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平成２８年３月１０日判決言渡
平成２７年（行ケ）第１００１５号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２８年１月１４日
判決
原告億光電子工業股份有限公司
（エヴァーライトエレクトロニクスカンパニーリミテッド）
訴訟代理人弁護士黒田健二
同吉村誠
被告日亜化学工業株式会社
訴訟代理人弁護士古城春実
同宮原正志
同牧野知彦
同加治梓子
訴訟代理人弁理士鮫島睦
同言上惠一
同山尾憲人
同田村啓
同玄番佐奈恵
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
３この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を３０日と定
める。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１３－８００１１４号事件について平成２６年９月１９日にし
た審決を取り消す。
第２前提となる事実
１特許庁における手続の経緯等（争いがない。）
被告は，平成５年１１月６日，発明の名称を「窒化ガリウム系化合物半導体チッ
プの製造方法」とする特許出願（特願平５－３００９４０号）をしたが，平成９年
８月５日に拒絶理由通知を受けたため，同年１０月２０日，意見書（甲３５）を提
出するとともに，同日付け手続補正書（甲３４）により，特許請求の範囲及び明細
書についての補正（以下「本件補正」という。また，本件補正前の出願時の願書に
最初に添付した明細書及び図面を併せて「本件当初明細書」という。）を行い，平成
１０年５月１５日設定登録（特許第２７８０６１８号。請求項の数は４）を受けた
（以下「本件特許」という。）。
原告は，平成２５年６月２８日，特許庁に対し，本件特許を無効にすることを求
めて審判の請求をした。特許庁は，上記請求を，無効２０１３－８００１１４号事
件として審理した。被告は，この審理の過程で，平成２５年９月２０日，本件特許
の特許請求の範囲及び明細書についての訂正請求をした（以下「本件訂正」という。）。
特許庁は，審理の結果，平成２６年９月１９日，「訂正を認めない。本件審判の請
求は，成り立たない。」との審決をし，審決の謄本を，同月２９日，原告に送達した。
２特許請求の範囲の記載
本件補正後の本件特許の特許請求の範囲の記載（請求項の数は４。甲２７）は，
次のとおりである（以下，それぞれの請求項に記載の発明を，請求項の番号を付し
て「本件発明１」等という。また，本件発明１ないし４を，併せて，「本件発明」と
いうことがある。また，本件補正後の本件特許に係る明細書及び図面を「本件明細
書」という。）。
「【請求項１】サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエ
ハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチッ
プ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形
成できる平面を形成する工程と，
前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一
の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する
工程と，
前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に
分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリリム系化合物半導体チップの
製造方法。
【請求項２】前記第二の割り溝を形成する前に，前記ウエハーのサファイア基
板側を研磨して，サファイア基板の厚さを２００μｍ以下に調整する工程を具備す
ることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方
法。
【請求項３】前記第二の割り溝を形成する工程において，第一の割り溝の底部
と第二の割り溝の底部との距離を２００μｍ以下に調整することを特徴とする請求
項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
【請求項４】前記第二の割り溝をスクライブにより形成することを特徴とする
請求項１または２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。」
（本件補正前の本件特許の請求項１に係る特許請求の範囲の記載は，次のとおり
である（甲３３）。
「【請求項１】サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエ
ハーの窒化ガリウム系化合物半導体面に所望のチップ形状で第一の割り溝を線状に
形成する工程と，
前記第一の割り溝の線と合致する位置で，前記ウエハーのサファイア基板面に新
たに第二の割り溝を線状に形成すると共に，前記第一の割り溝の線幅（Ｗ１）より
も，第二の割り溝の線幅（Ｗ２）を狭く調整する工程と，
前記第一の割り溝，および前記第二の割り溝に沿って前記ウエハーをチップ状に分
離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製
造方法。」）
３審決の理由
(1)審決の理由は，別紙審決書写しのとおりである。その要旨は，①本件訂正は，
本件明細書に記載した事項の範囲内の訂正とは認められず，特許法１３４条の２第
９項で準用する同法１２６条５項の規定に適合しないので認めない，②本件補正の
うち，原告が新規事項の追加に該当すると主張する特許請求の範囲の補正は本件当
初明細書に記載した事項の範囲内でする補正であるといえるから，本件特許は，特
許法１７条の２第３項に規定する要件を満たし，同法１２３条１項１号に該当せず，
無効とされるべきものではない，③本件発明は，本件特許の出願前に頒布された刊
行物である特開平５－１２９６５８号公報（甲１。以下「甲１文献」という。）に記
載された発明（以下「甲１発明」という。）と同一であるとも，甲１発明及び周知技
術等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認められないから，
本件特許は，特許法２９条１項３号に該当せず，かつ同法２９条２項の規定に違反
してされたものではなく，同法１２３条１項２号に該当しない，④本件発明は，本
件特許の出願前に頒布された刊行物である実開平５－５９８６１号公報（甲２。以
下「甲２文献」という。）に記載された発明（以下「甲２発明」という。）及び周知
技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められないから，
本件特許は，特許法２９条２項の規定に違反してなされたものではなく，同法１２
３条１項２号に該当しない，⑤したがって，本件特許を無効とすることはできない，
というものである。
(2)審決が認定した甲１発明の内容，本件発明１と甲１発明との一致点及び相違
点は，次のとおりである。
ア甲１発明の内容
「サファイア基板１上に，ＡｌＮから成るバッファ層２，ＧａＮ系半導体から成
る高キャリヤ濃度ｎ＋
層３，ＧａＮ系半導体から成る低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，Ｇ
ａＮ系半導体から成るｉ層５の多層構造のウエーハから窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子（発光ダイオード１０ｂ）を作製する方法において，
太い刃物（例えば，２５０μｍ厚）を用いたダイシングにより，前記ｉ層５から
前記低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，前記高キャリヤ濃度ｎ＋
層３，前記バッファ層２，
前記サファイア基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入
れ，
前記切り込みに，最初にＡｌ層８ａを形成し，次にＮｉ層８ｂを形成して前記切
り込みを埋め，次に前記Ｎｉ層８ｂ上にＡｕ層８ｃをして，前記Ａｌ層８ａと前記
Ｎｉ層８ｂと前記Ａｕ層８ｃとからなる第２の電極８を形成し，
前記第２の電極８が形成されて埋められた，前記切り込みが入れられていた部分
において，細い刃物（例えば，１５０μｍ厚）を用いたダイシングにより，前記サ
ファイア基板１を格子状に切断する，
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
イ一致点
「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化
ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
前記ウエハーをチップ状に分離する工程を備えた，
窒化ガリリム系化合物半導体チップの製造方法。」
ウ相違点（以下「相違点１」という。）
「ウエハーをチップ状に分離する工程」について，本件発明１は，「ウエハーの窒
化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッ
チングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成
する工程と，前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位
置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝
を形成する工程と，前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエ
ハーをチップ状に分離する工程」と特定されているのに対して，甲１発明は，該特
定を有しない点。
(3)審決が認定した甲２発明の内容，本件発明１と甲２発明との一致点及び相違
点は，次のとおりである。
ア甲２発明の内容
「サファイア基板１上に，ｎ型層２及びｐ型層３を積層したウエハーから窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子を作製する方法において，
前記ウエハーのｐ型層３側から所望のチップ形状で線状にドライエッチングする
と共に，ｎ型層の上部に電極を形成する面を形成し，
前記ウエハーの前記エッチング部の位置で，
前記エッチング部に沿って，ダイシングソーで前記ウエハーをチップ状にカット
する，
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
イ一致点
「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化
ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から溝を所望のチップ形状で線
状にエッチングにより形成すると共に，該溝の一部に電極が形成できる平面を形成
する工程と，
前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備する窒化ガリリム系化合物半導
体チップの製造方法。」
ウ相違点（以下「相違点２」という。）
本件発明１は，「ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を
所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部
に電極が形成できる平面を形成する工程と，前記ウエハーのサファイア基板側から
第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅
（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と，前記第一の割り溝および前記第
二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備する」と特
定されるのに対して，甲２発明は，該特定を有しない点。
第３原告主張の取消事由
１取消事由１（本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点の認定，判断の誤り）
審決は，以下のとおり，本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点の認定を誤っ
たことにより，新規性及び容易想到性の判断を誤った。
(1)ア審決は，甲１発明において，「ハーフカット」による「切り込み」は，そ
の後金属で埋められて第２の電極８を形成するのであるから，その形状から「溝」
とはいえても，ウエハーを割るために用いられる「割り溝」ではない，とする。
しかし，甲１発明における「ハーフカット」による「切り込み」は「割り溝」に
当たる。甲１文献の図１２(b)によれば，第一の割り溝が形成されていることは明ら
かである。甲１文献の記載（【０００１】，【００１７】，【００３１】ないし【００３
５】）によれば，サファイア基板１上に，ＡlＮから成るバッファ層２，ＧａＮから
成る高キャリヤ濃度ｎ+
層３，ＧａＮから成る低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，ＧａＮか
ら成るｉ層５の多層構造のウエーハから，発光ダイオード１０ｂを製造すること，
ウエーハに対して太い刃物（例えば，２５０μｍ厚）を用いたダイシングによりｉ
層５から低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，高キャリヤ濃度ｎ+
層３，バッファ層２，サファ
イア基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れたこと，
その後，ハーフカットの切り込み部分に電極（Ａｌ層８ａ，Ｎｉ層８ｂ，Ａｕ層８
ｃからなる電極８）が形成されていること，また，細い刃物（例えば，１５０μｍ
厚）を用いたダイシングにより，格子状に第２の電極８が形成されてた切り込みが
入れられている部分において，サファイア基板１を格子状に切断することが記載さ
