上記アの判断は，甲３公報記載の発明におけるスパッタリングが
「真空中」で行われるものであることを，甲４発明に対し，甲３公報記載の発明を
適用することが容易でないことの理由の一つとしているものと解される。
　しかしながら，昭和６２年４月１５日社団法人日本機会学会発行「機械
工学便覧」（甲３０）に，スパッタ蒸着について，「１０－１
～１０Ｐａ程度の不活
性ガス」中で行われる旨が記載されているとおり，スパッタリング法が，「真空」
中で行われることを必須とするものでないことは技術常識であり，また，そもそ
も，「真空」といっても，「人為的には作り出せず，実際はごく低圧の状態をい
う」（甲３１）ものである。
　他方，登録明細書（甲３５）においては，本件発明におけるスパッタリ
ングについて，「高周波スパッタリング装置（～１０－４
Ｔｏｒｒ・アルゴンガス，
高周波印加電圧２ＫＶの条件）」（３頁左欄第１段落）を用いる例が実施例として
挙げられているところ，１３３．３２Ｐａ＝１Ｔｏｒｒであるから，本件発明にお
けるスパッタリングも，「ごく低圧」すなわち「真空」中で行われるものといい得
る。
　以上によれば，甲３公報記載の発明におけるスパッタリングが「真空
中」で行われるものであることが，甲４発明に対し，甲３公報記載の発明を適用す
ることが容易でないとする理由になり得ないことは明らかである。
ウ　また，審決の上記アの判断は，甲３公報記載の発明におけるスパッタリ
ングが，「基膜」及び「ドーピング膜」の両者を「ともに真空中で付着させる」こ
とを必須とするものであることを，相違点（Ａ）に係る本件発明の構成を想到する
ことが容易でないことの理由としており，換言すれば，審決は，本件発明につき，
中間層と電極活性物質層の形成方法を異ならせること，すなわち，スパッタリング
法により形成させた中間層の表面に電極活性物質層を熱分解により形成させる点が
特徴であると判断しているものと理解される。
　しかしながら，そうであるならば，審決の理由においても，スパッタリ
ング法と熱分解法とが同等のものではなく，置換が容易想到でないとする理由を示
す必要があるというべきである。
　仮に，本件特許出願当時，出願人である被告において，本件発明の特徴
が中間層と電極活性物質層の形成方法を異ならせることにあるという認識であった
とすれば，当然，当初明細書（甲７，３６）中に，そうした構成を採用する理由
や，その作用効果について記載していなければならないが，そのような記載は一切
存在しない。かえって，当初明細書には，「本発明電極は電極基体の表面に金属タ
ンタル又はその合金を主成分とする中間層を形成させるものであるが，金属タンタ
ル又はその合金の薄膜を形成させる方法としては，公知の真空蒸着，スパッタリン
グ，イオンプレーティング，イオン注入及び気相メッキ法等を挙げることができ
る。更に簡便な方法としてはタンタルエチラート等の有機金属化合物や金属塩化物
を含むアルコール溶液を電極基体上に塗布し，乾燥後，窒素，アルゴン等の不活性
ガス又は水素等の還元ガス雰囲気中３００～６００℃に加熱して熱分解し金属タン
タル又はその合金の薄膜層を形成させることができる」（甲３６の２頁右下欄最終
段落～３頁左上欄第１段落）と，スパッタリング法が他の成膜法と並列的に例示さ
れている。さらに，当初明細書においては，スパッタリング法によりタンタル中間
層を形成した例が「実施例１」とされ，熱分解法によりタンタル中間層を形成した
例が「実施例２」とされているところ，実施例１については，「２００時間後にお
いて初期の槽電圧と比較すると約１Ｖの上昇が認められたものの，未だ安定な電解
が可能であった。またこの時点での厚み測定から得られた電極活性物質の消耗量は
４０％であり，タンタル薄膜中間層によって電極活性物質の電解時における利用効
率の向上が認められた」（同４頁左上欄下から第２段落）とされ，実施例２につい
ては，「３２０時間の寿命となり，耐久性の著しい改善が認められた」（同頁左下
欄下から第２段落）とされており，両者の効果に大きな差はなく，スパッタリング
法でも熱分解法でも同等の結果が開示されているにすぎない。これによれば，本件
発明は，当初明細書において同等であるとしていた熱分解法に対し，スパッタリン
グ法が格別の効果を持つことも，その旨のデータも何ら開示しないまま，単に，甲
１２拒絶理由通知に記載された発明による拒絶査定を回避するためだけに，中間層
の成膜法をスパッタリング法に限定し，それによって特許されたにすぎないという
べきである。
　また，審決は，電極活性物質層の形成方法と中間層の形成方法とが異な
ることを指摘する。しかしながら，本件特許出願当時，電気メッキに用いられる電
極については，登録明細書（甲３５）に「従来の技術」として，「チタン及びその
合金を基体として，単純に電極活性物質をコーティングした」電極が「広く用いら
れる」（１頁右欄最終段落）とあるように，どのような導電性の耐食基板の上に，
どのような電極活性物質をコーティングするかが問題とされていたのであり，電極
自体の構成において共通であれば，被覆方法が相違していたとしても，技術的には
意味がない。登録明細書には，電極活性物質の被覆法として，熱分解法を用いると
の記述があるが，熱分解法により被覆する方法は，最も一般的で，広く用いられて
いる方法にすぎない上，中間層の形成方法と異ならせることについては，その技術
的意味も作用効果も全く記載されていないから，周知の電極活性物質の被覆方法が
中間層の被覆方法と異なることを根拠に，本件発明の進歩性を肯定することはでき
ない。
　仮に，審決のいう「電極活性物質の形成を熱分解で行う一方，中間層の
形成はスパッタリングで行う」ことが本件発明の特徴であるとすれば，その点でも
登録明細書には記載不備が存在することになるが，そもそも，スパッタリング法に
よって，緻密な膜，付着強度の大きい膜を形成できることは周知の技術的事項であ
り（甲６文献），緻密な膜を形成すると内部酸化に対する抵抗性があることは自明
の事項であるので，本件発明の効果は，当業者が予測可能なものにすぎないし，電
極活性物質層と中間層との形成方法を異ならせることは，甲２公報において開示さ
れている技術的事項にすぎない。すなわち，甲２公報には，「アノード活性層は３
５０℃を越える温度の酸化雰囲気中で加熱することにより作られたものであり」
（特許請求の範囲の請求項１，３頁左上欄下から第２段落），「アノード活性層を
なす白金属金属または白金族金属酸化物を，膜形成性金属基材に適用する多くの方
法があり，それらの方法のうちいくつかでは，被覆を付けた基材に熱を掛けて，そ
の被覆付き基材を空気のような酸素含有雰囲気中で加熱することがなされる。酸素
含有雰囲気中での加熱を必要としない外層適用方法もある。このような後者の方法
としては，電気メッキ法，圧延または同時押出による金属学的結合法，あるいは真
空中で加熱をなすイオンメッキ法のような適用方法がある」（２頁左下欄下から第
２段落），「好ましい具体例の電極はニオブ基材に，アノード活性層として白金お
よびイリジウム含有被覆を与えかつそのニオブ基材と白金およびイリジウム含有層
との間に金属状のタンタルの薄膜を設けてなる・・・好ましくは，タンタル層は基
材金属に対して金属学的に結合される・・・金属学的結合は，圧延により，同時押
出により，拡散結合法により，あるいはその他の適当な方法により形成されうる」
（３頁左下欄第２段落），「いずれかの方法により（すなわち圧延結合法，同時押
出法，イオンメッキ法，爆発結合法）タンタル層を被覆することができ」（５頁左
下欄第１段落）と記載されており，形成方法を異ならせることが可能であることが
開示されている。さらにいえば，甲２公報に記載された「イオンメッキ法」（２頁
左下欄下から第２段落）は，当初明細書（甲７，３６）の「イオンプレーティン
グ」（甲３６の２頁右下欄最終段落）と同義であるから，当初明細書に列挙された
「公知の真空蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング，イオン注入及び気相
メッキ法等」や「タンタルエチラート等の有機金属化合物や金属塩化物を含むアル
コール溶液を電極基体上に塗布し・・・還元ガス雰囲気中・・・加熱して熱分解」
する方法（同頁右下欄最終段落～３頁左上欄第１段落）と，甲２公報に列挙された
方法とは同等であるということもできる。
　そして，形成方法を異ならせることによって格別な効果が生じるという
こともないから，これらを組み合わせることが困難であるという事情もない。
エ　以上のとおり，甲４発明は，中間層と電極活性物質層の両者を「熱処
理」により形成するものであり，甲３公報記載の発明は，両者を「スパッタリン
グ」により形成するものであるところ，これらに中間層と電極活性物質層との形成
方法を異ならせることができることを開示した甲２公報記載の技術的事項（さら
に，甲１発明は，中間層を「溶射法」により形成するものであり，中間層の形成方
法が多様であることを示している。）を適用すれば，電極活性物質層の形成を「熱
分解」で行う一方，中間層の形成は「スパッタリング」で行うという相違点（Ａ）
に係る構成を容易に想到し得るものである。
　また，本件発明において，中間層の形成方法を様々なものとし得ること
は，上記のとおり，出願人である被告自身が当初明細書において自認しているとこ
ろであり，中間層の形成方法の変更は，当業者が容易に選択し得る設計事項にすぎ
ないというべきである。
　したがって，審決の上記アの判断は誤りというべきである。
オ　さらに，審決は，甲１公報，甲２公報，甲５公報及び甲６文献の記載に
ついて検討した上，「してみれば，これら甲第１～６号証（注，甲１公報～甲５公
報及び甲６文献）の記載を検討しても，甲第４号証に記載された発明（注，甲４発
明）と，甲第１～３，５及び６号証に記載された発明とに基いて，導電性金属基体
上に熱分解温度で電極活性物質を被覆した電極において，該基体と電極活性被覆層
との間に，スパッタリング法により形成された薄膜中間層を設けたとする，上記相
