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平成１３年(行ケ)第１３６号　特許取消決定取消請求事件
平成１５年９月２５日口頭弁論終結
判　　決
原　　　告　　　　　　　古河電気工業株式会社
訴訟代理人弁護士　　　　及　川　昭　二
訴訟代理人弁理士　　　　飯　田　敏　三
同　　　　　　　　　　　柏　木　悠　三
被　　　告　　　　　　　特許庁長官　今井康夫
指定代理人　　　　　　　矢　澤　清　純
同　　　　　　　　　　　森　　　正　幸
同　　　　　　　　　　　高　木　　　進
同　　　　　　　　　　　涌　井　幸　一
主　　文
　原告の請求を棄却する。
　訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
１　原告
(1)特許庁が，平成１３年２月５日，異議２０００－７１１３９号審判事件に
ついてした決定を取り消す。
(2)訴訟費用は被告の負担とする。
２　被告
　主文と同旨
第２　当事者間に争いのない事実
１　特許庁における手続の経緯
(1)原告は，発明の名称を「ペリクル」とする特許（平成元年４月１７日に出
願した特願平１－９５１８６号を先の出願（以下「本件先の出願」という。上記日
を「本件優先日」という。）として，平成６年法律第１１６号による改正前の特許
法（以下単に「旧特許法」という。）４２条の２に基づく優先権を主張して，平成
元年９月５日（以下「本件出願日」という。）に特許出願（特願平１－２２８２２
９号，以下「本件出願」という。）をし，平成１１年７月９日設定登録（特許第２
９５１３３７号）がなされた。以下「本件特許」という。請求項の数は１であ
る。）の特許権者である。
　　本件出願に係る願書に添付された明細書（以下「本件明細書」という。）
の記載内容は，甲第２号証の特許公報のとおりである。なお，平成１４年３月１８
日，明りょうでない記載の釈明を目的として，本件特許の明細書及び図面が訂正さ
れた（訂正２００２－３９０１１号審決・乙第７号証）。ただし，請求項の訂正は
なされていない。
(2)平成１２年３月２１日，本件特許に対し，旭硝子株式会社及び武井英夫か
ら特許異議の申立てがなされた。特許庁は，これを，異議２０００－７１１３９号
事件として審理し，その結果，平成１３年２月５日付けで，「特許第２９５１３３
７号の請求項１に係る特許を取り消す。」との決定（以下「本件決定」という。）
をし，平成１３年３月５日，その謄本を原告に送達した。
２　本件発明の特許請求の範囲
　　「非結晶質性であって，厚さ１００μｍの膜におけるＵＶ光の透過率が，波
長２００ｎｍから３００ｎｍの全範囲において５０％以上の透過率である，主鎖に
環構造を有するフッ素樹脂の膜から作成された，波長３００ｎｍ以下のエキシマレ
ーザー露光処理用ペリクル」（以下「本件発明」という。）
３　決定の理由の骨子
(1)本件決定は，
ア　本件発明は，米国特許第４６５７８０５号明細書（審判甲第１号証・
本訴甲第３号証，以下「甲３公報」といい，これに記載された発明を「引用発明
１」という。国際公開日は，１９８８年６月２日である。），「プラスチックスエ
ージ　Vol.３４（１９８８），No.１１」（審判甲第２号証・本訴甲第４号証，以下
「甲４文献」という。），「電学誌　１０８巻１１号（１９８８）」（審判甲第３
号証・本訴甲第５号証，以下「甲５文献」という。）に記載された発明に基づき，
当業者が容易に発明することができたものである。
イ　本件発明は，本件先の出願に添付された明細書（以下「本件先の出願
の明細書」という。甲第２３号証は，この明細書を含む，本件先の出願の特許願で
ある。）に記載されていないから，特許法２９条の２に関し，その特許性の判断基
準日は本件出願日（平成元年９月５日）となる。
　　本件発明は，本件出願日前に出願された発明（特願平１－１３６１７
８号の願書に最初に添付された明細書（甲第２２号証），以下，これを「先の引例
明細書」といい，これに記載された発明を「先の引例発明」という。）に基づく優
先権を主張して，本件出願日後に出願され（特願平２－１３３９９０号），公開さ
れた（特開平３－６７２６２号公報）特許に係る出願明細書（以下「後の引例明細
書」という。甲第６号証は，その内容を示す特許公報である。以下「甲６公報」と
いう。）に記載された発明（以下「後の引例発明」という。）と，先の引例発明と
に共通する発明（以下「先願発明」という。）と，同一である。
　と判断した上で，本件発明は，特許法２９条２項にも２９条の２にも該当
し，特許を受けることができない，とした。
(2)本件決定が上記結論(1)アを導くに当たり認定した本件発明と引用発明１と
の一致点・相違点は，次のとおりである（決定書５頁～６頁）。
（一致点）
　　「非結晶質性であって，紫外線を透過するフッ素樹脂の膜から作成され
た，露光処理用ペリクル」である点
（相違点）
Ａ　フッ素樹脂の膜について
　　本件発明では，「厚さ１００μｍの膜におけるＵＶ光の透過率が，波長
２００ｎｍから３００ｎｍの全範囲において５０％以上の透過率である，主鎖に環
構造を有する」フッ素樹脂の膜から作成されたものであるのに対し，
　　引用発明１では，「主鎖に環構造を有する」フッ素樹脂は開示されてお
らず，透過率については，「１０μｍの膜厚みにおいて，２４０～２９０ｎｍの波
長の光に対する９０％以上の平均光線透過率と，２９０～５００ｎｍの波長の光に
対する９３．５％以上の平均光線透過率と，１．４２以下の屈折率とを有する」
　という点
Ｂ　用途について
　　本件発明が，「波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光処理用」で
あるのに対し，引用発明１では，２４０ｎｍの光に対する透過率は記載されてはい
るものの，波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光に用いることは直接開示さ
れていない点
(3)本件決定が，上記結論(1)イを導くに当たり認定した本件発明と先願発明と
の一致点・一応の相違点は，次のとおりである。
（一致点）
　　「非結晶質性であって，紫外線を透過する，主鎖に環構造を有するフッ素
樹脂の膜から作成された，露光処理用ペリクル」である点
（一応の相違点）
Ａ　フッ素樹脂の膜の透過率について，本件発明では，「厚さ１００μｍの
膜におけるＵＶ光の透過率が，波長２００ｎｍから３００ｎｍの全範囲において５
０％以上の透過率である」のに対し，先願発明では，「膜厚２μｍの薄膜の光線透
過率が２５０～７００ｎｍの全波長域において９２％以上」である，とされている
点
Ｂ　本件発明が，「波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光処理用」で
あるのに対し，先願発明では，「近年半導体の集積度を向上させる目的から，リソ
グラフィ工程に於いてより波長の短い紫外線領域の光が用いられる傾向がある」と