れている。
このように，甲１発明における「ハーフカット」による「切り込み」が「割り溝」
に当たることは明白であり，審決の上記認定には誤りがある。
イ審決は，甲１発明の「切り込み」を「第一の割り溝」とみたとしても，「切り
込み」には電極が形成済みであり，「第一の割り溝の一部に電極を形成する面」とい
えるものが存在しない，と判断した。
しかし，甲１文献の前記記載によれば，甲１発明には，「第一の割り溝」である
「ハーフカットの切り込み部分」に電極が形成されているのであるから，審決の上
記判断が誤りなのは明白である。また，審決のいう，「第一の割り溝の一部に電極を
形成する面」は，第一の割り溝の一部に電極が形成できれば良いのであるから，第
一の割り溝の全部に電極が形成される場合を含んでいることは明らかである。
ウ審決は，甲１発明において，ダイシングによりサファイア基板１を切断して
ウエハーをチップ状に分離する工程を，スクライブ等で割ることによりウエハーを
チップ状に分離する工程に置き換える積極的な動機は見出せないとする。
しかし，そもそも本件発明１は，「スクライブ等で割る」ことに限定されていない。
したがって，甲１文献の図１３(d)の溝が「第二の割り溝」に該当することは明ら
かであり，また，ダイシングによる切断を「スクライブ等で割る」ことに置き換え
るという審決は，その前提が誤っている。
また，審決は，「金属は展延性があるから，甲１発明の，金属からなる「第２の電
極８」は，サファイア基板と一緒に割っても分離し難いものと認められるから，上
記置き換えを行うことは考えにくい。」とする。
しかし，金属に展延性があることから分離し難いのであれば，図１３(d)の状態か
らも分離し難いこととなってしまうが，甲１発明においては，図１３(d)の状態から，
図１１に示されるチップを作製しているのであるから，金属に展延性があることは
何ら関係がない。
結局，甲１発明においては，「第一の割り溝」も「第二の割り溝」も明確に記載さ
れている。
(2)ア本件発明１と甲１発明との同一性
本件発明１と甲１発明とは，
「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化
ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチッ
プ形状で線状に形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形
成する工程と，
前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一
の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する
工程と，
前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に
分離する工程とを具備する
ことを特徴とする窒化ガリリム系化合物半導体チップの製造方法。」
という点で，明示的に一致し，本件発明１では，第一の割り溝をエッチングにより
形成するのに対し，甲１発明では，第一の割り溝に相当する切れ込みをダイシング
により形成する点で，一応相違する可能性があるといえる。
しかし，甲１文献においては，ダイシングにより形成する切れ込みについては，
第２の電極８のＡl層８ａが形成されている。この点，甲１文献の記載（【００２３】
ないし【００２５】）によれば，他の実施例において，ｎ層４に接続する第２の電極
８のＡl層８ａを形成するための「凹部２１」については，反応性イオンエッチン
グにより形成している。
そうすると，甲１発明において，第２の電極８のＡｌ層８ａが形成される「切り
込み」を，ダイシングにより形成するのではなく，反応性イオンエッチングにより
形成することも，甲１文献に記載されているに等しいといえる。
したがって，上記の相違する可能性がある点については，相違点ではなく，実質
的には甲１文献に記載されている事項である。
よって，本件発明１と甲１発明とは同一である。
イ相違点１に関する容易想到性の判断
また，仮に，上記の相違する可能性がある点が相違点であるとしても，甲１文献
においては，他の実施例として，ｎ層４に接続する第２の電極８のＡl層８ａを形
成するための「凹部２１」を，反応性イオンエッチングにより形成している。そう
すると，甲１発明において，第２の電極８のＡｌ層８ａが形成される「切り込み」
を，ダイシングにより形成するのではなく，反応性イオンエッチングにより形成す
ることは，当業者にとって極めて容易である。
さらに，仮に，本件発明１の「分離」と，甲１発明における「ダイシング」によ
る「切断」とが相違点であるとしても，本件特許出願当時，半導体素子において，
基板側に細い溝を形成してチップを分離するということは周知技術（甲３ないし５）
であるから，甲１発明において，サファイア基板側に細い溝を形成して，チップを
分離することは極めて容易であるといえる。
ウ以上によれば，本件発明１は，甲１文献に記載された発明と同一又は同発明
に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条
１項３号又は同条２項の規定により特許を受けることができず，無効にされるべき
である。相違点１に関する審決の判断は誤りであり，審決は取り消されるべきであ
る。
２取消事由２（甲２発明の認定の誤り，本件発明１と甲２発明の一致点及び相
違点の認定の誤り，相違点２に関する判断の誤り）
(1)甲２発明の認定の誤り
ア甲２文献の記載（段落【００１０】，【００１５】ないし【００２０】，各図）
によれば，甲２文献には，サファイア基板１上にｎ型ＧａＮ層２及びｐ型ＧａＮ層
３を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体素子を作製すること，ウエ
ハーのｐ型層３をドライエッチングすることで，ｐ型層３の一部を取り除き，ｎ型
層２を露出させ，ｎ型層の上部に電極を形成する面を形成すること（このエッチン
グについては線状にエッチングしていることが明らかである。）が明示的に記載され
ている。そして，線状にエッチングした箇所と合致する位置でダイシングソーによ
りカットする工程が記載されており，ダイシングソーでカットする際に形成される
溝の幅は，ｐ型層のエッチングの幅よりも細いことは，図９からも明らかである。
ダイシングソーやスクライバーを用いて素子を切断・分割する際には，ダイシン
グやスクライブによりｐｎ接合領域にダメージが及ぶのを避けるために，ダイシン
グブレードやスクライバーよりも広い幅で，エッチングによる溝を設けるのが技術
常識であり（甲３，４，１０ないし１２，３０，３６ないし３９），そのような溝は
「スクライブライン」と呼ばれている。本件特許出願当時，半導体ウエハーをチッ
プに分割する際にスクライブラインを設けることは技術常識であった（甲３，４，
１０ないし１２）
さらに，ｐ型層のエッチングの幅よりダイシングソーでカットする際の溝の幅が
太いのであれば，ｎ型層２が露出している箇所がなくなるはずであるが，図１及び
図２において，ｐ型層３の周囲にｎ型層２が線状に露出している以上，ダイシング
ソーでカットする際に形成される溝の幅が，ｐ型層のエッチングの幅よりも細いこ
とは明らかである。甲２文献の図９における凹部の中心付近で分割されない限り，
図１及び図２に示されるようにｐ型層３の周囲が線状に露出されることはないから，
凹部の中心付近で分割されると理解するのが自然である。
以上によれば，甲２文献には，本件発明１との対比の観点からは，次の構成から
なる窒化ガリウム系化合物半導体を具備する半導体発光素子の製造方法（甲２発明）
が開示されていることが明らかである。
「サファイア基板１上にｎ型層２及びｐ型層３を積層したウエハーから窒化ガリ
ウム系化合物半導体素子を作製する方法において，
前記ウエハーのｐ型層３側から所望のチップ形状で線状にドライエッチングする
と共に，ｎ型層の上部に電極を形成する面を形成し，
前記ウエハーの前記エッチング部の線と合致する位置で，エッチング部の線幅よ
りも細い線幅で，
前記エッチング部に沿って，ダイシングソーで前記ウエハーをチップ状にカット
する
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。」
イ審決は，「図９に示された発光素子の，エッチングにより形成された，ｐ型
層３からｎ型層２に至る凹部の幅と，ダイシングの幅の大小関係は不明である。」な
どと認定した上で，前記第２，３(3)アのとおり，甲２発明を認定した。
しかし，甲２文献の図９及び段落【００２０】のみならず，図１及び図２並びに
段落【００１０】の記載並びに当時の技術常識からすれば，図９に示された発光素
子の，エッチングにより形成されたｐ型層３からｎ型層２に至る凹部の幅と，ダイ
シング幅の大小関係は明らかであって，凹部の幅よりもダイシング幅が狭いことは
明らかであるし，また，ダイシングの位置が，ウエハーのエッチング部の線と合致
する位置にあることも明らかである。
したがって，甲２発明は，上記アのとおり認定されるべきであり，これと異なる
認定をした審決には誤りがある。
(2)本件発明１と甲２発明の一致点及び相違点
本件発明１と甲２発明とは，
「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化
ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチッ
プ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形
成できる平面を形成する工程と，
第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線
幅（Ｗ２）で，
前記第一の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備す
る
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。」
という点で，明示的に一致し，本件発明１では，第二の割り溝をウエハーのサファ
イア基板側から形成する工程を具備するのに対し，甲２発明では，かかる工程があ
るか不明である点で相違する。
審決の甲２発明の認定に誤りがあることから，本件発明１と甲２発明の一致点及
び相違点の認定にも誤りがあることは明らかである。
(3)本件発明１と甲２発明の相違点２に関する容易想到性の判断
ア本件特許の出願当時，半導体チップの分割方法としては，ダイシング（フル
カット）をして切断するか，ダイシング（ハーフカット）をしてその後チップに割
るか，スクライビングしてチップを割るかのいずれかが一般的であった。
したがって，甲２文献で開示されたＧａＮ系半導体ウエハーを，エッチング部分
で，ダイシング（フルカット）することも，半導体層側又は基板側から，ダイシン
グ（ハーフカット）又はスクライビングすることも，一般的な分割方法に過ぎない。
甲２文献で開示されたウエハーについて，基板側からダイシング（ハーフカット）
又はスクライビングすれば，本件発明１そのものに該当するのである。
したがって，本件発明は，甲２発明から容易に想到できるものである。
また，本件特許出願時において，基板上に半導体を形成したウエハーについて，
ウエハー側から幅広の溝を形成し，基板側から細い幅の切れ込みを形成して，チッ
プをカットすることは，周知慣用技術であった（甲３，４，１０ないし１２，３６）。
そして，窒化ガリウム系化合物半導体発光素子においても，特開平５－１６６９
２３号公報（甲５。以下「甲５文献」という。）の請求項１に「サファイア基板上に
一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表されるＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）系化合
物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において，前記サファイ
ア基板の厚さを１００～２５０μｍとし，さらに，前記ウエハーの基板側，もしく
は窒化ガリウム系化合物半導体層側，またはその両側をスクライブして切断するこ
とを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。」と記載されてい
るとおり，ウエハーの基板側からスクライブすることは行われていたのである。
そうすると，エッチング部に沿ってウエハーをチップ状にカットする工程を有す
る甲２発明において，ウエハーの半導体層側に形成された溝に一致させるように，
基板側に細い溝を形成してチップを分離するという周知技術（甲１，３，４）を適
用し，サファイア基板側に溝（例えば，甲５文献の請求項１に記載されている基板
側をスクライブすること）を形成して，チップを分離することは極めて容易である
といえる。
以上より，本件発明１は，甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることが
できたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができず，
特許法１２３条１項２号の規定により無効にされるべきである。
イ審決は，甲２発明における「ダイシング」を２つの割り溝を用いる分離に置
き換えることには阻害要因があるなどとして，甲２発明から本件発明を想到するこ
とは容易ではないと判断した。
しかし，本件特許の出願当時，研磨により基板を薄くしたうえでスクライブする
ということは，窒化ガリウム系化合物半導体はもとより，半導体素子一般で技術常
識であった。したがって，甲２発明におけるサファイア基板１の厚みが厚いのであ
れば，研磨により基板を薄くするということが当業者には当然の技術事項であるか
ら，甲２文献にサファイア基板１の厚みの記載がないとしても，①「スクライブ溝
を形成して割ることはできない」などということもできないし，また，②「割れた
としても，サファイア基板１の厚さ方向に対して斜めに割れた際に，ｎ型層２及び
ｐ型層３を積層した部分に割れ面が達して該部分を損傷するおそれがある」などと
もいえないことは明らかである。
ウ被告は，甲２発明と甲５文献の記載事項を組み合わせても，スクライブ幅が，
甲２文献に記載されたエッチング溝より狭くなることはないと主張する。その根拠