違点（Ａ）に係る構成を，当業者が容易に想到し得たとすることはできない」（審
決謄本１５頁第１段落）と判断した。
　しかしながら，上記ウ及びエのとおり，熱分解により電極活性物質層を
形成する技術や，スパッタリング法によりタンタルの薄膜を形成する技術について
は，甲１公報～甲５公報及び甲６文献において既に開示されていた公知，公用の技
術であり，かつ，それらを組み合せることに困難性はないというべきであるから，
審決の上記判断も誤りである。
カ　被告は，本件発明は，①中間層が，スパッタリング法により形成された
結晶性金属タンタルを主成分とする点と，②中間層はスパッタリング法により形成
され，電極活性物質層は熱分解法により形成されるという組合せの点において容易
に想到することができない旨主張する。
　しかしながら，当初明細書（甲７，３６）においては，上記ウのとお
り，スパッタリングは，他の成膜方法と同等の技術として列挙されており（甲３６
の２頁右下欄最終段落～３頁左上欄第１段落），電極活性物質の被覆法について
は，「特に限定され」ない（同３頁右上欄第２段落）としているから，上記①及び
②の構成が，本件発明の中核であるということはできない。
　他方，中間層と電極活性物質層との形成方法を異ならせることが周知技
術であることは，甲２公報のほか，特開昭５６－１１２４５８号公報（甲３９，以
下「甲３９公報」という。）においても，タンタル中間層を溶射法により形成し，
電極活性物質層の形成に熱分解法を用いる例が記載されていることから明らかであ
る。また，タンタル層の表面に電極活性物質層を熱分解法によって被覆する技術が
周知慣用の技術にすぎないことは，特公昭４８－３９５４号公報（甲４０，以下
「甲４０公報」という。）により明らかである。さらに，「タンタル」で中間層を
形成している点についても，甲２公報が引用する英国特許第１２７４２４２号明細
書（甲３８，以下「甲３８明細書」という。）が，チタンの基板，タンタルの中間
層，白金族金属の電極活性物質層という構成を開示している。
　以上によれば，上記①については，スパッタリング法が他の方法と比較
して顕著な効果を有するということはない（当初明細書〔甲７，３６〕，訴外ティ
ーディーケイ株式会社作成の平成９年７月２２日付け特許異議申立書〔甲８〕添付
の実験証明書〔以下「甲８実験証明書」という。〕）上，中間層をタンタルとする
ことは公知の技術であって，その作用効果も知られていた（甲２公報，甲３８明細
書）ということができる。また，上記②については，電解用電極に白金族化合物を
熱分解法により被覆することは周知技術にすぎない（甲３９公報）ところ，中間層
と電極活性物質層との形成方法を異ならせることも公知であり（甲２公報，甲３９
公報），それによって，顕著な効果が発生することもない（甲８実験証明書）とい
うことができる。したがって，本件発明は，周知ないし公知の技術の寄せ集めにす
ぎないというべきであり，被告の上記主張は失当である。
(2)　本件発明の効果に関する判断の誤り
ア　審決は，「本件発明は，従来，チタン及びその合金の基体上に電極活性
物質をコーティングした電極では，発生期の酸素による酸化物層の形成，電極機能
の喪失，被覆層の剥離の問題があり，また，中間層を設けて多層化した電極におい
ても，導電性，耐久性，不動態化の点で解決には至らなかったとの課題の下になさ
れたものであり，併せて，本件明細書（注，登録明細書）には，タンタルの酸化物
層（Ｔａ２Ｏ５）の中間層は，不働態化現象を防止するのに十分でないことが説明さ
れ・・・，そして，スパッタリングで形成した，厚さ３ミクロンのα型結晶構造を
持つ金属タンタルを主成分とする中間層をチタン基体上に有する本件発明の電極で
は，加速電解試験の結果，２００時間後においてなお安定な電解が可能であり，金
属タンタル中間層により電極活性物質の利用効率の向上が認められたことが説明さ
れ（実施例１），これに対し，タンタルを主成分とする中間層を熱分解法で形成し
た場合は，３５時間の短い電極寿命であったことが説明されている（比較例２）」
（審決謄本１３頁下から第２段落）として，本件発明は，スパッタリング法により
中間層を形成したことにより，熱分解法で形成した場合と比較して格別の効果があ
るかのような説示をしている。
イ　しかしながら，当初明細書（甲７，３６）では，特許請求の範囲におい
て，「バルブ金属基体又はその合金よりなる導電性金属基体上に，金属タンタル又
はその合金を含む金属を・・・被着せしめ」る方法として，「真空蒸着法，スパッ
タリング法，イオンプレーティング法，イオン注入法，又は気相メッキ法」（請求
項５）が並列的に記載され，また，「バルブ金属基体又はその合金よりなる導電性
金属基体上に・・・金属タンタルを主成分とする中間被膜層を形成せしめ」る方法
として，「有機タンタル化合物又はタンタル塩化物を含む溶液を塗布し非酸化性雰
囲気中で加熱」（同請求項４）する熱分解法が記載され，発明の詳細な説明におい
ても，上記のとおり，スパッタリング法により中間層を形成した実施例１と，熱分
解法により中間層を形成した実施例２とが記載され，その両者の効果は同等であっ
た。にもかかわらず，その後，平成５年補正書（甲１３）による補正によって，中
間層の形成方法が「スパッタリング法」のみに限定され，相違点（Ａ）に係る本件
発明の構成に至ったものである。
　そして，登録明細書には，当初明細書において同等であるとされていた
熱分解法を含む他の成膜方法との関係で，スパッタリング法を採用したことが格別
の効果を有するものであることも，その旨のデータも何ら開示されていない。した
がって，審決が，登録明細書の記載を根拠として，スパッタリング法が熱分解法と
比較して格別の効果があるかのような説示をしたことは，明らかに誤りである。
ウ　被告は，加速試験において，本件発明の構成を欠く電極では約７０時間
で通電不能となったのに対し，本件発明に係る電極は２００時間超で，なお安定的
な通電が可能であった（登録明細書〔甲３５〕の３頁左欄下から第２段落～最終段
落）として，本件発明が格別の効果を有する旨主張する。
　しかしながら，被告主張の差異は，タンタル中間層を設けたものと，タ
ンタル中間層を設けなかったものとの差異にすぎない。タンタル中間層を設けたも
のが被告主張の程度の耐久性を有することは，タンタル中間層を設けたこと自体に
よる周知の効果にすぎず，中間層と電極活性物質層の形成方法を異ならせるという
本件発明の構成による効果であると見ることはできない。
　そして，当初明細書（甲７，３６）によれば，タンタル中間層をスパッ
タリング法で形成した実施例１と，タンタル中間層を熱分解法で形成した実施例２
とでは，その耐久性に大差がないとの実験結果が示されている。また，タンタル中
間層をスパッタリング法で形成し，電極活性物質層を熱分解法で形成するとの構成
に顕著な効果がないことは，甲８実験証明書によっても明らかにされている。
エ　被告は，審判段階において提出した「溶射法によるタンタル中間層との
比較データ」（甲３７，以下「甲３７データ」という。）を援用して，本件発明の
構成に基づく効果を主張するが，当初明細書及び甲８実験証明書によれば，このよ
うな主張が失当であることは，上記ウのとおりである。また，甲３７データにおい
ては，スパッタリング法によるものの膜厚を２μｍ，溶射法によるものの膜厚を５
０μｍとしているが，これは，技術的には，両者の膜厚を同じにすることができる
にもかかわらず，あえて膜厚を異ならせてデータを収集したものであるから，信用
性に乏しいとみるべきである。
４　取消事由４（無効理由イに係る相違点（Ｂ）に関する認定判断の誤り）
(1)　相違点（Ｂ）の認定の誤り
　審決は，本件発明と甲４発明との相違点（Ｂ）として，「上記中間層の構
成成分について，本件発明では，結晶性金属タンタルを主成分とするものであるの
に対して，甲第４号証（注，甲４公報）に記載のものでは，イリジウム５０～９０
モル％及びタンタル５０～１０モル％を含有する酸化イリジウムと酸化タンタルと
から成るものである点」（審決謄本１３頁第２段落）を認定した。
　しかしながら，甲４公報には，No.７の電極として，下地層のイリジウムモ
ルが０％，すなわち，下地層がタンタルのみから形成される例が比較例として挙げ
られている（５頁右上欄第２表）から，この点を考慮していない上記認定は誤りで
ある。
(2)　相違点（Ｂ）に関する判断の誤り
ア　審決は，「本件明細書（注，登録明細書）には，従来例（特開昭５７－
１９２２８１号公報）として，中間層としてタンタルの導電性酸化物層を設けた電
極の場合，タンタルの酸化物層（当該公報の記載によると，Ｔａ２Ｏ５を意味す
る。）は不働態化現象を防止するのに十分でないと説明され（本件特許掲載公報
〔注，甲３５〕第３欄第２４～３０行参照。），そして，酸化タンタルを成分とす
る下地層を有する甲第４号証（注，甲４公報）に記載された電極は，この従来例に
相当するものと認められる」（審決謄本１５頁第２段落）とする。
　しかしながら，登録明細書（甲３５）における従来例の記載は，「チタ
ン又はチタン合金を基材とし，金属酸化物よりなる電気被覆を有する電極におい
て，その中間層としてタンタル及び／又はニオブの導電性酸化物層を設けた酸素発
生を伴う電解用電極が提案されているが，タンタル又はニオブの酸化物層は酸素に
よる不働態化現象を防止するのに十分なものとは言えない」（２頁左欄第４段落）
であり，甲４公報のものは，「酸化イリジウムと酸化タンタルとから成る下地層」
（特許請求の範囲の請求項１）であって，後者が前者に相当するとは直ちにいうこ
とができないはずであるから，審決の上記判断は誤りである。
イ　また，審決は，甲３公報について，「上記『相違点（Ａ）について』の
欄に記載したと同様，本件発明における中間層に相当する『基膜』につき，タンタ
ルで形成し得ること，及びスパッタリングで形成し得ることが開示されているとい
えるが，その発明は，陽極被覆層の上層を構成する『ドーピング膜』と，中間層を
構成する『基膜』との両者を，ともにスパッタリング等真空中での付着を必須とす
