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平成２２年２月２４日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２０年（ワ）第８０８６号特許権侵害差止等請求事件
口頭弁論終結日平成２１年１１月４日
判決
東京都千代田区＜以下略＞
原告古河電気工業株式会社
同訴訟代理人弁護士片山英二
同北原潤一
同黒田薫
同訴訟代理人弁理士山崎京介
同補佐人弁理士黒川恵
横浜市＜以下略＞
被告日本オプネクスト株式会社
同訴訟代理人弁護士古城春実
同堀籠佳典
同石井健
同仁瓶善太郎
同玉城光博
同補佐人弁理士中村守
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は，原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
被告は，原告に対し，金３億円及びこれに対する平成２０年４月２日から支
払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要
本件は，量子井戸半導体レーザ素子についての特許権を有する原告が，被告
に対し，被告が製造・販売する量子井戸半導体レーザー素子（発光レーザモジ
ュールの構成部材であるものを含む。）は，原告の特許発明の技術的範囲に属
し，原告の特許権を侵害しているとして，民法７０９条及び特許法１０２条３
項に基づき，損害賠償金４７億９５００万円の一部請求として金３億円及びこ
れに対する訴状送達の日の翌日である平成２０年４月２日から支払済みまで民
法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。
１争いのない事実等（争いのない事実以外は証拠等を末尾に記載する。）
(1)当事者
ア原告は，半導体光デバイス，光関連部品等の製造・販売を含む，各種の
事業を営む株式会社である。
イ被告は，光通信関連部品及び半導体素子等の製造・販売等を業とする株
式会社である。
⑵原告の特許権
ア原告は，次の特許権（以下「本件特許権」という。）を有していた（以
下，下記の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を「本件発明」と，本件
発明に係る特許を「本件特許」と，本件特許権に係る明細書を「本件明細
書」といい，本件特許の特許公報を，末尾に添付する。）。なお，本件特
許権の存続期間は，平成２０年１１月１１日の経過により，満了している
（弁論の全趣旨）。
特許番号特許第２８９８６４３号
発明の名称量子井戸半導体レーザ素子
出願日昭和６３年１１月１１日
出願番号特願昭６３−２８５５４９
登録日平成１１年３月１２日
特許請求の範囲
【請求項１】ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含
むⅢ−Ｖ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，
量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５
ｎｍ∼３０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰ(０＜x1，y1＜１）であり，ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
ｘ２１−バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａＩｎ
ＡｓＰ(０＜x2，y2＜１)であることを特徴とする１．３∼１．ｘ２ｙ２１−ｙ２
５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子。
イ本件発明の構成要件を分説すると，次のとおりである（以下，分説した
構成要件を，それぞれ「構成要件Ａ」等という。）。
ＡＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−Ｖ
族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，
Ｂ量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．
５ｎｍ∼３０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰ(０＜x1，y1＜１）であｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
り，
Ｃバリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａＩｎｘ２
ＡｓＰ(０＜x2，y2＜１)であることを特徴とする１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
Ｄ１．３∼１．５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子。
(3)本件特許に係る特許出願（以下「本件特許出願」という。）の経過は，次
のとおりである（甲１，２，乙２の１ないし１５）
ア事実経過
特許出願昭和６３年１１月１１日（特願昭６３−２８５
５４９）
出願公開平成２年５月１８日（特開平２−１３０９８
８）
拒絶理由通知（第１回）平成８年８月１日付け拒絶理由通知
手続補正（第１回）平成８年１１月５日付け手続補正書及び同日付
け意見書
拒絶理由通知（第２回）平成８年１２月１７日付け拒絶理由通知
拒絶査定平成９年４月２１日
拒絶査定不服審判請求平成９年７月１０日（平成９年審判第１１５５
３号）
手続補正（第２回）平成９年８月１１日付け手続補正書
審判請求理由補充平成９年９月２２日付け審判請求理由補充書
前置報告平成１０年６月２５日（拒絶相当）
拒絶理由通知（第３回）平成１０年１２月１１日付け拒絶理由通知
手続補正（第３回）平成１０年１２月１1日付け手続補正書及び同日
付け意見書
審決平成１０年１２月２４日（原査定取消し）
登録平成１１年３月１２日
特許異議申立て平成１１年１２月２日（平成１１年異議第７４
４６７号）
異議の決定平成１２年２月２４日（特許を維持する。）
イ本件特許出願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「本件当初
明細書」という。）は，別紙本件当初明細書記載のとおりである。
ウ手続補正（第１回）（以下「第１回補正」という。）の内容（乙２の
４）
第１回補正の内容は，以下のとおりである。
(ア)特許請求の範囲を，次のとおり，改めた。
「(1)ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−
Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，組成
Ｃの量子井戸層の格子定数ａ（Ｃ），ＩｎＰの格子定数ａ（ＩｎＰ）ＷＷ
および組成Ｃのバリア層の格子定数ａ（Ｃ）が，ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＢＢＢ
Ｐ）＜ａ（Ｃ）であることを特徴とする量子井戸半導体レーザ素子。Ｗ
(2)量子井戸層は，ａ（ＧａＩｎＡｓＰ）＞ａ（ＩｎＰ）でｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
あるＧａＩｎＡｓＰ（０≦x1，y1≦１）であり，バリア層ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
は，ＧａＩｎＡｓＰ（０≦x2，y2≦１）であることを特徴ｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
とする請求項１記載の量子井戸半導体レーザ素子。
(3)∼(5)（略）」
(イ)本件当初明細書１１頁２ないし５行（第２の実施例の記載）の「バ
リア層（21）が歪のない，ＩｎＰより小さい格子定数をもつＧａＩｎＡ
ｓＰ化合物であり，量子井戸層（20）は歪のない，ＩｎＰより大きい格
子定数をもつものである。」とあるのを，「バリア層（21）がＩｎＰよ
り小さい格子定数をもつＧａＩｎＡｓＰ化合物であり，量子井戸層（2
0）はＩｎＰより大きい格子定数をもつものである。」と改めた。
エ手続補正（第２回）（以下「第２回補正」という。）の内容（乙２の
９）
第２回補正においては，明細書の全部を別紙第２回補正明細書記載のと
おりに改めた。
オ手続補正（第３回）（以下「第３回補正」という。）の内容（乙２の１
３）
第３回補正においては，特許請求の範囲中「０≦x1，y1≦１」，「０≦
x2，y2≦１」とあるのを，それぞれ「０＜x1，y1＜１」，「０＜x2，y2＜
１」とするとともに，レーザ素子の波長につき「１．３∼１．５５μｍ
用」に限定する等の補正を行った。
(4)被告は，量子井戸半導体レーザ素子及びこれを構成部材として含む発光レ
ーザモジュールを製造・販売している（以下，被告が製造・販売する量子井
戸半導体レーザ素子及び被告が製造・販売する発光レーザモジュールの構成
部材である量子井戸半導体レーザ素子を「被告レーザ素子」という。）。
(5)平成５年法律第２６号附則２条２項により本件特許権について適用され得
る同法による改正前の特許法４０条（以下「旧特許法４０条」という。）は，
次のとおり，規定していた。
（明細書等の補正と要旨変更）
第４０条願書に添附した明細書又は図面について出願公告をすべき旨の決
定の謄本の送達前にした補正がこれらの要旨を変更するものと特許権の設
定の登録があつた後に認められたときは，その特許出願は，その補正につ
いて手続補正書を提出した時にしたものとみなす。
２争点
(1)被告レーザ素子は，本件発明の技術的範囲に含まれるか（特に，構成要件
Ｃの充足性）。
(2)本件特許は，特許無効審判により無効にされるべきものか。
ア明細書の要旨変更の有無
イ明細書の要旨変更による出願日繰下げを前提とする新規性及び進歩性の
欠如
ウ現実の出願日を基準とする進歩性の欠如
エ特許法３６条違反
(3)原告の損害の有無及びその額
第３争点についての当事者の主張
１争点(1)（被告レーザ素子は，本件発明の技術的範囲に含まれるか）について
（原告の主張）
(1)被告が製造・販売するレーザ素子
ア被告は，遅くとも平成１３年２月から，別紙物件目録１記載の物件（以
下「本件対象製品１」といい，本件対象製品１の構成を有する量子井戸半
導体レーザ素子を「本件対象レーザ素子」という。）及び本件対象レーザ
素子を主要な構成部材とする同目録２記載の物件（以下「本件対象製品
２」といい，本件対象製品１及び本件対象製品２を併せて「本件対象各製
品」という。）を製造・販売している。
イ本件対象各製品に該当するものとしては，例えば，被告が製造・販売す
る発光レーザモジュールの型番ＬＥ７６０２−Ｌ（甲３，４。以下「ＬＥ
７６０２」という。），ＴＲＦ７０５２ＢＮ−ＧＡ０００（甲１５。以下
「ＴＲＦ７０５２」という。），ＨＬ１５１３ＣＰ（甲２７。以下「ＨＬ
１５１３」という。），ＨＬ１５９４ＣＰ−Ｗ（甲２８。以下「ＨＬ１５
９４」という。）がある。
(2)被告レーザ素子の構成要件充足性
ア構成要件Ａについて
被告レーザ素子は，ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活
性層を含むⅢ−Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子で
あり，構成要件Ａを充足する。
イ構成要件Ｂについて
被告レーザ素子中の量子井戸層の格子定数は，ＩｎＰの格子定数よりも
ｘ１１−ｘ１ｙ１大きい（甲４）。また，当該量子井戸層の組成は，ＧａＩｎＡｓ
Ｐ(０＜x1，y1＜１）で，その膜圧は約８ｎｍである。１−ｙ１
したがって，被告レーザ素子は，構成要件Ｂを充足する。
ウ構成要件Ｃについて
後記のとおり，被告レーザ素子中のバリア層の格子定数は，ＩｎＰの格
子定数よりも小さい。また，当該バリア層の組成は，ＧａＩｎＡｓｘ２１−ｘ２
Ｐ(０＜x2，y2＜１)である。ｙ２１−ｙ２
したがって，被告レーザ素子は，構成要件Ｃを充足する。
エ構成要件Ｄについて
被告レーザ素子は，１．５５μm用レーザ素子である。
(3)構成要件Ｃの解釈について
ア特許発明の技術的範囲は，特許請求の範囲の記載に基づいて定められ，
その記載から離れてこれを定めることはできない。特許請求の範囲の語義
等の明確化のために，発明の詳細な説明の参酌が許されることもあるが，
本件発明の構成要件は，組成や膜厚，格子定数の大小によって特定されて
おり，その技術的意義は，一義的かつ明確である。
したがって，本件発明の技術的範囲を定めるに当たって，発明の詳細な
説明を参酌することを要しない。
イ活性層の平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくする旨の本件当
初明細書の記載は，転位の発生を防ぐメカニズムのベストモードを引き合
いに出して説明するものである。原告は，本件発明をこれに限定しない趣
旨で，〔課題を解決するため手段〕欄や特許請求の範囲の記載をしており，
本件当初明細書には，本件発明の構成要素が，その目的・構成・効果の関
連の下で，全体を貫いて，完結した一つの技術思想として，明確に記載さ
れている。
そして，本件当初明細書の〔作用〕欄の記載は，「高性能である量子井
戸半導体レーザが得られる」という本件発明の効果を得るための一態様と
して，転位の発生そのものを防止するためのベストモードを記載したにす
ぎない。
また，本件当初明細書の第２の実施例も，「活性層は，ｎが数百の量子
井戸層およびバリア層数まで，歪の誘起する転位を生じることなく成長さ
せることができる。」という点で，当初の発明の「高性能」との効果を更
に高めるものであり，第２の実施例は，格子定数関係式②（バリア層の格
子定数＜ＩｎＰの格子定数＜量子井戸層の格子定数をいう。以下同じ。）
に係る発明の単なる実施例であって，格子定数関係式②に係る発明の要旨
であるということはできない。
したがって，本件当初明細書における格子定数関係式②は，「活性層全
体としての平均的な格子定数がＩｎＰの格子定数に等し」いとの条件を要
旨とするものではなく，これに対応する本件発明の構成要件Ｃも，「活性
層の平均格子定数＝ＩｎＰの格子定数」という事項を内在的に含んでいる
ものではないから，これを内在的に条件としているとの被告の主張は，理
由がない。
ウ被告は，量子井戸層の格子定数をＩｎＰより大きくした歪量子井戸構造
について，バリア層の格子定数をＩｎＰより小さくすれば，臨界膜厚曲線
から遠ざかることは自明の理であり，また，本件発明がこのようなものも
含むとすれば，それは，特開昭６１−２４２０８８公報（乙１２。以下
「乙１２公報」という。）に記載されていたと主張する。
しかしながら，被告が主張するとおり，これが自明であるとすれば，こ
のことを記載し，又はこのことを示唆する先行文献があるはずであるにも
かかわらず，被告は，何ら先行文献を提示しておらず，被告の主張は，後
知恵にすぎない。
また，乙１２公報に記載された発明（以下「乙１２発明」という。）は，
格子整合と同視できるものであるところ，本件当初明細書に記載されてい
た，バリア層の格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくするという発明は，
バリア層の格子定数に，ＩｎＰの格子定数に対して格子整合と同視するこ
とができる程度のマイナスが存在することを否定するものではない。そし
て，本件発明は，バリア層の格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくすると
いう発明を補正により排除しているから，本件発明が乙１２公報に記載さ
れているとの被告の主張は，理由がない。
(4)被告レーザ素子のバリア層の格子定数について
ア原告による測定方法の正確性
(ア)原告が採用したナノビーム電子線回折法（以下「Ｆ−ＮＢＤ」とい
う。）は，約１００ｎｍ径の電子線ビームをＩｎＰ領域，量子井戸層及
びバリア層という広範囲に同時に照射し，その結果得られた，周期性を
有する様々な要素に起因した回折スポットを複合成情報として解析し，
量子井戸層及びバリア層の格子間距離を測定する方法であり，誤差が小
さい。
(イ)多重散乱の影響について
ａＦ−ＮＢＤは，回折スポットの数を少なくし，多重散乱による影響
が極めて低くなる条件を実験的に見い出した上，当該条件下で測定す
ることを特徴としている。実験的にも，測定結果に対する多重散乱に
よる影響がほとんどないことを確認済みである（甲２９）。
また，Ｆ−ＮＢＤにおける回折強度を，多重散乱理論を用いて試算
した結果からも，Ｆ−ＮＢＤが採用する測定条件下では，多重散乱の
影響が少ないことが分かった（甲４５）。被告は，この試算結果を批
判するが，いずれも理由がないものである（甲５２）。
仮に，多重散乱による影響がわずかにあったとしても，回折スポッ
トの強度に対して微小に影響するものであって，回折スポットの位置
に影響するものではない（甲２９）から，多重散乱は，回折スポット
の位置を横軸に，その強度を縦軸に示す測定プロファイルの形状に対
しては，ほとんど影響を与えない。
ｂそして，Ｆ−ＮＢＤは，測定プロファイルのどのピークがどの層か
らの回折波であるかを同定することができ（甲４７，４８），そのピ
ーク形状を見れば，シミュレーションによらずとも，活性層の格子間
距離とＩｎＰの格子間距離の大小関係を即座に判断することができる
（甲２９）から，多重散乱による影響がわずかにあったとしても，少
なくとも，格子間距離の大小関係の測定結果には，全く影響はない。
そして，被告レーザ素子の測定プロファイルには，ＩｎＰ層の格子間
距離を示すピーク位置の右側（格子間距離がＩｎＰより小さいマイナ
スの歪層があることを示す。）及び左側（格子間距離がＩｎＰより大
きいプラスの歪層があることを示す。）にピーク位置が現れている。
被告は，包絡線のピークという考え方自体，動力学的回折理論を適
用すべき場合には，適用できない考え方であると主張するが，原告は，
運動学的回折理論による計算強度と多重散乱を含めた強度計算の比較
により，運動学的回折理論の適用が正当化されることを確認している
（甲６５）から，被告の批判は当たらない。
(ウ)フィッティング処理について
ａ前述のように，Ｆ−ＮＢＤにおいては，多重散乱の影響がほとんど
ないことから，運動学的回折理論を前提としたフィッティングが可能
である。
そして，Ｆ−ＮＢＤにおいて使用したシミュレーションモデルは，
「歪多重量子井戸レーザダイオードのＴＥＭ分析」と題する論文（乙
１７）に記載されたシミュレーションモデルをベースとして，結果に
それほど影響を及ぼさない範囲で近似を行い，かつ，必要な補正を加
えたものである。
なお，シミュレーションモデルとしては，位相項を乗じる式が正確
ではあるが，位相項の結果への影響はわずかであるため，位相項を乗
じない近似を行っている。念のため，原告において，位相項を乗じる
式を採用してフィッティングを行ったが，原告の採用したシミュレー
ションモデルを使用した場合と同様に，Ｘ線回折法（以下「ＸＲＤ」
という。）による測定結果とよく一致し，かつ，被告レーザ素子がい
ずれも本件発明の構成要件を充足することを確認した（甲３１）。
ｂ被告は，固定値でなければならないものが，変動パラメータとして
扱われている等として，原告によるフィッティングの方法が不適切で
あると主張する。
しかしながら，原告の行っているフィッティングによる定量化は，
格子間距離の大小関係が分かる程度の精度があるかを調べるためのも
のであって，厳密な定量化自体が目的ではないから，固定値とすべき
ものを変動パラメータとして取り扱っている等の事情があっても，フ
ィッティングの目的を達成する上では，何の支障もない。
(エ)試料の薄片化による影響について
測定試料を薄片化することによる変形・変質が，Ｆ−ＮＢＤによる測
定結果にほとんど影響を与えないことは，ＸＲＤによる測定結果との比
較対比によって，実験的に確認済みである（甲１２，２９）。また，Ｆ
−ＮＢＤで使用するような試料厚では，歪の開放による影響が非常に少
ないことを裏付ける論文も存在する（甲３２）。
(オ)界面付近のＩｎＰ領域の歪による影響について
ａ被告は，界面付近のＩｎＰ領域の歪による影響の存在を主張するが，
被告の主張は，あくまで可能性のレベルを超えていない。
これに対し，原告は，活性層の側壁付近のＩｎＰ領域に電子線を照
射しても，歪があれば出現する回折波のサテライトピークが生じてい
ないことを実験的に確認する（甲４８）とともに，Ｍ−ＮＢＤ（後記
イ参照）によって，ＨＬ１５９４のレーザ素子を測定したところ，側
壁領域のＩｎＰの格子間距離の差は，最大でも０．００１１７ｎｍで
あって，基板のＩｎＰの格子間距離と同等の値であることを確認した
（甲６０）。
したがって，活性層の側壁付近に歪が生じているとはいえないから，
被告の主張は理由がない。
ｂ仮に，被告が主張するように，界面付近のＩｎＰに０．３％の歪が
生じているとして，測定プロファイルのＩｎＰのピーク位置をその分
