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平成２０年２月１２日判決言渡
平成１８年(行ケ)第１０４５５号審決取消請求事件
平成１９年１０月１７日口頭弁論終結
判決
原告アドバンスト・マイクロ・デ
ィバイシズ・インコーポレー
テッド
訴訟代理人弁護士岡田春夫
同小池眞一
同川中陽子
訴訟代理人弁理士植木久一
同二口治
被告特許庁長官肥塚雅博
指定代理人河合章
同橋本武
同徳永英男
同齋藤恭一
同大場義則
主文
１本訴請求中，特許庁が訂正２００６−３９０１３号事件について平成
１８年６月２６日にした審決のうち特許第２６４５３４５号の請求項４
０及び４６の発明に関する部分の取消しを求める請求に係る訴えを却下
する。
２原告のその余の請求を棄却する。
３訴訟費用は，原告の負担とする。
４この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を，３
０日と定める。
事実及び理由
第１請求
特許庁が訂正２００６−３９０１３号事件について平成１８年６月２６日に
した審決を取り消す。
第２当事者間に争いのない事実
１特許庁等における手続の経緯
(1)原告は，発明の名称を「安定な低抵抗コンタクト」とする特許第２６４
５３４５号（昭和６３年２月１７日出願，優先権主張日１９８７年（昭和６
２年）２月１９日（米国），平成９年５月９日設定登録。以下「本件特許」
という。）の特許の特許権者である。
(2)本件特許については，平成１０年２月２４日，特許異議の申立てがされ
たところ，特許庁は，平成１１年３月１２日，本件特許のうち請求項１，３，
４，７，１０，１５，１９，３５及び４９に係る特許を取り消す決定をし，
同決定は確定した。また，本件特許については，平成１５年１２月１７日，
沖電気工業株式会社が請求項４０及び４３に係る特許について無効審判を請
求し，無効２００３−３５５１８号事件として特許庁に係属した（甲２８）。
これに対し，原告は，平成１６年７月２１日，本件特許のうち請求項３６，
４０及び４６に係る発明について訂正請求をした。特許庁は，審理の結果，
平成１７年６月２４日，本件特許のうち請求項３６，４０及び４６に係る発
明についての訂正を認めるとともに，訂正後の請求項４０及び４３に記載さ
れた発明についての特許を無効にするとの審決をした（以下この審決を「本
件無効審決」という。）。
これに対し，原告は，平成１７年１１月１日，知的財産高等裁判所に対し，
本件無効審決の取消しを求める訴訟を提起したところ（平成１７年(行ケ)第
１０７７７号），同裁判所は，平成１８年１１月２２日，原告の請求を棄却
する判決をした。これに対し，原告は，最高裁判所に対し，上告及び上告受
理の申立てをしたところ（最高裁平成１９年（行ツ）第１０１号，同年（行
ヒ）第９８号），同裁判所は，平成１９年６月１９日，上告棄却及び上告不
受理の決定をし，本件無効審決は確定した。
(3)原告は，平成１８年１月３０日，本件特許のうち請求項５，８，１２，
２２，２４，３６，３８，４０及び４６に係る発明につき訂正を求める審判
を請求した（同訂正審判における請求項４６に係る訂正の内容は，上記(2)
記載の訂正請求における請求項４６に係る訂正の内容と同一である。）。特
許庁は，これを訂正２００６−３９０１３号事件として審理し，平成１８年
３月２４日，訂正拒絶理由通知（甲２０）をした。原告は，平成１８年５月
１８日付けで，同訂正請求の内容を，本件特許の請求項３８，４０及び４６
に係る発明につき訂正を求めるとの内容に補正した（すなわち，請求項５，
８，１２，２２，２４及び３６に係る発明についての訂正を求める部分を削
除した。甲２１の１，２。以下，同補正後の同訂正審判請求を「本件訂正審
判請求」といい，その訂正内容を「本件訂正」という。また，同訂正後の明
細書及び図面を「本件訂正明細書」という。）。
特許庁は，審理の結果，平成１８年６月２６日，「本件審判の請求は，成
り立たない。」との審決をした。
(4)本件審決中，請求項４０及び４６の発明に係る訂正を拒絶した部分に関
しては，原告は，本訴において，当初は取消事由を主張していたが，本件無
効審決の確定により，これらについては争わないと述べている。
２本件訂正の内容
本件訂正後の本件特許に係る特許請求の範囲の請求項３８，４０及び４６の
記載は，次のとおりである（請求項の数は全部で５５である。下線部は，本件
訂正に係る箇所である。なお，下記の記載は審決において編集したものであ
る。）。
【請求項３８】
集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって，（ａ）
シリコン基板にドープされた領域を設け，（ｂ）周囲の基板の前記ドープされ
た領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し，（ｃ）前記ドープされた
領域の選択された領域に，その部分を露出するために，前記二酸化シリコンを
介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し，前記コンタクトホ
ールは前記絶縁層の壁によって規定され，（ｄ）下にあるドープされた領域に
接触して，前記壁に沿ったところを含む，少なくとも前記ホールにチタンの粘
着および接触層をスパッタリングし，前記粘着および接触層は，前記コンタク
トホールを充填するのに不十分な厚さに形成され，（ｅ）窒化チタン，チタン
タングステン，窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択さ
れる材料を含むバリヤ層を，前記粘着および接触層と接触して前記コンタクト
ホールに形成し，前記バリヤ層は，前記コンタクトホールを充填するのに不十
分な厚さに形成され，かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ
前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し，前記コン
タクトプラグは，タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群か