るものであり，当該真空中での付着により結晶性金属タンタルを主成分とする中間
層が形成されること，及び，結晶性金属タンタルを，熱分解法による電極活性物質
被覆層と導電性基体金属との間に設けることを開示する記載は見当たらない」（審
決謄本１５頁下から第３段落）とする。
　しかしながら，審決の上記判断が誤りであることは，上記３(1)のとおり
であり，下地層及び酸化イリジウム層の両者を熱処理によって形成する甲４発明に
ついて，甲１～３及び甲５公報並びに甲６文献記載の技術的事項を適用して，当業
者が，相違点（Ｂ）に係る構成を容易に想到し得たことは明らかである。
ウ　以上によれば，「下地層及び酸化イリジウム層の両者を熱処理で形成す
る甲第４号証に記載の発明（注，甲４発明）に対して，甲第３号証（注，甲３公
報）に記載の発明，ないし甲第１，２，５及び６号証（注，甲１公報，甲２公報，
甲５公報及び甲６文献）に記載された発明を適用しても，上記相違点（Ｂ）に係る
構成を，当業者が容易に想到し得たとすることはできない」（審決謄本１５頁最終
段落～１６頁第１段落）とした審決の判断は誤りである。
５　取消事由５（無効理由ロに係る相違点（ｂ）に関する判断の誤り）
(1)　構成の容易想到性に関する判断の誤り
ア　審決は，本件発明と甲１発明との相違点（ｂ）として認定した，「本件
発明における中間層は，詳しくは『スパッタリングにより形成された結晶性金属タ
ンタルを主成分とする』ものであるのに対して，甲第１号証（注，甲１公報）に記
載の中間層はタンタルを主成分とし，『導電性物質を溶射してなる』ものである
点」（審決謄本１７頁第４段落）について，無効理由イに係る相違点（Ａ）に関す
るものと同旨の理由付け（同頁下から第２段落～１８頁第１段落）に加えて，「な
おかつ，甲第１号証（注，甲１公報）の記載を精査すると，甲第１号証には，溶射
法による溶射面（第３図）は表面粗化が優れており，この溶射面上の白金の付着性
が例中最も優れている・・・と記載されており，したがって，甲第１号証には，溶
射に代えて，あえて他の形成手段を用い，スパッタリングを採用することの開示が
あるとすることはできない」との説示（同頁第２段落，以下「溶射法との置換阻害
事由に関する説示」という。）をした上，「中間層を構成する導電性物質を溶射に
より形成する甲第１号証に記載の発明（注，甲１発明）に対して，『基膜』及び
『ドーピング膜』の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第３号証（注，
甲３公報）に記載の発明を適用したとしても，電極活性物質の形成を熱分解で行う
一方，中間層の形成についてはスパッタリングで行って結晶性金属タンタルを主成
分とする中間膜を形成するという，上記相違点（ｂ）に係る構成を，当業者が容易
に想到し得たとすることはできない」（同頁第３段落）と判断した。
イ　しかしながら，審決の上記判断のうち，無効理由イに係る相違点（Ａ）
に関する判断と同旨の部分が誤りであることは，上記３(1)のとおりである。
ウ　また，溶射法との置換阻害事由に関する説示については，甲１公報の該
当部分の記載は，第１図が「チタン板の表面を化学的にエッチングしたものの６０
倍の顕微鏡写真」（４頁左下欄最終段落），第２図が「チタン板の表面をサンドブ
ラストしたものの６０倍の顕微鏡写真」（同頁最終段落～右下欄第１段落），第３
図が「チタン板の表面にタンタル粉末をプラズマジェット溶射した面の６０倍の顕
微鏡写真」（同頁右下欄第２段落）であり，甲１公報の各図は，「プラズマジェッ
ト溶射」が，「エッチング」及び「サンドブラスト」よりも優れていることを示し
てはいるものの，スパッタリングを含む他に選択し得るすべての製法と比較して溶
射法が優れていることを示すものではない。したがって，溶射法との置換阻害事由
に関する説示は誤りであり，甲１公報が溶射法が最も優れていることを示すもので
ない以上，他の形成手段としてスパッタリング法を採用することも，当業者にとっ
て容易に想到し得るものというべきである。
エ　以上によれば，審決の上記アの判断は誤りというべきである。
オ　さらに，審決は，甲２公報，甲４公報，甲５公報及び甲６文献の記載を
検討した上，「してみれば，これら甲第１～６号証（注，甲１公報～甲５公報及び
甲６文献）の記載を検討しても，甲第１号証に記載された発明と，（注，甲１発
明）甲第３，５及び６号証に記載された発明，なおかつさらに甲第２，４号証に記
載された発明（注，甲２発明，甲４発明）に基いて，導電性金属基体上に熱分解温
度で電極活性物質を被覆した電極において，該基体と電極活性被覆層との間に，ス
パッタリングにより形成された結晶性金属タンタルを主成分とする薄膜中間層を設
けたとする，上記相違点（ｂ）に係る構成を，当業者が容易に想到し得たとするこ
とはできない」（審決謄本１８頁最終段落～１９頁第１段落）と判断した。
　しかしながら，審決の甲１公報～甲５公報及び甲６文献に対する理解が
誤りであることは，上記イ及びウのとおりであるから，審決の上記判断も誤りであ
る。
(2)　本件発明の効果に関する判断の誤り
ア　審決は，「なお，被請求人（注，被告）が，本件出願に係る拒絶査定不
服審判（審判平５－２３４４６号）の手続き中において，平成８年５月１３日の審
判官との対応・・・に際し提示した，『溶射によるタンタル中間層との比較デー
タ』（今回，平成１５年６月２日付け「上申書」に添付して再提出。）（注，甲３
７データ）には，熱分解による電極活性層を有する電極について，スパッタリング
の中間膜を用いた場合は，溶射の場合に比して，優れた電極寿命を有することが示
されており，そして，上記甲第１，３，５及び６号証（注，甲１公報，甲３公報，
甲５公報，甲６文献）のいずれにも，かかる本件発明の効果を開示する記載は見当
たらない」（審決謄本１８頁下から第３段落）と判断した。
イ　しかしながら，審決の上記アの判断のうち，「スパッタリングの中間膜
を用いた場合は，溶射の場合に比して，優れた電極寿命を有することが示されてお
り」という点は，明らかに，当初明細書（甲７，３６）の記載と矛盾している。当
初明細書には，上記３(1)ウのとおり，スパッタリング法が他の成膜法と並列的に例
示され，さらに，スパッタリングによりタンタル中間層を形成した実施例１と熱分
解層によりタンタル中間層を形成した実施例２との効果には大きな差はなく，スパ
ッタリング法でも熱分解法でも同等の結果が開示されているにすぎない。つまり，
本件発明は，当初明細書において同等であるとしていた熱分解法に対し，スパッタ
リング法が格別の効果を持つことも，その旨のデータも何ら開示しないまま，単
に，甲１２拒絶理由通知に記載された発明による拒絶査定を回避するためだけに，
中間層の成膜法をスパッタリング法に限定し，それによって特許されたにすぎない
ものなのである。
６　取消事由６（無効理由ハに係る相違点（ⅰ）に関する判断の誤り）
(1)　審決は，本件発明と甲２発明との相違点（ⅰ）として認定した，「本件発明
では，金属タンタルを主成分とする薄膜中間層が，『スパッタリング法により形
成』され，『結晶性金属タンタルを主成分とする』ものであるのに対して，甲第２
号証（注，甲２公報）にはその記載が見あたらない点」（審決謄本２０頁第３段
落）について，無効理由イに係る相違点（Ａ）に関するものと同旨の理由付け（同
頁下から第２段落）により，「してみれば，アノード活性物質層を酸化雰囲気中で
の加熱により形成する甲第２号証に記載の発明に対して，『基膜』及び『ドーピン
グ膜』の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第３号証に記載の発明を適
用したとしても，電極活性物質の被覆を熱分解で行う一方，中間層の形成について
はスパッタリングで行い，結晶性金属タンタルを主成分とする中間膜を形成すると
いう，上記相違点（ｉ）に係る構成を，当業者が容易に想到し得たとすることはで
きない」（同頁最終段落～２１頁第１段落），「他の証拠を検討しても，甲第２号
証に記載された発明（注，甲２発明）と他の証拠に記載された発明に基づき，上記
相違点（ⅰ）に係る構成を容易とする根拠は見あたらない」（同頁第２段落）と判
断した。
(2)　しかしながら，審決の上記判断が誤りであることは，上記３(1)のとおりで
ある。
　なお，審決は，甲２公報について，「結晶性金属タンタルを主成分とす
る」との記載が見当たらないとするが，スパッタリング法で形成するタンタル層が
結晶性であることは明らかであるから，甲３公報ないし甲６文献に記載された技術
的事項を適用して，スパッタリング法によりタンタル層を形成することとすれば，
当然に，「結晶性金属タンタル」層が形成されることになるものである。
第４　被告の反論
　審決の認定判断は正当であり，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。
１　取消事由１（明細書の記載不備の看過）について
(1)　非晶質のタンタルと結晶質のタンタルとの作用の差が不明である点について
　本件発明は，登録明細書（甲３５）の特許請求の範囲に記載されたとおり
の構成をもつ酸素発生陽極であって，特許を受けようとする発明を特定するために
必要な事項はすべて明確に記載されている。また，その発明の詳細な説明の項に
は，当業者がこの本件発明を実施するのに必要十分な技術が明確に開示されてい
る。
　以上のほか，原告が主張する「非晶質タンタルと結晶性タンタルとの作用
の差」などを本件明細書に記載しなければならない理由はない。また，本件特許出
願当時スパッタリング法により形成される金属タンタル薄膜層はすべて結晶質であ
って非晶質のものは知られていなかったから，両者の作用の差についての情報を求
めることは，非晶質のスパッタリング膜が存在することを前提とする点で誤った事
実に依拠しているということもできる。
　したがって，この点に関する原告の主張は失当である。
(2)　β－タンタルの形成，効果についての開示がない点について
　上記第２の２のとおり，本件発明における中間層は，「結晶性金属タンタ