として，スクライバーによってチップ化する場合，エッチング溝は，電気分離用の
溝でしかなく，電気分離用の溝の幅は数μｍもあれば足りるという。
しかし，電気分離用の溝の幅が数μｍで良いという根拠がないうえに，本件特許
出願当時，スクライブライン（エッチング部分）は，分割時のダメージが及ばない
ようにある程度の幅を持たせることや，加工上のゆとりを持たせることも当然の技
術常識であった（甲１０ないし１３）以上，スクライブ幅の方がエッチング溝（ス
クライブライン）幅よりも狭いことは明らかである。
したがって，甲５文献の段落【００１１】の記載に接すれば，当業者であれば，
当然，サファイア基板側からスクライブするのである。
本件発明は，甲２発明から容易に想到できるものであることは明らかであり，被
告の上記主張は理由がない。
３取消事由３（本件補正が新規事項の追加に該当しないとした判断の誤り）
(1)本件当初明細書には，「第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチン
グにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する
工程」は記載されていなかった。しかも，本件当初明細書の段落【００１６】には，
図４について，「ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして，第
一の割り溝１１を形成し，さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状として
おり，この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができる。」と記載されてい
るように，線状の第一の割り溝とは別に，ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形
状とすることが記載されている。
このように，本件当初明細書（甲３３）には，「第一の割り溝を所望のチップ形状
で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成でき
る平面を形成する工程」は記載されていなかったのであり，しかも，本件当初明細
書の記載から，「第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成す
ると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程」が自明で
あったともいえない。
よって，「第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると
共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程」にした本件補
正は，新規事項を追加するものに他ならず，特許法１７条の２第３項に反する。本
件特許の請求項１に記載されている事項は，本件補正により新たに加えられた新規
事項であるため，本件特許の出願は，特許法１７条の２第３項に規定する要件を満
たしていないものであり，特許法１２３条１項１号の規定により無効である。
(2)ア審決は，本件当初明細書の「【００１２】で言及されている図４を見ると」
とし，段落【００１２】の記載が図４の説明であることを前提に判断している。
しかし，本件当初明細書の段落【００１２】では，図４を具体的には引用して説
明していない。具体的に説明しているのは図１についてである。そのため，本件当
初明細書の段落【００１２】を根拠としている審決は不当である。
イ審決は，「第１の割り溝１１に対応する線状部分と，電極が形成できる平面
に対応する半弧状部分がつながった形状の開口を有する１つのマスクを用意すれ
ば，」とする。
しかし，本件当初明細書には，「第１の割り溝１１に対応する線状部分と，電極
が形成できる平面に対応する半弧状部分がつながった形状の開口を有する１つの
マスクを用意す（る）」ことは一切記載されていない。また，本件特許出願当時，
そのような技術常識があったとはいえないので，上記のような事項が本件当初明細
書の記載から自明であったともいえない（甲１４ないし１７）
ウ審決は，「第一の割り溝を線状に形成」（当初明細書段落【００１２】）」の「線
状」との用語は，「第一の割り溝」の形状が，一定幅で一方向に延びる完全な「線」
（矩形）の形状であることを指すのではなく，概ね線形の「溝」といえる形状であ
って，「線」以外の形状の部分，例えば「半弧状部分」を含む形状であってもよいこ
とを指すと解することもできる。」とする。
しかし，その根拠は一切示されていない。また，本件当初明細書の段落【００１
６】，【００１７】等の記載からすれば，「第一の割り溝１１」の線幅がＷ１であると
認められ，第一の割り溝１１に，その外にある「半弧状部分を含む」などと解する
余地は無い。そして，「第一の割り溝」が，チップ形状を決定する以上，「第一の割
り溝」は，「半弧状部分」を含まない形状であって，線以外の部分を含まないことは
明らかである。
エ以上のとおり，本件補正が新規事項の追加に該当しないとした審決の判断に
は誤りがあるから，取り消されるべきである。
第４被告の主張
１取消事由１（本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点の認定，判断の誤り）
について
(1)本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点について
ア原告は，甲１発明と本件発明１とに相違点があるとしても，第一の割り溝の
形成の仕方が「エッチング」か「ダイシング」かの違いだけである，また，原告は，
「エッチング」と「ダイシング」の違いについても，甲１文献には第一の割り溝に
相当する切り込みを反応性イオンエッチングによって形成することが記載されてい
るから，甲１発明において，第２の電極８のＡｌ層８aが形成される「切り込み」を，
ダイシングにより形成するのではなく，反応性イオンエッチングにより形成するこ
とも，甲１文献に記載されているに等しいと主張する。
しかし，①甲１発明においてダイシングによるハーフカットで形成している溝は，
あくまでも電極形成用であって，ウエハーを割るための溝でないから，本件発明１
の「第一の割り溝を・・形成する」に該当するものではないし，②甲１文献ではダ
イシングで形成した溝の「側面」に露出した半導体層２～５に接するように溝の「全
部」に電極を形成しているから，本件発明１の「第一の割り溝の一部に電極が形成
できる平面を形成する」ものでもない。さらに，③原告が，甲１文献に反応性イオ
ンエッチングによる形成が開示されていると指摘したのは，ダイサーによる「切り
込み」とは目的も深さも全く異なる「凹部」に関するものであり，「切り込み」とは
何の関係もないから，本件発明１の「第一の割り溝を・・エッチングにより形成す
る」ことも実質的に開示されていない。
イ原告は，甲１文献には，「前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝
の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有
する第二の割り溝を形成する工程と，前記第一の割り溝および第二の割り溝に沿っ
て，前記ウエハーをチップ状に分離する工程」が記載されているから，この点は，
本件発明１と甲１発明との一致点であり，仮に，本件発明１の「分離」とダイシン
グによる「切断」が異なるとしても極めて容易に想到し得る相違点に過ぎない旨主
張する。
しかし，そもそも甲１文献にはサファイア基板側から第二の割り溝を形成するこ
とが一切記載されていないから，上記の全体が相違点であることは明らかである。
したがって，甲１文献には，原告が主張する本件発明１の内容が開示されていな
いことは明らかであり，これに基づく審決の相違点の認定に誤りはない。
ウ原告は，甲１発明の「切り込み」が本件発明１の「第一の割り溝」に当たる
と主張する。しかし，原告は，甲１文献の「切り込み」の全面に展延性のある金属
が形成されているにも関わらず，そのような「切り込み」が割って分離するための
「割り溝」に当たるといえる根拠をまったく説明していないから，その主張には明
らかに理由がない。
(2)相違点１に関する判断について
ア甲１文献には，本件発明１のように，エッチングで電極形成用の平面と同時
に形成した第一の割り溝と，基板裏面に形成した第二の割り溝とに沿ってチップを
分離することは記載も示唆もされていない。
また，特開昭６２－１０５４４６号公報（以下「甲３文献」という。），特開昭５
３－１１５１９１号公報（以下「甲４文献」という。），甲５文献も，ダイサーまた
はスクライバーを使った通常のチップ化技術を開示するにすぎず，甲１発明と本件
発明１との相違点を開示するものではない。
また，甲１発明のダイシングによるチップ分離を，スクライブを用いたチップ分
離（甲３ないし５）に置き換えることには明らかな阻害要因がある。甲１発明のよ
うにダイサーを用いれば，Ａｌなどの金属である電極とサファイア基板の両方を同
時に切断することができるが，同じことをスクライバーで行うのは不可能である（甲
１，段落【００３３】，【００３４】）。サファイア基板は，無機結晶であるためスク
ライバーでキズをつけた後に「割る」ことができるが，Ａｌなどの金属は展延性が
あるため「割る」ことができない。
したがって，ダイサーとスクライバーの違いを知る当業者にとって，甲１発明に
おける幅１５０μｍのダイシングブレードによる「切断」を，スクライバーによる
チップ分離（甲３ないし５）に置換すると，Ａｌ等からなる電極８の切断ができな
いことが明らかであり，そのような置き換えには阻害要因がある。
したがって，本件発明１と甲１発明には審決が認定したとおりの相違点があるか
ら同一のものではなく，その相違点は甲１発明や周知技術（甲３ないし５）に基づ
いて当業者が容易に想到し得たものではないから，審決の判断に誤りはない。
イ原告は，本件発明１がスクライブで割ることに限定されておらず，ダイサー
で第二の割り溝を形成して割る場合も含まれるから，審決の判断は前提を誤ってい
る旨主張する。しかし，審決は，ダイシングによって電極と一緒に「切断」する工
程から，「割る」ことにより分離する工程に置き換える動機がないと認定したのであ
り，「ダイシング」を「スクライブ」に置き換える動機がないなどとは認定していな
い。
また，原告は，甲１文献の図１３（ｄ）の状態から図１１に示されるチップを作
製しているのであるから，金属に展延性があることは関係ない旨主張する。しかし，
甲１文献の段落【００３５】の記載や図１１を参照すれば，実際はダイシングによ
って電極８も同時に切断されていることが明らかである。
したがって，甲１文献に接した当業者は，甲１文献の図１３（ｄ）に模式的に示
されたウエハーをチップ分離する際には，切り込み部に形成された電極８ａ～８ｃ
とサファイア基板１の両方をダイサーで切断することが明らかである。
(3)以上によれば，原告の主張する取消事由１は理由がない。
２取消事由２（甲２発明の認定の誤り，本件発明1と甲２発明の一致点及び相
違点の認定の誤り，相違点２に関する判断の誤り）について
(1)甲２発明の認定
ア原告は，甲２文献の図１及び図２において，ｐ型層の周囲にｎ型層が線状に
露出している以上，ダイシングソーでカットされる際に形成される溝の線幅が，ｐ
型層のエッチングの幅よりも細いことは明らかであると主張する。
しかし，甲２文献の図１及び図２は，甲２発明にかかる素子の構造を示すものに
すぎず，それを越えてチップ化工程について教示するものではない。
したがって，甲２文献の図１及び図２において，ｐ型層の周囲にｎ型層が線状に
露出しているからといって，ダイシングソーでカットされる際の溝の線幅がｐ型層
のエッチングの幅よりも狭いとはいえない。
イ原告は，ダイシングソーやスクライバーを用いて素子を切断・分割する際に
は，ダイシングやスクライブによりｐｎ接合領域にダメージが及ぶのを避けるため
に，ダイシングブレードやスクライバーよりも広い幅で，本件発明の「第一の割り
溝」に相当する溝，すなわちエッチングによる溝を設けるのが「技術常識」であり，
そのような溝は「スクライブライン」と呼ばれている（甲３０）と主張する。
しかし，原告が主張するような「技術常識」を認めるに足りる証拠はない。ダメ
ージ防止用の「溝」を形成する場合にも，ｐ型層だけを除去する深さではなく，素
子部分全体を除去できる深さとするのが通常であるから，甲２文献の図１及び図２
においてチップ外周部のｐ型層のみがエッチングで除去されている場合に，それが
ダイシングによるダメージ防止用の「溝」（＝スクライブライン）と解する他はない，
などとは到底いえない。
ウ原告は，甲２文献の図９における凹部の中心付近で分割されない限り，図１
及び図２に示されるようにｐ型層３の周囲が線状に露出されることがないとして，
凹部の中心付近で分割されるものと理解するのが当然である旨主張し，さらに，図
９の状態から「ダイシングソーでカット」するにあたっては，当業者であれば，ダ
イシングソーの幅は，図９で設けられている，エッチングにより除去された凹部よ
りも狭いと理解するのが当然である旨主張する。
しかし，図９は，甲２文献が開示する発明の理解に必要でない細部を省略した概
略的な模式図である。甲２文献の図１，２及び９といった模式図を根拠に，原告が
主張するようなダイシング工程の詳細を読み取ることはできない。このため，審決
は，前記のとおり，本件発明１と甲２発明の相違点を認定したのであり，その認定
に誤りはない。
(2)相違点２に関する容易想到性の判断について
ア周知技術に基づく容易想到性について
原告の提出する文献は，いずれもサファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導
体を積層したウエハーのチップ化に関するものではなく，従来のＧａＡｓ系やＧａ
Ｐ系ウエハーのチップ化に関するものか（甲３，４），材料を特定しない一般的な半
導体ウエハーのチップ分離方法に関するものである（甲１０ないし１２）。このよう
なチップ分離技術を，サファイア基板という特殊な材料を用いた窒化ガリウム系化
合物半導体チップにかかる甲２発明に適用する動機付けがない。