ら選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され，
前記バリヤ層は，窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層で
あり，スパッタリング，ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって，コンタク
トホールの底部だけでなく側壁にも形成され，前記コンタクトプラグは，導電
材料として，ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む，方法（以下この
発明を「本件訂正発明３８」という。）。
【請求項４０】
集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって，（ａ）
シリコン基板にドープされた領域を設け，（ｂ）周囲の基板の前記ドープされ
た領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し，（ｃ）前記ドープされた
領域の選択された領域に，その部分を露出するために，前記二酸化シリコンを
介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し，前記コンタクトホ
ールは前記絶縁層の壁によって規定され，（ｄ）下にあるドープされた領域に
接触して，前記壁に沿ったところを含む，少なくとも前記ホールにチタンの粘
着および接触層をスパッタリングし，前記粘着および接触層は，前記コンタク
トホールを充填するのに不十分な厚さに形成され，（ｅ）窒化チタン，チタン
タングステン，窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択さ
れる材料を含むバリヤ層を，前記粘着および接触層と接触して前記コンタクト
ホールに形成し，前記バリヤ層は，前記コンタクトホールを充填するのに不十
分な厚さに形成され，かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ
前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し，前記コン
タクトプラグは，タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群か
ら選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され，
前記粘着および接触層，前記バリヤ層および前記導電材料は，前記コンタク
トホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され，前記バ
リヤ層は，窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり，コ
ンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され，前記コンタクトプラグは，
導電材料として，ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む，方法
（以下，この発明を「本件訂正発明４０」という。）。
【請求項４６】
集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって，（ａ）
シリコン基板にドープされた領域を設け，（ｂ）周囲の基板の前記ドープされ
た領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し，（ｃ）前記ドープされた
領域の選択された領域に，その部分を露出するために，前記二酸化シリコンを
介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し，前記コンタクトホ
ールは前記絶縁層の壁によって規定され，（ｄ）下にあるドープされた領域に
接触して，前記壁に沿ったところを含む，少なくとも前記ホールにチタンの粘
着および接触層をスパッタリングし，前記粘着および接触層は，前記コンタク
トホールを充填するのに不十分な厚さに形成され，（ｅ）窒化チタン，チタン
タングステン，窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択さ
れる材料を含むバリヤ層を，前記粘着および接触層と接触して前記コンタクト
ホールに形成し，前記バリヤ層は，前記コンタクトホールを充填するのに不十
分な厚さに形成され，かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ
前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し，前記コン
タクトプラグは，タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群か
ら選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され，
（ａ）前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は，前記絶縁層上にかつ
前記コンタクトホール内に析出され，（ｂ）レジスト層は，前記コンタクトホ
ールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクト
ホール内にブランケット析出され，（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層な
らびに粘着および接触層は，前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチ
ングされ，前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって
前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面お
よび少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し，かつ