ル」を主成分とするものであるところ，登録明細書（甲３５）の発明の詳細な説明
においては，実施例として，α型結晶性金属タンタルを用いた場合の技術的詳細が
開示されている。
　原告は，「結晶性金属タンタル」には，α型，β型両結晶性のものが包含
されているが，登録明細書においては，β型結晶性金属タンタルについての技術開
示がされていない旨主張しているものと解される。
　しかしながら，本件特許出願当時，「結晶性金属タンタル」には，α型，
β型の二つの型のものが存在すること，いずれの型のものもチタンなどのバルブ金
属上にスパッタリング法を用いて薄膜を形成し得ること及びその技術，並びに，こ
のようにして形成されたα型，β型両型のスパッタリング膜は，同じ結晶性金属タ
ンタルのスパッタリング膜として本件発明の目的を達するに必要な性質，作用を共
有していることは，いずれも技術知識であり，公知の事項であった（乙４）。他
方，もとより，明細書に実施例として記載するものが，特許請求の範囲に記載され
た全技術を漏れなくカバーしていなければならないものでないことはいうまでもな
い。
　確かに，登録明細書の記載上は，実施例として，α型結晶性金属タンタル
のスパッタリング膜を作成する具体的技術とその効果が示されているのみである
が，以上のようなことから，α型，β型両型結晶性金属タンタルを共に包含してい
る概念である「結晶性金属タンタル」についての技術開示として十分であると判断
された結果，特許されることとなったものである。
　したがって，この点に関する原告の主張も失当である。
２　取消事由２（補正による明細書の要旨変更の看過）について
　当初明細書（甲７，３６）には，「０．５ミクロン更に好ましくは１ミクロ
ン以上の厚み」という記載があり，実施例として３ミクロンの厚みのものが具体的
に示されているのであるから，「厚さ１～３ミクロン」を当然に含んでいると解さ
れる。したがって，これを補正により明記，限定することは，何ら問題がないとい
うべきである。
３　取消事由３（無効理由イに係る相違点（Ａ）に関する判断の誤り）～取消事
由６（無効理由ハに係る相違点（ｉ）に関する判断の誤り）について
(1)　構成の容易想到性に関する判断の誤りについて
ア　審決が本件発明と各公知技術との間の相違点として抽出した点は，結局
のところ，①中間層が，スパッタリング法により形成された結晶性金属タンタルを
主成分とする点と，②中間層はスパッタリング法により形成され，電極活性物質層
は熱分解法により形成されるという組合せの点とを示すものであるということがで
きる。
　発明の新規性，進歩性を論じるに当たっては，その個々の構成要素につ
いての公知性のみを論じることはほとんど意味がない。個々の構成要素がいかに陳
腐ないし公知であっても，その組合せや用い方の意外性によって画期的な作用効果
を生み出す発明は，高い進歩性があると評価されるべきである。
　本件発明についても，その新規性，進歩性の中核となる構成は，上記①
及び②の点にあり，それらについて，甲１公報～甲５公報及び甲６文献からは容易
に想到することができないとした審決の判断に誤りはない。
イ　本件発明と甲４発明との基本的な差異は，甲４発明では，中間層を酸化
タンタル及び酸化イリジウムで形成しているに対し，本件発明では，金属タンタル
で形成している点である。
　他方，甲３公報には，基膜（中間層）としてタンタル－タングステン等
の金属をスパッタリング法により形成させる発明が記載されている。甲３公報記載
の電極は，中間層のみならず，その表面層（ドーピング膜）をも同じくスパッタリ
ング法により形成させるもので，その目的は緻密な膜の形成と良好な付着であり，
基膜と基材との間のみならず，基膜とドーピング膜との間においても酸化膜の形成
を防ぐことにある。これに対し，本件発明の主旨は，中間層に緻密な金属タンタル
を形成するとともに，表面層（電極活性物質層）は熱分解法により形成させるとい
う点にある。本件発明は，中間層と電極活性物質層との形成方法を異ならせること
により電極の活性化と長寿命化を図ったものであり，甲３公報記載の発明とは異な
る技術的思想を有するものである。
　原告は，中間層及び表面層を同じく熱分解法で形成する甲４発明におけ
る中間層を，甲３公報記載のスパッタリング法により形成される金属タンタルによ
って置換することは容易である旨主張する。
　しかしながら，甲４発明の中間層は，タンタル酸化物，イリジウム酸化
物という，本件発明の金属タンタルと全く異なる物質から構成されるものであると
ころ，それらを置換し得るとする根拠は存在しない。また，本件発明における表面
層の形成手段が公知ないし周知のものであるとしても，スパッタリング法により形
成される金属タンタルより成る中間層との組合せにおいて酸素発生電極として顕著
な効果を生じる以上，本件発明の進歩性を否定することはできない。
　なお，原告は，「真空」の意義についてるる主張しているが，「真空」
という語が，完全な真空に限らず，ごく低圧の状態を含むことは技術常識である。
もとより，審決が，当該技術常識を前提に，甲３公報には電極活性物質の形成を熱
分解で行う一方，中間層の形成はスパッタリングで行うという構成は開示されてい
ない旨説示していることは明らかであって，この点に関し，審決には何ら誤りはな
い。
ウ　原告は，本件発明の進歩性を否定する根拠として，当初明細書の記載を
挙げるが，そもそも，本件発明の進歩性は，原則として，登録明細書の記載に基づ
いて判断されるべきものであるから，失当である。
　また，本件発明の新規性，進歩性の中核となる上記アの①及び②の構成
並びにその効果は，当初明細書以来，終始一貫して完全に開示されていたものであ
り，その点には何らの問題もない。
エ　原告は，中間層と電極活性層との形成方法を異ならせることは，甲２公
報に開示されているとした上，甲４発明及び甲３公報記載の発明に，甲２公報記載
の当該技術的事項を適用すれば，電極活性物質の形成を「熱分解」で行う一方，中
間層の形成は「スパッタリング」で行うという相違点（Ａ）に係る構成を容易に想
到し得る旨主張する。
　しかしながら，本件発明が中間層の形成にスパッタリング法を採用した
のは，他の方法に比べて非常に有利であることに着目したものであるから，原告の
上記主張は誤りである。甲２公報に記載された圧延，押出，爆発結合，拡散結合等
の各方法は，中間層として厚味の大きい金属タンタル（高価な金属である。）を必
要とするのに対し，スパッタリング法は１～３ミクロンという極薄のタンタル膜を
均一につくることができるという工業的長所がある。また，スパッタリング法は，
蒸着法に較べて膜の密着性，強度に優れるという特徴を有する。
(2)　本件発明の効果に関する判断の誤りについて
ア　本件発明の電極は，従来のこの種電極との比較において，驚くべき抜群
の耐久性を取得し得たものである。すなわち，加速試験において，上記(1)アの①及
び②の構成を欠く電極では約７０時間で通電不能となったのに対し，本件発明に係
る電極は２００時間超で，なお安定的な通電が可能であった（登録明細書〔甲３
５〕の３頁左欄下から第２段落～最終段落）。
　また，溶射法によりタンタル中間層を形成した場合との耐久性の差は，
甲３７データにより明らかである。
イ　原告は，甲８実験証明書を援用するが，甲８実験証明書におけるサンプ
ルＢは，そのタンタル中間層の厚さが１ｍｍ（１０００ミクロン）であって，サン
プルＡのものに比べ，５００倍もの厚さを有する。タンタル中間層の厚さにおける
大差を無視して，電極の寿命の長さのみを比較することは，経済的にはもちろん，
技術的にも全く意味がない。
第５　当裁判所の判断
１　取消事由１（明細書の記載不備の看過）について
(1)　原告は，登録明細書（甲３５）の記載は，①非晶質のタンタルと結晶質のタ
ンタルとの作用の差が不明である点及び②β－タンタルの形成，効果についての開
示がない点において，特許法旧３６条３項及び４項に規定する要件を満たさないも
のであるとし，上記①及び②のいずれの点についても理由がないとした審決の判断
（審決謄本８頁最終段落～１０頁第２段落）は誤りである旨主張するので，以下，
検討する。
(2)　非晶質のタンタルと結晶質のタンタルとの作用の差が不明である点について
ア　登録明細書（甲３５）には，特許請求の範囲の請求項１に，上記第２の
２のとおり，「バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に３５０～５５
０℃の熱分解温度で白金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質を被覆した電極
において，該基体と電極活性被覆層との間に，スパッタリング法により形成された
結晶性金属タンタルを主成分とする厚さ１～３ミクロンの薄膜中間層を設けたこと
を特徴とする酸素発生陽極」と記載されているところ，原告の上記(1)の①に係る主
張は，上記請求項１の「スパッタリング法により形成された結晶性金属タンタルを
主成分とする厚さ１～３ミクロンの薄膜中間層」との構成について，発明の詳細な
説明において，「非晶質」の金属タンタルではなく，「結晶性」の金属タンタルを
中間層の主成分としたことによる作用効果が記載されていないことをもって，明細
書の記載要件違反であると主張するものであると解される。
イ　そこで検討すると，本件明細書の記載要件について適用される特許法旧
３６条３項は，発明の詳細な説明においては，当業者の技術常識に照らし，当業者
が容易に発明の実施をすることができる程度に，その発明の目的，作用及び効果を
記載しなければならないと定めているところ，登録明細書（甲３５）の発明の詳細
な説明には，①「発明が解決しようとする課題」として，「本発明の目的のスズ，
亜鉛，クロム等の電気メッキ用陽極として検討されている酸素発生用不溶性陽極に
おいて問題とされている基体の不働態化を経済的に有利な方法で防ぎ，長寿命の電
極を提供することにある」（２頁左欄下から第３段落），②「作用」として，「本
発明電極における中間層すなわち金属タンタルを主成分とする薄膜層の不働態化抑