だけ右側にシフトさせたとしても，依然として，シフトさせたＩｎＰ
のピークの右側にピークが存在しており，ＩｎＰのピークとバリア層
のピークの位置関係は，変わらない。
したがって，界面付近のＩｎＰに歪みが生じているとしても，バリ
ア層の格子間距離は，ＩｎＰの格子間距離より小さいことに，変わり
はない。
(カ)その他の被告の主張について
被告は，バリア層の信号強度の方が大きくなければならないと主張す
るが，回折パターンの長さに起因する励起ずれ等により，信号強度が照
射領域に占める各層の割合と厳密には合わないことがあっても不思議は
ない。
また，被告は，ピーク間の距離が違うにもかかわらず，格子定数が同
程度の差しかないことを指摘する。しかしながら，ピーク群Ａ，Ｃは，
それぞれ一つの大きな強度Ａ’，Ｃ’として捉え，そのピーク位置を認
識する必要があるところ，そのピーク位置は，大まかな近似によっても
ほぼ対称であって，測定された格子間距離の値と比べても，不自然では
ない。
なお，これは，理論的に作成することができる包絡線を大まかな近似
として作成したものであるから，これに対する被告の批判は，当たらな
い。
イ被告による測定方法の問題点
被告の依頼を受けた財団法人材料科学技術振興財団（以下「ＭＳＴ」と
いう。）が採用したナノビーム電子線回折法（以下「Ｍ−ＮＢＤ」とい
う。）は，直径約１０ｎｍの照射線を用いているが，被告レーザ素子の量
子井戸層の膜厚が約８ｎｍで，バリア層も同程度であることからすると，
いずれの層に照射した場合にも，測定対象でない上下の層の格子間距離の
情報が，必然的に混入する。
加えて，電子ビームの径は，物質内部を透過する間に広がることが知ら
れており，試料内部を２００ｎｍ透過する間に，１０ｎｍ程度は広がるこ
とから，Ｍ−ＮＢＤのビーム径が１０ｎｍであることや量子井戸層及びバ
リア層がいずれも１０ｎｍ以下であることを考慮すると，電子ビームの照
射領域に占める量子井戸層及びバリア層の面積は，ほぼ同程度になる（甲
４１）。
そして，バリア層に由来するピークと量子井戸層に由来するピークの位
置は近いことから，ほぼ同じ大きさのピークの重なり合いが生じ，結果的
には，合成されたピーク位置が，量子井戸層とバリア層のピークの中間位
置に近くなる。これは，回折スポット位置がずれることにより，量子井戸
層及びバリア層の各格子間距離も，両者の平均値になりやすいことを示す
ものである（甲６２）。このことは，Ｍ−ＮＢＤを実施したＭＳＴ自身も，
認めるところである（甲６４）
このように，Ｍ−ＮＢＤは，各回折スポットの位置及び強度が，２種類
の情報に由来しているにもかかわらず，それらを峻別することなく，いず
れか一つの格子間距離に由来するものとして扱っている。
そのため，量子井戸層の格子間距離にはバリア層由来の小さな値が混入
して真値より小さく，バリア層の格子間距離には量子井戸層由来の大きな
値が混入して真値より大きく測定され，誤差が大きく，正確な格子間距離
が測定できない（甲１２，４１，６１，６２参照）。
そして，回折スポットの位置がずれるということは，回折スポット間の
距離を測定することによって格子間距離を求めているＭ−ＮＢＤにとって，
致命的な問題である。
また，測定値が量子井戸層とバリア層の平均値になるということは，被
告によるＭ−ＮＢＤによる被告レーザ素子の測定結果（ＬＥ７６０２につ
き乙１の１，ＨＬ１５１３につき乙２１の１，ＨＬ１５９４につき乙２２
の１）自体，被告レーザ素子のバリア層がマイナス歪であり，その格子間
距離がＩｎＰの格子間距離より小さいことを示している。
ウＸＲＤとの対比
(ア)同一の測定試料について，各種結晶性材料の格子間距離を誤差なく
求める方法として最も実績があるＸＲＤとＦ−ＮＢＤ，ＸＲＤとＭ−Ｎ
ＢＤの各測定結果を比較した結果，①Ｆ−ＮＢＤの方がＭ−ＮＢＤより
測定誤差が小さいこと，②Ｍ−ＮＢＤは，量子井戸層の格子間距離はよ
り小さく，バリア層の格子間距離はより大きく測定されていること等か
ら，Ｆ−ＮＢＤの方が正確であるといえる（甲１２）。
(イ)被告は，ＸＲＤによる測定に用いた試料とＦ−ＮＢＤによる測定に
用いた試料が同一ではないと主張する。
しかしながら，原告は，検証に用いる試料を，結晶成長後にフォトル
ミネセンス法によりウエハ内の発光波長分布を調査して，均質性を確認
しているとともに，ＸＲＤによっても，均質性を有することを確認した。
また，試料の形状が異なる点については，比較検証の目的上，当然の
ことであって，批判されるいわれはない。
(ウ)また，被告は，原告が行ったＸＲＤの測定結果は信頼できないと主
張する。
しかしながら，ＸＲＤによる多層膜の解析は，通常行われている方法
であること，原告が行ったＸＲＤの測定結果が他の測定機関によるＸＲ
Ｄの測定結果ともほぼ同様であること（甲３６，３７），フィッティン
グにも問題はないこと等から，原告が行ったＸＲＤの測定結果は，信頼
することができる。
エ被告は，Ｆ−ＮＢＤの測定プロファイルのピーク位置の重なりの可能性
を指摘するが，Ｆ−ＮＢＤにより，ＩｎＰ領域のみに照射線を当てて測定
し，次に活性層領域のみに照射線を当てて測定したところ，バリア層のピ
ークは中央の最大ピークの位置には生じていないことが判明した（甲１
４）。したがって，ピークが重なり合うことで，右側の複数ピークの真の
中央部が隠れて見えなくなっている可能性があるとの被告の主張は，理由
がない。
(5)設計思想についての被告の主張について
ア被告は，被告レーザ素子の設計思想や本件発明の課題解決の要否に基づ
く主張をしている。
しかしながら，構成要件を充足するか否かは，被告レーザ素子が本件発
明の技術的範囲に属するか否かによって定まる。そして，特許発明の技術
的範囲は，特許請求の範囲の記載に基づいて定められる（特許法７０条１
項）から，被告レーザ素子の設計思想や課題解決の要否とは無関係である。
また，被告が主張する設計思想は，原告の検証結果から信じ難い。
イ(ア)仮に，本件発明の課題解決手段を必要とするか否かによって，本件
発明の技術的範囲に属するか否かの判断が左右されるとしても，被告レ
ーザ素子が本件発明の課題解決手段を必要としていることは，明らかで
ある。
すなわち，被告レーザ素子が，設計値において臨界膜厚を下回ってい
たとしても，予測困難な欠陥の発生や動作温度による影響を考慮して，
歪補償構造を取り入れて転位が起こる可能性を減らすという意味で，本
件発明の技術的思想を使うことは，必要かつ有用である。
(イ)被告は，これを本件発明の不当な拡張解釈であると主張する。
しかしながら，「転位の発生を防ぐ」という技術思想は，「転位の発
生によりレーザ特性が劣化するという問題」がある点にかんがみてなさ
れた本件発明の一態様にすぎず，本件発明の効果も，「転位の発生を防
ぐ」ことではなく，「高性能である量子井戸半導体レーザが得られる」
ことである。そして，歪を緩和して，転位の発生を緩和するという発明
は，本件当初明細書に記載されていたことから，何ら不当な拡張解釈に
は当たらない。
（被告の主張）
(1)被告が製造・販売するレーザ素子
ＬＥ７６０２，ＴＲＦ７０５２（ただし，レーザ素子は，外部から購入し
たものである。），ＨＬ１５１３，ＨＬ１５９４が，被告の製品であること
は，認める。
(2)被告レーザ素子の構成及び構成要件充足性について
アＬＥ７６０２に搭載されたレーザ素子について
(ア)当該レーザ素子が，ＩｎＰ基板上に形成された量子井戸層からなる
ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１活性層を含むこと，量子井戸層の組成がＧａＩｎＡｓＰ
（０＜x1，y1＜１）であること，量子井戸層の膜厚が約８ｎｍであるこ
と，量子井戸層の格子定数がＩｎＰの格子定数より大きいことは，認め
る。
ｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２(イ)当該レーザ素子のバリア層の組成がＧａＩｎＡｓＰ
（０＜x2，y2＜１）であることは認めるが，バリア層の格子定数がＩｎ
Ｐの格子定数よりも小さいことは，否認する。
(ウ)当該レーザ素子が，１．５５μｍ用のレーザ構造であることは認め
る。
イＴＲＦ７０５２，ＨＬ１５１３及びＨＬ１５９４について
ＴＲＦ７０５２，ＨＬ１５１３及びＨＬ１５９４に搭載されたレーザ素
子が，構成要件ＡないしＤを充足することは，いずれも否認する。
(3)構成要件Ｃの解釈
構成要件Ｃは，活性層全体としての平均的な格子定数がＩｎＰの格子定数
に等しいという条件を満たす程度に，バリア層の格子定数がＩｎＰの格子定
数よりも小さいことを意味すると解釈すべきである。
ア本件当初明細書には，①バリア層の格子定数とＩｎＰの格子定数とが等
しい場合と，②バリア層の格子定数がＩｎＰの格子定数より小さい場合の
二つの態様が規定され，②の態様については，「活性層全体としての平均
的な格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくする。」と明確に記載されてい
たが，補正により，①の態様が削除され，②の態様だけが残った。
そして，本件発明が，本件当初明細書に記載された事項の範囲を超えな
いとすれば，②の態様の発明であるはずの本件発明の構成要件Ｃは，内在
的に「活性層全体としての平均的な格子定数がＩｎＰの格子定数に等し
い」との条件を含んでいるものと解さざるを得ず，そうでないとすれば，
明細書の要旨の変更により出願日が繰り下がり，無効とされるべきもので
ある。
仮に，原告が主張するとおり，本件発明が，最初から，バリア層＜Ｉｎ
Ｐ＜量子井戸層という単純な格子定数の大小関係だけで歪による転位の発
生を緩和することができるというものであったとすれば，そのことを明細
書の発明の詳細な説明に記載することは極めて容易であったはずである。
それにもかかわらず，本件当初明細書には，そのことは記載されていない。
また，本件当初明細書における，活性層全体の平均格子定数をＩｎＰの格
子定数と等しくすることでｎを数百層まで増やすことができるとの記載は，
量子井戸層の歪量とバリア層の歪量とがちょうど打ち消し合うように，バ
リア層に反対の歪を入れれば，ｎを増やしても，Matthewsの臨界膜厚曲線
との隔たりは変わらないという考えに基づくものであって，バリア層にマ
イナス歪を入れることによって，臨界膜厚曲線から少しでも遠ざけるとい
う考えとは，全く別のものである。したがって，原告の主張は，本件当初
明細書にも本件明細書にも存在しない「歪補償」という用語を用い，「歪
補償」に「歪の緩和」の意味を持ち込むことによって，技術概念のすり替
えを図るものである。
また，前記②の態様は，実施例のみならず，本件当初明細書の作用欄に
記載され，まさしく，本件発明そのものの作用として説明されているから，
これを単なるベストモードの説明だということはできない。
イ原告は，本件発明の技術的範囲を定めるに当たって，発明の詳細な説明
を参酌する必要はないと主張する。
しかしながら，発明とは，目的，構成及び作用・効果が一体となった技
術思想であり，発明の実体が何であるかは，発明の詳細な説明欄に記載さ
れた発明の目的，構成，作用・効果と実施例によって初めて正確に理解す
ることができる。
ウまた，仮に，原告が主張するとおり，本件発明が，量子井戸層の格子定
数がＩｎＰの格子定数より大きい（量子井戸層の歪がプラス）場合に，バ
リア層の格子定数を（たとえわずかでも）ＩｎＰより小さくしたものであ
るとすれば，量子井戸層の格子定数をＩｎＰより大きく（プラス歪）した
歪量子井戸構造について，バリア層の格子定数をＩｎＰより小さく（マイ
ナス歪）すれば，臨界膜厚曲線から遠ざかるのは，自明の理であって，本
件出願当時広く知られていたMatthewsの臨界膜厚曲線から，当業者にとっ
て自明の事項を後記乙８刊行物を含む歪量子井戸の公知技術に適用しただ
けの発明ということになる。
また，仮に，原告の主張のとおり，格子定数がバリア層＜ＩｎＰ＜量子
井戸層の関係にあるレーザ素子がすべて本件発明に含まれるとするのであ
れば，そのような構造を持ったレーザ素子は，乙１２公報（格子定数は，
組成に基づき計算する必要がある。）に記載され，本件出願前に既に知ら
れていたから，本件発明は，新規性を有しないこととなる。
原告は，乙１２発明は，格子整合と同視できるものであって，補正によ
って排除されていると主張する。そうであるとすれば，格子定数を厳密に
制御することは不可能であるから，０．２∼０．３％程度の歪が入ったも
のは，原告がいうところの「格子整合と同視できる範囲」に含まれるとい
うべきであって，格子整合と同視できる範囲が排除されているというので
あれば，被告レーザ素子も，この排除された範囲のものというべきである。
(4)被告レーザ素子のバリア層の格子定数について
被告レーザ素子は，量子井戸層はわずかな正の歪を有するのに対し，バリ
ア層は，以下に述べるとおり，実質的に歪のない層となっており，「バリア
層の格子定数がＩｎＰの格子定数より小さい」という要件を充たしておらず，
ましてや，「活性層全体としての平均的な格子定数がＩｎＰの格子定数に等
しい」という条件も満たしていない。
したがって，被告レーザ素子は，本件発明の構成要件Ｃを充足していない。
ア被告レーザ素子の設計思想
(ア)被告レーザ素子は，量子井戸層に圧縮歪を加えたが，バリア層は無
歪としており，バリア層の格子定数をＩｎＰ基板の格子定数より小さく
して，バリア層に量子井戸層とは逆の引張歪を持たせるという設計思想
に基づいて作られたものではない。
(イ)原告は，「歪補償」を本件発明の基本思想であるとする。歪補償と
は，バリア層に量子井戸層と逆の歪を導入することによって活性層全体
としての歪量（平均歪量）をゼロにすることを意味する（原告は，歪の
発生を緩和することを含む趣旨で用いているようである。）。そして，
歪補償が必要となるのは，量子井戸層の歪量と活性層の周期ｎにおいて，
量子井戸層の膜厚又は活性層総体としての歪量が臨界膜圧（転位が発生
する条件。量子井戸層の格子定数・膜厚，バリア層の格子定数・膜厚，
層の繰返数ｎの相関によって決まる。）を超える場合である。
これに対し，被告レーザ素子の活性層は，膜厚，歪量及び積層数とも
歪による転位が生じるような値よりも相当低いところにとどめており，
転位の発生によるレーザ特性の劣化という本件発明の課題が発生しない
領域で，量子井戸を構成している。
したがって，正逆の歪により歪を補償するという本件発明の技術思想
とは，全く無縁であり，また，バリア層の格子定数をＩｎＰの格子定数
より小さくすることによる効果を奏する余地もない。
よって，被告レーザ素子が本件発明を実施したものと解する余地はな
く，本件発明の技術的範囲に属さない。
(ウ)原告は，臨界膜圧を下回っていたとしても，歪補償構造を取り入れ
て転位が起こる可能性を減らすという意味で，本件発明の技術的思想を
使うことは，必要かつ有用であると主張する。
しかしながら，本件当初明細書の〔作用〕欄に記載された本件発明の
内容は，転位の発生を防止するという技術思想であるところ，このよう
な原告の主張は，これを転位の発生の緩和，すなわち，転位の発生の可
能性を低くすることにすり替えるものであって，本件発明の不当な拡張
解釈である。
イＭ−ＮＢＤによる測定結果の正確性
(ア)Ｍ−ＮＢＤによる被告レーザー素子の格子面間隔の分析結果（乙
１）によれば，ＩｎＰに対する量子井戸層，バリア層の縦方向成分の変
化量は，量子井戸層で＋０．００２（＋０．２％），バリア層で＋０．
００１（＋０．１％）であり，測定誤差±０．００１（±０．１％）を
考慮しても，バリア層において格子面間隔の−方向への変化量は確認で
きず，バリア層は無歪であるから，「バリア層の格子定数＜ＩｎＰの格
子定数」の関係にはない。
(イ)原告は，Ｍ−ＮＢＤによる測定結果には，ビーム径と膜厚との関係
及び試料内部を透過する間にビーム径が拡がることにより，隣接する層
の情報が混入しており，不正確であると主張する。
しかしながら，原告がビーム径の拡がりと主張するものは，回折に寄
与しない電子（非弾性散乱電子）の飛跡であって，回折スポットの形成
とは無関係であり，回折スポットの形成に寄与する電子の拡がりは，Ｍ
ＳＴの解析条件に基づき計算すると０．０５ｎｍ程度であって，ほとん
ど無視できる程度である（乙３０）。そして，原告の主張どおりにビー
ム径が拡がっているとすると，回折スポットの間隔は，実際に測定され
た距離の６倍以上に拡がってしまい，実際の観測結果とも矛盾する。
また，電子線の照射範囲の一部に上下層が含まれたとしても，そのこ
とが測定結果に与える影響は少なく，バリア層と量子井戸層のピークの
中間位置に合成波のピークが出現するわけではない（乙１５，１６，３
４）から，ＩｎＰとバリア層の格子間距離の大小関係が逆転して観察さ
れることはない。
ウＦ−ＮＢＤの問題点
(ア)フィッティングの問題点
ａ原告のＦ−ＮＢＤによる電子線の照射領域は，量子井戸層よりバリ
ア層の方が広いから，バリア層の信号強度の方が大きくなければなら
ないはずであるにもかかわらず，原告の調査報告書(2)（甲４。以下
「甲４報告書」という。）の図６では，量子井戸層の信号の方が強く
なっている。また，同図では，ＩｎＰのものとされるピークＢと量子
井戸層のものとされるピークＡとの距離の方が，ピークＢとバリア層
のものとされるピークＣとの距離より大きいにもかかわらず，甲４報
告書の図７では，格子定数は，ＩｎＰの格子定数値を基準に，プラス
・マイナスほぼ同程度となっている。これらのことは，Ｆ−ＮＢＤの
測定原理又は測定のフィッティングに誤りがあることを疑わせる。
原告は，ピーク群Ａ及びＣは，それぞれ一つの大きな強度Ａ’及び
Ｃ’として捉え，そのピーク位置を認識する必要があると主張するが，
Ａ’及びＣ’の捉え方やそのピーク位置の認識の仕方自体，何の基準
も示されておらず，正当性，客観性は全くない。また，そもそも，包
絡線のピークという考え方は，運動学的回折理論の考え方であり，多
重散乱の効果を無視できず，動力学的回折理論によるべき場合には，
適用できない考え方である（乙４７の１）。
ｂそして，Ｆ−ＮＢＤのようにフィッティングによって格子間距離を
求めるためには，フィッティングが正しく行われていることが必要条
件であるが，原告によるフィッティングは，それに用いた数式に誤り
があること，用いたとするパラメータも，本来，固定値でなければな
らないものが，変動パラメータとして扱われていること等，フィッテ
ィングの方法自体が不適切である（乙３９）。
したがって，それにより得られた数値（測定値）には，根拠がない。
(イ)多重散乱の影響
ａそもそも，厚さ１００ｎｍを超える試料について，回折プロファイ
ルに基づき格子間距離の情報を得るには，電子線が試料を透過する際
に多重散乱され，その結果，回折プロファイルも多重散乱の影響を大
きく受けることから，運動学的回折理論ではなく，多重散乱の影響を
考慮に入れる動力学的回折理論に基づく必要がある。
しかしながら，多重散乱を正確にシミュレートするのは，計算が膨
大になり，試料の厚さや各領域の膜厚等を厳格に測定する必要がある
が，これは，ほとんどの場合，不可能である。したがって，被告レー
ザ素子のように，多層膜構造（バリア層８層，量子井戸層７層）で，
しかも試料が厚いものを対象に，広い領域に電子線を照射する方法で
は，動力学的回折理論に基づいて正確な回折プロファイルを計算する
ことは，実際上不可能である。
ところが，Ｆ−ＮＢＤによる測定結果を示す証拠（甲１２，１３
等）においては，多重散乱を考慮したことを示す記載はなく，試料の
厚さも１００∼２００ｎｍと非常に幅を持った数値で表現されている
こと等からすれば，多重散乱による影響を考慮したとは考えられない
ので，Ｆ−ＮＢＤには，致命的な欠陥がある。
ｂまた，運動学的回折理論の観点からしても，原告が用いたシミュレ
ーションモデルには，数式の誤りや，ＩｎＰ領域の情報をどのように
シミュレーションモデルに取り込んだのかが不明である等の問題があ
る。なお，フィッティングの方法自体が不適切であることは，前記の
とおりである。
原告は，数式の誤り（位相項の有無）は，結果に大きな影響を及ぼ
さないと主張するが，位相項は，二つの波が強め合うか弱め合うかに
影響を与える事項であり，ピークの強度に強い影響を与えるものであ
る。
ｃ原告は，Ｆ−ＮＢＤは，多重散乱の影響が少ない条件下で測定して
おり，多重散乱理論を用いて試算した結果からも，多重散乱の影響が
少ないことが分かったと主張する。
しかしながら，原告が主張する条件（二波励起条件）が成り立つと
いうこと自体，裏付けがなく（乙３１の１），仮に，当該条件が成り
立つとしても，運動学的解析が動力学的解析に近似するということは
できない（乙３０の１）等，Ｆ−ＮＢＤは多重散乱の影響が少ないと
いうことはできない。
また，原告が主張する試算結果（甲４５）も，実際に用いたＦ−Ｎ
ＢＤとは異なる単純化した条件で行われたものにすぎない等の問題が
あり，これをもって，多重散乱の影響は少なく，運動学的近似が成り
立つということはできない。
(ウ)試料の薄片化の影響
Ｆ−ＮＢＤを実施するためには，試料を薄片化する必要があるが，薄
片化に伴い，①薄片化するためにＦＩＢ（収束イオンビーム）加工をす
ることによるダメージ層の形成及び試料表面層の組成変化が生じること，