記載され，２５０ｎｍの光に対する透過率は記載されてはいるものの，波長３００
ｎｍ以下のエキシマレーザー露光に用いることは開示されていない点
第３　原告の主張の要点
　　本件決定は，本件発明が甲３公報，甲４文献及び甲５文献に基いて当業者が
容易に発明をすることができるものであると誤って判断し，かつ，本件発明と先願
発明とが同一であると誤って判断し，これら二つの誤りの結果，本件発明が特許法
２９条２項にも同法２９条の２にも該当するとして，本件特許を取り消したもので
あるから，違法なものとして取り消されるべきである。
１　特許法２９条２項の判断についての誤り
(1)本件決定は，「本件発明は，その実施の態様である「「ＣＹＴＯＰ」の膜
から作成された，波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光処理用ペリクル。」
が，上記刊行物１～３（判決注・甲３公報，甲４文献及び甲５文献）に記載された
発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。」（決定書６頁
３４行目～３７行目），とする。
(2)本件決定は，(1)の理由の一つとして，「＜サイトップ＞は刊行物１（判決
注・甲３公報）に記載された発明（引用発明１）におけるフッ素樹脂として採用し
得るものであることが当業者に明らかである。」（決定書６頁２０行目～２２行
目）というが，誤りである。
　　甲３公報の発明は，本件発明と同様，ペリクルに係るものである。ところ
が，甲４文献には，サイトップの用途として，光ファイバー，石英ガラスの代替及
び光学レンズへの利用の可能性が記載されているだけで，ペリクルについては一切
記載されていない。
　　このような状況の下で，サイトップを，引用発明１におけるペリクルのた
めのフッ素樹脂として採用し得ることは，当業者に明らかなことであった，とする
ことは，許されないというべきである。
(3)本件決定は，(1)の理由の一つとして，「「＜サイトップ＞の膜から作成さ
れた露光処理用ペリクル」は，刊行物２（判決注・甲４文献）において，＜サイト
ップ＞が波長２００ｎｍにおけるＵＶ光の透過率が５０％以上（厚さ２００μｍの
膜）という極めて良好な値を示し，紫外線により劣化しない有機材料であるとされ
ていることなどからして，刊行物３（判決注・甲５文献）等に記載されているよう
に本件出願当時既に開発がされていたＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）の
露光処理にも使用可能であるだろうことは，当業者であれば充分予期できることで
あるし，また実際に試してみて確認できる程度のことにすぎない。」（決定書６頁
２３行目～３０行目）というが，誤りである。
　　仮に，当業者が，甲３公報及び甲４文献に基いて，当業者が，「サイトッ
プの膜から作成された露光処理用ペリクル」（以下，「引用ペリクル」という。）
を容易に発明することができたとしても，これがＫｒＦエキシマレーザーの露光処
理にも使用することの可能なものであることは，当業者が当然に予想できるもので
はない。
ア　エキシマレーザーは，パルス光であり，通常の光と比べて，光子密度が
高く，単位時間当たりの照射エネルギーが相当に高い（１０８
倍）ものであること
は，周知の事実である（甲第１３号証）。そのため，波長３００ｎｍ以下のエキシ
マレーザーを用いると，光学系が破滅的損傷を起こしてしまうことも知られている
（甲第２８号証，第２９号証）。
　　波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザーは，光子１個でも化学結合（Ｃ
－Ｃ）を切断するのに十分なエネルギーを有している。さらに，１個目の光子で分
子が励起している間にさらに２個目の光子が作用を及ぼす反応，すなわち２光子反
応が起こり得ることも知られている（甲５文献，甲第１４号証，甲第１５号証）。
要するに，エキシマレーザーと，ランプ光源等に基づく通常の紫外線とは，その性
質が全く異なるのである。
　　当業者は，甲４文献に，サイトップが，紫外線を含めた通常の光によっ
て劣化しないことが記載されていることから，引用ペリクルも，紫外線を含めた通
常の光によって劣化しない，ということまでは予想し得る。しかし，エキシマレー
ザーと通常の光との上記の違いを考慮すると，ＫｒＦエキシマレーザーによって
は，引用ペリクルの劣化や損傷の起こることがむしろ予想され，引用ペリクルがＫ
ｒＦエキシマレーザーの露光処理にも使用することの可能なものであることは，当
業者が予想できないことである。
　　甲３文献にも，露光のためにエキシマレーザーを用いることについて
は，何ら記載も示唆もないのである。
イ　被告は，一般に２光子反応が起こる確率は非常に小さく，また，引用ペ
リクルは紫外線の透過性が高く，ほとんどこれを吸収しないから，引用ペリクルに
も，エキシマレーザーによる劣化や損傷の起こることは予想されないと主張する。
　　しかし，被告が一般にそれが起こる確率が非常に小さいとした２光子反
応は，指摘の記載によれば，１分子に２光子が同時に衝突する確率であって，同時
に衝突しない２光子反応も知られているから，被告の主張に根拠はない。
　　そもそも，上で述べたように，エキシマレーザーの照射は，光子１個で
も化学結合「Ｃ－Ｃ」を切断するのに十分なエネルギーを有しているのであるか
ら，２光子反応が起こる可能性が小さいとしても，相当高い確率で引用ペリクルに
劣化や損傷の起こることを否定することはできない。
　　以上のとおり，通常の紫外線に比べ，エキシマレーザーの照射エネルギー
は膨大なものであり，ペリクルがそれを吸収する率がわずかであるとしても，吸収
されたエネルギーはその劣化を起こすには十分すぎるのである。エキシマレーザー
を通常の紫外線と同視することはできない。通常の紫外線において十分な透過率を
持つ露光処理用ペリクルであるからといって，それが，エキシマレーザーによる露
光処理にも使用できるものであることは，当業者にとって，決して容易に予想し得
ることではない。
(4)被告は，半導体集積回路の製造において，エキシマレーザーによる露光処
理に，薄膜から成るペリクルが必要不可欠であることは技術的にみて当然のことで
あるから，引用ペリクルをＫｒＦエキシマレーザーの露光処理に使用することも，
当業者が容易に想到できるものである，と主張する。しかし，エキシマレーザーに
よる露光処理に薄膜から成るペリクルが必要不可欠である，とはいうことはできな
い。
　　露光時にレチクルに付着したゴミがウェハー上に結像され，不良品となる
問題を解決するための，本件優先日前の技術的手段としては，薄膜から成るペリク
ルの使用だけではなく，マスク・ガラスサンドイッチ構造体や合成石英の平行平面
板を用いることなども知られていた（甲第３４号証，乙第５号証，第６号証）。