（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去し，
タングステンは，導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために，前記
コンタクトホールにのみ選択的にＣＶＤ析出され，
前記タングステンプラグは，ＷＦとＨとのＣＶＤ反応によって選択的に形６２
成される，方法（以下この発明を「本件訂正発明４６」という。）。
３審決の理由
別紙審決書の写しのとおりである。要するに，本件訂正発明３８，４０は，
いずれも本件特許の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開昭６１−３
５５１７号公報（甲２。以下「刊行物１」といい，刊行物１記載の発明を「引
用発明」という。）及び周知技術（甲１２，６，３，５，７，８。以下それぞ
れ「刊行物２」，「刊行物３」，「刊行物４」，「刊行物５」，「刊行物７」，
「刊行物９」という。）に基づいて当業者が容易になし得たものであり，特許
法２９条２項の要件を充足せず，特許出願の際に独立して特許を受けることが
できるものではないから，本件訂正発明４６が，上記各刊行物及び特開昭６１
−２４８４４２号公報（甲４，以下「刊行物６」という。）に基づいて当業者
が容易になし得たものではなく特許法２９条２項の要件を充足するとしても，
平成６年法律第１１６号による改正前の特許法１２６条３項の規定に適合しな
い，というものである。
審決は，上記結論を導くに当たり，引用発明の内容並びに本件訂正発明３８
と引用発明との一致点及び相違点を次のとおり認定した。
(1)引用発明の内容
「半導体装置に低抵抗であってかつ，信頼性の高いオーミックコンタクト
を製作する方法であって，
（ａ）Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ型シ＋
リコン拡散層を形成し，
（ｂ）前記Ｎ型シリコン拡散層の表面全体を覆って酸化シリコンの絶＋
縁膜を形成し，
（ｃ）前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し，
（ｄ）前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし，
前記チタン膜は，前記コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも
形成されるとともに，前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分
な厚さに形成され，
（ｅ）続いて，窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し，前記窒化
チタン膜は，前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに
形成され，かつ
（ｆ）更に，前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法
によって形成し，
前記チタン膜は，スパッタリングにより形成され，前記窒化チタン
膜は，コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成される，方
法」
(2)本件訂正発明３８と引用発明との一致点
集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって，
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け，（ｂ）周囲の基板の前記ド
ープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し，（ｃ）前記ド
ープされた領域の選択された領域に，その部分を露出するために，前記二酸
化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し，前
記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され，（ｄ）下にあるド
ープされた領域に接触して，前記壁に沿ったところを含む，少なくとも前記
ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし，前記粘着および接
触層は，前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され，
（ｅ）窒化チタン，チタンタングステン，窒化チタンタングステンおよび窒
化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を，前記粘着および接
触層と接触して前記コンタクトホールに形成し，前記バリヤ層は，前記コン
タクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され，かつ（ｆ）前記コン
タクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を形成
し，前記バリヤ層は，コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され
る方法である点。
(3)本件訂正発明３８と引用発明との相違点
ア相違点１
本件訂正発明３８が，「（ｅ）窒化チタン，チタンタングステン，窒化
チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含む
バリヤ層を，前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形
成し，前記バリヤ層は，前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚
さに形成され」るとともに，「前記バリヤ層は，窒化チタンを含む浸食お
よびウォームホールのバリヤ層であ」るのに対して，引用発明が，「窒化
チタン膜をスパッタリングにより形成し，前記窒化チタン膜は，前記コン
タクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」る点。