また，原告が提出する文献のいずれにも，基板上に半導体を形成したウエハーに
ついて，ウエハー側から幅広の溝を形成し，基板側から細い幅の切れ込みを形成し
て，チップをカットするという周知技術は示されていない。
甲３文献及び甲４文献は，エッチングによって半導体層側に形成した第一の割り
溝の線幅Ｗ１よりも基板裏面に形成した第二の割り溝の線幅Ｗ２を細くすることを
教示するものでもない。この点，甲３文献及び甲４文献の図面には，半導体層側か
らのダイサーで形成した割り溝の線幅が，基板側からスクライバーで形成した割り
溝の線幅よりも太いことが示されているが，これはダイサーの刃幅が通常は２０～
３０μｍあり，スクライバーによる割り溝の線幅（一般に５～１５μｍ（乙７））よ
りも太いことによる必然的な結果を図に示したにすぎず，幅を任意に制御できるエ
ッチングによって割り溝を形成する場合に，その幅をどのように設定するかを何ら
教示するものではない。したがって，エッチングによる溝幅をスクライブレーンよ
りも広く設定するには，そのための積極的な動機が必要となるが，そのような動機
はない。
さらに，甲２発明と甲３文献，甲４文献，特開昭６１－６１４３６号公報（甲３
６。以下「甲３６文献」という。）の組合せを検討したとしても，本件発明１の相違
点２に係る構成は得られない。すなわち，甲３文献及び甲４文献から，スクライバ
ー等が基板裏面から当たる場合に，それよりも広い線幅の割り溝を表面に形成して
おくとの教示が得られない。また，甲３６文献については，審判で提出されなかっ
た証拠であるので本件訴訟において新たに組合せ引例として考慮することは許され
ないから，甲３６文献に基づく主張には理由がない。なお，甲３６文献にはスクラ
イバー等が基板裏面から当たる場合に，それよりも広い線幅の割り溝を表面に形成
しておくことは教示されていない。甲３６文献の記載からは，ウエハー表面の第一
の割り溝の幅を，ウエハー裏面の第二の割り溝の幅よりも広くすべきとの教示は得
られない。
イ甲５文献に基づく容易想到性について
甲２文献には，ウエハーをダイシングしたという以外にチップ化の方法が記載さ
れていないところ，仮に，甲２文献に記載された「ダイシング」を甲５文献に記載
された「スクライブ」に変更するとしても，本件発明１との相違点２は導かれない。
すなわち，甲５文献には，スクライブによって割り溝を形成することが開示される
のみであり，半導体層側からエッチングで割り溝を形成することは記載も示唆もさ
れていないから，甲２発明に甲５文献を組み合わせたとしても，半導体層側から「第
一の割り溝を・・エッチングにより形成する」ことは導かれない。
また，甲５文献は，エッチングによって半導体層側に形成した第一の割り溝の線
幅Ｗ１よりも基板裏面に形成した第二の割り溝の線幅Ｗ２を細くすることを教示す
るものでもない。
したがって，甲２発明と甲５文献に記載された事項の組合せに基づいて，本件発
明１の「第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り
溝」を備えた製造方法を導くためには，エッチングによる溝（第一の割り溝）の線
幅を，基板側に形成されたスクライブレーン（第二の割り溝）の線幅よりも広くす
る積極的な動機が必要となる。しかし，甲２発明においてエッチング溝を形成する
のは電気分離のためであるところ，一般にスクライブレーンの線幅が５～１５μｍ
であるのに対して（乙７），電気分離の目的にはエッチング溝の線幅がせいぜい数μ
ｍもあれば十分であるから，エッチングの溝幅をスクライブレーンよりも広くする
理由はない（甲２，段落【００１０】）。よって，甲２発明と甲５文献に記載された
事項の組合せに基づいて｢第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有
する第二の割り溝｣との構成を想到することは容易でない。
(3)原告の主張について
原告は，①本件特許の出願当時，研磨により基板を薄くしたうえでスクライブす
るということは，窒化ガリウム化合物半導体はもとより，半導体素子一般で技術常
識であったこと（甲５，７，８），②本件発明１においては，サファイア基板の厚み
を規定していないことを理由に，甲２発明における「ダイシング」を二つの割り溝
を用いる分離に置き換えることについて阻害要因があるとの審決の判断には誤りが
ある旨主張する。
しかし，サファイア基板は結晶の性質上，スクライバーで切断することが不可能
であるというのが当時の当業者の一般的な理解であったから，サファイア基板を用
いた甲２発明において「ダイシング」を２つの割り溝を用いる分離，すなわちスク
ライバーを用いた分離に置き換えることに阻害要因があるとした審決の認定は妥当
である。また，審決は，スクライバーに関する甲５発明と甲２発明の組合せについ
て検討した上で，本件発明１の構成が容易に想到し得たとはいい難いと判断したの
であるから，甲２発明においてダイシングに代えてスクライブをすることに阻害要
因があるとした審決の認定は審決の結論に影響を与えるものではない。
(4)以上によれば，原告の主張する取消事由２は理由がない。
３取消事由３（本件補正が新規事項の追加に該当しないとした判断の誤り）に
ついて
(1)原告は，新規事項追加の有無の判断において審決が本件当初明細書の段落
【００１２】を根拠として挙げた点について，段落【００１２】は図１を説明する
もので，図４を説明していないから審決は不当である旨主張する。
しかし，審決は，図４を説明するものとして段落【００１２】を引用したのでは
なく，段落【００１２】及び【００１９】を引用したのであり，これらはマスクを
使ったｐ型層のエッチングにより電極形成平面を形成するという手法を説明するも
のである。
したがって，審決が図４を説明するものとして段落【００１２】を引用したとい
う原告の理解は完全に誤っているから，原告の上記主張は失当である。
原告は，審決が「１つのマスクを用意すれば」とした点について，本件当初明細
書には「１つのマスクを用意する」ことは記載されていないなどと主張する。
しかし，審決が「１つのマスクを用意すれば」としたのは，本件当初明細書にそ
のような記載があると認定したものではなく，本件当初明細書の段落【００１２】
及び【００１９】に記載されているとおり，マスクを使用したｐ型層のエッチング
によって第一の割り溝と電極形成平面を形成するならば，当業者であれば，図４に
示された線状部と半弧状部の形状からして「１つのマスクを用意」して製造するの
が合理的と考える，ということを説明しているにすぎない。
したがって，「１つのマスクを用意」する旨の審決の認定は妥当である。
原告は，審決が「線状の第一の割溝」が「半弧状部分」を含む形状であってもよ
いと解することができるとした点が誤りである旨主張する。
しかし，半弧状部分を第一の割り溝に含めたとしても，図４に示された第一の割
り溝の大部分は線形状を保っており，その場合に線形状の部分の幅Ｗ１を第一の割
り溝の「線幅」と称することは極めて自然である。請求項１に「チップ形状で線状
にエッチング」と記載されている以上，第一の割り溝に半弧状部分が含まれるとし
ても，それ以外の線状部分に着目して，その線状部分に沿ったチップ形状を想定す
るのが自然である。
したがって，原告の上記主張は理由がない。
なお，審決は，「・・『第一の割溝』が・・『半弧状部分』を含む形状であってもよ
いと解することもできる」と判断した。
しかし，仮に本件当初明細書に記載された「第一の割り溝」が「半弧状部分」を
含まないと解釈しても，「第一の割り溝の一部に・・平面を形成する」との文言は，
必ずしも「第一の割り溝」の内側の一部に平面を形成することを指すとは限らず，
第一の割り溝の外周の一部に連続して平面を形成することを指すとも読めるから，
本件補正で追加した「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」と
の文言は新規事項追加とはならない。
(2)以上によれば，本件補正が新規事項の追加に該当しないとした審決の判断に
誤りはなく，原告の主張する取消事由３は理由がない。
第５当裁判所の判断
当裁判所は，原告の主張する取消事由はいずれも理由がなく，審決に取り消され
るべき違法はないと判断する。その理由は次のとおりである。
１本件発明１の内容
本件明細書の記載によれば，本件発明１の内容は次のとおりである。
本件発明１は，窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法に係り，特に，サ
ファイア基板上に一般式ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ＜１，０≦Ｙ＜１）で表
される窒化ガリウム系化合物半導体が積層された窒化ガリウム系化合物半導体ウエ
ハーをチップ状に切断する方法に関する（【０００１】）。
従来，半導体材料が積層されたウエハーから，発光デバイス用のチップに切り出
す装置には一般にダイサー，またはスクライバーが使用されているが（【０００３】），
一般に窒化ガリウム系化合物半導体はサファイア基板の上に積層されるため，その
ウエハーは六方晶系というサファイア結晶の性質上へき開性を有しておらず，スク
ライバーで切断することは困難であった。一方，ダイサーで切断する場合において
も，窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーは，前記したようにサファイアの上に窒
化ガリウム系化合物半導体を積層したいわゆるヘテロエピタキシャル構造であり格
子定数不整が大きく，また熱膨張率も異なるため，窒化ガリウム系化合物半導体が
サファイア基板から剥がれやすいという問題があった。さらにサファイア，窒化ガ
リウム系化合物半導体両方ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質であるため，
切断面にクラック，チッピングが発生しやすくなり正確に切断することができなか
った（【０００５】）。
本件発明１はこのような事情を鑑みてなされたもので，その目的とするところは，
サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状に分離す
るに際し，切断面のクラック，チッピングの発生を防止し，歩留良く，所望の形状，
サイズを得るチップの製造方法を提供することにある（【０００６】）。
本件発明１は，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエ
ハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，前記ウエハ
ーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状
にエッチングにより形成する（【０００８】，【００１９】）と共に，第一の割り溝の
一部に電極が形成できる平面を形成する（【００１６】）工程と，前記ウエハーのサ
ファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ
１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程（【０００９】，
【００１３】，【００１４】，【００２１】）と，前記第一の割り溝および前記第二の割
り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程（【００２２】）とを具備す
ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法である。
本件発明１では，第一の割り溝１１の線幅Ｗ１を，第二の割り溝２２の線幅Ｗ２
よりも広くしているので，仮に切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合で
も，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることがなく，一枚のウエ
ハーから多数のチップを得ることができる（【００１７】）。そのため，小さなチップ
状に切断するのが極めて難しい窒化物半導体ウエハーを，極めて高い歩留で正確に
切断することができ，生産性が向上し（【００２７】），上記の目的が達成される。
２取消事由３（本件補正が新規事項の追加に該当しないとした判断の誤り）に
ついて
本件事案の内容に鑑み，まず取消事由３から判断する。
(1)審決が，本件補正は本件当初明細書に記載された事項の範囲内のものであっ
て，特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていると判断したのに対し，
原告は，本件補正により，請求項１ないし４に記載された発明に，「前記ウエハーの
窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエ
ッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形
成する工程と，」という構成が追加されたところ，本件当初明細書には，上記構成は
記載されていなかったとして，本件特許の請求項１ないし４に記載されている事項
は，本件補正により新たに加えられた新規事項であるため，本件特許は，特許法１
７条の２第３項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してなさ
れたものであり，同法１２３条１項１号に該当するから無効とすべきである旨主張
する。
原告の上記主張は，上記追加事項を含む本件補正が本件当初明細書に記載した事
項の範囲内においてする補正ではなく，補正の規定の要件を満たさないとの主張で
あると解される。
もっとも，本件特許の出願日は，平成５年１１月６日であるから，本件補正につ
いては，平成５年法律第２６号附則２条２項によりなお従前の例とされる同法によ
る改正前の特許法（以下「旧法」という。）５３条１項の「願書に添付した明細書又
は図面について出願公告をすべき旨の決定の謄本の送達前にした補正がこれらの要
旨を変更するものであるときは，審査官は，決定をもってその補正を却下しなけれ
ばならない。」との規定が適用される。そして旧法４１条は，「出願公告をすべき旨
の決定の謄本の送達前に，願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の