　　本件優先日当時の当業者において，エキシマレーザーによる露光処理にお
いて，薄膜から成るペリクルが有用であるとの認識はなく，むしろ，薄膜から成る
ペリクルを用いてエキシマレーザー露光処理を行うと，圧倒的な高エネルギーと高
光子密度のために，ペリクルの化学結合が切断され，短時間に破れてしまうことが
知られていた（乙第６号証）。このような状況の下では，当業者は，むしろ，ペリ
クルに代えて，合成石英の平行平面板等を採用することを選択する，と理解すべき
である。
　　このように，薄膜から成るペリクルが，エキシマレーザーによる露光処理
に使用することの可能なものであるとは，当業者は容易には予想できず，同様に薄
膜から成る引用ペリクルについても，ＫｒＦエキシマレーザーの露光処理に使用す
ることの可能なものであるとは，当業者は容易には予想できなかったのである。
(5)本件発明の有する顕著な効果の看過について
ア　本件明細書記載の実施例１で示したように，紫外線に対して十分な耐久
性を持つとされる，テトラフロロエチレンと弗化ビニリデンの共重合体から作成し
たペリクルは，ＡｒＦ（１３９ｎｍ）及びＫｒＦ（２４９ｎｍ）のエキシマレーザ
ー露光処理では，露光１万回程度で使用不能になったのに対し，本件発明のサイト
ップの膜から作成されたペリクルは，露光１０万回でも何ら不具合を生じないとい
う，当業者が予測できない顕著な効果を奏する。
　　本件決定は，本件発明のこの顕著な効果を看過する。このことも，本件
発明は容易に発明をすることができたとする決定の判断を誤りとするものである。
イ　この点について補足する。
　　甲３公報に記載されたカイナー７２０１（テトラフロロエチレンと弗化
ビニリデンとの共重合体，エルフ・アトケム社（旧　ペンウオルト社）製）から作
成されたペリクルは，ＫｒＦエキシマレーザーによる照射では，４０ｍＪ／ｃｍ２
，
８０ｍＪ／ｃｍ２
，１６０ｍＪ／ｃｍ２
で，それぞれ，わずか６分（３６，０００パ
ルス），２分５秒（１２，５００パルス），１分４５秒（１０，５００パルス）で
き裂が入ってしまい，耐エキシマレーザー性を示さなかったのに対し，本件発明の
実施態様の一つであるテフロンＡＦ（Ｄｕ　Ｐｏｎｔ社製）から作成されたペリク
ルは，１６０ｍＪ／ｃｍ２
の照射で，７時間３０分間（２，７００，０００パルス）
全くき裂などを起こさず，前記のペリクルの約２６０倍の耐エキシマレーザー性を
示している。このことからも，本件発明は顕著な効果を奏することが分かる（甲第
３０号証）。
ウ　被告は，テフロンＡＦ製のペリクルが，カイナー７２０１製のペリクル
の約２６０倍の耐エキシマレーザー性を示すことは，本件明細書に記載されていな
いから，これを本件発明の効果とすることはできない，と主張する。
　　もともと，本件明細書にも，テトラフロロエチレンと弗化ビニリデンの
共重合体を用いたペリクルと，本件発明との比較実験をしたことについて記載され
ている（甲第２号証４頁）。甲第３０号証に示された実験は，甲３公報の実施例１
に記載されたフッ素系樹脂カイナー７２０１製の薄膜と，本件発明の代表的な有機
樹脂テフロンＡＦ（商品名）の薄膜について，これらが破損するまで，エキシマレ
ーザー照射回数を増やして試験したものにほかならない。甲第３０号証の実験結果
は，正に本件発明の効果を示すものである。
エ　「構成に基づく効果の予測が困難な技術分野の事例において，構成の置
換が容易であって本願発明が引用発明と同質の効果を奏する場合であっても，その
効果が技術水準から予測できない顕著なものである場合は進歩性がある。」（東京
高裁平成８年（行ケ）第１３６号），というべきであるから，本件発明は，進歩性
を有する。
(6)まとめ
　　甲３公報には，波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光について，何
らその直接の記載もこれを示唆する記載もない。甲４文献も同様である。通常の紫
外線に対する耐光性と，エキシマレーザーに対する耐光性とは，全く別の問題であ
り，前者から後者を当然に予測することができるものではないことについては，前
記のとおりである。
　　甲４文献には，「サイトップ」を，ペリクルとして用いることができるこ
とについて，何ら，その直接の記載もこれを示唆する記載もない。
　　甲５文献には，エキシマレーザー露光装置により，サブミクロンの線幅の
パターンの形成が実験的にできたことの記載はある。しかし，これにペリクルを用
いることについては，そのことを示す直接の記載もこれを示唆する記載もない。
　　結局，甲３公報，甲４文献及び甲５文献をいかに組み合わせても，「波長
３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光処理用ペリクル」という，本件発明の構成
は出てこないのである。
２　特許法２９条の２の判断についての誤り
(1)本件先の出願の明細書の記載内容の認定の誤り
ア　本件決定は，
「本件先の出願の明細書の記載では「主鎖に環構造を有するフッ素樹脂」
一般を用いペリクル用に膜を作製するという技術思想まで開示されていたことには
ならないので，「フッ素樹脂「ＣＹＴＯＰ」（商品名）」という構成ではなく「主
鎖に環構造を有するフッ素樹脂の膜から作成された」という構成を含む本件発明に
ついて優先権を認めることはできない。
　　したがって，特許法第２９条の２等について本件発明の特許性判断の
基準となる日（以下，「基準日」という。）は本件出願の出願日である平成１年９
月５日である。」（７頁２９行目～３７行目）
　とする。
イ　商品名によって示されているものであっても，その商品を市場で入手す
ることが可能であれば，これを分析して構造を特定することは容易になし得ること
であるから，その構造は公知であるというべきである。したがって，サイトップや
ＦＰＸが，「主鎖に環構造を有するフッ素樹脂」であるということも，公知であっ
たというべきである。そもそも，「主鎖に環構造を有するフッ素樹脂」自体が，旧
知のものであった。
　　「主鎖に環構造を有するフッ素樹脂」という概念は，本件先の出願の明
細書に，好ましいフッ素樹脂として挙げたサイトップ及びＦＰＸという商品名の物
質の化学構造そのものであり，これらの，普通の表現にすぎない。本件先の出願の
明細書に，「主鎖に環構造を有するフッ素樹脂」を用いペリクル用に膜を作製する
という技術思想は，開示されていたといい得る。
　　本件先の出願の明細書（甲第２３号証）の記載においても，「本発明に
おいて用いられるフッ素樹脂は上記の光学的透過性の点以外は特に制限はなく広く
フッ素含有樹脂を用いることができる。」（４頁１０行目～１２行目）としてお
り，フッ素樹脂の構造について特に限定はしていないから，「主鎖に環構造を有す
るフッ素樹脂」も当然含まれる。
　　　したがって，特許性の判断の基準日は，平成元年４月１７日である。
(2)本件発明と先願発明との相違点の認定の誤り