②試料の弾性変形により格子間距離も変化すること，③透過型電子顕微
鏡（ＴＥＭ）観察時の電子線照射に伴う試料表面の組成揺らぎが生じる
こと，④歪の解放により，圧縮歪が加えられていた量子井戸層のみなら
ず，無歪であるバリア層にも縦方向の格子間距離の減少が生じることか
らすれば，その測定結果は，薄片化による変化が生じた後の試料の測定
にすぎず，信頼するに足りない。
(エ)活性層との界面付近のＩｎＰ領域の歪による影響
ａ量子井戸層に圧縮歪が入れられ，バリア層は無歪の場合には，多重
量子井戸構造の平均格子定数はＩｎＰよりも大きくなるので，多重量
子井戸構造との界面付近のＩｎＰ領域には歪が存在する（乙３３の１，
４４）。
そして，Ｆ−ＮＢＤは，約１００ｎｍのビーム径の電子線をＩｎＰ
領域と量子井戸層及びバリア層の積層部へ同時に照射するものである
から，電子線が照射されるＩｎＰ領域は，多重量子井戸構造の側壁付
近の，歪の影響を受けたバルクのＩｎＰの領域であるか，少なくとも
これを含んだ領域となる。また，Ｆ−ＮＢＤの実測プロファイルにお
いて，ＩｎＰのピークを同定できるという原告の主張を前提にしても，
同定できるＩｎＰのピークは，歪の影響を受けたバルクのＩｎＰとい
うことになる（乙４４）。
のみならず，仮に，この側壁付近の領域のＩｎＰが多重量子井戸構
造の側壁に格子整合しているとすると，同領域のＩｎＰは，量子井戸
層とバリア層の平均格子定数に一致するように歪んでいることとなる
から，側壁付近のＩｎＰをリファレンスとすれば，リファレンスの格
子定数は，必然的に，量子井戸層の格子定数とバリア層の格子定数の
間に位置することとなる。
実際に，ＨＬ１５１３のレーザ素子について調査したところ，透過
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の暗視野像において，側壁付近に歪の影響と
思われる部分が写っているとともに（乙３３の１，４５の１），Ｍ−
ＮＢＤによる測定結果においても，側壁から１０ｎｍの位置のＩｎＰ
で，０．３％程度の歪があることが確認された（乙４６の１）。
なお，原告は，別の型番の製品のレーザ素子について，０．００１
１７ｎｍ（正確にいえば，０．２％）の歪があることをもって，基板
のＩｎＰの格子間距離と同等と主張する。しかしながら，原告の主張
は，その根拠が不明であるのみならず，原告，被告の双方が主張する
被告レーザ素子のバリア層の歪量等に照らして，０．２％の歪は，Ｆ
−ＮＢＤの信頼性を失わせるのに十分な値であるから，理由がない。
ｂ他方，量子井戸層・バリア層にそれぞれ圧縮歪・引張歪が入れられ，
多重量子井戸構造の平均格子定数がＩｎＰの格子定数に等しい場合に
は，その界面全体に蓄積される歪は存在しないかもしれない。しかし
ながら，その場合でも，ミクロの視点で見ると，多重量子井戸構造と
ＩｎＰ領域の界面付近では，母層のＩｎＰ自体に長周期の歪が入り，
サテライトピークを生じる可能性がある（乙２５の１）。
したがって，このサテライトピークを無視して，ＩｎＰのピークを
同定することはできない。
ｃこのほか，Ｆ−ＮＢＤで測定されるＩｎＰ埋込層は，製造プロセス
における様々な応力が加わっており，その結果，全体的又は局所的な
歪の影響を受けたものとなっていると考えられることや，平均格子定
数がＩｎＰの格子定数よりも大きい活性層がＩｎＰの中に埋め込まれ
ている場合には，界面付近を中心に，活性層やＩｎＰの格子は，静水
圧的な応力を受けて変形し，歪が生ずること（乙５２の１）ことから，
その影響も考慮する必要がある。
ｄしたがって，Ｆ−ＮＢＤは，多重量子井戸構造の側壁付近の歪の入
ったＩｎＰをリファレンスとしている点において，量子井戸層・バリ
ア層の絶対的な格子間距離の測定方法としてはもとより，ＩｎＰの格
子定数とバリア層及び量子井戸層の格子定数との大小関係を比較する
測定方法としても，致命的な欠陥を有している。
(オ)被告レーザ素子が本件特許の権利範囲に属するといえるためには，
その格子定数を求める必要があるところ，Ｆ−ＮＢＤによって得られる
ものは，積層方向における格子間距離に関する情報である。そして，Ｆ
−ＮＢＤにおける電子線の照射範囲内のＩｎＰと活性層のほとんどは，
静水圧的応力等により，三次元的に不均一に歪んでおり，格子の面内方
向（ｘ，ｙ方向）と積層方向（ｚ方向）のそれぞれにつき歪量が独立し
た値をとることができることから（乙５２の１），積層方向における格
子間距離から格子定数を逆算することは，不可能である。
(カ)Ｆ−ＮＢＤは，原告独自の装置を用いた特殊なものであって，学会
においても認知されておらず，正当な測定方法として認められたもので
はない。
(キ)ａ複数領域から同時に回折パターンを得るＦ−ＮＢＤでは，ピーク
が重複する可能性があり，原告がバリア層のものと主張する甲４報告
書の図６の右側の複数ピークの真の中央部が隠れて見えなくなってい
る可能性があり，最大ピークより右側の位置にバリア層のピークが出
ているということもできない。
原告は，バリア層のピークが中央の最大ピーク位置には生じていな
いと主張するが，Ｆ−ＮＢＤは，多重散乱の影響を考慮していないと
いう欠陥がある以上，その主張には，理由がない。
ｂそもそも，多重散乱効果の大きい試料において，運動学的解析によ
り回折波の強度からピーク群やピーク群の位置を論じたり，どのピー
クがどの層に由来するかを対応付けたりすること自体，誤りである。
また，原告は，測定プロファイルのピーク形状をみることにより，
格子間距離の大小を判断することができると主張する。しかしながら，
「ピークの形状」ということ自体，包絡線の描き方が不明であり，そ
の強度やピーク位置の求め方が不明である等の問題があることから，
ピーク形状をみることで，格子間距離の大小関係を判断することはで
きない。
したがって，Ｆ−ＮＢＤにおいては，「ＩｎＰのピーク」（これ自
体，歪の影響を受けていることは，前記のとおりである。）の左右の
ピーク群の存在によって，格子間距離の大小が分かるとする原告の主
張は，誤っている。
ｃ加えて，前記のとおり，三次元的に不均一に歪んでいる場合には，
積層方向における格子間距離から格子定数を逆算することは，不可能
であるから，格子間距離の大小を比較したとしても，それによって格
子定数の大小関係を導くことはできない。
エＸＲＤとの比較について
(ア)原告は，Ｆ−ＮＢＤの測定結果とＸＲＤの測定結果とが一致してい
ることをもって，Ｆ−ＮＢＤの測定結果が信頼できると主張する。しか
しながら，原告がＸＲＤに用いた試料とＦ−ＮＢＤに用いた試料は，同
じエピウエハであっても別々の場所から採取したものであり，同じエピ
ウエハでも場所による違い（面内分布）があることから，測定精度が問
題となる場面では，同一の試料とはいえない。そもそも，ＸＲＤは非破
壊検査であるから，二つの試料を作成する必要はないにもかかわらず，
異なる部位から試料を採取しているのは，不可解である。
また，Ｆ−ＮＢＤに用いた試料は，ＩｎＰ埋込層を形成し，薄片化し
た試料であって，前述した薄片化による格子間距離の変化に加えて，基
板のＩｎＰではなく，後から溝に成長させたＩｎＰ埋込層である点で，
これが基板のＩｎＰと同じであるという保証はなく，同一の試料とはい
えない。
Ｍ−ＮＢＤに用いた試料も，１枚のエピウエハの別の部位から採取し
たものであり，かつ，薄片化処理がされているから，ＸＲＤに用いた試
料と同一の試料とはいえない。
このように，同一とはいえない試料を用いた測定結果を比較し，各測
定方法の正確性等を論じることは，本件のような極めて精度が高い格子
間距離の測定が求められる場合においては，比較の方法として不適切で
ある。また，同一といえない試料を測定したにもかかわらず，その測定
結果が一致するということは，Ｆ−ＮＢＤの測定精度に問題があること
を示している。
(イ)一般に，ＸＲＤは，単層膜については比較的高い定量性をもった格
子間距離の決定法であるが，多層膜を測定する場合には，フィッティン
グパラメータが各層の組成，膜厚となって，膨大になり，積層方向に組
成分布がある場合の影響も避けられず，フィッティング精度について，
十分な注意が必要である。
しかしがながら，原告の行ったＸＲＤによる測定は，①シミュレーシ
ョンモデルの内容が明らかにされておらず，適切なモデルが用いられた
か，不明であること，②シミュレーションモデルに入力した既知のパラ
メータが不明であること，③最小二乗法によりフィッティングを行う際
の近似誤差の計算式に誤りがあり，原告が行ったフィッティングの適切
性について検証を行ったところ，実測プロファイルとシミュレーション
プロファイルがよく一致していることは確認できなかったこと等，フィ
ッティングに問題があることが疑われることから，その正確性には，疑
問がある。
(ウ)Ｍ−ＮＢＤにより取得される回折像は，一つの領域からの信号を基
本とし，Ｍ−ＮＢＤは，その回折スポット間の距離を測定することによ
って格子間距離を求めるものであって，フィッティングに内在する誤差
を含まないものである。そして，多重散乱は，出現するピーク位置には
大きな影響を与えないから，Ｍ−ＮＢＤにおいては，多重散乱の効果を
考慮する必要はない。また，上下の層が電子線の照射範囲に含まれたと
しても，出現するピーク位置には大きな影響を与えないから，ＩｎＰと
バリア層の格子間距離の大小関係が逆転することはない。
さらに，Ｍ−ＮＢＤによる測定結果とＸＲＤによる測定結果との比較
に用いた試料が同一ではないことは，Ｆ−ＮＢＤについて述べたことと
同様である。
(エ)以上のことに加えて，前記のとおり，Ｆ−ＮＢＤによる測定値自体
根拠がないことから，ＸＲＤによる測定結果との誤差を対比して，Ｆ−
ＮＢＤの方が正確であると主張すること自体，意味がない。また，Ｆ−
ＮＢＤについて原告の行った比較は，三つの試料のみであり，それだけ
の測定をもって最大誤差というのは，誤差論として意味がなく，原告が
主張する最大誤差も，プラスとマイナスが逆向きに生じた誤差を考慮し
ていない。
そして，Ｍ−ＮＢＤについて原告が主張する誤差は，わずか一つの試
料についての数字にすぎず，誤差論として，意味がない。
２争点(2)−ア（明細書の要旨変更の有無）について
（被告の主張）
(1)主張の要旨
本件特許は，昭和６３年１１月１１日に特許出願され，３回にわたる明細
書の補正を経て特許されたものであるが，第２回補正は，本件当初明細書に
記載した事項の範囲内の補正ではなく，明細書の要旨を変更するものである。
それゆえ，本件特許出願の出願日は，旧特許法４０条の規定により，第２回
補正の手続補正書が提出された平成９年８月１１日まで繰り下がる。
主張の詳細は，以下のとおりである。
(2)本件当初明細書の記載について
ア本件当初明細書は，「量子井戸半導体レーザ素子の特性は，量子井戸が
歪のある構造であり，その格子定数をバリア層の格子定数より大きくする
ことにより向上する。」（３頁１２∼１５行）として，従来技術としての
歪量子井戸半導体レーザ素子に触れた上で，歪量子井戸半導体レーザ素子
において，「１．３μｍ以上の長い波長で発振する高性能な歪層量子井戸
半導体レーザ素子を提供すること」（５頁１７∼１９行）を発明の目的と
して挙げている。そして，ＧａＡｓ基板上にクラッド層（バリア層）と歪
を有する厚さ４０ÅのＧａＩｎＡｓ量子井戸層を積層したものを０．６３０．３７
従来技術の例として挙げ，このＧａＩｎＡｓ／ＧａＡｓ系の従来技術で１．
３μｍより長い波長の発振を得る組成にしようとすると，「量子井戸層に
臨界値以上の大きな歪が生じ，それに伴う転位の発生によりレーザ特性が
劣化するという問題」（５頁１１∼１４行）があることを解決すべき課題
として挙げている。そして，この課題を解決する手段を説明するために三
つの実施例を記載し，それら三つの実施例に即して，請求項１ないし５の
発明を記載している。
その請求項１の記載は，次のとおりである。
「ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−Ⅴ族
化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，組成Ｃの量Ｗ
子井戸層の格子定数ａ（Ｃ），ＩｎＰの格子定数ａ（ＩｎＰ）および組成Ｗ
Ｃのバリア層の格子定数ａ（Ｃ）が，ａ（Ｃ）＝ａ（ＩｎＰ）＜ａ（ＣＢＢＢ
）またはａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）であることを特徴とする量ＷＢＷ
子井戸半導体レーザ素子。」
イ本件当初明細書に記載された課題のうち，１．３∼１．５５μｍの波長
帯を得ることができ，かつ，格子定数が基板に対して大きくなりすぎない
結晶材料という課題は，既に解決済みであったから，本件当初明細書が開
示しているのは，量子井戸層に圧縮歪が入った量子井戸半導体レーザ素子
において，歪による転位の発生という問題を解決する手段が唯一のものと
いってよい。
そして，本件当初明細書の〔課題を解決するための手段〕欄の記載は，
請求項１の記載の引き写しにすぎないから，技術思想の詳細な説明として
重要なのは，〔作用〕欄の説明であるところ，本件当初明細書の〔作用〕
欄には，臨界値以上の大きな歪が生ずることに伴う転位の発生という問題
を解決するための手段として，
Ⅰ量子井戸層の格子定数をバリア層の格子定数より大きくし，次に，
Ⅱ①バリア層の格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくすることにより，
ＩｎＰ基板上のバリア層の歪みを防ぐか，又は，
②バリア層の格子定数＜ＩｎＰの格子定数＜量子井戸層の格子定数で
ある場合には，量子井戸層とバリア層の厚さを調整して，活性層全体
の平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくして活性層内の歪を
防ぎ，転位の発生を防ぐこと
を挙げている。
その上で，その実施例として，第１の実施例は①の方のもの，第２の実
施例は②の方のもの，第３の実施例は①の方のものを記載している。
ウ以上のとおり，本件当初明細書は，請求項１において，
①ａ（Ｃ）＝ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）（以下「格子定数関係式①」とＢＷ
いうことがある。）
又は
②ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）（格子定数関係式②）ＢＷ
の関係を択一的に記載し，格子定数関係式②に係る発明は，「歪のない，
ＩｎＰより小さい格子定数をもつ」バリア層と，「歪のない，ＩｎＰより
大きい格子定数をもつ」量子井戸層からなり，「平均の格子定数がＩｎＰ
に格子整合する活性層を有」するという前提条件の下で成立する発明とし
て記載され，それが，第２の実施例によりサポートされていたのである。
(3)第１回補正
これに対して，平成８年８月１日付けで拒絶理由通知（第１回）がされ
（乙２の３），これ対する平成８年１１月５日付けの第１回補正により，格
子定数関係式①を特許請求の範囲の記載から削除し，また，第２の実施例中
の「歪のない，ＩｎＰ」との記載から「歪のない」との部分が削除された。
これは，当該補正時までに新たに獲得された知見を反映させたものであり，
そのことは，本件当初明細書には技術概念の片鱗さえ示されていなかった
「歪の緩和」（量子井戸層に加えた圧縮歪をバリア層の引張歪で緩和させる
構成）なる概念が提示されていることに表れている。
(4)第２回補正
第１回補正後に第２回拒絶理由通知を受け，拒絶査定を受けたが，原告は，
拒絶査定不服審判を請求し，その手続中，平成９年８月１１日付け補正書に
おいて，明細書全文を補正した（第２回補正。乙２の９）。
ア活性層全体の平均格子定数
(ア)第２回補正により第１の実施例における「活性層(17)の平均格子定
数はＩｎＰより大きく，ＩｎＰとは格子整合になっていない。」との記
載及び第２の実施例における「平均の格子定数がＩｎＰに格子整合する
活性層(17)を有し」との記載を削除した結果，補正後の実施例における
活性層の平均格子定数に関する記載としては，「活性層１７の平均格子
定数は，量子井戸層２０とバリア層２１の厚みと組成を調整することに
よってＩｎＰの格子定数に等しくすることができる。」との記載のみが
残ることとなった。
しかしながら，この記載は，第２の実施例において前提条件とされて
いた「平均の格子定数がＩｎＰに格子整合する活性層(17)を有」するよ
うにするための解決方法を説明していたものであって，この前提条件を
抜きにして，単に，量子井戸層(20)とバリア層(21)の厚みと組成を調整
することによって，平均の格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくしたけ
ればすることができるという内容を述べていたものではない。このこと
は，本件当初明細書の〔作用〕欄に，「ａ(Ｃ)＜ａ(ＩｎＰ)＜ａ(Ｃ)ＢＷ
の場合には，量子井戸層とバリア層の厚さを調整して，活性層全体とし
ての平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくする。このようにし
て，活性層内の歪を防ぎ，レーザ特性に悪影響を及ぼす転位の発生を防
ぐことができる。」（この記載も第２回補正で削除されている。）と明
記されていたことからも明らかである。
しかも，補正後の当該記載の直前には，「バリア層２１の組成は，バ
ンドギャップが量子井戸層のバンドギャップより大きく，かつ，格子定
数がＩｎＰの格子定数よりも大きくなる（注：「小さくなる」の誤記）
組成を選択する。すなわち，図２において斜線が入っていない領域で，
等バンドギャップ線Ｃよりも右側の組成から選択する。」という，本件
当初明細書の記載からは導き出すことのできない，新たな事項が書き加
えられている。
前記のような記載の削除と付加をした後の「活性層１７の平均格子定
数は，量子井戸層２０とバリア層２１の厚みと組成を調整することによ
ってＩｎＰの格子定数に等しくすることができる」との記載は，「平均
の格子定数がＩｎＰに格子整合する活性層(17)を有し」という前提条件
を抜きに，単に，量子井戸層とバリア層の厚みと組成を調整することに
よって，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくしてもよい
とする解釈を可能とする内容に変更されたのである。
(イ)さらに，これと相まって，第１の実施例における「量子井戸の数ｎ
は小さい整数，例えばｎ＝３に定める。」という活性層の歪量が上限値
を超えないための前提条件である重要な指標の記載を削除して，代わり
に「例えば量子井戸層の層数ｎを３とした場合，・・・」を挿入した。
こうして，第１の実施例から，ｎを大きくできないとする前提が削除さ
れ，「ｎ＝３」は，単なる例示的記載とされてしまった。
(ウ)このような実施例及び作用・効果の記載の変更は，本件当初明細書
に記載されていた発明の実体を変更するものであり，明らかな要旨変更
である。
イ新たな実施例の創出
第２回補正においては，互いに相容れない「活性層の平均格子定数はＩ
ｎＰとは格子整合になっていない」との第１の実施例についての記載と，
「平均の格子定数がＩｎＰに格子整合する活性層を有し」との第２の実施
例についての記載を削除し，残った部分をつなぎ合わせて，一つの実施例
とした。この補正後の実施例は，本件当初明細書の第２の実施例の前提条
件であった活性層の平均格子定数がＩｎＰに格子整合するという条件を外
したものになっている。これは，本来，活性層の平均格子定数とＩｎＰと
の格子整合の有無という前提条件を異にする二つの実施例を，表現上の操
作だけで組み合わせて一つの実施例にするものであり，新たな実施例を創
出するものである。
そして，この実施例は，格子定数関係式②を実質的内容とする第２回補
正後の請求項１をサポートすべき唯一の実施例であるところ，このように
重要な意義を有する実施例についての記載内容を実質的に変更する補正は，
発明の技術的範囲の変更をもたらすものであり，明細書の要旨を変更する
ものである。
ウバリア層の組成の選択範囲の拡大
(ア)第２回補正により，バリア層の組成は，本件当初明細書の第２図の
等格子定数線である実線Ｌ上にあること，すなわち，ＩｎＰの格子定数
に等しいことを意味する本件当初明細書の記載を削除し，「バリア層の
組成は，バンドギャップが量子井戸層のバンドギャップよりも大きく，
かつ，格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きくなる（注：「小さくな
る」の誤記）組成を選択する。即ち，図２において斜線が入っていない
領域で，等バンドギャップ曲線Ｃよりも右側（注：「左側」の誤記）の
組成から選択する。」との記載を付加している。これにより，本件当初
明細書の第２図のＬ線上の範囲のみならず，それより左斜め上方の領域
で，等バンドギャップ曲線Ｃよりも左側の組成をすべて含み得る記載と
なっている。
これは，明らかにバリア層の組成の選択の範囲を拡大しており，その
意味がＬ線上を含まないとすれば，全くの変更となる。
(イ)また，本件当初明細書の第２の実施例が，バリア層の格子定数をＩ
ｎＰの格子定数よりも小さくする場合には，活性層の平均格子定数がＩ