範囲内において特許請求の範囲を増加し減少し又は変更する補正は，明細書の要旨
を変更しないものとみなす。」と規定しており，特許請求の範囲の補正が要旨を変更
するものとなるかどうかについては，その補正が「願書に最初に添付した明細書又
は図面に記載した事項の範囲内において」する補正ということができるかによって
判断されることになる。
そこで，まず，本件補正により，本件特許の請求項１及び請求項１を引用する請
求項２ないし４に「前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割
り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝
の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，」という記載が追加されたことが，
本件当初明細書に記載した事項の範囲内においてするものと認められるか否かにつ
いて検討する。
(2)本件当初明細書の記載
本件当初明細書（甲３３）には，「第一の割り溝」の形成に関して，以下の記載が
ある（図面は，別紙本件当初明細書図面目録参照）。
「【０００８】本発明の製造方法において，第一の割り溝を形成するには，最も好
ましくはウエットエッチング，ドライエッチング等のエッチングを用いる。・・・但
し，エッチングを行う前に，窒化物半導体表面に，所望のチップ形状となるように，
所定の形状のマスクを形成することは言うまでもない。・・・」
「【００１２】・・・図１はサファイア基板１の上にｎ型窒化物半導体層２（ｎ型
層）と，ｐ型窒化物半導体層３（ｐ型層）とを積層したウエハーの模式断面図であ
る。それらの窒化物半導体層側には所定のチップ形状になるように，第一の割り溝
１１を線状に形成しており・・・。但し，この図では，第一の割り溝はｐ型層３を
エッチングして，ｎ型層２を露出するように形成しており・・・。・・・」
「【００１６】図４は，図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図で
あり，第一の割り溝１１の形状を示していると同時に，チップ形状も示している。
この図では，ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして，第一
の割り溝１１を形成し，さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としてお
り，この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができる。」
「【００１８】【実施例】［実施例１］厚さ４００μｍ，大きさ２インチφのサファ
イア基板の上に順にｎ型ＧａＮ層を５μｍと，ｐ型ＧａＮ層とを１μｍ積層したウ
エハーを用意する。」
「【００１９】次にこのｐ型ＧａＮ層の上に，フォトリソグラフィー技術によりＳ
ｉＯ２よりなるマスクをかけた後，エッチングを行い，図４に示す形状で第一の割
り溝を形成する。但し，第一の割り溝の深さはおよそ２μｍとし，線幅（Ｗ１）８
０μｍ，３５０μｍピッチとする。この第一の割り溝の線幅，ピッチを図４に示し
ている。」
「【００２７】
【発明の効果】・・・また図１に示すように第一の割り溝を形成すれば，第一の割
り溝の表面に電極を形成することもできる。」
(3)上記(2)によれば，本件当初明細書には，第一の割り溝をエッチングにより
形成する際に，所定の形状のマスクを形成すること（段落【０００８】，【００１８】，
【００１９】），図４は図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であ
り，図１及び図４では，第一の割り溝は，ｐ型層３をエッチングして，ｎ型層２を
露出するように形成されていること（段落【００１２】，【００１８】，【００１９】），
さらに，図４では，ｐ型層３の隅部は半弧状に切り欠いた形状となっており，この
切り欠いた部分にｎ層の電極を形成できること（段落【００１６】）が記載されてい
る。上記の切り欠いた部分はｎ層の電極を形成するためのものであるから，ｎ型層
２が露出していることも技術的に明らかであるといえるものの，本件当初明細書に
は，第一の割り溝と切り欠いた部分を同時に形成するのか否かについては，明示的
には記載されていないことが認められる。
しかし，当業者であれば，半導体素子の形成に際して，工程数を削減することは
当然に考慮すべき事項であるところ，第一の割り溝と切り欠いた部分はともにエッ
チングによりｐ型層３を除去してｎ型層２を露出させることにより形成されるもの
であるから，同時に形成することが可能であり，本件当初明細書の記載に照らして
も，ｐ型層３表面を基準とした両者の深さを異なるものにする必要性，すなわち，
両者を別工程で形成する必要性があるとは認められない。
そして，本件当初明細書の「図１に示すように第一の割り溝を形成すれば，第一
の割り溝の表面に電極を形成することもできる」（【００２７】）との記載も併せ考慮
すれば，本件当初明細書には，ｐ型層３のエッチングにより第一の割り溝を形成す
る際に，ｐ型層３上に形成するマスクの形状を矩形の隅部が半弧状に切り欠いた形
状として，第一の割り溝と切り欠いた部分を同時に形成することも当業者にとって
自明な事項であり記載されているに等しいものと認められる。
なお，本件当初明細書には「図４・・・では，ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成
できる線幅でエッチングして，第一の割り溝１１を形成し，さらにｐ型層３の隅部
を半弧状に切り欠いた形状としており，」（【００１６】）との記載があり，「さらに」
という文言から，第一の割り溝を形成した後に切り欠いた部分を形成するという解
釈の余地もないわけではない。しかし，本件当初明細書の前記記載に照らせば，上
記の「さらに」は，経時的な順序を意味するのではないと解されるから，上記「さ
らに」との記載があることは，第一の割り溝と切り欠いた部分を同時に形成するこ
とが自明な事項であるとの認定判断を左右するものではないといえる。
したがって，本件特許の請求項１及び請求項１を引用する請求項２ないし４に「前
記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形
状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成で
きる平面を形成する工程と，」という記載を追加する本件補正は，願書に最初に添付
した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものと認められる。
なお，審決は，本件補正が本件当初明細書に記載した事項の範囲内のものである
としたものの，これが旧法５３条１項及び同法４１条ではなく，現行特許法１７条
の２第３項の規定する要件を満たすとの判断をしていると解され，法令の適用を誤
ったものといわざるを得ない。
しかし，同項は，「第一項の規定により明細書，特許請求の範囲又は図面について
補正するときは，・・・願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面・・・
に記載した事項の範囲内においてしなければならない。」と規定するところ，出願当
初の明細書，特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより，補正
が当業者によって，導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導
入しないものであるときは，当該補正は，明細書等に記載した事項の範囲内におい
てするものということができ，補正事項が明細書等に明示的に記載されている場合
や，その記載から自明である事項である場合には，そのような補正は，特段の事情
のない限り，新たな技術的事項を導入しないものであると認められ，明細書等に記
載された範囲内においてするものであるということができると解される。
これに対し，旧法４１条における明細書等に記載した事項の範囲内についても，
同記載の範囲及び出願時において当業者が当初明細書の記載からみて自明な事項を
含むものと解されるから，現行特許法１７条の２第３項の解釈ともこの点において
実質的に異なるものではないということができる。
そして，本件補正が本件当初明細書に記載した事項の範囲内においてするものと
認められることは前記認定のとおりである。
以上によれば，審決は，法令の適用を誤ったものの，旧法を適用したとしても判
断内容自体には誤りはないから，本件補正が補正の規定の要件を満たすとの結論に
おいても誤りはないといえる。
したがって，審決は，その結論に影響を及ぼす違法があるとまではいえないから，
これを取り消すべきものということはできない。
(4)原告の主張について
ア原告は，審決が本件当初明細書（甲３３）の【００１２】の記載が図４の説
明であることを前提に判断をしたことに対し，本件当初明細書の段落【００１２】
で，具体的に説明しているのは，図１についてであって図４については説明してい
ないから，上記段落【００１２】の記載を根拠とする審決は不当である旨主張する。
確かに，本件当初明細書の段落【００１２】の記載は，図１に関するものである
と認められる。しかし，一方で，前記のとおり，本件当初明細書の段落【００１６】
には，図４が，図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であること
が記載されていることから，図１及び図４は，同一のウエハーに対する図面である
と理解することができる。そうすると，上記段落【００１２】の記載が図１を対象
にしたものであるとしても，その記載事項は，図４についても妥当するといえる。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
イ原告は，本件当初明細書には，「第１の割り溝１１に対応する線状部分と，電
極が形成できる平面に対応する半弧状部分がつながった形状の開口を有する１つの
マスクを用意す（る）」ことは一切記載されていない，また，上記のマスクを用意す
ることが合理的であることを裏付ける証拠は一切ない旨主張する。
確かに，前記のとおり，本件当初明細書には，第一の割り溝と切り欠いた部分を
同時に形成するのか否かについては明記されていない。
しかし，前記のとおり，本件当初明細書には，ｐ型層３のエッチングにより第一
の割り溝を形成する際に，ｐ型層３上に形成するマスクの形状を矩形の隅部が半弧
状に切り欠いた形状として，第一の割り溝と切り欠いた部分を同時に形成している
ことも記載されているものと認められる。また，審決は，本件当初明細書に「一つ
のマスクを用意す」るとの記載があると認定したものではない。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
ウ原告は，「線状」との用語は，「第一の割り溝」の形状が，一定幅で一方向に
延びる完全な「線」（矩形）の形状であることを指すのではなく，概ね線形の「溝」
といえる形状であって，「線」以外の形状の部分，例えば「半弧状部分」を含む形状
であってもよいことを指すとの審決の認定について，その根拠は一切示されておら
ず，「第一の割り溝１１」の線幅がＷ１である以上，第一の割り溝１１に，その外に
ある「半弧状部分を含む」などと解する余地はない旨主張する。
しかし，審決は，線状に形成された第一の割り溝とｎ層の電極を形成する半弧状
部分（切り欠いた部分）とを同時にエッチングで形成することが，本件当初明細書
の記載との関係において，新たな技術的事項を導入するものではないとの判断をし
ているのであり，この審決の判断に誤りはない。第一の割り溝が半弧状部分を含む
形状であるか否かについての認定は，上記判断を左右するものではない。
したがって，原告の上記主張はいずれも理由がない。
(5)以上によれば，原告の主張する取消事由３は理由がない。
３取消事由１（本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点の認定，判断の誤り）
について
(1)甲１発明の内容等
ア甲１文献の記載
甲１文献（甲１）には，次のとおりの記載がある（図面は別紙甲１文献図面等目
録参照）。
「【００３２】・・・図１１に示すように，発光ダイオード１０ｂを，チップの中
央に透明導電膜から成る第１の電極７を形成し，その周辺にｎ＋
層３に接続された
第２の電極８を形成することで製造しても良い。この時，第２の電極８の最下層で
あるＡｌ層を反射膜とすることができるので，発光効率を向上させることができる。
【００３３】このような発光ダイオード１０ｂは，図１２，図１３に示す工程で
製造することができる。図１２の（ａ）に示すように，サファイヤ基板１上に・・・
順次，ＡｌＮから成るバッファ層２，高キャリヤ濃度ｎ＋
層３，低キャリヤ濃度ｎ
層４ａ，ｉ層５を製造した。次に，図１２の（ｂ）に示すように，図１２の（ａ）
の多層構造のウェーハに対して太い刃物（例えば，２５０μｍ厚）を用いたダイシ
ングによりｉ層５から低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，高キャリヤ濃度ｎ＋
層３，バッフ
ァ層２，サファイヤ基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込み
を入れた。
【００３４】次に・・・ＩＴＯから成る第１の電極７と，第２の電極８のＡｌ層
８ａを，図１３の（ｃ）に示すように形成した。さらに・・・取出電極９のＮｉ層
９ｂ，Ａｕ層９ｃ及び第２の電極８のＮｉ層８ｂ，Ａｕ層８ｃを形成した。
【００３５】次に，図１３（ｄ）に示すように，細い刃物（例えば，１５０μｍ
厚）を用いたダイシングにより，格子状に第２の電極８が形成されてた切り込みが
入れられている部分において，サファイヤ基板１を格子状に切断した。このように
して，図１１に示す構造の発光ダイオード１０ｂを製造することができる。」
イ甲１発明の内容等
甲１文献の上記記載によれば，甲１発明の内容は，前記第２，３(2)アのとおりで
あると認められる。
(2)本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点の認定