イ相違点２
本件訂正発明３８が，窒化チタンからなる材料を含む「バリヤ層と接触
する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し，前記コンタクトプラグは，
タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによっ
て形成され」，かつ，「前記コンタクトプラグは，導電材料として，ＣＶ
Ｄによって形成されたタングステンを含む」のに対して，引用発明は，
「窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し，前記窒化チタン膜は，前
記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」，その後
「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形
成」している点。
第３原告主張の取消事由
審決は，本件訂正発明３８と引用発明との間の，①一致点の認定を誤り（取
消事由１），②相違点１，２に対する容易想到性の判断を誤った（取消事由
２）ものであるところ，これらの誤りが，いずれも審決のうち本件訂正発明３
８に関する部分の結論に影響を及ぼすことは明らかであるから，審決は違法な
ものとして取り消されるべきである。
１取消事由１（一致点の認定の誤り）
審決は，引用発明について，「半導体基板上に形成した絶縁膜に形成した
『コンタクト用の窓』にほぼ充填された導電膜（導電材料）であるアルミニウ
ム膜は，『半導体基板上に形成した絶縁膜に形成したコンタクトホール（コン
タクト用の窓）に充填された導電材料（導電膜）』である点で，本件訂正発明
３８の「コンパクトプラグ」に相当するといえる。」と認定したが，誤りであ
る。
(1)本件訂正発明３８の「コンタクトプラグ」の意義
アスペクト比が１を超えて大きくなる微細化段階（サブミクロン時代）で
ステップカバレッジ（均一な段差被覆性）が急速に悪化し，刊行物１に開示
されているスパッタリング法や蒸着法ではコンタクトホールを充填できない
ことは，当業者の技術常識である（甲３ないし６，１２，１７，３２）。本
件訂正発明３８の「コンタクトプラグ」は，アルミニウム配線技術で用いら
れてきた伝統的なスパッタリング法や蒸着法による導電材料の形成技術では
ステップカバレッジの急激な悪化を避けられないとの技術常識を前提として，
ＣＶＤ法の採用等によりアスペクト比が１を超えるサブミクロン時代のコン
タクトホールを導電材料が実質充填するという技術的意義を有する。
(2)引用発明の「コンタクト用の窓」に充填された導電材料の意義
引用発明は，アルミニウム膜で良好に被覆できるアスペクト比が約０．５
のコンタクト窓を設けた微細化段階における配線技術であって，ステップカ
バレッジの悪化する段階の微細化段階に対応したコンタクト技術ではない。
引用発明においてアルミニウム膜の形成技術として採用されている「蒸着
法」は，「コンタクトプラグ」技術分野の開発が必要になったアスペクト比
が１を越える「コンタクトホール」のステップカバレッジの良化には結びつ
かない薄膜形成技術である。甲５（１頁右欄下から７行目∼２頁左上欄５行
目）によれば，蒸着法が，ＣＶＤ法と異なり，「ステップカバレッジ」を良
化させるという機能・作用を有さず，「コンタクトプラグ」と関係しない手
法であるとの理解は，技術常識である。そして，引用発明においては，アル
ミニウム膜の形成に先立ち，スパッタリング法によってチタン膜と窒化チタ
ン膜を形成するものであるが，スパッタリング法により形成したチタン膜及
び窒化チタン膜によるステップカバレッジの悪化は，その上に形成されるア
ルミニウム膜のステップカバレッジの悪さに直結している。
(3)したがって，刊行物１における「蒸着法により形成されたアルミニウム
膜」の開示をもって，当業者がそのコンタクト電極を「コンタクトプラ
グ」と理解する余地はない。甲３４，３５によると，アスペクト比１以上の
コンタクトホールをＣＶＤ法によって充填する技術を「コンタクトプラグ」
技術と特定しており，甲２２，２３によると，「コンタクト形成技術」と
「コンタクトプラグ形成技術」とは技術分野が異なり，明確に区別される概
念であるとされている。
２取消事由２（相違点１，２に対する容易想到性の判断の誤り）
審決は，相違点１，２に関して，引用発明の蒸着法によるアルミニウム膜を
窒化チタン膜上に形成する方法に代えて，本件訂正発明３８のＣＶＤによるタ
ングステン膜を窒化チタン膜上に形成する方法を採用することは容易想到であ
ると判断したが，誤りである。
(1)引用発明で開示されているアルミニウムとシリコンとの間の相互拡散を
防止するバリヤ層に関して，タングステンがアルミニウムとシリコンとの間
の相互拡散バリヤ層として採用され，シリサイド化を防ぐバリヤ層を設ける
必要がないことは技術常識である（甲３，５，１２，２１の２，甲４４）。
そして，引用発明の窒化チタン膜は，アルミニウムとシリコンとの間の相互
拡散を防止するバリヤ層とされるから，窒化チタン膜上にタングステンを形
成することは不合理である。したがって，タングステンを引用発明のアルミ
ニウム膜に代えて窒化チタン膜上に形成することが容易であるとの審決の判
断は，タングステンがアルミニウムとシリコンとの間で相互拡散を防止すべ
きバリヤ層として利用されてきたという技術常識に鑑みれば，合理的な動機
付けの説明がなく，誤りである。
(2)引用発明の「窒化チタン膜」及び「チタン膜」はステップカバレッジを
良好化しないスパッタリング法によって形成されているから，同じくステッ
プカバレッジを良好化しないアルミニウム膜だけをＣＶＤタングステンに置
換し，窒化チタン膜及びチタン膜を残す動機付けはなく，窒化チタン膜及び
チタン膜を除去する理由がある。
(3)本件訂正発明３８は，窒化チタンを含む浸食及びウォームホールのバリ
ヤ層を含むものであるところ，引用発明の「窒化チタン膜」を維持すべき合
理的理由がないし刊行物３（甲６）及び刊行物９（甲８）によっても上記用
途に想到する余地がない。
(4)刊行物３（甲６）及び刊行物９（甲８）は，多層配線化を実現するため