ア　本件決定は，「本件発明が「波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露
光処理用」であるのに対し，引例発明（判決注・先願発明）では，「近年半導体の
集積度を向上させる目的から，リソグラフィ工程に於いてより波長の短い紫外線領
域の光が用いられる傾向がある」と記載され，２５０ｎｍの光に対する透過率は記
載されてはいるものの，波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光に用いること
は開示されていない点」で一応相違している。」（１０頁３行目～９行目）と相違
点の一つ（相違点Ｂ）を正しく認定したにもかかわらず，「先願の出願時におい
て，波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光，特にＫｒＦ（２４８ｎｍ）エキ
シマレーザーを用いた紫外線露光は，・・・，当業者に既に周知の技術であったと
認められるから，先願発明の「非結晶質性であって，主鎖に環構造を有するフッ素
樹脂の膜から作成された紫外線露光処理用ペリクル」は，本来「波長３００ｎｍ以
下のエキシマレーザー露光処理用」でもあるということができるので，Ｂも実質的
な相違点ではない。」（決定書１０頁２０行目～２６行目），とする。
イ　本件発明は，エキシマレーザー露光処理用であるのに対し，先願発明は
紫外線露光処理用である。
　　前記のとおり，エキシマレーザーと通常の紫外線とは，物理的・光化学
的性質及び作用効果が著しく異なるものであり，したがって，用途も明らかに異な
る。用途も発明の構成要件であるから，本件発明は先願発明とは明らかに区別され
る。
ウ　本件決定は，エキシマレーザー露光が，本件出願日当時に，単に周知技
術として存在していたという理由だけで，先願発明の，非結晶質性であって，主鎖
に環構造を有するフッ素樹脂の膜から作成された紫外線露光処理用ペリクルが，波
長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー露光処理用ペリクルでもあるとしている。
　　しかし，本件出願時は，エキシマレーザーを用いた，サブミクロンの解
像度の焼き付けがようやく可能になったにすぎず（甲５文献には，１チップ当たり
１０パルスが必要なことが記載されているなど，量産，歩留まりの向上は考慮され
ていない。），また，これに用いる光学部品（レンズ，レジスト，ペリクル等）の
劣化反応，光照射損傷という問題は解決されていなかった。周知技術として挙げら
れた甲第７号証ないし第１０号証（審判甲第２号証ないし第５号証）にも，どのよ
うなペリクルを用いるかは記載されていない。
　　このような状況にあるとき，波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザーに
よる露光が技術的に可能であったというだけで，先願発明のペリクルを，それにも
用いることができることが明らかであった，とすることができないのは，いうまで
もないことである。
第４　被告の反論の要点
　　　原告の主張に理由はなく，本件決定に誤りはない。
１　原告の主張１（特許法２９条２項の判断についての誤り）に対して
(1)原告は，甲４文献に記載されたサイトップが，甲３公報に記載された発明
におけるフッ素樹脂として採用し得るものであることは，当業者に明らかであると
はいえない，と主張する。
　　甲４文献には，サイトップが紫外線の透過性に優れるフッ素樹脂であるこ
とが開示されているから，これを，紫外線の透過性が重要である引用発明１に採用
することは，当業者が容易に想到し得ることである。
(2)原告は，波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザーを用いると，その高エネ
ルギーのため，光学要素が破滅的損傷を起こしてしまうこと（甲第２８号証，第２
９号証），波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザーは２光子反応を起こすことが知
られていることを挙げ，引用ペリクルはＫｒＦエキシマレーザーによって速やかに
劣化や損傷を起こすことが予想され，これをＫｒＦエキシマレーザーの露光処理に
使用することが可能であることは容易には想到できない，と主張する。
ア　半導体集積回路の製造において，露光時にレチクル上に存在するゴミは
回路に重大な欠陥をもたらすものであり，この問題を解決するために薄膜から成る
ペリクルが必要とされている。このことは，エキシマレーザーによる露光処理にお
いても同様であることは，技術的にみて当然のことである。例えば，「特開昭６３
－６５５３号公報」（乙第６号証、（以下「乙６公報」という。）には，解像度を
高めるためエキシマレーザーを光源とした投影型半導体露光装置において，遠紫外
光を透過する合成石英等の無機材料から成る防塵用平行平面板を用いることで，レ
チクル表面への塵埃付着を防止することが記載されている。この技術において，上
記防塵用平行平面板は，薄膜を用いたペリクル（乙第５号証）と同じ機能を有する
ものである。
　　上述したようにエキシマレーザーによる露光時においても，薄膜から成
るペリクルが当然に必要であり，しかも，後記のとおり，ＫｒＦエキシマレーザー
の露光処理は本件出願前に周知となっていたから，当業者が引用ペリクルに接すれ
ば，この周知のエキシマレーザーによる露光処理にこれを使用しようと試みるの
は，ごく自然なことである。
イ　原告が，エキシマレーザーが高エネルギーであるというのは，単位時間
当たりに照射されるエネルギーのことであり，実際には，そのパルス幅は１０ｎｓ
の単位であって極めて短いから，１回の照射により，ペリクルが吸収する光の絶対
量が１０８
倍になるということはない。
　　波長３００ｎｍ以下の波長の紫外線であれば，エキシマレーザーでない
ものであっても，Ｃ－Ｃ結合を切断するのに十分なエネルギーを有しているもので
あり，この点においてエキシマレーザーと異ならない。
ウ　甲第２８号証には，エキシマレーザーの照射により，一般的に光学系に
壊滅的損傷が生じる可能性があることが記載されているにすぎない。甲第２９号証
には，マスクとして使用される不透明なクロムに壊滅的損傷が起きたことが記載さ
れてはいるものの，紫外線透過性の高い材料である石英についての損傷は記載され
ていない。
　　いずれにしても，これらの甲号証は，紫外線レーザーによる発熱反応に
よる損傷を示すだけで，２光子反応による損傷を示すものではない。これら甲号証
を根拠に，引用ペリクルをＫｒＦエキシマレーザーの露光処理に使用することが可
能であることは予期できない，とすることはできない。
　　２光子反応が起こる確率は非常に小さいものでり，引用ペリクルに２光
子反応に相当する波長域の吸収があることも明らかにされていないから，ＫｒＦエ
キシマレーザーの照射により引用ペリクルに２光子反応が必ず起きるとは限らな