審決が認定した本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点は，前記第２，３(2)
イ，ウのとおりである。これに対し，原告は，本件発明１と甲１発明とは，「サファ
イア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系
化合物半導体チップを製造する方法において，前記ウエハーの窒化ガリウム系化合
物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状に形成すると共に，第一
の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，前記ウエハーのサファ
イア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）
よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と，前記第一の割り
溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを
具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。」という
点で，明示的に一致し（下線部が審決の一致点の認定に付加すべきと原告が主張す
る部分である。），本件発明１では，第一の割り溝をエッチングにより形成するのに
対し，甲１発明では，第一の割り溝に相当する切れ込みをダイシングにより形成す
る点で，一応相違する可能性があるといえる旨主張する。そこで，以下，本件発明
１と甲１発明の一致点及び相違点について検討する。
アまず，本件発明１においては，本件特許の請求項１に，「前記第一の割り溝お
よび前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する」と記載され
ているとおり，ウエハーを「割る」ことによってチップ状に分離しているものと認
められる。
また，本件明細書の「本発明の方法では，第一の割り溝１１の線幅Ｗ１を，第二
の割り溝２２の線幅Ｗ２よりも広くしているので，仮に切断線が斜めとなってウエ
ハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出る
ことがなく，一枚のウエハーから多数のチップを得ることができる。」（【００１７】）
との記載によれば，本件発明１において，ウエハーを割ることによってチップ状に
分離する際には，第二の割り溝が切断面（切断線）の起点として機能し，第一の割
り溝が切断面（切断線）の終端を受ける切りしろとして機能するものと認められる。
イ一方，甲１文献の前記記載によれば，甲１発明においては，チップ状に分離
する手段について，「太い刃物（例えば，２５０μｍ厚）を用いたダイシングにより，
前記ｉ層５から前記低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，前記高キャリヤ濃度ｎ＋
層３，前記
バッファ層２，前記サファイヤ基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットに
て切り込みを入れ，前記切り込みに，最初にＡｌ層８ａを形成し，次にＮｉ層８ｂ
を形成して前記切り込みを埋め，次に前記Ｎｉ層８ｂ上にＡｕ層８ｃをして，前記
Ａｌ層８ａと前記Ｎｉ層８ｂと前記Ａｕ層８ｃとからなる第２の電極８を形成し，
前記第２の電極８が形成されて埋められた，前記切り込みが入れられていた部分に
おいて，細い刃物（例えば，１５０μｍ厚）を用いたダイシングにより，前記サフ
ァイヤ基板１を格子状に切断する」とされているところ，甲１文献には，細い刃物
（例えば，１５０μｍ厚）を用いたダイシングによって，厚さ方向のいかなる範囲
までが切断されるのかは記載されていないため，甲１発明では，ウエハーを「割る」
ことによって格子状に切断しているのか否かは直ちには明らかではないといえる。
しかも，甲１発明において，細い刃物を用いたダイシングによって，サファイヤ
基板１及び埋め込み形成されたＡｌ層８ａとＮｉ層８ｂとＡｕ層８ｃとからなる第
２の電極８の全てを切断した場合（フルカットした場合）には，ウエハーを割るこ
とによって格子状に切断しているということはできない。
また，第２の電極８（最下層はＡｌ層）には展延性があるため，当業者であれば，
細い刃物を用いたダイシングによって，サファイヤ基板１及び第２の電極８のうち
の一部分を切断し，残りの部分を外力を加えることによって切断すること（外力を
加えて無理にこれを引き裂くこと）は行わないものと認められる。そもそも，展延
性のある金属を引き裂くことが「割る」ことに該当しないことは当業者にとって明
らかなことであるといえる。
したがって，甲１発明では，ウエハーを割ることによって格子状に切断している
ということはできず，甲１発明における太い刃物や細い刃物を用いたダイシングに
よって形成された切り込みは，割るための溝として機能するものとはいえないから，
いずれも，本件発明１の第一の割り溝や第二の割り溝には相当しない。
なお，原告が主張するように，本件特許の出願当時，半導体素子において，基板
側に細い溝を形成してチップを分離することが仮に周知技術であったしても，この
ことは上記認定を左右しない。
ウ以上のとおり，本件発明１と甲１発明は，ウエハーをチップ状に分離する手
段が全く異なるから，その一部分のみを取り出して，一致点及び相違点の認定をす
ることは誤りである。
したがって，チップ状に分離する手段を一体のものとして捉えた上で，チップ状
に分離する手段が異なることを，本件発明１と甲１発明の相違点として認定し，本
件発明１と甲１発明が同一であるとはいえないとした審決の判断に誤りはない。
(3)相違点１に関する判断
本件発明１と甲１発明との相違点１は，審決が認定したとおり，「「ウエハーをチ
ップ状に分離する工程」について，本件発明１は，「ウエハーの窒化ガリウム系化合
物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成
すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，前記
ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り
溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と，
前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分
離する工程」と特定されているのに対して，甲１発明は，該特定を有しない点。」で
ある。
そこで，上記相違点１の認定に基づいて，チップ状に分離する手段として，甲１
発明において，本件発明１の相違点１に係る構成を採用することの容易想到性につ
いて検討するに，甲１文献には，本件発明１の相違点１に係る構成を採用すること
の示唆や動機付けがあるとは認められない。
むしろ，前記のとおり，Ａｌ層８ａとＮｉ層８ｂとＡｕ層８ｃとからなる第２の
電極８には展延性があり，甲１発明において，細い刃物を用いたダイシングによっ
て，サファイア基板１及び第２の電極８のうちの一部分を切断し，残りの部分を外
力を加えることによって分離することは，外力を加えて無理にこれを引き裂くこと
となるから，当業者であれば，甲１発明において，上記のチップ分離手段は採用し
ないことが明らかであるといえる。甲１発明において，細い刃物を用いたダイシン
グによって，サファイア基板１及び第２の電極８のうちの一部分を切断し，残りの
部分を外力を加えることによって分離することには，阻害要因があると認められる。
そして，このことは，甲１発明における切り込みの形成手段としてダイシング以外
のスクライブ等の手段を用いた場合でも同様に当てはまる。
したがって，甲１発明において，相違点１に係る構成を採用することは，当業者
が容易に想到し得たとは認められない。
以上によれば，本件発明１は，甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に
発明をすることができたものとも認められないとした審決の判断に誤りはない。
(4)原告の主張について
ア原告は，甲１発明における「ハーフカット」による「切り込み」が「割り溝」
に当たり，甲１文献の記載からも，図１２(b)において，第一の割り溝が形成されて
いることは明らかである旨主張する。
しかし，甲１発明においては，前記のとおり，第２の電極８には展延性があるた
め，これを外力を加えることによって分離するのは困難であり，ウエハーを割るこ
とによって格子状に切断しているということはできないから，甲１発明における太
い刃物や細い刃物を用いたダイシングによって形成された切り込みは，本件発明１
の第一の割り溝及び第二の割り溝とは異なり，割るための溝として機能するものと
はいえず，いずれも，本件発明１の第一の割り溝や第二の割り溝には相当しない。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
イ原告は，審決が，甲１発明の「切り込み」を「第一の割り溝」とみたとして
も，「切り込み」には電極が形成済みであり，「第一の割り溝の一部に電極を形成す
る面」といえるものが存在しない，と判断したことに対し，甲１発明においては，
「第一の割り溝」である「ハーフカットの切り込み部分」に電極が形成されており，
「第一の割り溝の一部に電極を形成する面」は，第一の割り溝の一部に電極が形成
できれば良いのであるから，第一の割り溝の全部に電極が形成される場合を含んで
いることは明らかである旨主張する。
しかし，甲１発明における太い刃物や細い刃物を用いたダイシングによって形成
された切り込みは，いずれも，本件発明１の第一の割り溝や第二の割り溝には相当
しないことは前記認定のとおりであるから，甲１発明における太い刃物を用いたダ
イシングによって形成された切り込みが本件発明１の「第一の割り溝」に相当する
ことを前提とする原告の上記主張は，その根拠を欠くものであり，採用することが
できない。
ウ原告は，そもそも本件発明１は「スクライブ等で割る」ことに限定されてい
ないから，甲１文献の図１３(d)の溝が「第二の割り溝」に該当することは明らかで
あり，また，ダイシングによる切断を「スクライブ等で割る」ことに置き換えると
いう審決は，その前提が誤っている，また，金属に展延性があることから分離し難
いのであれば，図１３(d)の状態からも分離し難いこととなってしまうが，甲１発明
においては，図１３(d)の状態から，図１１に示されるチップを作製しているのであ
るから，金属に展延性があることは何ら関係がないなどと主張する。
しかし，審決は，前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエ
ハーをチップ状に分離する工程を相違点１と認定した上で，甲１発明において，「割
る」ことによってウエハーをチップ状に分離する工程を採用することの容易想到性
を判断しているのであって，「スクライブで割る」ではなく，「スクライブ等で割る」
とあるように，スクライブはそのための例示として挙げられているにすぎない。
そして，甲１発明における太い刃物や細い刃物を用いたダイシングによって形成
された切り込みが，いずれも，本件発明１の第一の割り溝や第二の割り溝には相当
しないことは，前記認定のとおりであるから，甲１発明における切り込みが本件発
明１の第一の割り溝や第二の割り溝に当たることを前提とする原告の上記主張は採
用することができない。
エ原告は，甲１文献の記載によれば，甲１発明において，第２の電極８のＡｌ
層８ａが形成される「切り込み」を，ダイシングにより形成するのではなく，反応
性イオンエッチングにより形成することも，甲１文献に記載されているに等しいと
いえるから，本件発明１と甲１発明とは同一である，また，仮に，上記の点が相違
点であるとしても，甲１文献の記載によれば，甲１発明において，第２の電極８の
Ａｌ層８ａが形成される「切り込み」を，ダイシングにより形成するのではなく，
反応性イオンエッチングにより形成することは，当業者にとって極めて容易であり，
さらに，仮に，本件発明１の「分離」と，甲１発明における「ダイシング」による
「切断」とが相違点であるとしても，本件特許の出願当時，半導体素子において，
基板側に細い溝を形成してチップを分離するということは周知技術（甲３ないし５）
であるから，甲１発明において，サファイア基板側に細い溝を形成して，チップを
分離することは極めて容易であるといえる旨主張する。
しかし，甲１発明における太い刃物や細い刃物を用いたダイシングによって形成
された切り込みが，いずれも，本件発明１の第一の割り溝や第二の割り溝には相当
しないことは，前記認定のとおりであるから，本件発明１と甲１発明が同一である
とはいえないし，甲１発明における切り込みの形成手段が，ダイシングであるかエ
ッチングであるかということは，相違点１に関する容易想到性の判断を左右するも
のではない。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
(5)以上によれば，原告の主張する取消事由１は理由がない。
４取消事由２（甲２発明の認定の誤り，本件発明１と甲２発明の一致点及び相
違点の認定の誤り，相違点２に関する判断の誤り）について
(1)甲２発明の認定
ア甲２文献（甲２）には次の記載がある（図面は別紙甲２文献図面等目録参照）。
「【００１５】
【実施例】
・・・サファイア基板１上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）－アンモニアを用い
ＭＯＣＶＤ法により，厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層２，および厚さ０．５μｍのｐ型
ＧａＮ層３を順に積層した。その断面図を図４に示す。
【００１６】
次にｐ型層３の上にプラズマＣＶＤ法を用い，保護膜としてＳｉＯ２膜を厚さ１
μｍで形成した。その断面図を図５に示す。
【００１７】
ＳｉＯ２層を形成した後，さらにフォトリソグラフィーによりポジ型フォトレジ
ストを形成し，露光してパターニングを施した。その断面図を図６に示す。
【００１８】