に必要なＳｉＯ層の平坦化処理において，シリコン基板自体が７５０℃以２
上の高温に晒されることがあることを前提として，タングステンのシリサイ
ド化を防止する発明であり，これは甲２３（８５頁の表５．７）から明らか
である。これに対して，引用発明に係るアルミニウムは，約６６０℃で溶融
するという技術常識があり，刊行物３及び刊行物９のタングステンの設定温
度になればアルミニウム膜を維持できないから，両者を組み合わせる合理性
がなく，審決の判断は誤りである。
(5)審決は，引用発明の窒化チタン膜上のアルミニウム膜をタングステンに
代えて窒化チタン膜上に形成する方法として，ＣＶＤタングステンが周知で
あったとの判断のみから，設計事項としてタングステンを形成する際にＣＶ
Ｄ法を採用するのが容易と判断している。しかし，この判断は，甲１６，１
８，１９，２６，２９，４１のとおり本件特許の優先権主張日当時の窒化チ
タン膜上にＣＶＤタングステンを析出できないとの技術常識を無視している
点で，誤りである。
(6)本件訂正発明３８は，ＣＶＤタングステンによるコンタクトプラグを実
用化するに当たって解決しなければならないと認識されていた浸食及びウォ
ームホールの発生を抜本的に防ぐという顕著な作用効果を奏するから，進歩
性が否定されない。
(7)当業者にとって，アルミニウム配線技術における固有事項と理解される
引用発明のシリコンへのドープ，スパッタリングによるチタン膜の形成，ス
パッタリングによる窒化チタン膜の形成及び蒸着法によるアルミニウム膜の
形成という既存の手順を前提に，最後の工程だけをＣＶＤによるタングステ
ンに置き換えるとの着想はあり得ない。
第４被告の反論
審決の認定判断はいずれも正当であって，審決を取り消すべき理由はない。
１取消事由１（一致点の認定の誤り）に対し
(1)本件訂正発明３８の「コンタクトプラグ」とアスペクト比との関係
ア本件訂正明細書及び刊行物１，２，５，６の記載を総合すると，本件特
許の優先権主張日当時において，コンタクトホールにタングステンを埋め
込み形成した「Ｗ（タングステン）プラグ」又は同様な構成を形成するこ
とは技術常識であって，コンタクトプラグとアスペクト比が１より大であ
るか否かとは無関係である。
イ本件訂正明細書の図面では「コンタクトホール１６」の深さが「コンタ
クトホール１６」の幅（径）より大きいが，半導体分野の特許図面は，図
面中の長さ及び幅は実際の寸法比率では記載されていないとの注意が記載
されることが多く，実際に，各種膜厚等においては，厚さ方向のみを拡大
して記載することが通例であるから，本件訂正発明３８においても，コン
タクトホールは実際の幅と深さとの寸法比率で特許公報に記載されてはお
らず，図面のみを根拠として，コンタクトホールの深さと幅の比率が１以
上であるとはいえない。また，刊行物６の第１図ないし第４図では，接続
孔７の深さと幅はほぼ同程度に記載されているが，「前述の工程によって
形成したダイオード（拡散層深さ０．３μｍ，接続孔径１．５μｍ，絶縁
膜層３の厚さ０．５μｍ）を４００ケ並列に接続したパターンで・・・測
定した。」（第２頁右上欄第１０∼１４行）と記載されており，実際の接
続孔（本件特許の「コンタクトホール」に相当）では，深さ（厚さ）と孔
径の比は，（０．５／１．５＝）約０．３であるので，図面での寸法比率
と対応しておらず，図面では深さ方向のみ拡大して記載されていることは
明らかである。よって，タングステンプラグは，コンタクトホールのアス
ペクト比が１以上となった場合に使用される技術であるとする原告の主張
は，失当である。
ウ本件訂正発明３８の「コンタクトプラグ」が形成された「コンタクトホ
ール」のアスペクト比が１を超えることは，本件訂正明細書又は図面に記
載も示唆もされていないし，当業者の技術常識でもないから，本件訂正発
明３８の「コンタクトプラグ」が「アスペクト比が１を超えるコンタクト
ホール」に限定されるとの原告の主張は失当である。
エ特開昭６２−３２６３０号公報（甲３４）には「コンタクト穴プラグ」
を備えたアスペクト比の下限が０．３６である「コンタクトホール」が記
載され，刊行物２（甲１２）には，「タングステンプラグ」を備えたアス
ペクト比が約０．８である「コンタクトホール」とアスペクト比が０．４
及び０．７のタングステンプラグが記載されており，これらが本件訂正発
明３８の「コンタクトプラグ」に相当することは，当業者に明らかである。
このように，「コンタクトプラグ」を形成するコンタクトホールのアスペ
クト比が１より小さいものがあることは，本件特許の優先権主張日当時，
技術常識であった。
(2)引用発明の「コンタクト用の窓」に充填された導電材料の意義
審決は，アルミニウム膜のうち，「コンタクト用の窓」にほぼ充填された
部分に着目して，引用発明の「半導体基板上に形成した絶縁膜に形成した
『コンタクト用の窓』にほぼ充填された導電膜（導電材料）であるアルミニ
ウム膜は，『半導体基板上に形成した絶縁膜に形成したコンタクトホール
（コンタクト用の窓）に充填された導電材料（導電膜）』である点において，
訂正発明３８の「コンタクトプラグ」に相当するといえる。」（３９頁４∼
８行）と判断するものであり，引用発明の「アルミニウム膜」が，本件訂正
発明３８の「コンタクトプラグ」そのものに相当するとの判断はしていない。
よって，審決が本件訂正発明３８と引用発明との間の一致点を誤って認定
したとの原告の主張は，失当である。
２取消事由２（相違点１，２に関する容易想到性の判断の誤り）に対し
(1)原告の主張(1)，(2)に対し
ア刊行物３に記載されるＷ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ／Ｓｉとの構成の「Ｔｉ２
Ｎ／ＴｉＳｉ」又は「ＴｉＮ」膜は障壁層であり，Ｗ膜は「ＴｉＮ」膜２
上にＣＶＤ法により形成されるから，引用発明でバリヤ層として作用する
「窒化チタン膜」上に形成されたアルミニウム膜に代えて，刊行物３に記
載される「障壁層」である「ＴｉＮ／ＴｉＳｉ」又は「ＴｉＮ」上に形２
成されたＣＶＤ法により形成されるＷを用いることは，当業者が容易にな
し得たものである。そして，引用発明の「窒化チタン膜」も，刊行物３に
記載される「ＴｉＮ／ＴｉＳｉ」又は「ＴｉＮ」膜も，いずれも「バリ２