制効果は論理的には必ずしも明らかでないが，表面被覆層をなすルチル型構造の電
極活性物質と焼成を行うと，Ｘ線回折では表面被覆層と中間層との境界面はタンタ
ル及び一般に最も安定とされている５価のタンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）の回折パタ
ーンは殆んど認められない。すなわちこの境界面では金属的な導電性を持つルチル
型構造の４価のタンタル酸化物（ＴａＯ２）が生成し，電極活性物質と化学的に安
定な状態を保っているものと思われる。また中間層自体は殆んど金属タンタルの状
態にあるため，不良導体でかつ非ルチル構造の５価のタンタル酸化物と異なる良好
な導電性を保つものと思われる」（２頁右欄下から第３段落），③「発明の効果」
として，「本発明電極は金属タンタルを主成分とする薄膜中間層を設けることによ
り，従来問題視されていた電極基体と電極活性物質層との間に生じる不働態化現象
を防ぎ電極活性物質の利用効率を改善することができ，工業電解用陽極，例えば硫
酸酸性溶液等の酸素発生陽極としての利用価値は大である」（３頁右欄最終段落）
との記載があり，また，④「実施例１」として，「厚さ３ミクロンのα型結晶構造
を持つ金属タンタルを主成分とする中間層」（３頁左欄第１段落）を有するもの，
「比較例１」として，「タンタル薄膜中間層を設けなかった以外は同様の処理」
（同頁左欄第４段落）をしたもの，「比較例２」として，「酸化タンタルを主成分
とする中間層を形成させた」（同頁右欄第２段落）ものがそれぞれ掲げられ，比較
例１では，「７０時間後に槽電圧の急激な上昇が認められ通電が不能となった」
（同頁左欄下から第２段落）が，実施例１では，「２００時間後において初期の槽
電圧と比較すると約１Ｖの上昇が認められたものの，未だ安定な電解が可能であ」
（同頁左欄最終段落）り，比較例２は「３５時間の寿命となった」（同頁右欄下か
ら第２段落）ことが記載されている。
ウ　他方，登録明細書（甲３５）の発明の詳細な説明において，原告主張に
係る非晶質の金属タンタルと結晶性の金属タンタルとの作用効果の差の点が記載さ
れていないことは，当事者間に争いがない。
　しかしながら，登録明細書の発明の詳細な説明には，上記イ④のとお
り，「実施例１」として，「厚さ３ミクロンのα型結晶構造を持つ金属タンタルを
主成分とする中間層」を有するもの，すなわち，結晶性の金属タンタルを主成分と
する中間層を有するものが掲げられ，それが，比較例１及び比較例２との比較にお
いて，電極の耐久性等の点で有利な効果を示すことも明記されているものと認めら
れるから，当業者は，当該記載に基づき，本件発明を容易に実施することができた
ものと解され，そのほかに，「非晶質」の金属タンタルではなく，「結晶性」の金
属タンタルを中間層の主成分としたことによる作用効果の点も記載されていなけれ
ば，本件発明を実施することが困難となるという事情は格別うかがわれない。かえ
って，原告自身，取消事由６（無効理由ハに係る相違点（ⅰ）に関する判断の誤
り）に係る主張ではあるが，スパッタリング法によりタンタル層を形成することと
すれば，当然に，「結晶性金属タンタル」層が形成されることになる（上記第３の
６(2)）ことを自認していることからすれば，登録明細書に接した当業者は，スパッ
タリング法により形成される本件発明の中間層における金属タンタルは，当然に，
「結晶性」のものであって，「非晶質」のものではないことを，その技術常識によ
って理解するものと認められ，そうであるとすれば，登録明細書の発明の詳細な説
明に，「非晶質」の金属タンタルではなく，「結晶性」の金属タンタルを中間層の
主成分としたことによる作用効果の点が記載されていなくとも，当業者による本件
発明の実施が困難となるものでないことは明らかというべきである。
エ　したがって，この点に関する原告の主張は，採用の限りではない。
(3)　β－タンタルの形成，効果についての開示がない点について
ア　この点について，原告は，結晶性金属タンタルには，α－タンタル（体
心立方構造）とβ－タンタル（正方晶系構造）が存在するところ，登録明細書（甲
３５）には，本件発明の実施例として，「α型結晶構造を持つ金属タンタル」を主
成分とする薄膜中間層を設けた例のみが記載されているにもかかわらず，特許請求
の範囲の請求項１においては，β－タンタルまでもが含まれるかのような「結晶性
金属タンタル」との記載がされているなどとして，登録明細書の記載は，特許法旧
３６条３項及び４項に規定する要件を満たさない旨主張する。
イ　そこで検討すると，原告の上記主張に係る，①結晶性金属タンタルに
は，α－タンタルとβ－タンタルとの２種類があること，②登録明細書の発明の詳
細な説明には，本件発明の実施例として，「α型結晶構造を持つ金属タンタル」を
主成分とする薄膜中間層を設けた例のみが記載されていること，及び③登録明細書
の特許請求の範囲の請求項１には，β－タンタルをも含み得る概念である「結晶性
金属タンタル」との記載がされていることについては，いずれも当事者間に争いが
ない。
　しかしながら，登録明細書（甲３５）の発明の詳細な説明には，上記(2)
イの各記載があるほか，「課題を解決するための手段」として，「本発明はバルブ
金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に３５０～５５０℃の熱分解温度で白
金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質を被覆した電極において，該基体と電
極活性被覆層との間に，スパッタリング法により形成された結晶性金属タンタルを
主成分とする厚さ１～３ミクロンの薄膜中間層を設けたことを特徴とする酸素発生
陽極である」（２頁左欄最終段落）と，特許請求の範囲の請求項１に規定された発
明と同一の発明が記載されている。他方，実施例（実施例１）として，「α型結晶
構造を持つ金属タンタル」を主成分とする薄膜中間層を設けた例のみが記載されて
いることは原告主張のとおりであるが，もとより，「α型結晶構造を持つ金属タン
タル」も「結晶性金属タンタル」であるから，上記請求項１に規定された発明の実
施例に該当することはいうまでもないし，発明の詳細な説明に記載した「実施例」
が，必ずしも，特許請求の範囲に規定された発明のすべてをカバーしなければなら
ないものでないことも，その性質上当然であるというべきである。
　そうすると，実施例の記載が「α型結晶構造を持つ金属タンタル」に関
するもののみであるという一事をもって，発明の詳細な説明において対象とされた
発明が，「α型結晶構造を持つ金属タンタル」を主成分とする薄膜中間層を設けた
ものに限定されると解することはできず，少なくとも登録明細書の記載上は，その
ように限定して解すべき根拠は格別見当たらないというほかはない。
ウ　これに対し，原告は，甲１８公報の記載を根拠に，本件特許出願当時の
技術では，基板上に酸素基あるいは水酸基が存在することがβ－タンタルの形成に
不可欠であって，特にチタンの基体上には，β－タンタルの形成が困難であったと
した上，仮に，本件発明が，登録明細書に実施例として記載されていないβ－タン
タルをも含むものであるとすれば，どのようにしてβ－タンタルを形成させ，その
結果，どのような効果を奏するのかをデータの裏付けをもって開示しなければなら
ない旨主張する。
　しかしながら，本件特許出願当時，チタンの基体上におけるβ－タンタ
ルの形成が困難であったこと等の原告主張の上記技術常識自体，反対の趣旨の証拠
（乙４）の存在に照らし，必ずしも明らかであるということはできない。また，仮
に，当該技術常識が存在したとしても，登録明細書（甲３５）の特許請求の範囲の
請求項１の「結晶性金属タンタル」の技術的意義を解釈するに当たり，当該技術常
識に基づき，「α型結晶構造を持つ結晶性金属タンタル」と限定して解釈すべきで
あるとの結論が導かれ得ることは格別，直ちに，登録明細書の記載が特許法旧３６
条３項及び４項に違反するとまでは解されないから，いずれにしても，原告の上記
主張を採用することはできない。
エ　さらに，原告は，出願人である被告の本件特許出願当時の認識として
も，本件発明が，β－タンタルを含むものであると考えていたわけではない旨主張
し，審査段階で提出された甲１５意見書の記載や，被告が本件特許出願後に出願し
た後願明細書（甲２９）の記載を援用する。
　しかしながら，仮に，出願人である被告の主観的認識が，原告主張に沿
うものであったとしても，そうした事情が，侵害訴訟等において本件発明の技術的
範囲（特許法７０条）を認定する際に参酌され得ることは格別，特許法旧３６条３
項及び４項に規定する明細書の記載要件に関する判断は，登録明細書の記載及び当
業者の技術常識に基づいて客観的に行うべきであって，出願人の主観的認識によっ
て左右されるものではないから，原告の上記主張は採用の限りではない。
(4)　以上によれば，登録明細書の記載不備をいう原告の取消事由１の主張は，い
ずれも理由がない。
２　取消事由２（補正による明細書の要旨変更の看過）について
(1)　原告は，平成４年補正書（甲９）及び平成６補正書（甲１９）における薄膜
中間層の厚さを１～３ミクロンとする補正は，明細書の要旨を変更するものである
ので，本件特許出願は，特許法旧４０条により，平成４年補正書が提出された平成
４年８月５日にされたとみなすべきであるとし，「出願当初の明細書（注，当初明
細書）には，１ミクロン以上であって３ミクロンまでの厚さの中間層，即ち，『厚
さ１～３ミクロンの薄膜中間層』が実質的に記載されていたと認めることができ，
そして，この補正により，発明の構成に関する技術的事項が，実質的に出願当初の
明細書に記載された事項の範囲内でないものとなると言うことはできない」（審決
謄本１０頁下から第２段落）とした審決の判断は誤りである旨主張する。
(2)　そこで検討すると，原告の主張に係る平成４年補正書（甲９）及び平成６年
補正書（甲１９）による補正においては，薄膜中間層の厚さに関する補正として，