ｎＰの格子定数と等しくなるようにバリア層の組成を選択すべきものと
されていたことからすれば，バリア層の組成は，前記の領域すべてでは
なく，この条件を満たし得るような組成領域のみが，本件当初明細書に
開示されていたといえる。
(ウ)したがって，前記の付加された記載は，本件当初明細書のどこから
も導き出せない新たな事項であり，本件当初明細書には記載されていな
かった新たな技術的事項の追加に当たる。
エ新たな作用効果の追加
(ア)第２回補正により，本件当初明細書の〔作用〕欄の記載（前記のと
おり，転位の発生によるレーザ特性の劣化という課題の解決手段を裏付
けるものとして，①バリア層の格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくす
ること又は②バリア層の格子定数＜ＩｎＰの格子定数＜量子井戸層の格
子定数として，活性層全体の平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数に等
しくすることが記載されていた。）はすべて削除され，〔課題を解決す
るための手段〕欄に，「光通信において重要な波長帯である１．３∼１．
５５μｍにおいて，量子井戸層の膜厚を低閾値電流，低チャーピングな
どの効果が得られ，かつ，実用上使用可能な程度の低注入電流にて反転
分布が生じるように量子井戸層中に圧縮歪が印加されており，更に，歪
による転位の発生が緩和された高性能レーザを，実現することが可能と
なるのである。」との本件当初明細書にはなかった記載が追加された。
このことは，本件当初明細書には，〔従来の技術〕欄において，望ま
しい特性が願望として列挙されているだけで，本件発明から所望の効果
が得られることは，記載されていない。仮に，そのような効果を本件当
初明細書から読み取るとしても，それは，①バリア層の格子定数をＩｎ
Ｐの格子定数と等しくしたもの，又は，②バリア層の格子定数＜ＩｎＰ
の格子定数＜量子井戸層の格子定数として，活性層全体の平均的な格子
定数をＩｎＰの格子定数に等しくしたものにおいて得ることができる効
果として，記載されていたものである。
(イ)また，〔課題を解決するための手段〕欄に書き加えられた「歪によ
る転位の発生が緩和された」という事項は，第２回補正により初めて導
入された技術概念であり，これが，本件当初明細書に記載されていた，
バリア層の格子定数＝ＩｎＰの格子定数とするか，活性層全体の平均格
子定数＝ＩｎＰの格子定数とする手段のみならず，単に，格子定数がＩ
ｎＰ基板より大きい所定膜厚以内の量子井戸層と，格子定数がＩｎＰよ
り小さいバリア層を交互に積層するという手段まで含む意味であるとす
れば，それは，本件当初明細書に記載されていなかった新たな技術概念
に基づく異質・新規な作用・効果であり，発明そのものの変更である。
オ以上のすべての点において，第２回補正は，本件当初明細書に記載され
ていた事項の範囲を超える補正であり，明細書の要旨を変更するものであ
る。
したがって，本件特許出願の出願日は，旧特許法４０条により，第２回
補正の補正書が提出された平成９年８月１１日に繰り下がる。
(5)原告の主張について
ア原告は，特許請求の範囲は，拡張されていないと主張する。
しかしながら，明細書の要旨変更の有無を判断する基準は，当初明細書
にどのような技術的事項が開示されていたかであって，特許請求の範囲に，
形式的に何が記載されていたかではない。発明は，目的，構成，効果を一
体としてみた１個の技術的思想として把握されるべきものであるから，明
細書中に記載された目的，効果の補正は，発明の実体の変更をもたらす可
能性があり，特許請求の範囲に変更がなくても，発明の詳細な説明や実施
例の補正によって発明の実体が変われば，要旨変更となる。
そして，前記のとおり，第２回補正によって，発明が実質的に変更され
たことは，明らかである。
イ原告は，本件特許の特許請求の範囲の記載事項は，本件当初明細書に記
載されていると主張する。
しかしながら，本件当初明細書の〔課題を解決するための手段〕欄の記
載は，特許請求の範囲に記載した事項をそのまま課題解決手段として記載
しているにすぎない。むしろ，〔作用〕欄の発明の作用・効果についての
記載を読めば，「ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）の場合には・・・ＢＷ
活性層全体としての平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくす
る。」と記載されていることからしても，格子定数関係式②が，単純な格
子定数の大小関係を規定したものではなく，活性層の平均格子定数をＩｎ
Ｐの格子定数と等しくすることを前提としたものであったことは明らかで
ある。
また，原告は，特許出願人や特許庁の審査官等が，本件当初明細書と同
一内容の本件特許に係る公開特許公報（乙２の２。特開平２−１３０９８
８。以下「本件公開公報」という。）に「バリア層に引張歪を加え，歪を
補償する」ことが記載されていると理解していると主張するが，「願書に
最初に添附した明細書又は図面に記載した事項」を判断する際の基準とな
るのは，本件特許出願の出願日における当業者の認識であるから，本件特
許出願から何年も経過し，歪量子井戸半導体レーザ素子に関する技術的知
見が飛躍的に増大し，蓄積した時点における当業者の理解を挙げても，不
適切である。
ウ原告は，実施例の補正によっても，権利範囲は変化しないと主張する。
しかしながら，実施例は，通常，発明の思想を最もよく具現化したもの
であることは事実であり，実施例が変われば，発明思想の変更をまず疑っ
てかかるべきことも当然である。
そして，本件当初明細書に一体性をもった技術思想として唯一開示され
ていたのは，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくすること
であり，そのための条件としての「ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａ（ＣＢ
）」であって，この格子定数の大小関係だけをもってよしとする技術思想Ｗ
は，本件当初明細書には，記載されていない。
（原告の主張）
(1)特許請求の範囲は，拡張されていないこと。
本件発明と本件当初明細書の請求項１とを比較すれば，①当初は限定のな
かった量子井戸層の膜厚を，２．５ｎｍ∼３０ｎｍに限定している，②当初
は限定のなかった量子井戸層とバリア層の組成を，ＧａＩｎＡｓＰｘ１１−ｘ１ｙ１
（０＜x1，y1＜２），ＧａＩｎＡｓＰ（０＜x2，y2＜１）１−ｙ１ｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
に限定している，③当初はａ(Ｃ)＝ａ（ＩｎＰ）をも含んでいたバリア層のＢ
格子定数を，ａ(Ｃ)＜ａ（ＩｎＰ）の範囲に限定している，④当初は限定のＢ
なかったレーザ発振波長を，１．３∼１．５５μｍ用に限定しているといっ
た点が補正されているが，いずれも純粋な減縮であり，文言上も，解釈上も，
拡張されたと考え得る補正は，皆無である。
(2)特許請求の範囲の記載事項は，本件当初明細書に記載されていること。
ア本件発明の「量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大き
い」との構成要件は，本件当初明細書の〔課題を解決するための手段〕欄
に記載された格子定数関係式②（ａ(Ｃ)＜ａ(ＩｎＰ)＜ａ(Ｃ)）中のＢＷ
「ａ(ＩｎＰ)＜ａ(Ｃ)」に相当し，本件発明の「バリア層はその格子定数Ｗ
がＩｎＰの格子定数よりも小さい」との構成要件は，格子定数関係式②中
の「ａ(Ｃ)＜ａ(ＩｎＰ)」に相当することは明らかであって，本件発明にＢ
おける格子定数に関する構成要件は，本件当初明細書に記載されていた。
イ本件当初明細書に記載された発明は，従来の歪量子井戸半導体レーザ素
子では，１．３μｍ又はこれよりも長い波長の発振をＧａＩｎＡｓの１−ｘｘ
活性層より得るためには格子定数が大きくなり，量子井戸層に臨界値以上
の大きな歪が生じ，それに伴う転位の発生によりレーザ特性が劣化すると
いう問題があることにかんがみ，〔課題を解決するための手段〕及び〔発
明の効果〕の各欄に記載されているように，ａ(Ｃ)＝ａ（ＩｎＰ）＜ａＢ
(Ｃ)又はａ(Ｃ)＜ａ(ＩｎＰ)＜ａ(Ｃ)の関係があることにより，１．３ＷＢＷ
μｍ又はそれ以上の長い発振波長を有し，高性能である量子井戸半導体レ
ーザ素子が得られるとするものである。したがって，本件当初明細書には，
本件発明の構成要素が，その目的・構成・効果の関連の下で，全体を貫い
て，完結した一つの技術思想として，明確に記載されている。
ウ特許出願人や特許庁の審査官等も，本件公開公報には「バリア層に引張
歪を加え，歪を補償する」ことが記載されていると理解して，後願や特許
異議の申立て，拒絶理由通知等において，これを引用発明として記載して
いる。このことから，当業者は，本件公開公報から，「活性層の平均格子
定数＝ＩｎＰの格子定数」が必須の前提要件であるとは理解せず，格子定
数を「ａ(Ｃ)＜ａ(ＩｎＰ)＜ａ(Ｃ)」とする発明として把握していたとＢＷ
いえる。
エ被告は，〔課題を解決するための手段〕欄の記載は，特許請求の範囲に
記載した事項をそのまま課題を解決する手段として記載しているにすぎず，
むしろ，〔作用〕欄の発明の作用・効果についての記載を読めば，格子定
数関係式②が，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくするこ
とを前提としたものであったことは明らかであると主張する。
しかしながら，課題を解決する手段として記載された発明を権利範囲と
して請求することは，特許請求の範囲の記載要件に合致するとともに，出
願人の一般的な理解として，極めて自然かつ妥当なことである。また，本
件当初明細書に貫いて記載されたバリア層，ＩｎＰ層，量子井戸層におけ
る格子定数の大小関係のみからなる技術思想にかんがみれば，〔作用〕欄
の記載は，本件発明の技術思想の一態様を示すものにすぎないことは，当
業者にとって明らかである。
(3)実施例の補正によっても，権利範囲は変化していないこと。
実施例は，あくまで明細書全体を貫かれて完結した技術思想の実施例の一
つにすぎない。また，原告は，出願過程において，活性層の平均格子定数＝
ＩｎＰの格子定数ということを審査対象とする旨の主張をしたことはなく，
特許請求の範囲を「ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）」とする出願人のＢＷ
意図は，明らかである。したがって，実施例の補正により，権利範囲が活性
層の平均格子定数＝ＩｎＰの格子定数の場合に限定されるか否かは変化せず，
明細書の要旨変更が生じる理由はない。
(4)被告が明細書の要旨変更と主張する各根拠について
ア活性層全体の平均格子定数に関する被告の主張について
(ア)特許請求の範囲に記載された発明は，明細書のどこかにサポートさ
れていれば足り，実施例という形でサポートされている必要はない。そ
して，格子定数関係式①及び②は，いずれも単に格子定数の大小を規定
しただけで，当業者であれば，それ自体で，その意味を理解することが
できるから，あえて実施例として記載されている必要はない。
(イ)また，本件当初明細書の第２の実施例は，「活性層は，ｎが数百の
量子井戸層およびバリア層数まで，歪の誘起する転位を生じることなく
成長させることができる。」という点で，「高性能」という本件発明の
効果を更に高めるものであり，格子定数関係式②の単なる実施例であっ
て，これが格子定数関係式②に係る発明の要旨であるということはでき
ない。
したがって，第２の実施例に記載された事項をもって，本件発明を限
定的に解釈することはできない。
(ウ)さらに，本件当初明細書の第１の実施例についても，元々，「例え
ばｎ＝３に定める。」として，「ｎ＝３」は，単なる例示的記載であっ
たのであるから，例示的記載にされてしまったとする被告の認識は，明
らかに誤りである。
したがって，このような誤解に基づき明細書の要旨変更であるとする
被告の主張には，理由がない。
イ新たな実施例の創出であるとの被告の主張について
(ア)本件特許の第２回補正後の実施例は，本件当初明細書の特許請求の
範囲に含まれるものであり，かつ，本件当初明細書に記載された実施例
と基板や組成等の前提部分で共通する。このような第２回補正後の実施
例が本件発明の一例として含まれることは，本件当初明細書から明らか
であり，実質的に本件当初明細書に記載されていたも同然であるから，
第２回補正を新たな実施例の創出とする被告の認識は，失当である。
(イ)また，発明の技術的範囲は，特許請求の範囲に記載された発明に基
づいて定められるのが原則であるから，第２回補正における実施例の補
正が発明の技術的範囲の変更をもたらすとの被告の主張は，失当である。
ウバリア層の組成の選択範囲に関する被告の主張について
バリア層とは井戸層よりもバンドギャップが大きい層のことであるから，
「バリア層２１の組成は，バンドギャップが量子井戸層のバンドギャップ
よりも大きく，かつ，格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きくなる（注
：「小さくなる」の誤記）組成を選択する。」との第２回補正後の記載は，
格子定数関係式②から，直接かつ一義的に導き出せるものである。
そして，このような組成を本件明細書の図２上に書き写した場合に，バ
ンドギャップ線Ｃの左側かつ等格子定数線Ｌの上側の領域，すなわち，
「斜線が入っていない領域で，等バンドギャップ線Ｃよりも右側（注：
「左側」の誤記）の組成」となることも，一義的な事項である。
したがって，第２回補正におけるバリア層の組成の選択範囲に関する記
載の追加が，本件当初明細書には記載されていなかった新たな技術事項の
追加に当たるとの被告の主張には，理由がない。
エ新たな作用効果の追加であるとの被告の主張について
(ア)被告が指摘する，①バリア層の格子定数をＩｎＰと格子整合させ，
かつ，転位が起きない程度に量子井戸層の厚み（ｎ数）を小さくしたも
のと，②活性層全体の平均格子定数をＩｎＰと格子整合させたものとは，
量子井戸層に圧縮歪を持たせたこと及び転位の発生に対する考慮がなさ
れていることの２点で共通する。そして，本件当初明細書の記載から，
この①及び②の構成を有するものが，閾値電流が低い，変調周波数が高
い，波長チャーピングが小さいという効果を有することは明らかである。
他方で，格子定数関係式②のうち，「ａ（ＩｎＰ）＜ａ(Ｃ)」は量子Ｗ
井戸層に圧縮歪をもたせたことを示しており，「ａ(Ｃ)＜ａ（ＩｎＢ
Ｐ）」は転位の発生に対する考慮のための構成であることは明らかであ
る。
したがって，これと同一の構成である本件発明も，本件当初明細書記
載の閾値電流が低い，変調周波数が高い，波長チャーピングが小さいと
いう効果を有することは明らかである。
(イ)また，「歪による転位の発生が緩和された」という事項についても，
本件当初明細書には，「転位の発生を防ぐことができる。」という，ほ
とんど同意義の記載がある。
確かに，本件当初明細書では，活性層の平均格子定数＝ＩｎＰの格子
定数の場合を理想的な形態と位置付けている。しかしながら，ある側面
（例えば，転位の発生の防止という観点）から理想的な状態（例えば，
活性層の平均格子定数＝ＩｎＰの格子定数の場合）の効果を記載するこ
とで，これに至らない場合（例えば，ａ(Ｃ)＜ａ(ＩｎＰ)＜ａ(Ｃ)で，ＢＷ
かつ，活性層の平均格子定数≠ＩｎＰの格子定数の場合）にも所定の効
果が得られることをも表現したと考えることは，極めて常識的なことで
あり，日本語を解する多くの人は，実際そのように理解する。
したがって，「緩和」という語自体が本件当初明細書に記載されてい
なかったからといって，異質かつ新規な作用効果とはいえず，発明その
ものの変更とはいえない。
オ以上のとおり，被告が明細書の要旨変更と主張する根拠は，いずれも理
由がなく，第２回補正は，本件当初明細書に記載されていた事項の範囲を
超えるものではないから，明細書の要旨を変更するものではないことは，
明らかである。
３争点⑵−イ（明細書の要旨変更による出願日繰下げを前提とする新規性及び
進歩性の欠如）について
（被告の主張）
(1)本件特許出願の出願日は，旧特許法４０条により，第２回補正の補正書が
提出された平成９年８月１１日に繰り下がる。
(2)本件発明の要旨
本件発明の要旨は，本件明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されて
いるとおりであり，以下のように分説することができる。
ＡＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−Ｖ族
化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，
Ｂ量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５
ｎｍ∼３０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰ（０＜x1，y1＜１）であり，ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
ｘ２１−Ｃバリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａＩｎ
ＡｓＰ（０＜x2，y2＜１）であることを特徴とするｘ２ｙ２１−ｙ２
Ｄ１．３∼１．５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子。
(3)本件公開公報に基づく新規性又は進歩性の欠如
本件発明の要旨は，本件当初明細書に記載されており（(2)のＢ及びＣに規
定する格子定数の関係は，量子井戸層とバリア層の平均格子定数がＩｎＰの
格子定数に等しい場合を包含する。），本件公開公報は，本件当初明細書と
同一内容であって，本件発明は，繰下出願日前に公開された本件公開公報に
記載された発明と同一であるか，少なくとも，その記載に基づき，当業者が
容易になし得た発明である。
したがって，本件特許は，特許法２９条１項３号又は同条２項に違反して
特許されたものであって，無効とされるべきものである。
(4)DanaVargaほか「低閾値，高量子効率で高速な歪み補償型多重量子井戸レ
ーザ」（“LOWTHRESHOLD,HIGHQUANTUMEFFICIENCY,HIGHSPEEDSTRAIN
COMPENSATEDMULTIQUANTUMWELLLASERS”）IPRM'94WP22pp.473-475(１
９９４年３月２７日発行)（乙７。以下「乙７刊行物」といい，同刊行物に記
載された発明を「乙７発明」という。）に基づく新規性又は進歩性の欠如
ア乙７刊行物は，１９９４年３月２７日発行の書物に掲載された論文であ
る。
乙７刊行物には，①ＩｎＰ基板上に，４層又は８層の量子井戸層とバリ
ア層からなる活性層を含むⅢ−Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導
体レーザ素子において，②量子井戸層は，１％の圧縮歪を有し，膜圧が７
ｎｍ，１．５７μｍに対応するバンドギャップを有する４元のＧａＩｎＡ
ｓＰ層とし，③バリア層は０．９％の引張歪を有し，膜厚が８ｎｍ，１．
３μｍに対応するバンドギャップを有する４元のＧａＩｎＡｓＰ層とした，
④１．５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子が示されている。
なお，量子井戸層は１％の圧縮歪を有することとされていることから，
量子井戸層の格子定数が基板のＩｎＰの格子定数より大きいことは自明で
あり，また，バリア層は０．９％の引張歪を有するとされていることから，
バリア層の格子定数が基板のＩｎＰの格子定数より小さいことも自明であ
る。
そして，本件発明と乙７発明とを対比すると，両者は一致しており，相
違点はない。
イ乙７刊行物において実際に作成された半導体レーザは１．５５μｍ用で
あるが，４元ＧａＩｎＡｓＰにおいて波長と格子定数を独立に変化させ得
ることはよく知られた事項であり，量子井戸層，バリア層ともＧａＩｎＡ
ｓＰで，１．３μｍ帯で発光する量子井戸半導体レーザは，１９８５年代
に実現されている（乙９）から，乙７刊行物の記載に基づき，ＩｎＰ基板
上に，量子井戸層とバリア層とで反対の歪の入ったＧａＩｎＡｓＰの歪量
子井戸構造を持つ１．３μｍ帯の量子井戸半導体レーザ素子を実現するこ
とは，当業者にとって，極めて容易であった。
また，乙７刊行物において実際に作製されたデバイスは，量子井戸層と
バリア層の全体としての正味の歪量が０のものとされている。しかしなが
ら，同刊行物には，「正味歪み量を減少させるために，圧縮歪みの井戸と
引っ張り歪みのバリアを有する構造を成長させる方法がある。」旨の記載
に示されるように，バリア層に量子井戸層とは逆の引張歪を与えることに
よって正味の歪量を減少させる考え方が明示されているから，乙７発明が，
正味歪量が０の場合に限られないことは，明らかである。