い。さらに，１光子反応であろうと２光子反応であろうと，そもそも劣化が起きる
には，まず吸収がなければならないから，紫外線の透過性が高くほとんどこれを吸
収しない引用ペリクルについてまで，その反応について常に考慮しなければならな
いというわけではない。
エ　原告は，甲第３０号証等から，本件発明は予測できない顕著な効果を奏
するものであって，決定はこの効果を看過する，と主張する。
　　しかし，引用ペリクルが，ＫｒＦエキシマレーザー露光に対し十分な耐
久性を示すことは，上記露光に実際に使用することによって，容易に判明すること
にすぎない。これを予測できない顕著な効果ということはできない。
　　甲第３０号証により，本件発明の実施態様のテフロンＡＦが従来技術に
よるものの約２６０倍の耐久性を示すことが明らかにされたとしても，そのこと
は，本件明細書に記載されていないから，甲第３０号証に基づいて原告が主張する
効果を，本件発明の特許性（進歩性）の根拠とすることはできない。
２　原告の主張２（特許法２９条の２の判断についての誤り）に対して
(1)原告は，本件先の出願の明細書に，ペリクルを作成する膜に用いるフッ素
樹脂としてサイトップ及びＦＰＸという商品が記載されていることを根拠に，そこ
には，「主鎖に環構造を有するフッ素樹脂」を採用してペリクル用の膜を作製する
という技術思想が開示されている，と主張する。
　　本件先の出願の明細書には，「主鎖に環構造を有するフッ素樹脂」という
文言の記載はない。同フッ素樹脂の一般式や代表的な構造式，製造法の記載もな
い。サイトップの化学構造式は，甲第２６号証の図７に開示されているものの，こ
の開示は本件出願後のことである。ＦＰＸについては，具体的な構造式が明確にさ
れていない。
　　上記各商品が，市場での入手が可能なものであり，かつ，その化学構造を
容易に知り得るものであるからといって，そのことから直ちに，これらの化学構造
そのものが公知であるということになるわけではない。したがって，上記明細書の
記載から，「主鎖に環構造を有するフッ素樹脂」という概念はもとより，サイトッ
プやＦＰＸの化学構造を導き出すこともできない。原告の主張は，根拠のないもの
である。
　　たとい，サイトップやＦＰＸの例示により，それぞれの化学構造が導き出
せるとしても，それは個々の化学構造式を有する二つのフッ素樹脂が例示されてい
るだけであって，それによって，それらを包含するより広い概念としての「主鎖に
環構造を有するフッ素樹脂」について記載されていることになるものではない。
(2)原告は，後の引例明細書に，先願発明の用途としてエキシマレーザー露光
は開示されていないことを根拠に，本件発明は先願発明と区別されると主張する
が，失当である。
　　後の引例明細書には，ｉ線（３６５ｎｍ）やｇ線（４３６ｎｍ）のほか
に，ｉ線より短い波長域（２５０ｎｍ～）についても透過率を測定し，紫外線照射
試験を行って保護膜としての有用性を確認したことが記載されており（甲６公
報），先願発明が波長のより短い紫外線露光に用いるものとして記載されているこ
とが明らかである。
　　紫外線露光が，上記ｇ線やｉ線から，波長のより短いＫｒＦエキシマレー
ザー（２４９ｎｍ）によるものへと移行してきたことは，当業者に周知のことであ
り，紫外線露光用ペリクルが，より短い波長であるエキシマレーザーによる露光に
問題なく用いることができるのであれば，これに用いることができるのも当然であ
る。現実に，本件発明と先願発明とは，その用途が違うとしても，特定のフッ素樹
脂の膜から作成されたペリクルという点では，同じものである。
　　波長の短い紫外線露光に用いるものとして先願発明を記載している後の引
例明細書には，先願発明の用途として，エキシマレーザー露光が，実質的に開示さ
れていると解することができる。
(3)本件発明と先願発明とが同一であるとした判断に誤りはない。
第５　当裁判所の判断
１　原告の主張１（特許法２９条２項についての認定の誤り）について
(1)本件決定は，本件発明を甲３公報，甲４文献及び甲５文献に記載された発
明に基づき当業者が容易に発明することができたものとする根拠として，次のよう
に述べる。
　「刊行物２（判決注・甲４文献）には旭硝子（株）が開発した新しい種類
のフッ素樹脂である＜サイトップ＞が開示されており，＜サイトップ＞は，可視
光・紫外光透過率が良く（図１によれば，厚さ２００μの膜におけるＵＶ光の透過
率が，波長２００ｎｍから３００ｎｍの全範囲において５０％以上である），屈折
率も１．３４（１．４２以下である）であり，恐らく非晶質の樹脂であるとされて
いることなどから，＜サイトップ＞は刊行物１（判決注・甲３公報）に記載された
発明におけるフッ素樹脂として採用し得るものであることが当業者に明らかであ
る。
　　また，そのような「＜サイトップ＞の膜から作成された露光処理用ペリ
クル」は，刊行物２において，＜サイトップ＞　が波長２００ｎｍにおけるＵＶ光
の透過率が５０％以上（厚さ２００μの膜）という極めて良好な値を示し，紫外線
により劣化しない有機材料とされていることなどからして，刊行物３等に記載され
ているように本件出願当時既に開発がされていたＫｒＦエキシマレーザー（波長２
４８ｎｍ）の露光処理にも使用可能であるだろうことは，当業者であれば充分予期
できることであるし，また実際に試してみて確認できる程度のことにすぎない。」
（決定書６頁１５行目～３０行目）
(2)引用ペリクルの容易想到性
ア　本件発明と引用発明１との一致点の認定，すなわち，「本件発明と刊行
物１に記載された発明とは，「非結晶質性であって，紫外線を透過するフッ素樹脂
の膜から作成された，露光処理用ペリクル。」である点で一致し，」（決定書５頁
２９行目～３２行目）との認定に争いはない。すなわち，甲３公報には，「非結晶
質性であって，紫外線を透過するフッ素樹脂の膜から作成された，露光処理用ペリ
クル。」が記載されている。
　　さらに，甲３公報には，以下の記載があると認められる。
(ｱ)「技術分野
　　本発明は光透過性に優れたフオトマスク・レチクル用防塵カバー体に
関する。更に詳しくは，特定の弗素系重合体からなる薄膜を少なくとも最外側層に
有する膜が支持枠に接着している光透過性に優れたフオトマスク・レチクル用防塵
カバー体に関する。
　　背景技術
　　近年の半導体集積回路の高密度化により，その回路の画線巾も１～３
μｍと極めて微細となつており，この画像をウエハー上に形成するリソグラフイ技
術も，プロジエクシヨン方式からステツパー方式へと移行しつつある。
　　このリソグラフイ工程において，フオトマスク・レチクル上にゴミが
存在するとゴミも同時に結像されるため，回路の短絡及び欠損となり，ＬＳＩの収
率を低下させる。特にステツパーの場合には，レチクル上の数個の画像をウエハー
上に順次縮小投影させるため，レチクル上の１つのゴミが全てのＬＳＩを不良とす
ることもあり，ゴミをゼロとすることが極めて重要となつてきている。
　　そこでフオトマスク・レチクル（以下，マスクと略することあり。）