まず，平成４年補正書による補正により，発明の詳細な説明に，「通常厚み５ミク
ロン未満，特に３ミクロン以下が好ましい」との記載が挿入され，その後，平成６
年補正書による補正によって，特許請求の範囲の請求項１の「スパッタリング法に
より形成された結晶性金属タンタルを主成分とする薄膜中間層」との記載が，「ス
パッタリング法により形成された結晶性金属タンタルを主成分とする厚さ１～３ミ
クロンの薄膜中間層」（下線は補正部分を示す。）と補正されたものであると認め
られる。
　明細書の補正が要旨変更（特許法旧４０条，４１条）に当たるか否かにつ
いては，補正の結果，特許請求の範囲に記載した技術的事項や，発明の詳細な説明
に記載した発明の構成に関する技術的事項等が，願書に最初に添付した明細書に記
載した技術的事項の範囲外のものになった場合には，その補正は明細書の要旨を変
更するものであると解される。そして，当初明細書（甲７，３６）には，薄膜中間
層の厚さに関し，①「中間層は・・・本発明の目的を達成するためには０．５ミク
ロン更に好ましくは１ミクロン以上の厚みを必要とする」（甲３６の３頁左上欄第
２段落）こと，②実施例１において，高周波スパッタリング装置を用いた処理によ
り，「厚さ３ミクロンの金属タンタルを主成分とする中間層」（同３頁右下欄第１
段落）が形成されたことがそれぞれ記載されており，当初明細書に，本件発明に係
る薄膜中間層の構成に関する技術的事項として，「厚さ１～３ミクロン」の範囲の
ものが開示されていたことは明らかであるから，平成４年補正書及び平成６年補正
書による薄膜中間層の厚さに関する上記補正は，明細書の要旨変更には当たらない
というほかはない。
　これに対し，原告は，当初明細書の上記記載からは，中間層の厚さの上限
値が３ミクロンであることは読み取ることができないというほかはなく，他に，当
初明細書には，中間層の厚さの「上限」を３ミクロンとすることに関する記載は全
く存在しない旨主張する。しかしながら，当初明細書において，中間層について，
厚さの上限を限定せず，「０．５ミクロン更に好ましくは１ミクロン以上」のもの
が開示され，「厚さ３ミクロン」の実施例が示されている以上，当該範囲内で「厚
さ３ミクロン」との上限を設定することは，他に特段の事情のない限り，当初明細
書に記載した技術的事項の範囲内での限定にすぎないというべきであるから，原告
の上記主張は採用の限りではない。
(3)　さらに，原告は，平成４年補正書（甲９）による補正は，本来，甲１０公報
ないし甲１１公報に記載された発明に基づき拒絶されるはずの出願を特許として成
立させることを意図したものであり，いわば補正によって未完成の発明を完成に導
いたに等しいものであるなどとして，当該補正は要旨変更になる旨主張する。
　しかしながら，仮に，出願人である被告の意図が，原告主張のとおり，甲
１０公報ないし甲１１公報記載の発明との抵触を避けることにあったとしても，そ
のことのみを理由として，要旨変更に該当するということができないことは明らか
であり，他に，平成４年補正書及び平成６年補正書（甲１９）による補正によっ
て，特許請求の範囲に記載した技術的事項が当初明細書に記載した技術的事項の範
囲外のものになったと認めるべき特段の事情はうかがわれないから，原告の上記主
張は失当であるというほかはない。
(4)　以上によれば，明細書の要旨変更をいう原告の取消事由２の主張は理由がな
い。
３　取消事由３（無効理由イに係る相違点（Ａ）に関する判断の誤り）について
(1)　審決は，本件発明と甲４発明との相違点（Ａ）として認定した，「上記中間
層の形成手段について，本件発明ではスパッタリング法により形成されるものであ
るのに対して，甲第４号証（注，甲４公報）に記載のものでは，イリジウム化合物
とタンタル化合物とを含有する溶液を塗布後，酸化性雰囲気中で熱処理して得られ
るものである点」（審決謄本１２頁最終段落～１３頁第１段落）について，「甲第
３号証（注，甲３公報）には，本件発明における中間層に相当する『基膜』をタン
タルで形成し得ること，及びスパッタリングで形成し得ることが開示されていると
いうことができる」（同頁最終段落）が，「甲第３号証の記載を精査すると，同号
証に係る発明は，陽極被覆層の上層を構成する『ドーピング膜』と，中間層を構成
する『基膜』との両者を，ともに真空中で付着させることを必須とするものであ
り，しかも，同号証には，当該発明の目的につき『両膜の付着が真空中で行なわれ
ることにより達成される』・・・と，上記両膜を真空中で付着させる必要性が説明
されている。してみれば，下地層及び酸化イリジウム層の両者を熱処理で形成する
甲第４号証に記載の発明（注，甲４発明）に対して，『基膜』及び『ドーピング
膜』の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第３号証に記載の発明を適用
し，もって，上層については甲第４号証に記載の熱処理で形成する一方，中間層に
ついては甲第３号証に記載されたスパッタリング等，真空中での付着を選択して行
うことを，当業者が容易に想到したとすることはできず，したがって，電極活性物
質の形成を熱分解で行う一方，中間層の形成はスパッタリングで行うという，上記
相違点（Ａ）に係る構成を，当業者が容易に想到し得たとすることはできない」
（同１４頁第１段落～第２段落）と判断した。
　これに対し，原告は，審決の上記判断のうち，「甲第３号証（注，甲３公
報）には，本件発明における中間層に相当する『基膜』をタンタルで形成し得るこ
と，及びスパッタリングで形成し得ることが開示されているということができる」
とする点は正当であるが，その余は誤りである旨主張するので，以下，検討する。
(2)　甲３公報には，①「無機化学および有機化学分野において使用可能であり，
電解液中において耐性である基材（例えばチタン）と，この基材表面上の基膜（例
えばタングステン，タンタルおよび鉄の混合物，またはタングステン，タンタルお
よび鉄と，例えば硼素または炭素との化合物）と，貴金属（例えばロジウム）製の
ドーピング膜とからなる電極，なかんずく電気分解用陽極の製造方法において，前
記両膜の付着が真空中で行なわれることを特徴とする方法」（特許請求の範囲の請
求項１），②「前記両膜が蒸着により形成されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の方法」（同請求項２），③「前記両膜がイオン鍍金により形成され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項，または第２項に記載の方法」（同請求
項３），④「前記両膜が陰極スパッタリングにより形成されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の方法」（同請求項４）と記載され，さらに，⑤「第１
実施例」として，「タンタル／タングステン（重量パーセント５０／５０）からな
る混合膜が５ミクロンの厚さに蒸着される。その後５００オングストロームの厚さ
にロジウム膜が蒸着される」（３頁左下欄）との例が示されている。
　上記の各記載によれば，確かに，甲３公報記載の発明において「基膜」と
して用いられる「タングステン，タンタルおよび鉄の混合物」（上記①）につき，
「タンタル」を主成分とするように調製した上，当該基膜を「陰極スパッタリン
グ」（上記④）により形成することとすれば，相違点（Ａ）に係る本件発明の構成
に至るといい得るから，審決の説示するとおり，甲３公報の上記各記載から，本件
発明における中間層に相当する「基膜」を金属タンタルを主成分として形成し得る
こと，及び，当該基膜をスパッタリングにより形成し得ることを読み取ることは不
可能ではないというべきである（ただし，特許請求の範囲の記載は，飽くまで，
「タングステン，タンタルおよび鉄の混合物」であり，実施例として示されたもの
も，「タンタル／タングステン（重量パーセント５０／５０）からなる混合膜」で
あるから，本件発明に係る金属タンタルを主成分とする薄膜中間層が積極的に示唆
されているとまではいうことができない。）。
　しかしながら，甲３公報に，「よく知られているように，前記過電圧の増
大は主として前記基材の表面上での非導電性酸化物・・・の形成，乃至は成長に起
因する」（２頁右上欄第１段落），「ここにおいても，ドーピング膜とその下の膜
との間の酸化が過電圧解消の意味で可能な限り防止されなければならない」（同頁
左下欄第１段落），「それゆえ本発明の目的は前述の欠点を解消し，電極のより優
れた製造方法を提供することである。なかんずく主要境界面における酸化膜は実際
上完全に除去されるべきである。この目的は本文冒頭において述べた方法において
前記両膜の付着が真空中で行なわれることにより達成される」（同第２段落）と記
載されていることから明らかなとおり，甲３公報記載の発明においては，基材と基
膜との間及び基膜とドーピング膜との間における酸化膜の形成を排除するため，基
膜（本件発明の中間層に相当）及びドーピング膜（本件発明の電極活性物質層に相
当）を形成する際に，酸素を排除する雰囲気を採用することとしたものであって，
「両膜の付着が真空中で行なわれること」（特許請求の範囲の請求項１）を必須と
するものであると解するのが相当である。
　そうすると，相違点（Ａ）に係る本件発明の構成のように，中間層と電極
活性物質層を形成するに当たり，前者を酸素を排除する雰囲気下で実施されるスパ
ッタリング法によって形成し，後者を酸素含有雰囲気下で実施される熱分解法によ
って形成することを，甲３公報記載の発明は，積極的に排除しているものと解され
るから，上記のとおり，甲３公報の上記各記載から，本件発明における中間層に相
当する「基膜」を金属タンタルを主成分として形成し得ること，及び，当該基膜を
スパッタリングにより形成し得ることを読み取ることが不可能ではないとしても，
当該技術的事項を甲４発明に適用して，相違点（Ａ）に係る本件発明の構成を得る
ことには，阻害事由があるといわざるを得ない。