ウ以上のとおり，本件発明は，少なくとも，１．５５μｍ用の量子井戸半
導体レーザ素子に関しては，乙７発明と同一であり，新規性を欠く（特許
法２９条１項３号）。また，１．３μｍ∼１．５５μｍの波長帯について
検討しても，当業者が，繰下出願日当時の技術水準で，乙７発明に基づき，
容易に発明をすることができた発明であり，進歩性を欠く（特許法２９条
２項）。
したがって，本件特許は，特許無効審判により無効にされるべきもので
ある。
（原告の主張）
前記のとおり，第２回補正は，明細書の要旨を変更するものではなく，旧特
許法４０条の規定によって，本件特許出願が，第２回補正時にしたものとみな
されることはない。
そして，本件公開公報（平成２年５月１８日公開）及び乙７刊行物（１９９
４年（平成６年）３月２７日公開）は，いずれも，第２回補正が明細書の要旨
を変更するものであって，本件特許出願が第２回補正がされた平成９月８月１
１日にしたものとみなされることを前提として，本件発明の新規性又は進歩性
の欠如を基礎付ける公知資料たり得るものであるから，その前提を欠くもので
ある。
したがって，これらを公知資料とする無効の主張は，理由がない。
４争点(2)−ウ（現実の出願日を基準とする進歩性の欠如）について
（被告の主張）
(1)本件発明の効果
本件特許出願当時，発振波長１．３μｍ帯の量子井戸半導体レーザがＩｎ
Ｐ基板，ＧａＩｎＡｓＰ量子井戸層という組合せで実現されており，また，
量子井戸層の膜厚２．５∼３０ｎｍという範囲も，当時，約４∼３０ｎｍ程
度のものが一般的であったから，格別のものではない。そして，「光通信素
子工学」（昭和６１年１２月１５日３版発行。乙１０）及び「半導体超格子
入門」（昭和６２年１１月１０日初版発行。乙１１）の記載から，Ⅲ−Ⅴ族
化合物半導体のＧａＩｎＡｓＰは，本件特許出願当時，光通信に重要な１．
３∼１．５５μｍ帯の波長が得られる半導体レーザの代表的な結晶材料とし
て知られており，これに適合する基板としては，ＩｎＰとＧａＡｓが代表的
なものであった。
したがって，本件特許出願当時の技術水準を前提に考えると，本件発明の
実質的内容は，量子井戸層に歪を入れた場合に生ずる転位の問題に対処すべ
く，歪量子井戸レーザ素子における量子井戸層及びバリア層の格子定数と基
板ＩｎＰの格子定数との大小関係を規定した点にしかない。また，発明の効
果についても，従来技術で得られる効果を除けば，歪による転位の発生を緩
和することしかない。
(2)各公知刊行物の記載
アQuillecetal.「ＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｘ１−ｘｙ１−ｙ
x1ひずみ超格子の成長と評価」（“GrowthandcharacterizationofInGa
As/InGaAsstrained-layersuperlatticeonInPsubstrate”）J.App-xy1-y
l.Phys.59(7),1April，1986，pp.2447-2450（乙６。以下「乙６刊行
物」という。）
乙６刊行物は，１９８６年公刊の論文である。
乙６刊行物の記載によれば，乙６刊行物には，歪超格子におけるミスフ
ィット転位の問題を解決する手段として，量子井戸層とバリア層とで互い
に反対方向の歪（歪超格子では，量子井戸層の格子定数を基板の格子定数
よりも大きくして圧縮歪を与えることから，当然，バリア層の格子定数は，
基板の格子定数より小さくなければならない。）を入れて，歪超格子全体
の平衡的な格子定数（平均格子定数と同義である。以下同じ。）が，基板
の格子定数と等しくなるようにするという考えが示されている。また，Ｉ
ｎＰ基板上に，歪超格子全体の平衡的な格子定数が基板の格子定数と等し
くなるように組成と厚さを選んで，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓの歪超格
子を成長させた実際のサンプル（量子井戸層の膜厚約８．６ｎｍ，バリア
層の膜厚約８．７ｎｍ）において，その効果を確認したことが示されてい
る。
したがって，乙６刊行物には，ＩｎＰ基板上に，膜厚約８．６ｎｍのＩ
ｎＧａＡｓ量子井戸層及び膜厚約８．７ｎｍのＩｎＧａＡｓバリア層を形
成したＳＬＳ（歪超格子，すなわち，歪量子井戸半導体構造）において，
量子井戸層を圧縮歪，バリア層を引張歪として，歪超格子の全体の格子定
数をＩｎＰの格子定数と等しくすることにより，ＳＬＳ（歪超格子）の厚
さを大きくした場合に転位が発生するという問題を克服できる発明（以下
「乙６発明」という。）が示されている。
イイアン・マーガットロイドほか「歪超格子１．３μｍＧａＩｎＡｓＰ／
ＩｎＰＭＱＷレーザのしきい値電流の低減化についての計算」第４９回
応用物理学会学術講演会講演予稿集5P-ZC-12（１９８８年１０月）（乙
８。以下「乙８刊行物」という。）
乙８刊行物は，１９８８年１０月４日から７日にかけて開催された第４
９回応用物理学会学術講演会の講演予稿集第３分冊に掲載された研究報告
である。
乙８刊行物の記載によれば，乙８刊行物には，基板がＩｎＰ，量子井戸
層が圧縮歪（＋１．１％）を有する膜厚１０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰである
１．３μｍの波長帯の多重量子井戸半導体レーザが記載されている。
なお，乙８刊行物には，バリア層については，明示されていないが，技
術常識に照らして，ＩｎＰ又はＧａＩｎＡｓＰのいずれかであることは，
明らかである。
したがって，乙８刊行物には，基板がＩｎＰで，量子井戸層は圧縮歪
（＋１．１％）を有する厚さ１０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰであり，バリア層
がＩｎＰ又はＧａＩｎＡｓＰである，１．３μｍ波長帯の多重量子井戸半
導体レーザの発明（以下「乙８発明」という。）が記載されている。
ウDuttaetal.「長波長ＩｎＧａＡｓＰ（波長λ∼１．３μｍ）改良多重
量子井戸レーザ」（“LongwavelengthInGaAsP（λ∼1.3μm）modified
multiquantumwelllaser”）Appl.Phys.Lett.,46(11)1June,1985,
pp.1036-1038（乙９。以下「乙９刊行物」という。）
乙９刊行物は，１９８５年に刊行された論文である。
乙９刊行物の記載によれば，乙９刊行物には，ＩｎＰ基板上に，厚さ３
０ｎｍの量子井戸層及びバリア層をＧａＩｎＡｓＰで形成した１．３μｍ
用多重量子井戸半導体レーザの発明（以下「乙９発明」という。）が記載
されており，以前に作成したＩｎＰをバリア層としたものよりも，閾値電
流の低減効果があったと報告されている。
(3)乙６発明に基づく容易想到性
ア本件発明と乙６発明との相違点
本件発明と乙６発明とを対比すれば，「ＩｎＰ基板上に，量子井戸層と
バリア層からなる活性層を含むⅢ−Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸
構造であって，量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大き
い膜厚８．６ｎｍのⅢ−Ⅴ族化合物半導体であり，バリア層はその格子定
数がＩｎＰの格子定数より小さいⅢ−Ⅴ族化合物半導体」である点におい
て一致する。
なお，乙６刊行物には，レーザ素子についての直接的記載はないが，歪
超格子について，「最近の多数の刊行物に見られるように，レーザ，電界
効果トランジスタ，および光センサのようなデバイスに向けて関心を集め
ている。」と記載されていることから，その歪量子井戸構造の適用対象と
して，歪量子井戸レーザ素子を当然に予定していることは，当業者にとっ
て自明である。したがって，歪量子井戸半導体レーザ素子は，実質的に乙
６刊行物に記載されているというべきである。
そうすると，相違点は，次の２点となる。
相違点１：本件発明は，量子井戸層及びバリア層がＧａＩｎＡｓＰである
のに対し，乙６発明では，ＩｎＧａＡｓである点
相違点２：本件発明は，波長が１．３∼１．５５μｍ用であるのに対し，
乙６発明は，波長が１．６５∼２．１μｍである点
イ相違点についての容易想到性
量子井戸半導体レーザにおいて，その発振波長は，量子井戸層の組成が
固有の値として持つバンドギャップに大きく支配されるから，量子井戸層
の組成と発振波長とは密接な関係にあるが，分けて説明する。
(ア)相違点１について
乙６刊行物では，歪超格子全体の格子定数を基板の格子定数と等しく
した場合の効果を確認するという実験的検証の観点から，サンプルの作
製が容易な３元ＩｎＧａＡｓが用いられている（４元結晶では，Ｇａ／
Ｉｎ比率とＡｓ／Ｐ比率の両方の調整が必要だが，３元結晶ではＧａ／
Ｉｎ比率のみを変えるだけで，ＩｎＰ基板との格子ミスマッチを制御す
ることができる。）が，ＩｎＧａＡｓとＧａＩｎＡｓＰとは，極めて親
近性の高い組成であるから，光通信において重要な１．３∼１．５５μ
ｍの発振波長を考えたときに，乙６発明の組成を変化させて，４元Ｇａ
ＩｎＡｓＰとすることは，当業者が容易に想到することである。
そして，本件発明の組成及び発振波長は，当業者であれば周知の組成
・バンドギャップ・波長の相関図（乙１０参照）において，乙６刊行物
に記載された量子井戸層とバリア層の組成につき簡単な投影操作を行う
ことによって，得られるものである。
また，本件発明の出願当初においては，本件当初明細書の請求項２で，
量子井戸層の組成がＧａＩｎＡｓＰ（０≦x1，y1≦１），ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
バリア層の組成がＧａＩｎＡｓＰ（０≦x2，y2≦１）とさｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
れており，この組成式において，y1＝１，y2＝１である場合がＩｎＧａ
Ａｓに他ならず，４元のＧａＩｎＡｓＰと３元のＩｎＧａＡｓの両方を
含む記載態様となっており，両者を区別していなかった。このy1＝１，
y2＝１である場合，すなわち，３元のＩｎＧａＡｓの記載は，第３回補
正時に削除されたが，それは，審査官の指摘により削除されただけで，
技術的に意味のある理由は示されていないから，出願人の認識において
すら，４元と３元との間に区別はなく，両者は，単なる延長線上又は同
列の組成として扱われていた。
加えて，乙６刊行物は，実際にサンプルを作製し，超格子全体の格子
定数と基板の格子定数とを等しくしたものとそうでないものとを比較し，
前者がミスフィット転位を生じさせない有効な手段であることを実証し
ているから，乙６刊行物に記載された手段を，これと同系材料のＧａＩ
ｎＡｓＰの超格子において採用しようとすることは，当業者にとって，
ごく自然な考えであり，これを実現することに，何らの困難はない。
(イ)相違点２について
本件発明に係る発振波長１．３∼１．５５μｍは，よく知られた光通
信用の波長帯であり，また，ＧａＩｎＡｓＰは，この波長帯を得られる
代表的材料として，本件特許出願当時，周知であった（例えば，乙４，
９，１２）。そうであれば，当業者が，乙６発明におけるＩｎＧａＡｓ
に代えて，ＧａＩｎＡｓＰを用いて，波長１．３∼１．５５μｍの発振
を得ることに想到することは，何の困難もない。
そもそも，量子井戸半導体レーザの発光波長が量子井戸層のバンドギ
ャップに対応すること及びバンドギャップが半導体結晶の組成によって
決まることは，周知のことであり，両者の関係は，当業者であれば周知
の相関図がある。
また，量子井戸層に積極的に歪を入れることでバンド構造が変化し，
レーザ発振に必要な閾値電流が低下することは，Electron．Lett.22
［5］（1986）pp．249-250（乙３。以下「Adams論文」という。）により，
本件特許出願時には，既に多くの研究者，当業者の知るところとなって
いた。
これを前提に，歪超格子におけるミスフィット転位の問題を解決する
手段として，バリア層に量子井戸層と逆の引張歪を入れて，超格子全体
としての格子定数を基板の格子定数と等しくすることを提唱する乙６刊
行物に接した当業者が，１．３∼１．５５μｍの波長帯用の代表的な組
成系として知られたＧａＩｎＡｓＰを用いて，同波長帯を実現すること
に困難はない。
(ウ)効果の予測可能性
本件発明の特有の効果は，「歪による転位の発生が緩和され」ること
のみと考えられるところ，この効果は，量子井戸層に圧縮歪を導入した
量子井戸半導体レーザにおいて，バリア層の格子定数を基板の格子定数
よりも小さくすることによって得られる効果であるとされている。
しかしながら，量子井戸層に圧縮歪を導入した半導体量子井戸レーザ
において，バリア層の格子定数を基板の格子定数より小さくすることの
効果は，乙６刊行物に記載されているから，乙６刊行物から当業者が当
然に予測することができる効果の域を出ない。
(エ)したがって，本件発明は，乙６発明と本件出願時の技術常識及び周
知技術に基づき，容易に発明することができたものである。
ウ原告の主張について
(ア)原告は，乙６刊行物は，結晶学的見地からＩｎＧａＡｓに交互の歪
を入れて積層できた旨を報告したものにすぎず，レーザとして機能させ
る際の具体的手段及び期待される特性についての記載はないと主張する。
しかしながら，当時，ＩｎＧａＡｓ等の化合物半導体は，レーザ等へ
の応用を目指して，その量子井戸効果や物性が盛んに研究されていた。
また，乙６刊行物が半導体レーザでの使用を用途として想定していたこ
とは，歪量子井戸レーザを参考文献（参考文献番号６及び７）として挙
げていることにも示されている。
なお，本件明細書は，歪量子井戸構造における量子井戸層の圧縮歪と
バリア層の引張歪につき，実際に結晶成長させた実物を作ってその効果
まで検証している乙６刊行物等とは異なり，実作も正確な理論計算も伴
わないアイデアを発明として提示しているにすぎず，出願時において，
発明者が，実際の量子井戸構造のレーザ素子で，量子井戸層に圧縮歪を
入れることの利点と，バリア層に引張歪を入れることの利点が両立でき
ることを確認したことをうかがわせる記載も，それらのことを何らかの
シミュレーションによって確認したことを示す記載もない。その意味で
は，本件特許出願自体が，アイデアのみを発明として記載したペーパー
発明の出願ともいえる。このことは，本件明細書の効果の記載が極めて
漠然としていることや，出願人である原告自身においても，本件特許出
願後２０００年代に至るまで，原告のいう「歪補償構造」又は「歪の緩
和」なる構造を採用した半導体レーザ素子を実際に製作していたことを
うかがわせる事実すら確認ができないことにも表れている。
(イ)原告は，乙６刊行物中の「ａ＝ａ（ＩｎＰ）＝（Ｌａ＋Ｌａ）
＝
１１２２
／（Ｌ＋Ｌ）」との記載について，乙６刊行物には「Ｌはバリア層の１２１
厚さ，Ｌは量子井戸層の厚さ」との記載はないと主張する。２
しかしながら，ａについて説明した文章と前記式を併せてみれば，前
＝記式中のＬ及びＬが層の厚さを表していることは，当業者にとって明１２
白である。
また，乙６刊行物の図４の透過スペクトルは，量子井戸効果に起因す
る典型的なピークＡとＢを示しており，Ｌがバリア層，Ｌが量子井戸１２
層として機能していることは，明らかである。
(ウ)原告は，ＭＯＣＶＤ法が未成熟であったため，ＩｎＰ基板上にＧａ
ＩｎＡｓＰ系の量子井戸を成長させることは困難であったから，乙６刊
行物において，３元系を採用していることは，むしろ当時の技術水準か
らすれば，限界であると主張し，３元系と４元系との違いを主張する。
しかしながら，これは，実際に物を作ることができるかという議論と
技術思想としての発明とを混同した議論であって，前記のとおり，本件
発明も，そのような技術状況の中で，理論的可能性の一つを提示したに
とどまる。仮に，原告が主張するように，本件特許が出願された昭和６
３年当時，自由に材料系を探求する発想や，歪状態を積極的に活用する
発想を持つこと自体が困難であるほどＧａＩｎＡｓＰの結晶成長技術が
未熟であったとすれば，量子井戸層に圧縮歪，バリア層に引張歪を入れ
た半導体レーザ素子の量子井戸構造をどのように結晶成長させ，それに
よりどのような効果を得るかにつき何ら記載していない本件明細書は，
明細書の記載不備の最たるものというべきである。
また，前記のとおり，本件当初明細書では，量子井戸層，バリア層と
も，３元系のＩｎＧａＡｓを排除しておらず，発明としてはＧａＩｎＡ
ｓＰとＩｎＧａＡｓを同列のものと把握しており，材料ごとに区別され
た発明思想は，本件当初明細書には全く記載されていないから，４元系
の材料を用いることをもって，進歩性を主張することはできない。
(4)乙８発明に基づく容易想到性
ア乙８発明と本件発明とは，「ＩｎＰ基板上に量子井戸層とバリア層から
なる活性層を含むⅢ−Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ
素子において，量子井戸層はその格子定数がバリア層の格子定数より大き
い膜厚１０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰである１．３μｍ用量子井戸半導体レー
ザ素子」である点において一致し，次の点において相違する。
相違点：バリア層について，本件発明は，ＩｎＰより格子定数が小さいＧ
ａＩｎＡｓＰであるのに対し，乙８発明は，バリア層の組成について明
示されておらず，バリア層の格子定数が不明である点
イ相違点についての容易想到性
(ア)バリア層の組成について
従来，多くの量子井戸半導体レーザにおいて，ＧａＩｎＡｓＰ（量子井
戸層）とＧａＩｎＡｓＰ（バリア層）の組合せが用いられており（例えば，
１．５５μｍ帯につき乙９刊行物，１．３μｍ帯につきSasai等），歪多
重量子井戸に限って，バリア層がＧａＩｎＡｓＰであってはならない理由
はないから，量子井戸層をＧａＩｎＡｓＰとしたときに，バリア層をＧａ
ＩｎＡｓＰにすることは，当業者の通常の思考が自然に赴くところである。
とりわけ，乙９刊行物には，バリア層をＩｎＰからＧａＩｎＡｓＰに代
え，ＧａＩｎＡｓＰの量子井戸層と同系組成とすることによって，閾値電
流の低下効果があったことが記載されている。
したがって，バリア層にＧａＩｎＡｓＰを採用することは，当業者にと
って極めて容易である。
(イ)バリア層の格子定数について
乙８刊行物に開示されている量子井戸レーザは，厚さが１０ｎｍと厚く，
１．１％という大きな圧縮歪をもつ量子井戸層が，１０層も積層されてお
り，半導体レーザの活性層に非常に大きな歪量が入り，転位が発生する領
域のものといってよいから，乙８刊行物には，転位の発生を防止するとい
う技術課題が示されている。
そして，量子井戸層に圧縮歪を入れた場合に生じ得るミスマッチ転位等
の問題を解決する手段として，バリア層に反対方向の歪を入れることが乙
６刊行物に記載されている。このミスマッチ転位の問題は，３元のＩｎＧ
ａＡｓであろうと４元のＧａＩｎＡｓＰであろうと解決しなければならな
い共通の課題であるから，乙６刊行物に記載された課題解決手段を，乙８
発明に適用することは，当業者の自然な思考である。
(ウ)したがって，乙８発明のバリア層を乙９刊行物に記載されたＧａＩｎ
ＡｓＰに代え，乙６刊行物に記載された技術的事項を適用することは，当
業者が容易に想到し得たというべきである。
視点を変えれば，乙６発明を基本に，組成と波長帯についての本件発明
との違いにつき，同じ歪多重量子井戸に関する技術で技術分野が共通し，
共通の解決課題を有している乙８発明を組み合わせ，また，量子井戸層が
ＧａＩｎＡｓＰである場合にバリア層を同系のＧａＩｎＡｓＰとすること
は，乙９刊行物の示唆を待つまでもなく容易であるから，乙６発明に乙８
発明及び乙９発明を併せて本件発明に至ることは，当業者が容易になし得
ることである。
(5)乙９発明に基づく容易想到性
ア乙９発明と本件発明とは，「ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層か
らなる活性層を含むⅢ−Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レー
ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ザ素子において，量子井戸層は膜厚３０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰ
であり，バリア層はＧａＩｎＡｓＰであることを特徴とすｙ１ｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
る，１．３μｍ用量子井戸半導体レーザ素子」である点で一致し，次の点
において相違する。
相違点：本件発明は，量子井戸層の格子定数がＩｎＰの格子定数より大き
い歪量子井戸であり，バリア層の格子定数がＩｎＰの格子定数より小さ
いのに対し，乙９発明は，量子井戸層とバリア層の格子定数及び歪につ
いての記載がない点
イ本件特許出願当時，量子井戸層の格子定数を基板の格子定数より大きく
した歪量子井戸構造は，既によく知られていた。すなわち，Adams論文を
契機に歪量子井戸半導体レーザが主流となったことを考えれば，乙９発明