の片面または両面に，透明な膜をある空間をとつて配置させることにより，マスク
上へのゴミを防止する方法が提案されている（・・・）この方法によれば，ゴミは
この透明な膜の上にしか付着しないので，投影の際に，マスク上の画像にピントを
合わせることにより，ゴミはアウト・オブ・フオーカスとなり，ウエハー上に結像
されず，ゴミによる不良を防止することができる。このゴミ除けのカバー体を，こ
こでは防塵カバー体と呼称する。
　　防塵カバー体はマスクに貼られて露光機に装着される。防塵カバー体
の要部をなす膜は，露光光路中に配置される。」（甲３公報の訳文中の明細書１頁
５行目～２頁１２行目）
(ｲ)「・・・ＬＳＩの高密度化によりサブミクロンオーダーの画線巾が要
求されるようになつてきており，かかる要求に対しては，現在使われている３５０
～４５０ｎｍの波長の光の露光では，十分なる解像力がなく，より短波長の光であ
る２４０～２９０ｎｍの遠紫外線が必要となるが，現在のニトロセルロースの膜
は，３００ｎｍ以下の波長域で光線透過率の急激な低下を示すとともに，遠紫外線
により著しく劣化され，もはや使用することが出来ない。それゆえ，新しい防塵カ
バー体が期待されている。
　　発明の開示
　　本発明は，支持枠とその表面に接着された薄膜とより本質的になり，
該膜は単層又は三層以上の多層を有し，単層の場合は該膜は１０μｍの膜厚みに於
いて，２４０～２９０ｎｍの波長の光に対する平均光線透過率が９０％以上であ
り，かつ，２９０～５００ｎｍの波長の光に対し９３．５％以上の平均光線透過率
を有し，かつ１．４２以下の屈折率を有する弗素系重合体の膜からなり，多層の場
合は，少なくとも両最外側層が上記弗素系重合体の膜よりなる光透過性に優れたフ
オトマスク・レチクル用防塵カバー体を提供するものである。」（甲３公報の訳文
中の明細書４頁１１行目～５頁６行目）
(ｳ)「かかる弗素系重合体としては，１０μｍの膜厚みに於いて，２４０
～２９０ｎｍの波長の光に対する平均光線透過率が９０％以上であり，かつ，２９
０～５００ｎｍの波長の光に対し９３．５％以上の平均光線透過率を有し，しかも
１．４２以下の屈折率を有する弗素系重合体であれば，いかなる弗素系重合体であ
ってもかまわない。」（甲３公報の訳文中の明細書８頁１行目～６行目）
イ　上記記載(ｱ)によると，引用発明１は，露光処理によるリソグラフィー技
術に使用するフォトマスク・レチクルにおいて，その面上へのゴミの付着を防止す
るための光学部材に係るものであって，フォトマスク・レチクルに対して所定の空
間を空け近接配置して利用するものであると認められる。
　　上記記載(ｲ)によると，従来技術として，ニトロセルロースの膜が防塵カ
バー体として用いられていたものの，これは，解像度を上げるために必要な３００
ｎｍ以下の光に対し，光線透過率が足りず，また，これにより激しく劣化し使用す
ることができないという問題があり，引用発明１は，これに代わるものとして開発
されたものである，と認められる。
　　上記記載(ｳ)によると，引用発明１における非結晶質性のフッ素樹脂とし
ては，１０μｍの膜厚相当において，２４０～２９０ｎｍの波長の光に対する平均
光線透過率が９０％以上であり，かつ，２９０～５００ｎｍの波長の光に対し９
３．５％以上の平均光線透過率を有し，しかも１．４２以下の屈折率のものであれ
ば，これを採用することができるものと認められる。
　　甲３公報では，それに記載された発明について，露光に用いる光の波長
とその透過率をもってこれを表現しているものの，それ以上に，エキシマレーザー
光を用いることについての記載はない。また，本件優先日当時までの間に，エキシ
マレーザー光を用いた露光処理によるリソグラフィー技術に非結晶質性のフッ素樹
脂を用いることが一般的となっていたことは，本件全資料によっても認めることが
できない。したがって，甲３公報に接した当業者は，引用発明１が，特定の波長
の，しかし通常の光を用いた露光処理によるリソグラフィー技術に使用するフォト
マスク・レチクルに対して，所定の空間を空け近接配置して，フォトマスク・レチ
クル面上へのゴミの付着を防止するための光学部材（フォトマスク・レチクル用の
防塵カバー）である，と理解するものと認められる。
ウ　甲４文献には，以下の記載がある。
(ｱ)「＜サイトップ＞の屈折率は１．３４と最も低い部類に属する。光線
透過率も９５％と高い値を示す。その波長依存性は，可視光ではすべて９５％以上
であり，紫外光においても３００ｎｍで９０％以上，２００ｎｍでも５０％の透過
率である（図１）。また，紫外線を含めた光をよく透過させ，吸収しないので光に
よる劣化がない。このように紫外線を良く透過させ，かつそれにより劣化しない有
機材料は今までにない。従来，紫外線の透過材料として用いられている石英ガラス
の代替材料に成りうる初めての有機材料である。」（２３６頁中欄６行目～右欄６
行目）及び図１（２３７頁）
(ｲ)「＜サイトップ＞は融点が観測されず，恐らく非晶質の樹脂であ
る。」（２３７頁中欄４行目～５行目）
(ｳ)「２．期待される用途
２．１光学分野
　＜サイトップ＞は，透明性ならびにフッ素樹脂特有の耐薬品性，低屈
折率などを併せ持っているので，それらの特性を生かした光学分野での用途が最も
有望と思われる。
(1)光ファイバー・・・
(2)石英ガラスの代替
　　紫外線透過材料として石英ガラスは優れていて，紫外線を透過させ
る容器，窓として用いられる。だが，石英の加工は大変難しく，高価な材料であ
る。・・・＜サイトップ＞で代替できれば安価になるだけでなく，不注意で落とし
ても割れることがない。
(3)光学レンズ
　　＜サイトップ＞を光学レンズ材料として考えた場合，アッベ数が９
０と大きく色収差が少ないレンズとなる。・・・ＣＤなどの光ディスク読取り装置
の光学系への応用が可能である。・・・耐薬品性を生かし，過酷な環境で用いられ
るレンズとしても有望である。」（２３８頁中欄１４行目～２３９頁２２行目）
エ　上記記載ウ(ｲ)及び(ｳ)には，サイトップが，非晶質のフッ素樹脂である
ことが記載されている。
　　上記記載ウ(ｱ)の図１によれば，サイトップは，２４０ｎｍの波長の光に
対する光線透過率が７０％を超え，３５０ｎｍでは９０％を超えている。この二つ
の間の波長においては，波長が長くなるにつれて光線透過率が上昇するという関係
にあり，３５０ｎｍ程度から７００ｎｍの間は，その光線透過率は，ほぼ変化な
く，９０％強である。
　　この光線透過率は，その厚みが２００μｍにおけるものであって，その
２０分の１である１０μｍの膜厚では，２４０ｎｍ～２９０ｎｍの波長の光に対す
る光線透過率が９０％以上であり，かつ，２９０～５００ｎｍの波長の光に対し９
３．５％以上の平均光線透過率を有するだろうことは，当業者が容易に把握できる
ことであると認められる。さらに，上記記載ウ(ｱ)によれば，サイトップの屈折率は
１．３４，すなわち１．４２以下であることも示されている。