ヤ膜」として作用するのであるから，引用発明に，刊行物３に記載された
技術的事項を適用する際に，引用発明のアルミニウム膜と共にその下の
「窒化チタン膜」をも除去することが必要でないことは，当業者に明らか
である。
イタングステンが，接する層の材料やその製法と無関係に，常に本件訂正
発明３８に係る特許及び引用発明において対象となっている一般的な意味
での「バリヤ層」とはいえず，また，乙１にバリヤメタルとして例示され
ているとしても，どのような条件において「Ｗ」が「バリヤメタル」とな
るか明らかでなく，また，バリヤ層はその厚みに関係なく常に「バリヤ
層」と呼ばれるわけでもないから，タングステン層を一般的にバリヤ層と
は言わない。また，刊行物２，５，６にも，タングステンがアルミニウム
とシリコンとの間でバリヤ層として使用される技術的事項が記載されてい
るとはいえない。よって，タングステンがバリヤ層であることは技術常識
であるとの原告の主張は，失当である。
(2)原告の主張(3)に対し
引用発明の「窒化チタン膜」上のアルミニウム膜に代えて，刊行物３の
「ＴｉＮ／ＴｉＳｉ」又は「ＴｉＮ」上のＣＶＤ−Ｗを用いる際に，Ｗ膜２
の形成に従来周知のＣＶＤ法を用いることにより，結果として得られた構造
においては，Ｓｉ基板とＣＶＤ法により形成されるＷ膜は，Ｔｉ膜及びＴｉ
Ｎ膜により分離されているから，ＣＶＤ法によりＷ膜をＴｉＮ膜上に形成す
る際に，Ｗの原料ガスがＳｉ基板に接触しないことは明らかである。よって，
Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜により「浸食およびウォームホール」を防止できること
は明らかであり，また，Ｓｉ基板にＣＶＤ法によりＷ膜を形成する際に，
「浸食及びウォームホール」の問題があったことは，本件優先権主張日当時
に公知の技術課題であるから，原告の主張は失当である。
(3)原告の主張(4)に対し
原告の主張は争う。
(4)原告の主張(5)に対し
原告は，窒化チタン膜上にＣＶＤタングステンが析出し得ないことが技術
常識であったと主張するが，刊行物３には窒化チタン膜上にＣＶＤ法により
タングステンを析出することが記載されているから，失当である。
(5)原告の主張(6)に対し
原告は，本件訂正発明３８は顕著な作用効果を奏すると主張するが，浸食
及びウォームホールは既に知られていた課題であるから，失当である。
(6)原告の主張(7)に対し
原告の主張は争う。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（一致点の認定の誤り）について
(1)原告は，本件訂正発明３８は，コンタクトホールにプラグを形成するこ
とによって配線金属のステップカバレッジ（段差被覆性）を増すことに関す
るコンタクトプラグの技術分野に関する発明であり，ステップカバレッジの
悪化が顕在化するのはアスペクト比（コンタクト深さ／コンタクト径）が１
を超える微細化の段階である（甲３ないし６，１２，１７，３２）のに対し，
引用発明の技術分野は，アルミニウム膜で良好に被覆できるアスペクト比が
約０．５のコンタクト窓を設けた微細化段階における配線技術であって，ス
テップカバレッジの悪化する段階の微細化課題に対応したコンタクトプラグ
技術ではないと主張する。
ア本件訂正明細書（甲２１の２）には，「この発明は，・・・コンタクト
ホールにプラグを形成することによって配線金属のステップカバレッジを
増すことに関するものである。」（１１頁１３∼１５行）との記載があり，
また，コンタクト抵抗の値と関連して，コンタクトの直径が１．０μｍ，
１．２μｍ，１．４μｍであることが記載されている（２０頁末行∼２１
頁１行）が，アスペクト比（コンタクト深さ／コンタクト径）を特定する
ような記載，又はコンタクト深さ等，これを推知する手掛かりとなるよう
な記載は見当たらない。また，本件訂正明細書の図面には，コンタクトプ
ラグの断面図が示されているが，そもそも図面は，設計図等と異なり，寸
法や角度を特定するためのものではない上，本件訂正明細書には，「この
説明において参照される図面は，特に注目される場合を除いて一定の縮尺
で描かれてはいないと理解すべきである。」（１５頁１６∼１７行）との
記載があるのであるから，上記図面に基づいて，本件訂正発明３８のアス
ペクト比を特定することもできない。
イ刊行物１（甲２）には，以下の記載がある。
(ア)「拡散層を有する半導体基板の表面に形成された絶縁膜に対し，前
記拡散層へのコンタクト用の窓明けを行う穿孔工程と，形成された窓内
に障壁金属を形成する障壁金属形成工程と，障壁金属に接触する電極配
線層を形成する電極形成工程とを含む半導体装置の製造方法において，
前記障壁金属形成工程は，前記拡散層上に金属膜を形成する第１の工程
と，続いて該金属膜上に窒化金属膜を形成する第２の工程とからなり，
これら第１および第２の工程は同一の装置を用いて連続的に行うように
したことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲第１
項）
(イ)「本発明は，半導体装置の製造方法に係り，特に・・・微細面積の
コンタクトを形成する方法に関する。」（１頁右下欄１６∼１９行）
(ウ)「本発明は・・・コンタクト用の・・・窓内にコンタクト用電極を
形成するにあたり，まず，金属膜を形成し，続いて窒化金属膜を形成し，
該窒化金属膜の上層にコンタクト用の電極を形成することを特徴とする
ものである。」（３頁左上欄９∼１５行）
(エ)「（実施例２）
第５図に示すのは・・・Ｎ型シリコン拡散層３２に対し，チタン膜＋
３４，窒化チタン膜３５，アルミニウム膜３６からなる３層構造のコン
タクト用電極を形成したものである。
・・・形成方法を詳細に説明する。
まず，第６図に示す如く，Ｐ型シリコン基板３１上に・・・形成され
た・・・Ｎ型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化＋
シリコン膜を堆積し・・・コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。
次いで・・・スパッタリングを行い・・・基板表面全体に第７図に示
す如く，チタン（Ｔｉ）膜３４を形成する。・・・膜厚１００Åのチタ