において，量子井戸層に圧縮歪を入れて発光効率の向上を図ることは，当
業者が容易に想到し得る（例えば，乙８）。
また，バリア層を引張歪とすることについては，ミスフィット転位の問
題を解決する方法として，乙６刊行物に記載されている。
したがって，乙９発明において，量子井戸層を圧縮歪とし，歪の導入に
よって生じる問題については，乙６刊行物の教示に基づきバリア層を引張
歪のある組成として，その解決を図ることは，当業者が何らの困難なく想
到し得たことである。
（原告の主張）
(1)乙６発明に基づく容易想到性について
ア乙６刊行物は，結晶学的見地から，ＩｎＧａＡｓに交互の歪を入れて積
層することができたことを示すにすぎず，レーザとして機能させるために
どのように構成すればよいのか，その際にどのような特性になるかは，全
く示唆がない。
また，乙６発明で採用する材料は，ＩｎＧａＡｓであるところ，本件特
許出願当時の状況は，成長技術の制約から，ＩｎＧａＡｓの結晶学的知見
からの報告を，成長が困難なＧａＩｎＡｓＰのレーザに自由に展開して発
想できるというものではなかった（甲１９参照）。このことは，ＧａＩｎ
ＡｓＰレーザの量子井戸層に歪を取り入れた報告でさえ，本件特許出願の
１か月前である昭和６３年１０月に，本件発明の発明者であるマーガット
ロイド等によって行われたのが初めてであることからも裏付けられる。
イ被告の主張は，乙６発明に誤認があり，本件発明とこの誤認された乙６
発明とを対比することにより，本来，相違点とされるべき事項を一致点と
している。したがって，乙６発明と本件発明との相違点は，被告が主張す
る相違点１及び２のみではない。
(ア)被告は，乙６刊行物の「ａ＝ａ（ＩｎＰ）＝（Ｌａ＋Ｌａ）／
＝
１１２２
（Ｌ＋Ｌ）」との記載について，「Ｌはバリア層の厚さ，Ｌは量子１２１２
井戸層の厚さ」と説明するが，乙６刊行物には，バリア層や量子井戸層
との記載はない。したがって，このような説明を前提として，乙６刊行
物に「量子井戸層を圧縮歪，バリア層を引張歪として，歪超格子の全体
の格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくすること」が記載されていると
の主張や，これを前提とする本件発明と乙６発明との一致点の主張は，
いずれも理由がない。
そして，乙６刊行物には，ＩｎＧａＡｓ材料のＳＬＳの結晶性評価の
ための一般的手法であるＰＬ法（フォトルミネセンス法）による測定結
果としての波長が記載されているにすぎないから，本件発明における波
長「１．３∼１．５５μｍ用」と乙６刊行物に記載される「１．６５∼
２．１μｍ」の波長とは，意味が全く異なり，この測定結果をもって，
レーザ発振することが開示されたものではない。
また，乙６刊行物に記載された歪超格子は，機能，用途が検討された
ものではなく，単なる積層状態を示すものであって，どのような効果を
狙って，どのような用途の素子のどの部分に，どのような前提条件を整
えて，この積層状態を導入すればよいかについては，乙６刊行物には，
記載も示唆もない。
すなわち，乙６刊行物には，ＩｎＧａＡｓからなる光電子デバイス用
の歪超格子であって，各層の組成と厚さは，ＳＬＳ全体として考えたと
きのａの平衡値が基板の平衡値とバッファ層の平衡値と等しくなるよう
＝
に選んだときのａは，次のように歪エネルギーを最小化することにより
＝
計算することができることが記載されているだけである。
ａ＝ａ（ＩｎＰ）＝（Ｌａ＋Ｌａ）／（Ｌ＋Ｌ）
＝
１１２２１２
(イ)被告は，乙６刊行物には，歪量子井戸半導体レーザ素子が，実質的
に開示されていると主張する。
しかしながら，乙６刊行物には，単に，レーザや電界効果トランジス
タ，受光素子などに利用し得る旨が記載されているだけであり，乙６刊
行物に記載されたＩｎＧａＡｓ歪超格子は，レーザのみを意図したもの
ではなく，電界効果トランジスタ，受光素子等，半導体デバイス一般に
おける使用を意図したものである。このような広範な適用対象からレー
ザを選択し，しかも，乙６刊行物に記載された組成とは異なる材料に置
き換えることは可能なのか，可能とするためにはどのような条件が必要
なのか，どのような効果が期待できるのかは，全く不明である。
したがって，被告が主張するように，乙６刊行物が，歪量子井戸構造
の適用対象として，歪量子井戸レーザ素子を当然に予定しているなどと
安易にいうことができないことは，明らかである。
(ウ)以上のことから，本件発明と乙６発明とを正確に対比すると，本件
発明と乙６発明とは，基板をＩｎＰとする点で一致するだけで，下記の
事項すべてが相違点である。
「量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−Ⅴ族化合物半導体層
を有する量子井戸半導体レーザ素子において，量子井戸層はその格子定
ｘ１数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ∼３０ｎｍのＧａ
ＩｎＡｓＰ（０＜x1，y1＜１）であり，バリア層はその格子１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａＩｎＡｓＰ（０ｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
＜x2，y2＜１）であることを特徴とする１．３∼１．５５μｍ用量子井
戸半導体レーザ素子」
ウ乙６発明との相違点１について
(ア)被告は，ＩｎＧａＡｓとＧａＩｎＡｓＰとは，極めて親近性の高い
組成であるから，乙６発明の組成を変化させて，４元ＧａＩｎＡｓＰと
することは，当業者が容易に想到することであると主張する。
しかしながら，本件特許出願時においては，ＭＯＣＶＤ法が未成熟で
あったため，ＩｎＰ基板上にＧａＩｎＡｓＰ系の量子井戸を成長させる
ことは，無歪の量子井戸でさえ容易ではなく，自由に材料系を探求する
発想を持つことさえ困難であったのであるから，乙６刊行物において３
元系を採用していることは，むしろ当時の技術水準からすれば，限界で
あったといえる。そして，発明とは，技術的思想の創作であって，手段
の充実があって初めて，新たな発想が生まれる状況となるから，製造技
術の水準と技術思想としての発明の容易性とは，リンクしている。
したがって，被告の前記主張は，当時の技術常識を無視するものであ
る。
(イ)また，被告は，本件発明の組成及び発振波長は，組成・バンドギャ
ップ・波長の相関図において，乙６刊行物に記載された量子井戸層とバ
リア層の組成につき，簡単な投影操作を行うことによって得られるもの
であると主張するが，このような主張も，本件特許出願当時の技術常識
を無視するものである。
(ウ)さらに，被告は，本件当初明細書では，発明として，ＧａＩｎＡｓ
ＰとＩｎＧａＡｓを同列のものと把握しており，４元系の材料を用いる
ことをもって，進歩性を主張することはできないと主張する。
しかしながら，本件当初明細書では，量子井戸層及びバリア層につい
て，材料ごとに区別されない構成が特許請求の範囲第１項に記載され，
ＧａＩｎＡｓＰの４元系が同第２項に記載されており，ＧａＩｎＡｓＰ
の４元系が格別のものとして取り扱われているのであって，ＧａＩｎＡ
ｓＰとＩｎＧａＡｓを同列のものと把握しているものではない。
また，仮に，本件発明の発明者がＧａＩｎＡｓＰとＩｎＧａＡｓを同
列のものと把握していたとしても，本件特許出願当時，格子定数がＩｎ
Ｐよりも小さいＧａＩｎＡｓＰ層を用いたレーザを開示する文献は存在
しなかったのであって，両者を同列に把握すること自体が進歩的なので
ある。
エ乙６発明との相違点２について
被告は，当業者が，乙６発明におけるＩｎＧａＡｓに代えて，ＧａＩｎ
ＡｓＰを用いて，波長１．３∼１．５５μｍの発振を得ることに想到する
ことは，何の困難もないと主張する。
しかしながら，本件特許出願当時，ＭＯＣＶＤ法が未成熟であり，自由
に材料系を探求する発想を持つことさえ困難であったのであって，このよ
うな被告の主張は，当時の技術常識を無視するもので，理由がない。被告
が，容易想到であることの根拠とする証拠（乙４，１２）は，むしろ，当
時のＧａＩｎＡｓＰ系材料技術の未熟さや，ＩｎＧａＡｓ系の知見をＧａ
ＩｎＡｓＰ量子井戸レーザに組み合わせることの困難さを示している。
オ効果の予測可能性について
被告は，量子井戸層に圧縮歪を導入した半導体量子井戸レーザにおいて，
バリア層の格子定数を基板の格子定数より小さくすることの効果は，乙６
刊行物に記載されているから，乙６刊行物から当業者が当然に予測するこ
とができる効果の域を出ないと主張する。
しかしながら，前記のとおり，乙６刊行物には，ＧａＩｎＡｓＰという
組成についても，また，量子井戸層及びバリア層を備えたレーザ素子につ
いても，全く記載されておらず，歪量子井戸において，量子井戸層に歪を
もたせたときに生じ得る転位の発生という問題の解決策は，乙６刊行物に
は記載されていない。
また，前記のとおり，本件特許出願当時，ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰ系の
量子井戸の成長は，無歪の量子井戸でさえ容易ではなかったから，ＩｎＧ
ａＡｓの三元系しか開示されていない乙６刊行物をもって，ＧａＩｎＡｓ
Ｐの四元系の量子井戸層に歪をもたせたときに生じる転位の発生という課
題の解決策が示されているとの被告の主張は，技術的な経緯を無視するも
のである。
(2)乙８発明に基づく容易想到性について
ア乙８発明又は乙９発明を出発点として本件発明を考えると，乙８刊行物
及び乙９刊行物に記載されたレーザのバリア層に引張歪を入れた場合に，
レーザとしてどのようになるかは，乙６刊行物の開示にかかわらず，本件
特許出願時には，全く開示されておらず，レーザとして未知の構成である
圧縮歪を入れた量子井戸層と引張歪を入れたバリア層の組合せが，圧縮歪
量子井戸の効果を維持したまま転位だけを抑制するか否かは，本件特許出
願前には誰も報告していなかった。また，発振波長の変動や，量子効果の
変動が，レーザ特性に予想しない影響を与える懸念もあった。
本件発明の内容は，現に本件特許出願が公開されるまで開示されること
はなかったのであるから，乙８刊行物及び乙９刊行物のバリア層に引張歪
を入れる効果が容易に予想できたとする被告の主張は，後知恵にすぎず，
理由がない。
イバリア層の組成について
本件特許出願時においては，ＭＯＣＶＤ法が未成熟であったため，Ｉｎ
Ｐ／ＧａＩｎＡｓＰ系の量子井戸の成長は，無歪の量子井戸でさえ容易で
はなく，また，それゆえに，自由に材料系を探求する発想を持つことさえ
困難であったから，乙８発明に記載された多重量子井戸半導体レーザにお
いて，「量子井戸層をＧａＩｎＡｓＰとしたときに，バリア層をＧａＩｎ
ＡｓＰとすることは，当業者の通常の思考が自然に赴くところ」という被
告の主張は，本件特許出願時の技術常識を無視するものであって，理由が
ない。
ウバリア層の格子定数について
乙６刊行物は，ＩｎＧａＡｓ材料の歪超格子に関する論文であり，結晶
学的見地からＩｎＧａＡｓに交互の歪を入れて積層できた旨を報告するも
のであって，量子井戸層に圧縮歪を入れた場合に生じ得るミスマッチ転位
等の問題を解決する手段として，バリア層に反対方向の歪（引張歪）を入
れることは記載されていないから，乙６刊行物に記載された課題解決手段
を，乙８発明に適用したところで，本件発明が当業者に容易に想到できる
ものではない。
そして，前記のとおり，ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰ系の量子井戸の成長は
容易ではなかったことから，ＩｎＧａＡｓの三元系しか開示されていない
乙６刊行物をもって，ＧａＩｎＡｓＰの四元系の量子井戸層に歪をもたせ
るときに生じる転位の発生という課題を解決することが公知であったとい
うことはできない。
また，半導体レーザの活性層として用いる歪量子井戸において，バリア
層に量子井戸層と逆方向の歪（引張歪）を導入すれば，単に歪量子井戸層
内の歪が緩和され，転位の発生を防ぐことができるという効果が生じるの
みにはとどまらず，発振波長の変動や量子効果の変動等の影響も生じるた
め，全体として本件発明の目的が達成されるか否かは，現実に半導体レー
ザを作成してその評価を行うという試行錯誤を経なければ，明らかにする
ことはできなかった。
したがって，乙８発明におけるレーザとして未知の構成である圧縮歪を
入れた量子井戸層と引張歪を入れたバリア層の組合せが，圧縮歪量子井戸
の効果を維持したまま転位だけを抑制するということは，本件発明によっ
て初めて開示されたものであって，乙６発明を乙８発明に適用することが
当業者の自然な思考であるとの被告の主張は，当業者の試行錯誤による発
明の創作活動を無視するものであって，理由がない。
(3)乙９発明に基づく容易想到性について
前記のとおり，乙６刊行物には，量子井戸層に圧縮歪を入れた場合に生じ
得るミスマッチ転位等の問題を解決する手段として，バリア層に反対方向の
歪（引張歪）を入れることは記載されていないから，乙６発明を，乙９発明
に適用しても，当業者が本件発明を容易に想到することはできない。
また，量子井戸層に歪を導入することによって生じる問題については，乙
６刊行物を初めとして，いずれの刊行物にも記載されていなかったから，量
子井戸層に歪を導入することによって生じる問題を解決するという課題が示
されていない状態で，乙９発明に乙６発明を組み合わせることは，当業者と
いえども容易に想到することはできない。
５争点(2)−エ（特許法３６条違反）について
（被告の主張）
(1)特許請求の範囲の記載要件違反
ア本件発明を特徴付ける唯一のものは，「量子井戸層に臨界値以上の大き
な歪が生じ，それに伴う転位の発生によりレーザ特性が劣化するという問
題」の解決手段であるところ，本件明細書における歪に関連する記載とし
ては，「各量子井戸層の厚みには上限値があり，その値は歪の誘起する転
位の発生によって決まり，組成Ｔに対しては２０∼３０ｎｍである。」
（記載①），「活性層の平均格子定数は，量子井戸層とバリア層の厚みと
組成を調整することによって，ＩｎＰの格子定数に等しくすることができ
る。」（記載②），「活性層は，ｎが数百の量子井戸層およびバリア層数
まで，歪の誘起する転位を生じることなく成長させることが可能であ
る。」（記載③）との記載がある。
このうち，記載①は，本件当初明細書では，第１の実施例（バリア層の
格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくした構成）について記載されていた
ものであり，「量子井戸の数ｎは，小さい整数，例えばｎ＝３に定め
る。」こととされていた。
また，記載②及び③は，本件当初明細書の第２の実施例（活性層全体の
平均格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくした構成）について記載されて
いたものであり，とりわけ記載③の事項は，活性層の平均格子定数をＩｎ
Ｐの格子定数に等しくする場合の固有の効果として記載されていたもので
ある。
本件明細書が本件当初明細書の要旨を変更したものでないとすれば，唯
一の開示内容である実施例に関する記載③は，この記載において前提とさ
れていた「活性層の平均格子定数がＩｎＰの格子定数に等しい」という条
件を満たした発明の効果であって，記載②は，必要に応じて「することが
できる」という任意のものではなく，転位の発生が緩和された高性能レー
ザを波長帯１．３∼１．５５μｍにおいて得るための解決手段を構成する
必須の構成を記載したものと考えなければならない。
しかしながら，本件明細書は，「活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子
定数と等しくすること」を要件として記載していない。
また，活性層について，各層の膜厚を上限値内，層数を小さいｎにとど
める構成を内容とする発明は除外されたにもかかわらず，本件明細書の特
許請求の範囲は，そのことを反映しないまま，除外された構成まで含み得
る記載となっている。
したがって，本件明細書の特許請求の範囲の記載は，「活性層の平均格
子定数をＩｎＰの格子定数と等しくすること」の記載を欠いている点及び
除外された構成を含ませないための限定を欠いている点において，発明の
詳細な説明欄に記載された発明の必須の構成を特許請求の範囲に記載しな
ければならないことを規定した，平成２年法律第３０号による改正前の特
許法３６条４項２号（以下，同改正前の特許法３６条を「旧特許法３６
条」という。）に違反し，無効理由を有する。
イ原告は，前記記載②及び③は一例にすぎないと主張するが，本件明細書
には，格子定数関係式②を具体的に説明している箇所は，その記載しかな
いにもかかわらず，特許請求の範囲には，単にａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜Ｂ
ａ（Ｃ）として，発明の詳細な説明又は図面に支持されていない範囲を含Ｗ
む発明が記載されている。
(2)発明の詳細な説明の記載不備（実施可能要件違反）
ア活性層の平均格子定数がＩｎＰの格子定数に等しくない場合については，
量子井戸層及びバリア層の各膜厚，歪量並びに量子井戸層とバリア層の層
数の選択が，「歪による転位の発生が緩和」されるための重要な要件とな
るはずであり，その前提として，各層の歪量をどの程度にして，何層積み
上げると，転位が発生し始める臨界的な膜厚に達するのかという記載が不
可欠である。
しかしながら，本件明細書には，この点についての説明はなく，わずか
に，１．３μｍ用の量子井戸半導体レーザにおいて，量子井戸層の組成を
第２図に図示された組成Ｔとした場合には，膜厚の上限値が２０∼３０ｎ
ｍであるという例が示されているのみであり（層数ｎは不明であるが，例
としてｎ＝３が挙げられている。），１．５５μｍに関しては，実施例中
には１．５５μｍという文言すら出てこない。
イ本件明細書は，第２図に基づいて，本件発明に係る量子井戸層とバリア
層の組成範囲を説明していることから，これに基づき検討すると，①バリ
ア層の組成範囲は，格子定数がＩｎＰの格子定数より小さく，また，量子
井戸層のバンドギャップより大きくなければならないから，等格子定数線
Ｌ及び等バンドギャップ線Ｃの左上方の領域であり，②量子井戸層の組成
範囲は，格子定数がＩｎＰの格子定数より大きく，また，波長が１．３μ
ｍ∼１．５５μｍとされているから，波長に対応する等バンドギャップ線
上，又はこれより右下方でなければならないから，等格子定数線Ｌ及び等
バンドギャップ線Ｃの右下方の領域でなければならない。
しかしながら，歪による転位の発生を緩和するようなバリア層は，量子
井戸層（特に，歪量及び歪の影響をも考慮に入れたバンドギャップ）との
関係が重要なファクターとなるところ，本件明細書には波長１．３μｍ以
外の場合について，全く記載されていない。また，バリア層については，
特許請求の範囲から導き出される組成範囲のすべてにおいて，歪による転
位の発生を緩和するという作用効果が得られるはずはないことは，明らか
である。
それでは，バリア層の組成の許容範囲はどこまでかというと，波長１．
３μｍ，量子井戸層の組成をＴ，膜厚を２０∼３０ｎｍとした場合につい
てすら明確な指針を与えていないから，異なる波長，異なる膜厚，異なる
積層数の場合に，量子井戸層にどの程度の歪を与え，バリア層につきＩｎ
Ｐの格子定数よりどの程度小さい格子定数の組成とし，組成と層厚をどの
ように調整すれば，歪による転位を生じさせることなく活性層を成長させ
るのかについての教示は皆無である。ましてや，本件明細書に記載されて
いる「活性層は，ｎが数百の量子井戸層およびバリア層数まで，歪の誘起
する転位を生じることなく成長させることが可能である。」との効果に至
っては，いかにしてそれが達成可能なのか，見当もつかない。
さらに，出願後の補正により本件明細書に加えられた「歪による転位の
発生が緩和された」との記載自体，技術的に何を意味するのかが不明であ
る。
ウしたがって，本件明細書の発明の詳細な説明は，歪による転位の発生が
緩和され，歪の誘起する転位を生ずることなく，多層の量子井戸層及びバ
リア層を成長させることができる効果を有するとされている本件発明を，
当業者が容易に実施することができる程度に記載したものとはいえず，旧
特許法３６条３項に違反し，無効理由を有する。
（原告の主張）
(1)特許請求の範囲の記載要件違反について
ア被告は，本件明細書の特許請求の範囲の記載は，「活性層の平均格子定
数をＩｎＰの格子定数と等しくすること」の記載を欠くと主張する。
しかしながら，前記のように，本件明細書には，「活性層全体としての
平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくする」発明のみが目的，構
成，効果を開示した発明として記載されているわけではなく，被告が指摘
する記載②及び③は，あくまでも一例である。そして，特許請求の範囲が，
何を先行技術との峻別の根拠とするかの意思表示でもあることにかんがみ
れば，この意思表示を無視又は軽視して，単なる例示から必須の構成を深
読みすることは，著しく衡平を欠くといわざるを得ない。
イまた，被告は，除外された構成を含ませないための限定を欠いていると