次に，フォトレジストのパターニングが終了したウエハーをフッ酸に浸漬し，Ｓ
ｉＯ２層をフォトレジストと同様のパターンにエッチングした。ウエハーを水洗し
た後，アセトンで洗浄することによりフォトレジストを剥離した。その断面図を図
７に示す。
【００１９】
パターニングの施されたＳｉＯ２層が現れたウエハーのｐ型層３をドライエッチ
ングした。その断面図を図８に示す。
【００２０】
残留するＳｉＯ２層を，前述のフッ酸溶液に浸漬することによって除去した後，
蒸着およびリフトオフ法により，図９に示すように，ｐ型電極５（線状電極６）と
ｎ型電極４を付け，ペレットチェックをウエハー状態で行った後，ダイシングソー
でカットして本考案の青色発光素子を得た。なお，ｐ型電極５および線状電極６は
フォトレジストをｐ型層上に形成した後，蒸着によって同時に形成した。」
「【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例の窒化ガリウム系化合物半導体素子の構造を示す平面
図。
【図２】本考案の一実施例の窒化ガリウム系化合物半導体素子の構造を示す概略
断面図。」
イ審決は，甲２発明を前記第２，３(3)アのとおり認定したのに対し，原告は，
甲２発明を「サファイア基板１上にｎ型層２及びｐ型層３を積層したウエハーから
窒化ガリウム系化合物半導体素子を作製する方法において，前記ウエハーのｐ型層
３側から所望のチップ形状で線状にドライエッチングすると共に，ｎ型層の上部に
電極を形成する面を形成し，前記ウエハーの前記エッチング部の線と合致する位置
で，エッチング部の線幅よりも細い線幅で，前記エッチング部に沿って，ダイシン
グソーで前記ウエハーをチップ状にカットすることを特徴とする窒化ガリリム系化
合物半導体素子の製造方法。」と認定すべきであるから，審決の認定には誤りがある
と主張する。
そこで，甲２文献に記載された内容について，以下検討する。
ウ甲２文献の前記記載によれば，甲２文献には，ウエハーをチップ状にカット
する方法について，パターニングの施されたＳｉＯ２層をマスクとしてｐ型層３（ｐ
型ＧａＮ層３）をドライエッチングし（【００１９】，図８），ＳｉＯ２層を除去した
後，ｐ型電極５（線状電極６）とｎ型電極４を付け，ペレットチェックをウエハー
状態で行った後，ダイシングソーでカットする（【００２０】，図９）ことが記載さ
れているところ，図９に示される３本の縦の点線が何を意味するのかについて記載
はなく，また，ダイシングソーでどの箇所をカットするのかについても記載はない。
しかし，チップ状にカットされた後の窒化ガリウム系化合物半導体素子の構造を
示す図１及び図２によれば，ｐ型ＧａＮ層３は，ドライエッチングによって，左上
隅部の円弧状の切欠部を除き，周囲をｎ型ＧａＮ層２が露出した状態で取り囲むよ
うに矩形状に形成されているものと認められ，ｐ型ＧａＮ層３の周囲を取り囲むよ
うにｎ型ＧａＮ層２が露出していることに照らせば，ｐ型ＧａＮ層３を除去して格
子状に形成された溝部は，その幅がダイシングソーの刃の厚さよりも広くなるよう
に形成されており，ダイシングは，ダイイングソーの刃を当該溝部の中央付近であ
って刃の両側にｎ型ＧａＮ層が露出する位置に当接させて行われたものと認められ
る。仮に，図９に示される３本の縦の点線の位置で，ダイシングが行われたとすれ
ば，ｎ型ＧａＮ層２とｐ型ＧａＮ層３の接合面がダイシングソーの刃によって損傷
を受けることとなって素子の動作に支障をきたすおそれがあり，また，ダイシング
後の素子の構造が，図１及び図２に示されたｐ型ＧａＮ層３の周囲の全てを取り囲
むようにｎ型ＧａＮ層２が露出した構造にもならないから，図９に示される３本の
縦の点線をダイシング位置として解釈することは困難であるといえる。
したがって，甲２発明において，ウエハーをチップ状にカットする点について，
「前記ウエハーの前記エッチング部の線と合致する位置で，エッチング部の線幅よ
りも細い線幅で，前記エッチング部に沿って，ダイシングソーで前記ウエハーをチ
ップ状にカットする」と認定する余地はあり，原告の主張する甲２発明の内容自体
は直ちに誤りであるということはできない。
エしかし，一般的に，引用発明の認定は，これを対象発明と対比させて，特許
発明と引用発明の一致点及び相違点に係る技術的構成を確定させることを目的とし
てされるものであるから，引用発明の認定に当たっては，対象発明の発明特定事項
に相当する事項を過不足のない限度で認定すれば足りる。
そうすると，審決が，本件発明１の発明特定事項に相当する事項を過不足のない
限度で甲２発明を認定したか否かについては，一致点及び相違点に係る技術的構成
を確定することができる否かと関連するものであるといえるから，本件発明１と甲
２発明の一致点及び相違点の認定と併せて検討することとする。
オ原告は，審決の甲２発明の認定には誤りがあり，甲２発明の認定に基づく本
件発明１と甲２発明の一致点及び相違点の認定には誤りがあるとして，前記ウの甲
２発明の内容に基づいて，本件発明１と甲２発明との一致点及び相違点を次のよう
に認定すべきであると主張する。
「本件発明１と甲２発明とは，「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体
を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法におい
て，前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチ
ップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が
形成できる平面を形成する工程と，第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割
り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）で，前記第一の割り溝に沿って，前記
ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系
化合物半導体チップの製造方法。」という点で，明示的に一致し（下線部が審決の一
致点の認定に付加すべきと原告が主張する部分である。），本件発明１では，第二の
割り溝をウエハーのサファイア基板側から形成する工程を具備するのに対し，甲２
発明では，かかる工程があるか不明である点で相違する。」
前記認定のとおり，本件発明１においては，ウエハーを「割る」ことによってチ
ップ状に分離していることが認められる。そして，前記割り溝の構成とすることに
より，その分離の際には，第二の割り溝が切断面（切断線）の起点として，第一の
割り溝が切断面（切断線）の終端を受ける切りしろとして，第一の割り溝と第二の
割り溝が対となる一体のものとして機能し，また，第一の割り溝の線幅Ｗ１を第二
の割り溝の線幅Ｗ２よりも広くすることにより，仮に切断線が斜めとなってウエハ
ーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出るこ
とがなく，一枚のウエハーから多数のチップを得ることができるという技術的な意
義があるものと認められる。
一方，甲２発明においては，ウエハーをチップ状にカットする手段としてダイシ
ングソーが用いられているから，本件発明１とはチップ分離手段が異なる。また，
「前記ウエハーの前記エッチング部の線と合致する位置で，エッチング部の線幅よ
りも細い線幅で，」との構成については，チップ分離手段として，ダイシングソーを
用いることにより，ｐ型層３を除去して形成される溝部の幅がダイシングソーの刃
の厚さの制約を受けることによるものであって，必然性はなく，本件発明１に対応
する技術的な意義があるとはいい難い。
そうすると，本件発明１と甲２発明の技術的意義の相違を看過して，チップ分離
手段が異なる本件発明１と甲２発明との一致点を認定するに当たり，形式的に共通
する部分として，本件発明１の第一の割り溝の線幅Ｗ１と第二の割り溝の線幅Ｗ２
の大小関係のみを部分的に抽出して甲２発明との一致点とすることは相当であると
はいえない。また，そもそも，甲２発明においては，割ることによってではなく，
ダイシングによってチップ化を行っているから，本件発明１と甲２発明がいずれも
「第一の割り溝」を有することを一致点として認定することも相当ではない。
したがって，本件発明１と甲２発明の相違点の認定に当たっては，本件発明１と
甲２発明におけるチップ分離手段をそれぞれ一体のものとして捉えるべきであり，
上記の違いを相違点として認定した審決に誤りはないといえる。そして，上記のよ
うに，本件発明１と甲２発明の一致点及び相違点の技術的構成を確定することがで
きるのであるから，審決は，甲２発明について，本件発明１の発明特定事項に相当
する事項を過不足のない限度で認定したと認められる。
また，原告の主張するように甲２発明を認定したとしても，その相違点の認定に
際しては，それぞれの発明におけるチップ分離手段を一体のものとして捉え，その
違いを相違点として認定すべきであるといえるから，原告の主張する甲２発明が内
容自体に誤りはないとしても，甲２発明と本件発明１との一致点及び相違点の認定
に影響を及ぼすものではなく，一致点及び相違点の技術的構成を確定することがで
きるのであるから，結局，審決の甲２発明の認定に誤りはないことになる。
(2)相違点２に関する判断
ア審決の本件発明１と甲２発明の相違点の認定に誤りはないから，審決の相違
点２の認定に基づいて，甲２発明のチップ分離手段を本件発明１のチップ分離手段
に置き換えることの容易想到性について検討する。
イ各文献の記載事項
(ｱ)甲３文献に記載された事項
チップ分離手段に関して，甲３文献（甲３）には，次の記載がある（図面は別紙
甲３文献図面等目録参照）。
「Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＧａＡｓＰ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓ等の半導体結晶基板に・・・
ＰＮ接合を形成し，Ｐ層及びＮ層の必要な箇所に電極を形成する。そして，個々の
チップに分割される前に電気的，光学的特性の測定を行ない，良，不良を判定する。」
（１頁右欄６行から１１行）
「第３図にＰＮ接合及び電極形成後の半導体結晶基板を示している。１はＰ層電
極，２はＰ層，３はＮ層，４はＮ層電極である。この半導体結晶基板にハーフダイ
スを行ない，第４図のように基板の厚みの半分近辺の深さまで極細幅の溝５を入れ
る。これにより半導体結晶基板自体が分割されることなく，個々のチップ相当部が
電気的に分離されることになる。以上の過程を経て，基板上の個々のチップ相当部
の電気的，光学的特性を測定し，良品，不良品の判定を行ない不良品に印等をつけ
これらを区別できるようにする。
次に，第５図に示すように，スクライブ法によりダイシングライン（溝５のライ
ン）と一致するように半導体結晶基板の裏面からダイヤモンドツールでスクライブ
ライン６を形成する。この後，ブレークにより半導体結晶基板に割る力を加え，各
チップに分割する。チップに分割したときの様子を第６図に示す。７は上記によっ
て分割されたチップである。」（１頁右欄下４行から２頁左上欄１５行）
(ｲ)甲４文献に記載された事項
チップ分離手段に関して，甲４文献（甲４）には，次の記載がある（図面は別紙
甲４文献図面等目録参照）。
「第１図は第１の工程を示し，ＧａＰ結晶からなるウエーハ（１）の表裏両主面
に平行なＰＮ接合面（２）が形成され，その後，表主面に個々の電極（３），（３）
…が，又裏主面に全面電極（４）が夫々形成される。
第２図は第２の工程を示し，ウエーハ（１）の表面よりペレットを区画するダイ
シングがなされ，ダイシング溝（４）により個々のＰＮ接合（２’）が分離形成され
る。この時ダイシング溝（４）の深さはＰＮ接合面（２）の深さ以上，且ウエーハ
の厚み以下であり，又，後述する如く，ペレット幅，即ちダイシング溝間隔Ｗの１
／３以上あることが好ましい。
次に，図示しないが，第３の工程として，分離された各ＰＮ接合（２’）の特性検
査がなされる。」（１頁右欄１行から１３行）
「第３図は第４の工程を示し，ウエーハ（１）の裏主面に於て，各ダイシング溝
（４）に対応する箇所にスクライブ線（５）が形成される。
第４図は最終工程を示し，ウエーハ（１）から個々のペレット（６）が分離され
る。斯る分離は，ウエーハ（１）にローラなどにより歪を加えて，スクライブ線（５）
から対応するダイシング溝（４）に亀裂を発生させることによりなされる。この時，
ダイシング溝（４）の深さが既述の如くペレット幅の１／３以上であると上記分離
が容易になされることが実験的に確認された。」（１頁右欄下３行～２頁左上欄８行）
(ｳ)甲５文献に記載された事項
チップ分離手段に関して，甲５文献（甲５）には，次の記載がある（図面は別紙
甲５文献図面等目録参照）。
「【０００４】・・・ＧａＰ，ＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶はへき開性が「１
１０」方向にあるため，この性質を利用してスクライバーで，この方向にスクライ
ブラインを入れることによりチップ状に簡単に分離できる。しかしながら，窒化ガ
リウム系化合物半導体はサファイアの上に積層されており，そのサファイアは六方
晶系という結晶の性質上，へき開性を有していないのでスクライバーで切断するこ
とは不可能であった。また窒化ガリウム系化合物半導体を青色発光素子としたダイ
オードは未だ実用化されておらず，工業的にウエハーをチップに分離する手段は開
発されていないのが実状である。
【０００５】【発明が解決しようとする課題】窒化ガリウム系化合物半導体ウエハ
ーは，その基板にサファイアという非常に硬い材料が使用されており，またその上
に積層された窒化ガリウム系化合物半導体の結晶もサファイアと同じく非常に硬い
物質であるため，ダイサーで切断すると，その切断面にクラック，チッピングが発
生しやすくなり，綺麗に切断できなかった。」
「【０００７】【課題を解決するための手段】本発明者らはその結晶型が六方晶系
でへき開性がないため，ダイサーでしかチップ状に切断できなかった窒化ガリウム
型化合物半導体ウエハーでも，基板の厚さを最適化することにより，スクライバー
で簡単に切断できることを見いだし本発明を成すに至った。