ン膜３４を得た後，一担，スパッタリングを停止する。
続いて・・・再びスパッタリングを行い，第８図に示す如く膜厚１０
００Åの窒化チタン膜３５を形成する。
更に，基板表面全体にアルミニウム膜３６を蒸着法によって形成する。
そして，このようにして得られたチタン膜３４，窒化チタン膜３５，ア
ルミニウム膜３６からなる３層膜を・・・同時にパターニングする。こ
の後・・・熱処理を行うことにより，第５図に示したようなコンタクト
用電極および電極配線層が完成される。
このようにして形成された・・・実施例２のコンタクト用電極のコン
タクト抵抗（縦軸）とコンタクト面積（横軸）との関係は第９図の実線
Ａに示す如くである。」（３頁右下欄１８行∼４頁右上欄１７行）
(オ)第９図には実施例２のコンタクトのコンタクト抵抗とコンタクト面
積の関係を示すグラフが示されている。第９図に示されたコンタクト面
積の範囲は，１．０∼２．０μｍの範囲であり，この範囲のコンタ２２２
クト用電極のコンタクト抵抗は，３００∼１００Ω程度である（図中
Ａ）。
ウ刊行物２（甲１２）には，分離酸化物であるＢＰＳＧに開かれた１μ設
計ルールのコンタクトホールに，ＷＳｉを１０００Åとタングステンをｘ
８０００Åの二重層をＣＶＤにより析出させた後，エッチバックして，タ
ングステンプラグを得たこと（４４３∼４４４頁「手順」の項），１０％
のオーヴァーエッチ時間で，タングステンプラグはアスペクト比を０．７
から０．４に減らすことができ，パターニングしたアルミニウム配線がコ
ンタクト上で非常に平坦な表面を示すこと（４４４頁「結果及び検討」の
項，図１ａ，図１ｂ，図２）が記載されている。
エ刊行物３（甲６）には，「信頼性のある０．２５ミクロン・サイズのＶ
ＬＳＩと三次元のＬＳＩを実現するためには，層間絶縁体の平坦化及び高
アスペクト比ホールの金属充填は不可欠である。・・・しかしアスペクト
比が１以上のホールをボイドなしに完全に充填する方法は報告されていな
い。この報告では，高アスペクト比（約３）のホールを・・・充填する新
規に開発したプロセスを提案する。」（５０３頁左欄２∼１５行，訳文は
１頁）の記載がある。
オ刊行物４（甲３）には，「ＣＶＤタングステンは良好なステップカバレ
ッジ上の利点を提供するものであり，１μ厚みのタングステン膜を用いれ
ば，１μ×１μの異方性エッチングされたコンタクト（判決注。この場合
のアスペクト比は１である。）の完全なる充填が得られる。サンプルシミ
ュレーションは，これらのコンタクトの幾何学的形状に対して，ＣＶＤタ
ングステンを用いる場合，完全な平坦性が達成される一方，スパッタリン
グによるシリ化アルミニウム合金が非常に貧弱なステップカバレッジであ
ることを示している（図１参照）。このことは，１．２μ×１．２μのコ
ンタクトがブランケットＣＶＤタングステンにより平坦化されている図２
のＳＥＭ写真にも示されている。」（１６１頁下１２∼下１５行）との記
載がある。図１（１６３頁）には，（Ａ）としてスパッタされたＡｌ−１
％Ｓｉ，（Ｂ）としてＣＶＤタングステンの，上記ステップカバレッジの
シミュレーションが示されている。図２（１６４頁）には，上記平坦化し
たコンタクトの写真が示されている。
カ甲３４は，原告の出願に係る「コンタクトプラグの形成方法」に関する
公開特許公報であり，第１図に関し，「二酸化シリコンの層（厚さ，およ
そ１．０ミクロン）は化学的気相成長（ＣＶＤ）によって生成される。フ
ォトレジスト膜（同様におよそ１．０ミクロン）はその表面に引き延ばさ
れる。フォトレジスト膜の平坦な表面は，フォトレジスト膜の平坦な表面
を形成し，フォトレジストと酸化物がほぼ同じ速度でエッチングするよう
な条件の下で，１．３ミクロンの材料をプラズマ内でエッチングすること
により二酸化シリコン膜２０に転送される。いかなる残留のレジストも取
除いた後，別の０．５ミクロンの二酸化シリコンが生成される。さらにコ
ンタクト穴パターンが，従来のフォトマスキング技術を用いて誘電体層２
０の表面２２に規定される。穴パターンマスク（図示されていない）は，
すべての穴２４が１個の水平寸法において１．４ミクロンあるいはそれ以
下であるように設計されている。」（５頁左上欄９行∼右上欄５行）との
記載がある。
この場合，二酸化シリコン全体の厚さは，約１．２ミクロンである（１
＋１−１．３＋０．５）。そして，穴２４の水平寸法は最大１．４ミクロ
ンであるから，コンタクト穴（穴２４）のアスペクト比の下限は０．８６
ミクロン（約１．２ミクロン／１．４ミクロン≒０．８６）である。
キ以上によると，刊行物１には，微細面積のコンタクトの技術が記載され，
そのコンタクトは，コンタクト用の窓内に金属膜及び窒化金属膜を形成し
この窒化金属膜の上層にコンタクト用電極及び電極配線層を形成したもの
と認められる。そして，この電極の材料はアルミニウム膜であり，金属膜
がチタン膜，窒化金属膜が窒化チタン膜である。そうすると，引用発明の
コンタクトの構造は，コンタクトとしての性能を満足するものであるから，
アルミニウム等の電極の材料はコンタクト窓を実質的に充填すると解され，
よって，引用発明のコンタクトは，本件訂正発明３８にいう「コンタクト
ホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含む」と
いうことができる。そして，原告が本件訂正発明３８の「コンタクトプラ
グ」の技術を特徴付けると主張する「アスペクト比」，「微細化」，「ス
テップカバレッジ」のうち，「アスペクト比」については，前記のとおり
本件訂正明細書に記載がないし，甲１２，３４には，「コンタクトプラ
グ」を形成するコンタクトホールのアスペクト比が１未満のものが開示さ
れている。そうすると，本件訂正発明３８のコンタクトプラグはアスペク
ト比が１以上であるということはできない。また，「微細化」の点は，前
記認定によると，コンタクトの寸法が本件訂正発明３８では直径１．０∼
１．４μm，引用発明では１．０∼２．０μm程度であるから，両者は「微
細化」に関しては同程度である。さらに，「ステップカバレッジ」につい
ては，確かに原告指摘の刊行物においてアスペクト比が１を超えるとステ
ップカバレッジが悪化することが示されているが，他方で前記認定の甲３，