　　上記記載ウ(ｳ)によれば，サイトップの用途の具体例として，光ファイバ
ー，容器や窓に使用される石英ガラスの代替品及び光学レンズが示されている。こ
れらの記載からは，高い光透過率が必要とされる，その他の光学分野での用途も十
分に示唆されているということができる。
オ　前記のとおり，引用発明１における非結晶質性のフッ素樹脂としては，
１０μｍの膜厚相当において，２４０～２９０ｎｍの波長の光に対する平均光線透
過率が９０％以上であり，かつ，２９０～５００ｎｍの波長の光に対し９３．５％
以上の平均光線透過率を有し，しかも１．４２以下の屈折率のものであれば，これ
を採用できることが甲３公報に記載されている。
　　引用発明１は光学分野に係るものであるから，同じ光学分野での用途が
示唆され，同発明において採用できるとされる屈折率の水準，光線透過率の水準を
満たすことが期待されるサイトップを，同発明におけるフッ素樹脂として用いるこ
とは，当業者が極めて容易に想到し得ることである。
　したがって，当業者は，甲３公報及び甲４文献から，引用ペリクル，す
なわち，「サイトップの膜から作成された，露光処理用ペリクル。」を容易に想到
することができると認められる。この点についての本件決定の判断に何ら誤りはな
い。
(3)本件発明の容易想到性について
ア　前記のとおり引用発明１は，通常の光の露光処理によるリソグラフィー
技術において，マスクやレチクルにゴミが付着するのを防止するための光学部材で
あると理解されるにすぎないから，サイトップを採用する引用ペリクルも，同様の
光学部材として理解されるものである。
イ　甲５文献には，以下の記載がある。
(ｱ)「ホトリソグラフィにより，０．５ミクロンルールのデバイスの要求
を満たすには，現在，縮小投影露光装置（ステッパ）の光学レンズの開口数（Ｎ
Ａ）の増大と，大量生産に導入しにくい多層レジストとの併用が考えられる。しか
しながら，現在使用するｇ線（４３６ｎｍ）やｉ線（３６５ｎｍ）領域下のステッ
パレンズでの高ＮＡ化は技術的限界があり・・・最近，これらの問題を解決するた
めに，エキシマレーザーを光源に用いるリソグラフィ技術が提案された（１１）～（１３）
。
エキシマレーザリソグラフィではパターン解像度の改善が期待でき，しかも単層レ
ジストで０．５μｍ以下のパターン形成が可能となる。本稿では，筆者らの開発し
た高出力ＫｒＦエキシマレーザステッパとそれに適用する材料システムを中心に概
説する。」（１０９５頁左欄１５行目～３１行目）
(ｲ)「・・・短波長エキシマレーザリソグラフィは，その理由により近年
話題性をおびてきた。
　　短波長で高出力が得られるエキシマレーザをリソグラフィに応用しよ
うという試みは，既に数多くなされている。・・・
　　ＫｒＦレーザはエキシマレーザの中でもとりわけ発振効率が良く，寿
命が長いメリットがあるうえ，この波長用のレジスト材料の開発も比較的容易であ
ると思われる（１０９５頁右欄２４行目～１０９６頁右欄１行目）
(ｳ)「著者らの試作したＫｒＦエキシマレーザステッパの概念図を図３
に，・・・示す。」（１０９７頁右欄６～７行）及び図３（１０９７頁）
(ｴ)「著者らは新たにＫｒＦエキシマ用のレジストの開発を行ってい
る。」（１０９８頁右欄１８行目～１９行目）
(ｵ)「・・・今後周辺技術が完成されれば，レーザリソグラフィとして１
６あるいは６４ＭＤＲＡＭに十分対応できるであろう。」（１０９９頁右欄９行目
～１１行目）
　　以上のとおり，甲５文献には，ＫｒＦエキシマレーザーの露光処理によ
るリソグラフィー技術が記載され，さらに，同技術にレチクルを使用することが記
載されている。
ウ　甲５文献（昭和６３年８月受付）の上記記載によれば，同文献記載のエ
キシマレーザー露光処理の技術は，文献作成当時，まだ実験・試作段階のものであ
り，レジスト材料等も，量産可能な装置に適用できるものは開発未了であったと認
められる。
　　他方，乙第６号証（特開昭６３－６５５３号公報，昭和６１年６月２７
日出願，昭和６３年１月１２日公開）は，紫外線透過性の無機材料を使用する，レ
チクルの塵埃付着防止方法の特許公報であり，この公報には，露光に用いる光とし
て，「エキシマレーザー等の遠紫外線（ディープＵＶ光）」を挙げており，また，
本件優先日以前に発行された，甲第７号証ないし第１０号証にも，より微細なプロ
セスルールのＬＳＩ（大規模集積回路）の製造において，ＫｒＦエキシマレーザー
による露光処理が将来有望視されている旨の記載がある。
　　これらから，本件優先日当時，少なくとも実験・試作段階のものとして
は，ＫｒＦエキシマレーザーの露光処理によるリソグラフィー技術が周知であった
と認められる。
ウ　甲５文献自体には，有機物である引用ペリクルを上記技術に適用するこ
とを，積極的に動機付ける記載は見当たらない。
　　しかし，甲第３３号証，乙第３号証ないし乙第６号証によれば，本件優
先日当時，投影光学系によりパターンをウェハー上に転写する方法において，レチ
クルに付着したごみも投影されて回路が不良となる問題を解決するため，アウトオ
ブフォーカシングの原理に基づき，レチクルを透明なカバーで覆ってしまう技術が
周知のものとして存在していたこと，レチクル上の回路フォトマスク用防塵カバー
として，フッ素系重合体，ニトロセルロース等を用いたペリクルが，本件優先日当
時既に周知であったこと，を認めることができる。すなわち，本件優先日当時，ペ
リクルの技術自体は，周知であったと認められる。
　　ウェハー上の回路が不良となるのを防止するため，レチクル上にごみが
付着しないようこれを覆う技術としては，ペリクルのほかに，マスク・ガラスサン
ドイッチ構造体（甲第３４号証）や，合成石英等の無機材料からなる防塵用平行平
面板を配置する方法（乙第６号証）も存在していた。したがって，投影光学系を介
してレチクル上のパターンをウエハー上に転写する露光処理において，ペリクルを
用いることが当然であったということはできない。ペリクルを用いることは当然で
あったとする被告の主張は，その限りでは誤りである。しかし，既に述べてきた状
況の下では，本件優先日当時，当業者であれば，ＫｒＦエキシマレーザー露光処理
によるリソグラフィー技術においても，ウェハー上の回路が不良となることを防止
するため，レチクル上にごみが付着しないようにして，アウトオブフォーカシング
の原理を利用して歩留まりを上げようとすることは，当然にすることであるという
ことができる。その際，良い材料さえみつかればペリクルを用いようと考えること
自体は，ごく自然なことであり，当然に行うことといってよいほどに極めて容易で
あった，と認められる。
オ　下記のとおり，本件優先日当時，エキシマレーザーによる露光処理にお
いて，通常の光による露光において用いられた材料がそのまま通用するに違いない
と考えることを阻害する知見を，本件証拠上認めることができる。
(ｱ)「エキシマレーザは，放電励起によるパルス発振方式（パルス幅１０