主張する。
しかしながら，本件明細書の特許請求の範囲は，実施例以外でサポート
されており，ある実施例を削除したからといって，その実施例がもってい
た構成すべてを特許請求の範囲から除外しなければならない理由はない。
ウ被告は旧特許法３６条４項２号の規定を「発明の詳細な説明欄に記載さ
れた発明の必須の構成を特許請求の範囲に記載しなければならない」と説
明し，本件明細書がこれに違反すると主張する。
しかしながら，例えば，実施例等，発明の詳細な説明には，説明の都合
等で，必ずしも特許を受けようとはしない構成が必須となる場合があり，
被告の説明によれば，このような構成も特許請求の範囲に記載しなければ
ならないかのように理解されるが，この説明は，明らかに虚偽である。
そして，本件特許の出願人は，正に「特許を受けようとする発明の構成
に欠くことのできない事項のみ」を特許請求の範囲に記載したのであり，
旧特許法３６条４項２号の規定に違反したとする理由はない。
(2)発明の詳細な説明の記載不備（実施可能要件違反）について
前述したとおり，本件発明は，「量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格
ｘ１１−ｘ１ｙ１１−子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ∼３０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰ
（０＜x1，y1＜１）であり，・・・バリア層はその格子定数がＩｎＰの格ｙ１
子定数よりも小さい」という格子定数の大小関係を規定したものであり，本
件明細書に接した当業者は，本件発明を理解し，本件発明の格子定数関係式
②を実施することで，転位の問題が改善されることを理解している。このこ
とは，本件特許の審査経過及び後続出願において，本件公開公報を先行技術
文献として挙げた拒絶理由通知等とそれに応じた意見書等からも明らかであ
る。
したがって，本件明細書は，当業者に理解可能であり，十分に実施も可能
なものである。
６争点(3)（損害の有無及び額）について
（原告の主張）
(1)平成１３年２月から平成２０年１月までの７年間の本件対象各製品の販売
額は，９５９億円（年間約１３７億円）を下らない。
(2)被告による本件発明の実施に対して原告が受けるべき金銭の額は，少なく
とも，本件対象各製品の販売額の５％である４７億９５００万円を下らない
(特許法１０２条３項）。
(3)原告は，被告に対し，内金３億円及びこれに対する訴状送達の日の翌日で
ある平成２０年４月２日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅
延損害金の支払を求める。
（被告の主張）
否認又は争う。
第４争点に対する判断
事案の性質にかんがみ，争点(2)−ア（明細書の要旨変更の有無）及び争点(2)
−イ（要旨変更による出願日繰下げを前提とする新規性及び進歩性の欠如）から
判断する。
１争点(2)−ア（明細書の要旨変更の有無）について
(1)明細書の要旨変更について
ア旧特許法４０条は，「願書に添附した明細書又は図面について出願公告
をすべき旨の決定の謄本の送達前にした補正がこれらの要旨を変更するも
のと特許権の設定の登録があつた後に認められたときは，その特許出願は，
その補正について手続補正書を提出した時にしたものとみなす。」と規定
するところ，同条にいう「明細書又は図面」の「要旨」（以下，単に「明
細書の要旨」という。）とは，特許請求の範囲に記載された技術的事項を
いうものと解される。そして，発明とは，「自然法則を利用した技術的思
想の創作」であること（特許法２条１項参照）及び平成５年法律第２６号
による改正前の特許法４１条が「出願公告をすべき旨の決定の謄本の送達
前に，願書に最初に添附した明細書又は図面に記載した事項の範囲内にお
いて特許請求の範囲を増加し減少し又は変更する補正は，明細書の要旨を
変更しないものとみなす。」と定めていることに照らして，その技術的事
項の解釈に当たっては，明細書における発明の詳細な説明欄の記載や図面
を総合的に考慮すべきである。また，明細書の要旨が変更されているかど
うかを判断するに当たっては，特許請求の範囲の記載の文言上の形式的な
対比のみに限定されず，実質的に見て，補正後の特許請求の範囲に記載さ
れた技術的事項が，当初明細書に記載された技術的事項の範囲内といえる
か否かによって判断すべきものと解される。
イそして，本件当初明細書の請求項１において，格子定数関係式①（ａ
（Ｃ）＝ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ））に係る発明と，格子定数関係式②ＢＷ
（ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ））に係る発明が記載されていたこＢＷ
とは，弁論の全趣旨により，当事者間に争いがないものと認められる。
ウ被告は，明細書の要旨変更の理由として，多数の事項を主張するが，そ
の主張の骨子は，本件当初明細書に記載された発明のうち，格子定数関係
式②に係る発明は，「平均の格子定数がＩｎＰに格子整合する活性層を有
する」という前提条件の下で成立する発明として記載されていたところ，
第２回補正により，「平均の格子定数がＩｎＰに格子整合する活性層を有
する」という前提条件が外されたことは，明細書の要旨変更に該当すると
いうことにあると解される。
(2)本件当初明細書の要旨（本件当初明細書に記載された技術的事項）
前記のような被告の主張の骨子にかんがみ，本件当初明細書に記載された
格子定数関係式②に係る発明が，「平均の格子定数がＩｎＰに格子整合する
活性層を有する」ことを前提条件とするものかについて，検討する。
ア本件当初明細書の記載内容
本件当初明細書の記載内容は，別紙本件当初明細書記載のとおりである
が，格子定数関係式②に係る発明及び活性層の格子定数に関する記載は，
次のとおりである。
(ア)〔特許請求の範囲〕欄
「(1)ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−
Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，組成
Ｃの量子井戸層の格子定数ａ（Ｃ），ＩｎＰの格子定数ａ（ＩｎＰ）ＷＷ
および組成Ｃのバリア層の格子定数ａ（Ｃ）が，ａ（Ｃ）＝ａ（ＩｎＢＢＢ
Ｐ）＜ａ（Ｃ）またはａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）であることＷＢＷ
を特徴とする量子井戸半導体レーザ素子。
(2)量子井戸層は，ａ（ＧａＩｎＡｓＰ）＞ａ（ＩｎＰ）でｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
あるＧａＩｎＡｓＰ（０≦x1，y1≦１）であり，バリア層ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
はＧａＩｎＡｓＰ（０≦x2，y2≦１）であることを特徴とｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
する請求項１記載の量子井戸半導体レーザ素子。」
(イ)〔従来技術〕欄
「量子井戸半導体レーザ素子の特性は，量子井戸が歪のある構造であ
り，その格子定数をバリア層の格子定数より大きくすることにより向上
する。（略）なお，量子井戸層の歪の大きさと層の厚さは，歪により転
位が誘起されないように，ある臨界値以内になければならない。」
(ウ)〔発明が解決しようとする課題〕欄
「しかしながら，従来の歪層量子井戸半導体レーザ素子では，光ファ
イバ通信において重要な波長１．３μｍまたは１．５５μｍの発振を得
ることができない。１．３μｍまたはこれよりも長い波長の発振をＧａ
ＩｎＡｓの活性層より得るためには，エネルギーバンドギャップの１−ｘｘ
大きさから，Ｘ≧０．５のＩｎ組成でなければならない。しかしながら，
このような高いＸのＧａＩｎＡｓでは格子定数が大きくなり，第４１−ｘｘ
図（ａ）に示した従来の歪層量子井戸レーザの量子井戸層(4)に適用せん
とすると量子井戸層に臨界値以上の大きな歪が生じ，それに伴う転位の
発生によりレーザ特性が劣化するという問題がある。」
(エ)〔課題を解決するための手段〕欄
「本発明は以上のような点にかんがみななされた（注：「なされた」
の誤記）もので，その目的とするところは，１．３μｍ以上の長い波長
で発振する高性能な歪層量子井戸半導体レーザ素子を提供することにあ
り，その要旨は，ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性
層を含むⅢ―Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子に
おいて，組成Ｃの量子井戸層の格子定数ａ（Ｃ），ＩｎＰの格子定数ＷＷ
ａ（ＩｎＰ）および組成Ｃのバリア層の格子定数ａ（Ｃ）の間に，ａＢＢ
（Ｃ）＝ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）またはａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａＢＷＢ
（Ｃ）の関係があることを特徴とする量子井戸半導体レーザ素子であＷ
る。」
(オ)〔作用〕欄
「Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体のバンドギャップおよび格子定数はその組成
によって変化する。本発明では，バンドギャップがレーザ発振の条件を
満足することに加えて，格子定数を適切に選択して，量子井戸半導体レ
ーザ素子の性能を向上させようとする。上記格子定数の選択条件によれ
ば，まず，ａ（Ｃ）＜ａ（Ｃ）とすることにより，量子井戸層の価電ＢＷ
子帯の軽い正孔の膜面に垂直方向の有効質量を重い正孔の有効質量より
も重くする。これによって量子井戸層内の価電子帯では軽い正孔の量子
準位が最低となる。次に，ａ（Ｃ）＝ａ（ＩｎＰ）とすることにより，Ｂ
ＩｎＰ基板上のバリア層の歪を防ぐ。なお，ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜Ｂ
ａ（Ｃ）の場合には，量子井戸層とバリア層の厚さを調整して，活性層Ｗ
全体としての平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくする。この
ようにして，活性層内の歪を防ぎ，レーザ特性に悪影響を及ぼす転位の
発生を防ぐことができる。」
(カ)〔実施例〕欄
ａ第１の実施例
「光閉じ込め層(18)はＩｎＰと同じ格子定数を有し，その組成はｎ
型ＩｎＰバッファ層(12)から活性層(17)のバリア層(21)の組成に厚さ
方向に徐々に変わり，アンドープか，またはバッファ層(12)から活性
層(17)にかけて徐々に減少するようにｎ型にドープされる。光閉じ込
め層(18)の組成は，第２図のＩｎＧａＡｓＰのダイヤグラムにおいて，
５．８５Åの等格子定数線（実線）Ｌ上に常にあり，最終組成，すな
わち活性層(17)に接する部分の組成は，発振波長１．３μｍより大き
なエネルギーバンドギャップを有し，第２図上においては，１．３μ
ｍのバンドギャップに相当する等バンドギャップ線（点線）Ｃと実線
Ｌとの交点Ｐよりも左側のＬ線上の組成となっている。なお，ＬはＩ
ｎＰとＧａＩｎＡｓを結んでいる。（略）活性層(17)は各層０．５３０．４７
の厚さ２５Å∼３００Åである（ｎ−１）層のバリア層(21)で交互に
隔てられた各層の厚さ２５Å∼３００Åであるｎ層の量子井戸層(20)
から構成されている。この場合には，活性層(17)の両側面は量子井戸
層(20)になるが，（ｎ＋１）層のバリア層(21)を配して，活性層(17)
の両側面をバリア層(21)にしてもよい。バリア層(21)の組成は，光閉
じ込め層(18)，(19)のバリア層(21)に接する部分の組成に相当し，Ｇ
ａＩｎＡｓＰとする。量子井戸層(20)の組成は，第２図ｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
における発振波長１．３μｍに相当する等バンドギャップ線Ｃ上にあ
り，かつ，格子定数がバリア層(21)よりも大きいＰＴ間のＴに近い組
成，ＧａＩｎＡｓＰとする。量子井戸の数ｎは小さい整ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
数，例えばｎ＝３に定める。各量子井戸層(20)の厚みには上限値があ
り，その値は歪の誘起する転位の発生によって決まり，組成Ｔに対し
ては２００∼３００Åである。ｎ＝３に対応する発振波長は１．３μ
ｍから若干ずれた値になる。その原因は，歪によりバンドギャップが
狭くなることによる長波長化と，電子の量子閉込めによる短波長化の
影響を受けるからである。発振波長を厳密に１．３μｍに一致させる
には，上記の歪によるバンドギャップ縮小の効果と量子閉じ込め効果
によるバンドギャップ拡大の効果とを勘案して組成を第２図のＴ点か
ら多少ずらして調整することにする。なお，第１図（ｂ）は第１図
（ａ）の構造に対応するバンドギャップの伝導帯側を示し，第２図の
斜線部分は格子定数がａ（ＧａＩｎＡｓＰ）＞ａ（Ｉｎｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
Ｐ）を満たす領域である。本実施例では，活性層(17)の平均格子定数
はＩｎＰより大きく，ＩｎＰとは格子整合になっていない。したがっ
て，各量子層の厚さが上限値を越えず，小さいｎに対して歪の誘起す
る転位が生じないとしても，ｎが大きくなると転位が起り，活性層(1
7)全体にわたる歪が発生することに注意する必要がある。」
ｂ第２の実施例
「本発明の第２の実施例は，平均の格子定数がＩｎＰに格子整合す
る活性層(17)を有し，その他については前記実施例を示す第１図
（ａ）と同じものである。この場合の活性層(17)は，バリア層(21)が
歪のない，ＩｎＰより小さい格子定数をもつＧａＩｎＡｓＰ化合物で
あり，量子井戸層(20)は歪のない，ＩｎＰより大きい格子定数をもつ
ものである。活性層(17)の平均格子定数は，量子井戸層(20)とバリア
層(21)の厚みと組成を調整することによってＩｎＰの格子定数に等し
くすることができる。活性層は，ｎが数百の量子井戸層およびバリア
層数まで，歪の誘起する転位を生じることなく成長させることができ
る。」
(キ)〔発明の効果〕欄
「以上説明したように本発明によれば，量子井戸層の格子定数ａ（Ｃ
），ＩｎＰの格子定数ａ（ＩｎＰ）およびバリア層の格子定数ａ（ＣＷ
）の間に，ａ（Ｃ）＝ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）またはａ（Ｃ）＜ａＢＢＷＢ
（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）の関係があるため，１．３μｍまたはそれ以上のＷ
長い発振波長を有し，高性能である量子井戸半導体レーザ素子が得られ
るという優れた効果がある。」
イ本件当初明細書に記載された技術的事項の範囲
(ア)以上のとおり，本件当初明細書の特許請求の範囲の(1)や，〔課題を
解決するための手段〕欄には，格子定数関係式②が記載され，これらに
は，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくするとの限定は
ない。
(イ)しかしながら，格子定数関係式②に係る発明につき，本件当初明細
書の〔作用〕欄には，「なお，ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＰ）＜ａ（Ｃ）のＢＷ
場合には，量子井戸層とバリア層の厚さを調整して，活性層全体として
の平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数に等しくする。」と記載されて
いる。また，格子定数関係式②に係る発明の実施例は，第２の実施例の
みであると認められるところ，これには，「平均の格子定数がＩｎＰに
格子整合する活性層(17)を有」すること，「活性層(17)の平均格子定数
は，量子井戸層(20)とバリア層(21)の厚みと組成を調整することによっ
てＩｎＰの格子定数と等しくすることができる」ことが記載されている。
他方で，格子定数関係式②に係る発明について，活性層の平均格子定
数をＩｎＰの格子定数と等しくすることを前提としない場合の構成及び
作用に関する記載はなく，実施例の記載もない。また，活性層の平均格
子定数をＩｎＰの格子定数と等しくすることを前提としない格子定数関
係式②に係る発明を採用した場合に，歪を緩和するという作用効果が生
ずることをうかがわせる記載はないのみならず，そもそも，転位の発生
の防止という本件発明の課題との関係において，具体的にどのような効
果が生ずるかについての記載もない。
(ウ)また，証拠（乙６）によれば，本件特許出願前である１９８６年
（昭和６１年）に公刊されたと認められる乙６刊行物には，ミスマッチ
転位の発生を防ぐ方法として，「ａ＝ａ（注：歪超格子層（ＳＬＳ）ｅ
ｓ
＝
の平衡的な格子定数＝基板の格子定数）となるようにＩｎＰ上に成長し
たＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＳＬＳを提案する」こと，ｘ１１−ｘ１ｘ２１−ｘ２
「IｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓひずみ超格子は，適切な組成と厚ｘ１−ｘｙ１−ｙ
さが選択されれば，ＩｎＰ基板に格子整合して結晶成長できる」こと，
ＩｎＰの基板上にＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＳＬＳｘ１１−ｘ１ｘ２１−ｘ２
（各層の厚さＬとＬ）を成長させる際に，「各層の組成と厚さは，Ｓ１２
ＬＳ全体として考えた時のａの平衡値が基板の平衡値とバッファ層の平
＝
衡値と等しくなるように選んだ。ａは，次のようにＳＬＳのひずみエネ
＝
１ルギーを最小化することにより計算できる。ａ＝ａ（ＩｎＰ）＝（Ｌ
＝
ａ＋Ｌａ）／（Ｌ＋Ｌ）」ことが記載されている。１２２１２
他方で，本件各証拠に照らしても，本件特許出願当時，歪超格子にお
いて，ＩｎＰ基板に格子整合させずに，単に格子定数関係式②に係る発
明を採用することにより，歪を緩和して，転位の発生を防止することを
記載した刊行物が存在したとは認められない。
(エ)このような本件特許出願当時の技術水準に照らして，本件当初明細
書の〔作用〕欄の記載及び第２の実施例の記載（特に，「平均の格子定
数がＩｎＰに格子整合する活性層(17)を有」すること，「活性層(17)の
平均格子定数は，量子井戸層(20)とバリア層(21)の厚みと組成を調整す
ることによってＩｎＰの格子定数に等しくすることができる」との記
載）に接した当業者は，これらの記載につき，乙６刊行物に記載された
知見（歪超格子の平均的な格子定数，すなわち，全体的な平衡値を，適
切な組成と厚さを選択することにより，ＩｎＰ基板に格子整合させ，歪
エネルギーを最小化すること）を，量子井戸半導体レーザ素子に適用し
たものと理解するものと認められる。
(オ)以上のことからすれば，本件当初明細書の記載に接した当業者は，
格子定数関係式②に係る発明が，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子
定数と等しくすることを前提とした発明であると理解するものと認めら
れる。
したがって，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくする
ことを前提としない，格子定数関係式②に係る発明は，本件当初明細書
には記載されていなかったものと認められる。
(3)第２回補正後の明細書の要旨（第２回補正後の明細書に記載された技術的
事項）
ア第２回補正後の明細書の記載
第２回補正の内容は，別紙第２回補正明細書記載のとおりであるが，格
子定数関係式②に係る発明及び活性層の格子定数に関する記載であって，
本件当初明細書から変更された主な部分は，次のとおりである。
(ア)特許請求の範囲
「(1)ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−
Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，量子
井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ
∼３０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰ（０≦x1，y1≦１）であり，ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
ｘ２１−バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａＩｎ
ＡｓＰ（０≦x2，y2≦１）であることを特徴とする量子井戸半ｘ２ｙ２１−ｙ２
導体レーザ素子。」