　したがって，「下地層及び酸化イリジウム層の両者を熱処理で形成する甲
第４号証に記載の発明（注，甲４発明）に対して，『基膜』及び『ドーピング膜』
の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第３号証に記載の発明を適用し，
もって，上層については甲第４号証に記載の熱処理で形成する一方，中間層につい
ては甲第３号証に記載されたスパッタリング等，真空中での付着を選択して行うこ
とを，当業者が容易に想到したとすることはできず，したがって，電極活性物質の
形成を熱分解で行う一方，中間層の形成はスパッタリングで行うという，上記相違
点（Ａ）に係る構成を，当業者が容易に想到し得たとすることはできない」とした
審決の上記判断に誤りはないというべきである。
(3)　これに対し，原告は，当初明細書（甲７，３６）においては，「本発明電極
は電極基体の表面に金属タンタル又はその合金を主成分とする中間層を形成させる
ものであるが，金属タンタル又はその合金の薄膜を形成させる方法としては，公知
の真空蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング，イオン注入及び気相メッキ
法等を挙げることができる。更に簡便な方法としてはタンタルエチラート等の有機
金属化合物や金属塩化物を含むアルコール溶液を電極基体上に塗布し，乾燥後，窒
素，アルゴン等の不活性ガス又は水素等の還元ガス雰囲気中３００～６００℃に加
熱して熱分解し金属タンタル又はその合金の薄膜層を形成させることができる」
（甲３６の２頁右下欄最終段落～３頁左上欄第１段落）と，スパッタリング法を他
の成膜法と並列的に例示する記載があり，また，スパッタリング法によりタンタル
中間層を形成した「実施例１」と，熱分解法によりタンタル中間層を形成した「実
施例２」との効果に大きな差はなく，スパッタリング法でも熱分解法でも同等の結
果が開示されているにすぎない旨指摘する。
　原告の上記指摘は，当初明細書において，スパッタリング法は，熱分解法
を含む他の成膜法と並列的なものとして記載され，かつ，中間層をスパッタリング
法で形成したものも，中間層を熱分解法で形成したものも効果において大差がない
とされていたことを根拠に，相違点（Ａ）に係る本件発明の構成は，当業者が容易
に想到し得たものであると主張するものであると解される。しかしながら，そもそ
も，仮に，当初明細書の記載事項を根拠として，本件発明の構成の容易想到性を肯
定するとすれば，それは，本件特許出願に係る開示事項自体によって，本件発明の
進歩性を否定するに等しく，そのような判断が許されないことは明らかである。原
告の主張をあえて善解するとすれば，当初明細書の上記記載に係る技術的事項は，
本件特許出願当時における当業者の技術常識であったとしつつ，その傍証として当
初明細書の記載を援用したものと解することになろう（後に補正により削除された
とはいえ，当初は特許出願されていた技術的事項であるから，当初明細書を技術常
識であったことの証拠とすることは背理ともいい得るが，その点はしばらく措
く。）が，そのように解したとしても，当初明細書の記載以外には，当該技術常識
の存在を示す証拠は何ら存在しないから，当該技術常識の存在を認めるに足りない
というほかはなく，いずれにしても，原告の上記指摘ないし主張は採用の限りでは
ない。
(4)　原告は，甲２公報には，電極活性物質層と中間層との形成方法を異ならせる
ことが開示されているとした上，甲４発明は，中間層と電極活性物質層の両者を
「熱処理」により形成するものであり，甲３公報記載の発明は，両者を「スパッタ
リング」により形成するものであるところ，これらに甲２公報記載の上記技術的事
項を適用すれば，電極活性物質層の形成を「熱分解」で行う一方，中間層の形成は
「スパッタリング」で行うという相違点（Ａ）に係る構成を容易に想到し得るもの
である旨主張する。
　しかしながら，原告も自認するとおり，甲２公報において開示されたタン
タル層の被覆方法は，「被覆を付けた基材に熱を掛けて，その被覆付き基材を空気
のような酸素含有雰囲気中で加熱すること」（２頁左下欄下から第２段落），「電
気メッキ法，圧延または同時押出による金属学的結合法，あるいは真空中で加熱を
なすイオンメッキ法のような適用方法」（同），「金属学的結合は，圧延により，
同時押出により，拡散結合法により，あるいはその他の適当な方法により形成され
うる」（３頁左下欄第２段落），「いずれかの方法により（すなわち圧延結合法，
同時押出法，イオンメッキ法，爆発結合法）タンタル層を被覆することができ」る
（５頁左下欄第１段落）というものであり，甲２公報中には，スパッタリング法に
よってもタンタル層を被覆し得ることについての開示は見られない。また，原告
は，タンタル中間層の形成方法を異ならせることができることの証拠として，甲１
公報及び甲３９公報をも援用するが，いずれも溶射法により中間層を形成するもの
であって，中間層の形成方法としてスパッタリング法によることを開示するもので
ないことは，甲２公報と同様である。
　そうとすれば，甲２公報，甲１公報及び甲３９公報を総合しても，せいぜ
い，電極活性層は熱分解法で形成し，中間層は上記各公報記載の方法によって形成
することが可能であるという意味において，「電極活性物質層と中間層との形成方
法を異ならせること」が開示されているといい得るにすぎず，他に，スパッタリン
グ法が上記各公報記載の方法と同等のものであって，それらと置換可能であると認
めるに足りる証拠がない以上，結局，甲２公報等に開示された技術的事項は，上
記(2)の判断を左右するに足りないというべきである。
　なお，原告は，甲６文献を援用して，スパッタリング法によって緻密な
膜，付着強度の大きい膜を形成できることは周知の技術的事項であるとも主張する
が，そもそも，甲６文献は，広く一般的な技術分野を対象とするもの（１３９頁の
表４．１２参照）であって，電子工業における膜形成について，タンタル（Ｔａ）
を材料とするスパッタリング法が採用し得ること（同表の「電子工業」の欄の「そ
の他」の項参照）は開示されているといい得るにしても，本件発明に係る酸素発生
陽極のタンタル中間層の形成について，スパッタリング法を適用し得ることまでが
示唆されているとはいい難いものである。また，スパッタリング法がいかに周知慣
用の技術であるとしても，周知技術であるということのみから，相違点（Ａ）に係
る本件発明の構成のように，電極活性物質の形成を熱分解で行う一方，中間層の形
成はスパッタリングで行うことが，当業者にとって容易想到となるものではないこ
とは当然であり，そのことは，甲２公報，甲１公報及び甲３９公報に開示された技
術的事項を考慮しても，同様というほかはない。
　また，原告は，本件発明において，中間層の形成方法を様々なものとし得
ることは，上記のとおり，出願人である被告自身が当初明細書において自認してい
るところであり，中間層の形成方法の変更は，当業者が容易に選択し得る設計事項
にすぎないとも主張するが，当初明細書の開示事項を根拠に，本件発明の進歩性を
否定することが失当であることは，上記(3)のとおりである。
(5)　原告は，スパッタリング法が他の方法と比較して顕著な効果を有するという
ことはない（当初明細書〔甲７，３６〕，甲８実験証明書）上，中間層をタンタル
とすることは公知の技術であって，その作用効果も知られていた（甲２公報，甲３
８明細書）ということができる，電解用電極に白金族化合物を熱分解法により被覆
することは周知技術にすぎない（甲３９公報）ところ，中間層と電極活性物質層と
の形成方法を異ならせることも公知であり（甲２公報，甲３９公報），それによっ
て，顕著な効果が発生することもない（甲８実験証明書）などとして，本件発明
は，周知ないし公知の技術の寄せ集めにすぎない旨主張する。
　しかしながら，電極活性物質の形成を熱分解で行う一方，中間層の形成は
スパッタリングで行うという相違点（Ａ）に係る本件発明の構成が，容易に想到し
得るものでないことは，上記(2)のとおりであり，そうとすれば，スパッタリング法
が他の方法と比較して顕著な効果を有するか否かを検討するまでもなく，本件発明
は，その構成において容易想到でないというべきであるから，原告の上記主張は採
用の限りではない。
(6)　なお，原告は，審決の上記(1)の判断は，甲３公報記載の発明におけるスパ
ッタリングが「真空中」で行われるものであることを，甲４発明に対し，甲３公報
記載の発明を適用することが容易でないことの理由の一つとしているものと解され
るとした上，「真空」の意義等について，るる主張しているが，「真空」といって
も，「人為的には作り出せず，実際はごく低圧の状態をいう」（甲３１）ものであ
ることは，いうまでもなく技術常識に属する事柄であり，審決の該当箇所も，当然
にそれを前提に判断していることは明らかであるから，原告の上記主張は，審決を
正解しないまま独自の見解を述べるにすぎないものである。
　また，原告は，本件特許出願当時，電気メッキに用いられる電極について
は，どのような導電性の耐食基板の上に，どのような電極活性物質をコーティング
するかが問題とされていたのであり，電極自体の構成において共通であれば，被覆
方法が相違していたとしても，技術的には意味がないなどとも主張する。この原告
の主張は，本件特許出願当時における当該技術分野での技術的課題等の状況を前提
に，相違点（Ａ）に係る本願発明の構成が，技術的に無意味な設計的事項である旨
主張するものとも解されるが，そもそも，原告主張の前提となる技術的課題等の状
況を認めるに足りる的確な証拠はない上，本件発明においては，中間層の形成方法
としてスパッタリング法を採用した相違点（Ａ）に係る構成が，中間層の構成成分
において，「結晶性金属タンタルを主成分とする」との相違点（Ｂ）に係る構成と
結び付いているものと認められるから，これを技術的意味がないとする主張が当を
得ないものであることは明らかである。
(7)　さらに，原告は，熱分解により電極活性物質層を形成する技術や，スパッタ