～２０ナノ秒）がとられており，レジストに単位時間に照射されるエネルギは，通
常の水銀アーク放電で得られるエネルギの１０
８
倍にも達することがある。このこと
は，１０ナノ秒の間に多量の活性種がレジスト膜中に形成されることを意味し，通
常の光源では誘起されないような化学反応が起こることも予想される。」（甲第１
３号証・１９１頁４行目～１０行目）
(ｲ)「エキシマレーザは従来のレーザにはみられない多くの長所を持って
いる。・・・表１・２に示すように希ガスとハロゲンガスの組み合わせ（判決注・
ＫｒＦの組み合せも摘示されている。）で，約５０ｎｍごとに強いレーザ光が得ら
れる。・・・構成分子の結合解離エネルギーが，レーザの光子エネルギーよりも低
く，しかもその構成分子の吸収波長域がレーザの波長に一致していれば，簡単に１
光子吸収で分子結合を切ることができる。」（甲第１４号証５頁１１行目～１７行
目）
　　また，同号証の２９頁において，ＫｒＦエキシマレーザの光子エネル
ギーが１１４．１ｋｃａｌ／ｍｏｌであり，Ｃ－Ｃの分子結合解離エネルギーが，
８４ｋｃａｌ／ｍｏｌであることが紹介されている。
(ｳ)甲第２８号証１１２頁には，エキシマレーザーをリソグラフィに用い
た場合，コーティングや光学部品に，壊滅的な損害を与え得ることが記載されてい
る。
(ｴ)「従来の３５０～４５０ｎｍの紫外光を用いた露光装置において，レ
チクル表面への塵埃付着を防止するために，レチクル表面にニトロセルロース等か
らなる非常に薄い高分子膜であるペリクルを投影光学系の焦点深度以上に離して配
置し，レチクル表面に直接塵埃が付着しないようにするとともに，ペリクル上に付
着した塵埃はウエハ上で結像しないようにして欠陥パターンの焼付を防止してい
た。
　　しかしながら，このようなペリクルによる塵埃付着防止方法を遠紫外
光露光装置に用いると，高分子膜であるペリクルが遠紫外光を吸収し，焼付光量の
低下をきたしフループット（判決注・「スループット」の誤記と認める。）が低下
する。また，遠紫外光は波長が短く，したがって，光子エネルギーが大き
い。・・・したがって，遠紫外光が高分子膜であるペリクルを光化学反応により劣
化させる。」（乙第６号証・２頁右上欄１６行目～左下欄１２行目）。
　　この乙第６号証の公開特許公報（昭和６１年６月２７日出願，昭和６
３年１月１２日出願）は，ペリクルではなく，紫外線透過性の無機材料から成る防
塵用平行平面板を使用した，レチクルの塵埃付着防止方法に関する発明であり，そ
の実施例では，ＫｒＦエキシマレーザーを用い，合成石英，石英，蛍石等の無機材
料を加工した平行平面板を用いた装置を挙げている。
　　しかし，これらの記載は，本件で問題となっているサイトップについ
て，直接言及するものではない。
カ　以上のとおり，本件優先日当時，レチクルに付着したごみが撮影されて
回路が不良となることを防止するためペリクルを使用することは周知技術であり，
また，エキシマレーザーを用いた露光処理技術も，量産可能なものにまでは至って
いなかったものの，周知であった。
　　そして，サイトップが，波長３００ｎｍで９０％以上，２００ｎｍでも
５０パーセント以上の透過率を持っているなど，紫外光に対しても高い透過性を有
しており，「紫外線を含めた光をよく透過させ，吸収しないので光による劣化がな
い。このように紫外線を良く透過させ，かつそれにより劣化しない有機材料は今ま
でにない。従来，紫外線の透過材料として用いられている石英ガラスの代替材料に
成り得る初めての有機材料である。」（甲４文献２３６頁）とされているものであ
る以上，同じ波長域の通常の紫外光に対するのと同様に，エキシマレーザーに対し
ても，その透過率が高いこと，ひいては耐久性が高いという，従来の有機材料の持
っていなかった特性を期待して，より安価で扱いやすいということも考慮し（甲４
文献中の，前記「だが，石英の加工は大変難しく，高価な材料である。・・・＜サ
イトップ＞で代替できれば安価になるだけでなく，不注意で落としても割れること
がない。」との記載参照），従来技術において用いられていた石英ガラスの代わり
に，これを用いてみようとすることは，ごく自然なことであり，そこに格別の困難
を見いだすことはできない。
　　そうすると，サイトップをペリクルとして用いて，エキシマレーザー露
光処理を実験しようと考えること自体は，当業者であれば，極めて容易に思いつく
ものという以外にない。エキシマレーザーについての前記知見の下では，サイトッ
プといえども，エキシマレーザーにより急速に劣化するという結果も，当業者とし
て予測する事項の一つであろうが，それが確実なものと認識され，そのため，上記
実験自体を思いとどまらせるほどの知見が存在したとは，本件全証拠によっても認
めることができない。そして，サイトップの耐エキシマレーザー性は，実験してみ
れば，容易に判明することであり，この実験の実施も困難なものとは認められない
（前記のとおり，ペリクルもエキシマレーザー露光処理も周知技術である。）。サ
イトップの耐エキシマレーザー性が判明すれば，直ちに，それがエキシマレーザー
用のペリクルとして有用であること，すなわち，本件発明の構成が顕著な有用性を
持つことを当業者が認識することは，当然である。
　　このような事情の下では，サイトップをエキシマレーザー露光処理用の
ペリクルとして用いることに想到することは，当業者にとって容易なことであった
ということができる。
　　本件発明の効果自体を特許性（進歩性）の根拠とする原告の主張は，採
用することができない。構成自体の推考は容易であると認められる発明に特許性を
認める根拠となる作用効果は，当該構成のものとして，予測あるいは発見すること
の困難なものであり，かつ，当該構成のものとして予測あるいは発見される効果と
比較して，よほど顕著なものでなければならない，というべきであるのに，原告が
主張する本件発明の効果が，本件発明の構成のものとして予測することの困難であ
ることも，本件発明のものとして発見することが困難であることも，いずれも認め
ることができないからである。
(4)以上のとおりであるから，甲３公報，甲４文献及び甲５文献に基づいて，
当業者が本件発明を想到することは，容易であったと認められる。
(5)そうすると，本件発明を取り消すべきものとした決定に誤りがないこと
は，その余の点について判断するまでもなく明らかである。
２　結論
　　以上のとおりであるから，原告主張の取消事由は理由がなく，その他，本件
決定には，取消しの事由となるべき誤りは認められない。そこで，原告の本訴請求
を棄却することとし，訴訟費用の負担について，行政事件訴訟法７条，民事訴訟法
６１条を適用して，主文のとおり判決する。
東京高等裁判所第６民事部
　　　裁判長裁判官山　　下　　和　　明
　裁判官阿　　部　　正　　幸
　裁判官高　　瀬　　順　　久

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