【０００８】本発明の切断方法は，一般式ＧａＸＡｌ１－ＸＮ（０≦Ｘ≦１）で表さ
れる窒化ガリウム系化合物半導体がサファイア基板上に積層されてなる窒化ガリウ
ム系化合物半導体ウエハーをチップに切断する方法において，前記サファイア基板
の厚さを１００～２５０μｍとし，さらに，前記ウエハーの基板側，もしくは窒化
ガリウム系化合物半導体層側，またはその両側をスクライブして切断することを特
徴とするものである。・・・」
(ｴ)甲３６文献に記載された事項
チップ分離手段に関して，甲３６文献（甲３６）には，次の記載がある（図面は
別紙甲３６文献図面等目録参照）。
「従来行なわれているダイシングの方法は第２図（ａ），（ｂ）に示すように，化
合物半導体のウエハー１２の裏面に塩化ビニル製シート２を貼り付け，この状態で
化合物半導体ウエーハ１２の表面の幅約５０μｍの切りしろ領域３を厚さ約２５μ
ｍの切削歯を用いて切削し，幅約３０μｍ，深さはウエハー１２の厚さの約２／３
の切削溝４を形成する。この後ローラーにより，化合物半導体ウエハー１２を分割
している。」（２頁右上欄１行から９行）
「次に，本発明の一実施例をその工程に沿って説明する。
まず，第３図（ａ）に示すように，通常のリソグラフィー技術である両面目合せ
法により，切りしろ領域３及びこの位置に合わせて化合物半導体ウエハー１２の裏
面のスクライブ位置６の両面に後に用いるエッチングマスク７，７’を各々２０μ
ｍ，５μｍ幅でパターニングする。次に，同図（ｂ）に示すように，リン酸系エッ
チング液により，エッチングマスク７，７’により露出する部分を，深さ約１０μ
ｍにエッチングし，ウエハー１２の表面の溝８と裏面の溝９が形成した後，エッチ
ングマスク７，７’を除去する。その後，同図（ｃ）に示すように，ウエハー１２
の表面に塩化ビニル製シート２を貼り付けた後，ウエハー１２の裏面の溝９に合せ
てウエハー１２の厚さの約２／３の深さに切削する。次に，同図（ｄ）に示すよう
に，ローラーによりウエハー１２を劈開し，劈開線１０を入れて，個々の半導体素
子に分割する。」（２頁右上欄下４行～左下欄下６行）
ウ検討
前記認定の本件発明１の技術的特徴によれば，本件発明１において，第二の割り
溝が切断面（切断線）の起点として，第一の割り溝が切断面（切断線）の終端を受
ける切りしろとして，第一の割り溝と第二の割り溝が対となる一体のものとして機
能し，また，第一の割り溝の線幅Ｗ１を第二の割り溝の線幅Ｗ２よりも広くするこ
とにより，仮に切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合
界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることがなく，一枚のウエハーから多数の
チップを得ることができる点で，上記割り溝に係る構成には技術的意義があるもの
と認められる。そうすると，「前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の
線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有す
る第二の割り溝を形成する工程」との相違点２に係る構成は，本件発明１の効果を
奏するために必須の構成であるということができる。
他方で，前記のとおり，甲２発明においては，ダイシングソーによりウエハーを
チップ状にカットしているところ，「前記ウエハーの前記エッチング部の線と合致す
る位置で，エッチング部の線幅よりも細い線幅で，」との構成については，チップ分
離手段として，ダイシングソーを用いることにより，ｐ型層３を除去して形成され
る溝部の幅がダイシングソーの刃の厚さの制約を受けることによるものであって，
必然性はなく，本件発明１に対応する技術的な意義があると認めることはできない。
したがって，本件発明１と甲２発明との相違点に係る構成が当業者にとって容易
想到であったというためには，少なくとも，「第一の割り溝を・・・エッチングによ
り形成すると共に」，「前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合
致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二
の割り溝を形成する工程」が公知文献に開示又は示唆されており，周知技術であっ
たといえなければならない。
甲３文献及び甲４文献の前記記載によれば，従来のＳｉ，ＧａＡｓ，ＧａＡｓＰ，
ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓ等の半導体基板上に形成された半導体素子を個々のチップに
分離する手段として，ダイシングによって半導体素子形成面に幅広の溝を形成する
とともに，半導体基板裏面の当該幅広の溝に対向する位置にスクライブにより幅狭
のスクライブラインを形成した後，外力を加えて割ることは，本件特許の出願時に
おいて，当業者に周知の技術であったと認められる。
しかし，甲３文献及び甲４文献には，半導体素子側に設ける溝の形成手段として
ダイシングの他にエッチングを用いることや，当該手段としてエッチングを用いた
場合においても，溝幅を，ダイシングを用いた場合と同程度の幅広に形成すること，
そして，その結果として，当該溝幅をウエハー側からダイシングで形成される溝よ
りも幅広に形成することまでは，開示又は示唆されているとはいえず，上記技術が
本件特許の出願時における当業者の周知技術であったということはできない。
また，甲３６文献には，半導体素子側にエッチングにより溝８を形成し，ウエハ
ー側に切削歯を用いた切削により溝を形成した上で，劈開によりチップ分離をする
ことで，半導体素子への損傷を回避する技術が記載されているものと認められるが，
溝８とウエハー側に形成された溝の幅の大小関係については，その配慮の有無を含
めて明らかであるとはいえず，甲３６文献は，エッチングにより半導体素子側に溝
を形成する際に，その溝幅をウエハー側に設ける溝よりも広く形成することを開示
又は示唆するものとはいえない。
さらに，甲５文献には，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層
されたウエハーを個々のチップに分割する際に，サファイアは，六方晶系という結
晶の性質上，へき開性を有しないのでスクライバーで切断することは不可能であり
（【０００４】），また，ダイサーで切断すると，窒化ガリウム系化合物半導体の結晶
もサファイアと同じく非常に硬い物質であるため，切断面にクラック，チッピング
が発生しやすくなり，綺麗に切断できなかった（【０００５】）ところ，サファイア
基板の厚さを１００～２５０μｍに薄化し，さらに，前記ウエハーの①基板側，も
しくは②窒化ガリウム系化合物半導体層側，または③その両側をスクライブして
（【０００８】），圧力を加えて押し割る方法により，窒化ガリウム系化合物半導体ウ
エハーを歩留まり良く切断できること（【００２０】）が記載されている。しかし，
いずれの方法においても，切断面（切断線）の起点となるスクライブラインが形成
された面と対向する側の面に，切断面（切断線）の終端を受けて切りしろとなる幅
広の溝を形成することについては，記載も示唆もされていない。
以上によれば，原告の提出する公知文献によっても，半導体素子構造を形成した
ウエハーについて，半導体素子側からエッチングにより幅広の溝を形成した後，ウ
エハー側からダイシング等で幅狭の溝を形成し，外力を加えてチップに分離する際
に，幅狭の溝が切断面（切断線）の起点として機能し，幅広の溝が切断面（切断線）
の終端を受ける切りしろとして機能する技術は，本件特許の出願時における当業者
の周知技術であったとは認められない。
したがって，甲２発明において，ウエハーをチップ状にカットする手段として，
ダイシングに替えて，ｐ型層３からドライエッチングで線状に形成された溝に対向
するウエハー側の位置にダイシング等で溝を形成し，圧力を加えて押し割る方法を
採用するとしても，前記のとおり，甲２発明において，チップ分離手段としてダイ
シングを用いない以上，ｐ型層３からドライエッチングで線状に形成された溝の幅
は，もはやダイシングの刃の厚さの制約を受けないこととなって，溝の幅をダイシ
ングの刃の厚さよりも広く形成する必然性はなくなると考えられるところ，ウエハ
ーのｐ型層３からドライエッチングで線状に形成された溝の幅を対向するウエハー
裏面側に設けた溝の幅よりも広くすることについて，指針となる周知技術や技術常
識が存在しないことは上記のとおりであるから，甲２発明において，相違点２に係
る構成を採用することは，当業者であっても容易に想到し得たということはできな
い。
(3)原告の主張について
ア原告は，①本件特許の出願当時，半導体チップの分割方法としては，ダイシ
ング（フルカット）をして切断するか，ダイシング（ハーフカット）をしてその後
チップに割るか，スクライビングしてチップを割るかのいずれかが一般的であった
から，甲２文献に開示されたＧａＮ系半導体ウエハーを，エッチング部分でダイシ
ング（フルカット）することも，半導体層側又は基板側から，ダイシング（ハーフ
カット）又はスクライビングすることも，一般的な分割方法にすぎない，甲２文献
で開示されたウエハーについて，基板側からダイシング（ハーフカット）又はスク
ライビングすれば，本件発明１そのものに該当する，②本件特許の出願時において，
基板上に半導体を形成したウエハーについて，ウエハー側から幅広の溝を形成し，
基板側から細い幅の切れ込みを形成して，チップをカットすることは周知慣用技術
であった（甲３，４，１０ないし１２），そして，窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子においても，甲５文献に記載されているとおり，ウエハーの基板側からスクラ
イブすることは行われていた，③エッチング部に沿って，ウエハーをチップ状にカ
ットする工程を有する甲２発明において，ウエハーの半導体層側にウエハーの半導
体素子側に形成された溝に一致させるように，基板側に細い溝を形成してチップを
分離するという周知技術（甲１，３，４）を適用し，サファイア基板に溝を形成し
てチップを形成して，チップを分離することは極めて容易である，などと主張する。
しかし，前記(2)認定のとおり，半導体素子を形成したウエハーについて，半導体
素子側からダイシングにより幅広の溝を形成した後，ウエハー側からスクライブに
より幅狭の溝を形成し，外力を加えてチップに分離する技術は，本件特許の出願時
における当業者の周知技術であったものと認められるものの，半導体素子側に設け
る溝の形成手段としてダイシングの他にエッチングを用いることや，当該手段とし
てエッチングを用いた場合においても，溝幅をダイシングを用いた場合と同程度の
幅広に形成すること，そして，その結果として，当該溝幅をウエハー側からダイシ
ングで形成される溝よりも幅広に形成することまでが，本件特許の出願時における
当業者の周知技術であったということはできない。
また，甲５文献には，切断面（切断線）の起点となるスクライブラインが形成さ
れた面と対向する側の面に，切断面（切断線）の終端を受けて切りしろとなる幅広
の溝を形成することについては，記載も示唆もない。そして，甲２発明において，
ウエハーをチップ状にカットする手段として，ダイシングに替えて，ｐ型層３から
ドライエッチングで線状に形成された溝に対向するウエハー側の位置にダイシング
等で溝を形成し，圧力を加えて押し割る方法を採用したとしても，チップ分離手段
としてダイシングを用いない以上，ｐ型層３からドライエッチングで線状に形成さ
れた溝の幅は，もはやダイシングの刃の厚さの制約を受けないこととなって，溝の
幅をダイシングの刃の厚さよりも広く形成する必然性はなくなると考えられるとこ
ろ，ウエハーのｐ型層３からドライエッチングで線状に形成された溝の幅を対向す
るウエハー側に設けた溝の幅よりも広くすることについて，指針となる周知技術や
技術常識が存在しないことは前記のとおりであるから，甲２発明において，相違点
に係る構成を採用することは，当業者であっても容易に想到し得たことということ
はできない。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
イ原告は，スクライバーによってチップ化する場合，電気分離用のエッチング
溝の幅が数μｍでよいという根拠はないし，本件特許出願当時，スクライブライン
（エッチング部分）は，分割時のダメージが及ばないようにある程度の幅を持たせ
ることや，加工上のゆとりを持たせることも当然の技術常識であった（甲１０ない
し１３）以上，スクライブ幅の方がエッチング溝（スクライブライン）幅よりも狭
いことは明らかであると主張する。
しかし，原告が提出する文献（甲１０ないし１３）には，ダイシング等でチップ
分離を行う際に，あらかじめ，切断部分よりも幅広にスクライブラインを形成する
ことによって素子部分への損傷等を回避する技術が記載されているのにとどまり，
半導体素子側に設ける溝の形成手段としてダイシングの他にエッチングを用いるこ
とや，当該手段としてエッチングを用いた場合においても，溝幅をダイシングを用
いた場合と同程度の幅広に形成すること，そして，その結果として，当該溝幅をウ
エハー側からダイシングで形成される溝よりも幅広に形成することまでは記載され
ていない。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
(4)以上によれば，本件発明１の相違点２に係る構成は，甲２発明及び周知技術
に基づいて，容易に想到し得たものということはできないから，この点に関する審
決の判断に誤りはない。
５結論
以上のとおり，審決には，これを取り消すべき違法はない。よって，原告の請求
を棄却することとし，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第１部
裁判長裁判官設樂一
裁判官大寄麻代
裁判官岡田慎吾
（別紙）
本件当初明細書図面目録
【図１】
【図４】
（別紙）
甲１文献図面等目録
（別紙）
甲２文献図面等目録
（別紙）
甲３文献図面等目録
（別紙）
甲４文献図面等目録
（別紙）
甲５文献図面等目録
甲３６文献図面等目録

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