リング法によりタンタルの薄膜を形成する技術については，甲１公報～甲５公報及
び甲６文献において既に開示されていた公知，公用の技術であり，かつ，それらを
組み合せることに困難性はないというべきであるから，「してみれば，これら甲第
１～６号証（注，甲１公報～甲５公報及び甲６文献）の記載を検討しても，甲第４
号証に記載された発明（注，甲４発明）と，甲第１～３，５及び６号証に記載され
た発明とに基いて，導電性金属基体上に熱分解温度で電極活性物質を被覆した電極
において，該基体と電極活性被覆層との間に，スパッタリング法により形成された
薄膜中間層を設けたとする，上記相違点（Ａ）に係る構成を，当業者が容易に想到
し得たとすることはできない」（審決謄本１５頁第１段落）とした審決の上記判断
は誤りである旨主張する。
　しかしながら，甲１公報～甲４公報及び甲６文献の記載によっては，相違
点（Ａ）に係る本件発明の容易想到性を肯定することができないことは，上記のと
おりであり，さらに，甲５公報の記載を検討しても，その判断を左右するに足りる
事情は認められないというほかはないから，原告の上記主張も採用の限りではな
い。
(8)　以上のほか，原告は，本件発明の効果に関する審決の判断の誤りについても
るる主張するが，一般に，発明の構成について容易想到性が否定されるときは，作
用効果を論じるまでもなく，進歩性が肯定されるから，上記判示のとおり，相違点
（Ａ）に係る本件発明の構成について，無効理由イに係る容易想到性が否定される
以上，本件発明の作用効果を論じる意味はないというべきであるが，原告の主張に
かんがみ，念のため，その点についても検討する。
ア　本件発明の作用効果に関する原告の主張は，要するに，当初明細書（甲
７，３６）においては，スパッタリング法により中間層を形成した実施例１と，熱
分解法により中間層を形成した実施例２とが記載され，その効果は同等であったこ
とを根拠に，本件発明が格別な効果を奏することが立証されていない旨を主張する
ものであると解される。
　しかしながら，上記(3)において判示したのと同様，ここでも，仮に，当
初明細書の開示事項を根拠に，本件発明の効果を否定するとすれば，本件特許出願
に係る開示事項自体によって，本件発明の進歩性を否定するに等しく，そのような
判断は許されないというべきである。このことは，仮に，上記実施例２に当たる発
明と対比した場合に，本件発明の効果がそれと同等ないしそれ以下のものであった
としても，従来の公知技術と比較して，本件発明が顕著な効果を奏するものであれ
ば，本件発明が特許されるべきことは当然であると考えられることからも明らかで
ある。
　そして，登録明細書（甲３５）によれば，本件発明は，従来の公知技術
に当たる比較例１ないし比較例２との対比において，耐久性の点で効果を有するも
のであることが認められ（３頁左欄下から第２段落～最終段落，右欄下から第２段
落），他方，当初明細書に記載された実施例２に当たる発明が，本件特許出願当
時，公知であったと認めるに足りる証拠はないから，結局，原告の上記主張は採用
の限りではないというべきである。
イ　また，原告は，本件発明の効果を否定する証拠として，甲８実験証明書
を援用する。
　確かに，甲８実験証明書によれば，タンタル中間層をスパッタリング法
で形成した本件発明に相当するサンプルＡの電極の寿命が１４００時間であるのに
対して，タンタル中間層を圧延法で形成したサンプルＢの電極の寿命は２６５０時
間と，約２倍の寿命を有することが示される。しかしながら，上記サンプルＢは，
タンタル中間層の厚さが１ｍｍ（１０００ミクロン）であるのに対し，サンプルＡ
のタンタル中間層の厚さは２ミクロンであって，その厚さの差は５００倍にも達す
ることからすれば，上記の寿命の差は，主として中間層の厚さの物理的な差に起因
するものであるとも推認されるところである。そうとすれば，甲８実験証明書に係
る実験は，中間層の製造方法に係る対比実験として，前提となる適切な実験条件の
設定を欠くものというほかはないから，本件発明の効果を否定するに足りないとい
うべきである。
(9)　以上によれば，原告の取消事由３の主張は，いずれも理由がない。
４　取消事由５（無効理由ロに係る相違点（ｂ）に関する判断の誤り）について
(1)　審決は，本件発明と甲１発明との相違点（ｂ）として認定した，「本件発明
における中間層は，詳しくは『スパッタリングにより形成された結晶性金属タンタ
ルを主成分とする』ものであるのに対して，甲第１号証（注，甲１公報）に記載の
中間層はタンタルを主成分とし，『導電性物質を溶射してなる』ものである点」
（審決謄本１７頁第４段落）について，無効理由イに係る相違点（Ａ）に関するも
のと同旨の理由付け（同頁下から第２段落～１８頁第１段落）に加えて，溶射法と
の置換阻害事由に関する説示（同頁第２段落）をした上，「中間層を構成する導電
性物質を溶射により形成する甲第１号証に記載の発明（注，甲１発明）に対して，
『基膜』及び『ドーピング膜』の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第
３号証（注，甲３公報）に記載の発明を適用したとしても，電極活性物質の形成を
熱分解で行う一方，中間層の形成についてはスパッタリングで行って結晶性金属タ
ンタルを主成分とする中間膜を形成するという，上記相違点（ｂ）に係る構成を，
当業者が容易に想到し得たとすることはできない」（同頁第３段落）と判断した。
(2)　これに対し，原告は，審決の上記判断のうち，無効理由イに係る相違点
（Ａ）に関する判断と同旨の部分が誤りであることは，取消事由３に係る主張と同
様であるとした上，溶射法との置換阻害事由に関する説示も誤りである旨主張す
る。
しかしながら，取消事由３に係る原告の主張を採用することができないこ
とは，上記３において判示したとおりであるから，付加的な説示である溶射法との
置換阻害事由に関する説示の当否について検討するまでもなく，原告の上記主張は
採用の限りではない。
(3)　また，原告は，上記(2)と同様の理由により，「してみれば，これら甲第１
～６号証（注，甲１公報～甲５公報及び甲６文献）の記載を検討しても，甲第１号
証に記載された発明と，（注，甲１発明）甲第３，５及び６号証に記載された発
明，なおかつさらに甲第２，４号証に記載された発明（注，甲２発明，甲４発明）
に基いて，導電性金属基体上に熱分解温度で電極活性物質を被覆した電極におい
て，該基体と電極活性被覆層との間に，スパッタリングにより形成された結晶性金
属タンタルを主成分とする薄膜中間層を設けたとする，上記相違点（ｂ）に係る構
成を，当業者が容易に想到し得たとすることはできない」（審決謄本１８頁最終段
落～１９頁第１段落）とした審決の判断は誤りである旨主張するが，この主張が採
用の限りでないことは，上記(2)のとおりである。
(4)　さらに，原告は，ここでも，本件発明の効果に関する審決の判断の誤りを主
張するが，一般に，発明の構成について容易想到性が否定されるときは，作用効果
を論じるまでもなく，進歩性が肯定されるから，上記判示のとおり，相違点（ｂ）
に係る本件発明の構成について，無効理由ロに係る容易想到性が否定される以上，
本件発明の作用効果を論じる意味はないというべきである。また，原告の当該主張
は，当初明細書（甲７，３６）の記載を根拠とするものであるところ，そうした主
張が採用の限りでないことも，上記３(8)において判示したとおりである。
(5)　以上によれば，原告の取消事由５の主張はいずれも理由がない。
５　取消事由６（無効理由ハに係る相違点（ｉ）に関する判断の誤り）について
(1)　審決は，本件発明と甲２発明との相違点（ⅰ）として認定した，「本件発明
では，金属タンタルを主成分とする薄膜中間層が，『スパッタリング法により形
成』され，『結晶性金属タンタルを主成分とする』ものであるのに対して，甲第２
号証（注，甲２公報）にはその記載が見あたらない点」（審決謄本２０頁第３段
落）について，無効理由イに係る相違点（Ａ）に関するものと同旨の理由付け（同
頁下から第２段落）により，「してみれば，アノード活性物質層を酸化雰囲気中で
の加熱により形成する甲第２号証に記載の発明に対して，『基膜』及び『ドーピン
グ膜』の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第３号証に記載の発明を適
用したとしても，電極活性物質の被覆を熱分解で行う一方，中間層の形成について
はスパッタリングで行い，結晶性金属タンタルを主成分とする中間膜を形成すると
いう，上記相違点（ｉ）に係る構成を，当業者が容易に想到し得たとすることはで
きない」（同頁最終段落～２１頁第１段落），「他の証拠を検討しても，甲第２号
証に記載された発明（注，甲２発明）と他の証拠に記載された発明に基づき，上記
相違点（ⅰ）に係る構成を容易とする根拠は見あたらない」（同頁第２段落）と判
断した。
(2)　これに対し，原告は，審決の上記判断が誤りであることは，取消事由３に係
る主張のとおりである旨主張するが，取消事由３に係る原告の主張を採用すること
ができないことは，上記３において判示したとおりであるから，原告の上記主張も
採用の限りではない。
(3)　以上によれば，原告の取消事由６の主張は理由がない。
６　以上のとおり，原告主張の取消事由１～３，５及び６はいずれも理由がない
から，原告主張の取消事由４について判断するまでもなく，原告の主張及び証拠方
法によっては，本件発明に係る特許を無効とすることはできないとした審決の結論
に誤りはなく，他に審決を取り消すべき瑕疵は見当たらない。
　よって，原告の請求は理由がないから棄却することとし，主文のとおり判決
する。
知的財産高等裁判所第２部
　　　　　　　　　裁判長裁判官　　　篠　　原　　勝　　美
　　　　裁判官　早　　田　　尚　　貴
裁判官古城春実は退官につき署名押印することができない。
裁判長裁判官　　　篠　　原　　勝　　美

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