(イ)〔課題を解決するための手段〕欄
「本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので，その目的とする
ところは，光通信において重要な波長帯である１．３μｍ∼１．５５μ
ｍの長波長帯で発信する高性能な歪量子井戸半導体レーザ素子を提供す
ることにあり，その要旨は，ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層か
らなる活性層を含むⅢ−Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レ
ーザ素子において，量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数より
も大きい膜厚２．５ｎｍ∼３０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰ（０ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
≦x1，y1≦１）であり，バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よ
りも小さいＧａＩｎＡｓＰ（０≦x2，y2≦１）であることｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
を特徴とする量子井戸半導体レーザ素子である。
即ち，量子井戸層として，格子定数がＩｎＰ基板の格子定数よりも大
きいＧａＩｎＡｓＰ（０≦x1，y1≦１）を選択するとともｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
にその膜圧を２．５ｎｍ∼３０ｎｍに設定し，バリア層として，格子定
数がＩｎＰ基板の格子定数よりも大きく，そのバンドギャップが量子井
ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１ｘ２１−戸層を構成するＧａＩｎＡｓＰよりも大きいＧａＩｎ
ＡｓＰ（０≦x2，y2≦１）を選択することにより，光通信におｘ２ｙ２１−ｙ２
いて重要な波長帯である１．３∼１．５５μｍにおいて，量子井戸層の
膜厚を低閾値電流，低チャーピングなどの効果が得られ，かつ，実用上
使用可能な程度の低注入電流にて反転分布が生じるように量子井戸層中
に圧縮歪が印加されており，更に，歪による転位の発生が緩和された高
性能レーザを，実現することが可能となるのである。」
(ウ)〔実施例〕欄
「光閉じ込め層１８はＩｎＰと同じ格子定数を有し，その組成はｎ型
ＩｎＰバッファ層１２から活性層１７のバリア層２１の組成に厚さ方向
に徐々に変わり，アンドープか，またはバッファ層１２から活性層１７
にかけて徐々に減少するようにｎ型にドープされる。光閉じ込め層１８
の組成は第２図のＩｎＧａＡｓＰのダイヤグラムにおいて，０．５８５
ｎｍの等格子定数線（実線）Ｌ上に常にあり，最終組成，即ち活性層１
７に接する部分の組成は，発振波長１．３μｍより大きなエネルギーバ
ンドギャップを有し，第２図上においては１．３μｍのバンドギャップ
に相当する等バンドギャップ線（点線）Ｃ線と実線Ｌとの交点Ｐよりも
０．５３０．左側のＬ線上の組成となっている。なお，ＬはＩｎＰとＧａＩｎ
Ａｓを結んでいる。４７
（略）
活性層１７は各層の厚さ２．５∼３０ｎｍである（ｎ−１）層のバリ
ア層２１で交互に隔てられた各層の厚さ２．５∼３０ｎｍのｎ層の量子
井戸層２０から構成されている。この場合には活性層１７の両側面は量
子井戸層２０になるが，（ｎ＋１）層のバリア層２１を配して，活性層
１７の両側面をバリア層２１にしてもよい。
量子井戸層２０の組成は，第２図における発振波長１．３μｍに相当
する等バンドギャップ線Ｃ線上にあり，かつ，格子定数がバリア層２１
よりも大きいＰＴ間のＴに近い組成，ＧａＩｎＡｓＰとすＸ１１−Ｘ１Ｙ１１−Ｙ１
る。
各量子井戸層２０の厚みには上限値があり，その値は歪の誘起する転
位の発生によって決まり，組成Ｔに対しては２０∼３０ｎｍである。
例えば量子井戸層の層数ｎを３とした場合，本実施例のレーザの発振
波長は１．３μｍから若干ずれた値になる。その原因は歪によりバンド
ギャップが狭くなることによる長波長化と，電子の量子閉じ込めによる
短波長化の影響を受けるからである。
（略）
バリア層２１の組成は，バンドギャップが量子井戸層のバンドギャッ
プよりも大きく，かつ，格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きくなる
組成を選択する。即ち，図２において斜線が入っていない領域で，等バ
ンドギャップ線Ｃよりも右側の組成から選択する。
活性層１７の平均格子定数は，量子井戸層２０とバリア層２１の厚み
と組成を調整することによってＩｎＰの格子定数に等しくすることがで
きる。
活性層は，ｎが数百の量子井戸層およびバリア層数まで，歪の誘起す
る転位を生じることなく成長させることが可能である。」
イ第２回補正後の明細書に記載された技術的事項
(ア)格子定数関係式①に係る発明は，第１回補正により特許請求の範囲
から削除されており（前記第２，１(3)ウ参照），第２回補正は，それを
前提に行われたものである。
そして，格子定数関係式②に関する発明について，本件当初明細書の
記載と第２回補正後の明細書の記載を対比すれば，第２回補正後の明細
書においては，本件当初明細書の〔作用〕欄の全文が削除され，格子定
数関係式②を採用する場合には，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子
定数と等しくする旨の本件当初明細書の記載は，削除されている。他方
で，第２回補正後の明細書においては，〔課題を解決するための手段〕
欄に「歪による転位の発生が緩和された高性能レーザを，実現すること
が可能」である旨の記載が追加されているが，「歪による転位の発生が
緩和」される旨の記載は，本件当初当初明細書にはなかったものである。
また，実施例についても，本件当初明細書には三つの実施例が記載さ
れ，格子定数関係式②に係る発明の実施例は，第２の実施例のみであっ
って，そこでは，活性層の平均の格子定数がＩｎＰに格子整合するもの
を記載していたのに対し，第２回補正後の明細書においては，実施例は
一つだけ記載されており，格子定数に関しては，「量子井戸層２０の組
成は，第２図における発振波長１．３μｍに相当する等バンドギャップ
線Ｃ線上にあり，かつ，格子定数がバリア層２１よりも大きいＰＴ間の
Ｔに近い組成，ＧａＩｎＡｓＰとする。」及び「バリア層Ｘ１１−Ｘ１Ｙ１１−Ｙ１
２１の組成は，バンドギャップが量子井戸層のバンドギャップよりも大
きく，かつ，格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きくなる（注：「小
さくなる」の誤記）組成を選択する。」との記載はあるものの，活性層
の平均格子定数をＩｎＰに格子整合させる旨の記載はなく，単に「活性
層１７の平均格子定数は，量子井戸層２０とバリア層２１の厚みと組成
を調整することによってＩｎＰの格子定数に等しくすることができ
る。」との記載があるのみである。
(イ)以上のような第２回補正後の明細書の記載内容からすれば，第２回
補正後の明細書に記載された格子定数関係式②に係る発明は，活性層の
平均格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくすることを前提としておらず，
単に，量子井戸層の格子定数をＩｎＰの格子定数より大きくし，バリア
層の格子定数をＩｎＰの格子定数よりも小さいものとする（格子定数関
係式②のみを充たせば足りる。）というものであるものと認められる
（なお，このこと自体には，当事者間に争いがないものと認められ
る。）。
(4)検討
ア以上のことからすれば，第２回補正は，本件当初明細書には記載されて
いなかった，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくせずに，
量子井戸層の格子定数をＩｎＰの格子定数より大きくし，バリア層の格子
定数をＩｎＰの格子定数よりも小さいものとすることにより，歪による転
位の発生を緩和するという技術的事項を新たに追加するものであるから，
本件当初明細書の要旨を変更するものと認められる。
イ原告の主張について
(ア)原告は，本件発明と本件当初明細書の請求項１とを対比すると，特
許請求の範囲は，純粋に減縮されており，拡張されてはいないと主張す
る。
しかしながら，明細書の要旨が変更されているかどうかを判断するに
当たっては，特許請求の範囲の記載の文言上の形式的な対比のみに限定
されず，実質的に見て，補正後の特許請求の範囲に記載された技術的事
項が，当初明細書に記載された技術的事項の範囲内といえるか否かによ
って判断すべきものと解されることは，(1)ア記載のとおりであるから，
原告の前記主張は，理由がない。
(イ)また，原告は，本件当初明細書の〔作用〕欄や〔実施例〕欄におけ
る活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくする旨の記載は，
単なる例示にすぎず，本件当初明細書全体を貫いて，活性層の平均格子
定数をＩｎＰの格子定数と等しくせずに，量子井戸層の格子定数をＩｎ
Ｐの格子定数より大きくし，バリア層の格子定数をＩｎＰの格子定数よ
りも小さいものとすることで，歪を緩和するとの技術思想が記載されて
いるから，第２回補正は，本件当初明細書の要旨を変更するものではな
いと主張する。
しかしながら，前記(2)イのとおり，本件当初明細書には，格子定数関
係式②に係る発明につき，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数と
等しくする場合の記載があるのみであって，活性層の平均格子定数をＩ
ｎＰの格子定数と等しくせずに，格子定数関係式②を採用した場合に，
転位の発生の防止という本件発明の課題に関して，どのような効果が生
じるかは，歪の緩和ということを含めて，何ら記載はないことや，本件
特許出願当時の技術水準に照らして，本件当初明細書の記載に接した当
業者は，格子定数関係式②に係る発明が，活性層の平均格子定数をＩｎ
Ｐの格子定数と等しくすることを前提とした発明であると理解するもの
と認められる。
したがって，本件当初明細書の〔作用〕欄及び〔実施例〕欄の記載が，
単なる例示にすぎないということはできないとともに，本件当初明細書
には，活性層の平均格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくすることを前
提とせずに，量子井戸層の格子定数をＩｎＰの格子定数より大きくし，
バリア層の格子定数をＩｎＰの格子定数よりも小さいものとすることで，
歪を緩和するとの技術思想が記載されていたということもできないから，
原告の前記主張は，理由がない。
(ウ)さらに，原告は，本件当初明細書に，活性層の平均格子定数をＩｎ
Ｐの格子定数と等しくすることを前提とせずに，量子井戸層の格子定数
をＩｎＰの格子定数より大きくし，バリア層の格子定数をＩｎＰの格子
定数よりも小さいものとする発明が記載されていたことの根拠として，
他の特許出願人や特許庁の審査官等が，本件当初明細書と同一内容の本
件公開公報には，「バリア層に引張歪を加え，歪を補償する」ことが記
載されていると理解していると主張する。
確かに，証拠（甲２０ないし２４（枝番号を含む。））及び弁論の全
趣旨によれば，本件公開公報より後に出願された特許出願（特願平５−
１３６３５９（平成５年６月８日出願））並びに同様の特許出願に対す
る特許庁審査官の拒絶理由通知等（特願平３−２２０６１３（平成３年
８月３０日出願）に対する拒絶理由通知及び出願人の意見書，特願平３
−１９６３３９（平成３年８月６日出願）に対する拒絶理由通知及び出
願人の意見書）及び特許異議の申立手続（特許第３２０４９６９号（平
成２年１０月１７日出願）に対する異議申立手続，特公平７−１１８５
７１（平成５年２月１２日出願）に対する異議申立手続）においては，
本件公開公報には，活性層の平均格子定数を問題とすることなく，量子
井戸層とは逆の引張歪をバリア層に加えることで，歪を補償することが
記載されていると理解されているものと認められる。
しかしながら，当初明細書に記載された技術的事項がいかなるもので
あるかは，当該特許が出願された当時の当業者の認識を前提に解釈すべ
きであるところ，前記の特許出願等に記載された当業者の認識は，いず
れもこれらの各特許出願時（最も早いものでも平成３年の出願（特許異
議の対象となった特許（甲２２の１）については，平成２年の出願）で
あって，本件特許出願時から約３年が経過している。）における当業者
の認識を示すものであって，本件特許出願時における当業者の認識を示
すものではない。
したがって，原告の前記主張は，理由がない。
(5)結論
以上のとおり，第２回補正は，本件当初明細書の要旨を変更するものと認
められ，また，証拠（乙２の９）によれば，第２回補正の手続補正書は，平
成９年８月１１日に提出されたと認められることから，本件特許出願は，旧
特許法４０条により，平成９年８月１１日にされたものとみなされる。
２争点(2)−イ（要旨変更による出願日繰下げを前提とする新規性及び進歩性の
欠如）について
(1)本件発明の要旨
発明の要旨の認定は，特許請求の範囲の記載の技術的意義が一義的に明確
に理解することかできないとか，あるいは，一見してその記載が誤記である
ことが明細書の発明の詳細な説明の記載に照らして明らかである等の特段の
事情がない限り，特許請求の範囲の記載に基づいてされるべきである（最高
裁昭和６２年(行ツ)第３号平成３年３月８日第二小法廷判決・民集４５巻３
号１２３頁参照）。
そして，特許請求の範囲の記載及び本件明細書の記載に照らして，本件発
明につき，このような特段の事情があるとは認められないから，本件発明の
要旨は，前記第２，１(2)アの特許請求の範囲（下記に再掲する。）に記載さ
れたとおりであると認められる。
記
「ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−Ｖ族化
合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，量子井戸層はそ
の格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ∼３０ｎｍのＧ
ａＩｎＡｓＰ(０＜x1，y1＜１）であり，バリア層はその格子定ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａＩｎＡｓＰ(０＜x2，ｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
y2＜１)であることを特徴とする１．３∼１．５５μｍ用量子井戸半導体レー
ザ素子。」
(2)本件公開公報に基づく本件発明の新規性又は進歩性の欠如について
ア１で認定したとおり，本件特許出願は，第２回補正の手続補正書が提出
された平成９年８月１１日にしたものとみなされることから，平成２年５
月１８日に特許出願公開がされた本件公開公報（乙２の２）は，平成１１
年法律第４１号附則第２条１２項により本件発明に適用される同法による
改正前の特許法２９条１項３号（以下「旧特許法２９条１項３号」とい
う。）の「刊行物」に該当することとなる。
そして，本件公開公報の記載内容は，本件当初明細書と同一である（乙
２の１及び２）ところ，前記１(2)の本件当初明細書の記載及びその要旨に
照らして，本件公開公報には，「ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層
からなる活性層を含むⅢ−Ｖ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レ
ーザ素子において，量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも
ｘ１１−ｘ１大きい膜厚２５Å∼３００Å（２．５ｎｍ∼３０ｎｍ）のＧａＩｎ
ＡｓＰ（０≦x1，y1≦１）であり，バリア層はその格子定数がＩｎｙ１１−ｙ１
Ｐの格子定数よりも小さいＧａＩｎＡｓＰ（０≦x2，y2≦ｘ２１−ｘ２ｙ２１−ｙ２
１）であって，活性層全体の平均格子定数がＩｎＰの格子定数と等しいこ
とを特徴とする１．３μｍ以上の波長用の量子井戸半導体レーザ素子。」
との発明が記載されていると認められる。
イそして，本件発明と本件公開公報に記載された発明とを対比すれば，本
件発明は，まず，格子定数につき，本件公開公報に記載された発明の「活
性層全体の平均格子定数がＩｎＰの格子定数と等しい」という構成が削除
されている点が異なるが，これは，当該構成を削除することによって，単
に，量子井戸層の格子定数がＩｎＰより大きく，バリア層の格子定数がＩ
ｎＰの格子定数より小さければ足りるとしたものであって，本件公開公報
に記載された発明を上位概念化するものである。また，量子井戸層の組成
につきx1＝０，y1＝１，バリア層の組成につきx2＝０，y2＝１をそれぞれ
除外した点及び波長の上限を１．５５μｍとした点においても異なるが，
これらの点については，単に本件公開公報に記載された発明を減縮するも
のであって，これらにより新たな技術的意義が付加されるものとは認めら
れないから，本件公開公報に記載された発明の構成に包含されるものであ
ると認められる。
したがって，本件発明と本件公開公報に記載された発明とは，「ＩｎＰ
基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ−Ｖ族化合物半
導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，量子井戸層はその格
子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２５Å∼３００Å（２．５ｎ
ｍ∼３０ｎｍ）のＧａＩｎＡｓＰ（０＜x1，y1＜１）であり，ｘ１１−ｘ１ｙ１１−ｙ１
ｘ２１−ｘ２バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａＩｎ
ＡｓＰ（０＜x2，y2＜１）であって，活性層全体の平均格子定数がｙ２１−ｙ２
ＩｎＰの格子定数と等しいことを特徴とする１．３∼１．５５μｍ用量子
井戸半導体レーザ素子。」の範囲で共通する（この範囲については，本件
発明が本件当初明細書に記載された発明に含まれる。）と認められる。
そうすると，本件発明は，旧特許法２９条１項３号に該当するものとし
て，特許無効審判により無効にされるべきものと認められる。
(3)結論
よって，特許法１０４条の３第１項の規定により，原告は，被告に対し，
本件特許権につき権利を行使することはできない。
３以上のことから，原告の請求は，その余の点を判断するまでもなく理由がな
いから，これを棄却することとして，主文のとおり，判決する。
東京地方裁判所民事第２９部
裁判長裁判官清水節
裁判官坂本三郎
裁判官岩崎慎
（別紙）
物件目録１
下記の構成を有する量子井戸半導体レーザ素子
記
ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含む１．５５μｍ用量
子井戸半導体レーザ素子であって，量子井戸層の組成は，ＧａＩｎＡｓＰｘ１１−ｘ１ｙ１
(０＜x1，y1＜１）であり，その膜厚は約８ｎｍである。量子井戸層の格子定数１−ｙ１
は，ＩｎＰの格子定数よりも大きい。バリア層の組成は，ＧａＩｎＡｓＰｘ２１−ｘ２ｙ２
(０＜x2，y2＜１)であり，その格子定数は，ＩｎＰの格子定数よりも小さい。１−ｙ２
（別紙）
物件目録２
下記の構成を有する量子井戸半導体レーザ素子を主要な構成部材とする発光レー
ザモジュール（ただし，ＮＴＴエレクトロニクス株式会社製サブモジュール（１０
ＧｂｐｓＥＭＬ−ＴＯＳＡ）であって，次の①ないし④に示す型式番号（ただし，
末尾にＲが付加されたものを含む。）で特定されるサブモジュールを搭載する発光
レーザモジュールを除く。）。
①４０ｋｍＴＤＭ品について：ＮＬＫ３Ｃ８ＥＢＵＢ，ＮＬＫ３Ｃ８ＥＡＵＢ
②４０ｋｍＥＳ品について：ＫＥＬＤ３Ｃ８ＥＢＵＥ
③８０ｋｍＴＤＭ品について：ＮＬＫ３Ｃ８ＦＢＵＢ，ＮＬＫ３Ｃ８ＦＢＵＣ，Ｎ
ＬＫ３Ｃ８ＦＢＵＡＮＬＫ３Ｃ８ＦＡＵＢ
④８０ｋｍＷＤＭ品について：ＮＬＫ３Ｃ８ＦＢＵＢ−Ｏｘｘ，ＮＬＫ３Ｃ８ＦＢ
ＵＣ−Ｏｘｘ，ＮＬＫ３Ｃ８ＦＢＵＡ−Ｏｘｘ
記
ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含む１．５５μｍ用
量子井戸半導体レーザ素子であって，量子井戸層の組成は，ＧａＩｎＡｓｘ１１−ｘ１
Ｐ（０＜x1，y1＜１）であり，その膜厚は約８ｎｍである。量子井戸層のｙ１１−ｙ１
ｘ２１−格子定数は，ＩｎＰの格子定数よりも大きい。バリア層の組成は，ＧａＩｎ
ＡｓＰ（０＜x2，y2＜１）であり，その格子定数は，ＩｎＰの格子定数ｘ２ｙ２１−ｙ２
よりも小さい。

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