６によると，アルミニウム系の電極材料ではアスペクト比が１で寸法が１．
０μm（甲３），アスペクト比が１で寸法が０．２５μm（甲６）でそれぞ
れステップカバレッジが問題とされていることが認められる。そうすると，
引用発明にはアスペクト比が特定されていないが，アスペクト比が１以上
のものが含まれていないということはできないし，そのコンタクトホール
の寸法は直径１∼２μmであるから，ステップカバレッジの問題は内在し
ているものと解するのが相当である。
したがって，本件訂正発明３８と引用発明とは「コンタクトプラグ」で
一致するとした審決の認定に，誤りはない。
(2)原告は，刊行物１に示された蒸着法及びスパッタリング法で，アスペク
ト比１を超えるコンタクトホールを導電物質で充填することはできないと主
張する。
しかし，本件訂正発明３８の「コンタクトプラグ」がアスペクト比１を超
えることを前提とするものではないことは，前記認定のとおりであるし，刊
行物１に示された蒸着法及びスパッタリング法に代えてＣＶＤ法によること
が容易想到であるとの判断に誤りがないことは，後記のとおりであるから
（ＣＶＤ法でアスペクト比１を超えるコンタクトホールを導電物質で充填す
ることができるのは明らかである。），原告の上記主張は採用できない。
(3)原告は，甲３４の「いかなる残留のレジストも取り除いた後」の記載を
根拠に，フォトレジスト膜の１．０ミクロンはポリシリコンゲート上の厚み
であり，面積の広い低位な表面からの厚みでなく，該低位な表面にプラズマ
エッチング後にフォトレジスト膜が残るはずであると主張する。しかし，フ
ォトレジスト膜の厚みは面積の広い低位な表面からの厚みと解することが自
然であるし，フォトレジスト膜が該低位な表面に残るようにプラズマエッチ
ングする理由はなく，上記「いかなる残留のレジストも取り除いた後」は
「フォトレジスト膜の残留が，もしあった場合は不都合なので，それを取り
除く」の意味と解されることから，原告の主張は，失当である。
２取消事由２（相違点１，２に関する容易想到性の判断の誤り）について
(1)原告は，タングステン自体がアルミニウムとシリコンとの間の相互拡散
バリヤとして機能することは技術常識であるところ，引用発明の窒化チタン
膜はアルミニウムとシリコンとの間の相互拡散を防止するバリヤ層として開
示されているものであるから，窒化チタン膜上にタングステンを形成するこ
との動機付けがないと主張する。
しかし，審決は，「刊行物５（第１頁左下欄第１５行∼同頁右下欄第２行
参照）には，コンタクトホールの形状が微小になると，アルミニウムの配線
は，コンタクトホールに完全に充填されないため，接続配線が不完全になる
恐れがあることが記載されており，また，刊行物４（第１６１頁下から第１
５∼５行の訳文参照）には，ブランケットタングステンは，スパッタされた
アルミニウム又はアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線であり，
また，ＣＶＤタングステンは，コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均
一な段差被覆性）という利点を有することが記載されている。」と認定した
上で，「刊行物発明１のＳｉ基板／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ積層構造の，バリヤ
層のＴｉＮ上に形成されたＡｌ膜に代えて，バリヤ層のＴｉＮ上に形成され
たＷ膜を用いることは当業者が容易になし得る」と判断している。これによ
れば，審決は，刊行物４，５記載のＣＶＤタングステンによるバリヤ層を，
そのまま引用発明に適用するとしているものではなく，上記刊行物４，５に
記載された課題及び知見を適用し，引用発明のコンタクトを形成する導電材
料をアルミニウムからＣＶＤタングステンに置換するものとしているのであ
るから，それによって，バリヤ層が二重に設けられることになるということ
はできない。
また，刊行物４には，「（ｂ）拡散防止バリヤとして機能するための，ま
たは，その上部に成膜するアルミニウムの段差被覆性を改善するためにコン
タクト及びビアを再充填するための選択的に析出されたＣＶＤタングステ
ン」（１６１頁２段落），「選択的ＣＶＤタングステンでの浸食は，そのＶ
ＬＳＩの金属層への適用を抑制する主要な問題であった。この浸食はコンタ
クト下の接合部分の特性を引下げ，漏れ電流を増加させることから，タング
ステンをコンタクトバリヤとして利用する目的を打ち負かす。」（１６７頁
２段落）との記載があって，「選択的に析出されるＣＶＤタングステン」又
は「選択的ＣＶＤタングステン」が，「浸食」という問題を有するものの，
拡散防止バリヤとして使用されることが記載されているが，刊行物４には，
この「選択的ＣＶＤタングステン」とは別に，「ブランケットＣＶＤタング
ステン」が記載されており（刊行物４が，「選択的ＣＶＤタングステン」と
「ブランケットＣＶＤタングステン」とを各別に扱っていることは，刊行物
４の章立てや，この両者とスパッタリングされたアルミニウムの物性の対比
表（１６２頁）を掲げていることなどに照らして明らかである。），この
「ブランケットＣＶＤタングステン」に関しては，拡散防止バリヤとして使
用されるとの記載は見当たらない。そして，審決が，相違点の判断において
引用したのは刊行物４の「ブランケットＣＶＤタングステン」に関する部分
であり，審決が引用した「タングステン」が「選択的ＣＶＤタングステン」
を指すことが窺えないから，刊行物４に記載されたＣＶＤタングステンが，
アルミニウムとシリコンとの間で拡散バリヤ層として機能するものであると
の原告の主張は，少なくとも，審決が引用したブランケットＣＶＤタングス
テンに関しては，これを認めることができない。
したがって，原告主張の事由は，引用発明のアルミニウム膜をＣＶＤタン
グステンに置き換える場合に，窒化チタン膜を除去する理由にはならない。
(2)原告は，引用発明の「窒化チタン膜」及び「チタン膜」はステップカバ
レッジを良好化しないスパッタリング法によって形成されているから，同じ
くステップカバレッジを良好化しないアルミニウム膜だけをＣＶＤタングス
テンに置換し，窒化チタン膜及びチタン膜を残す動機付けはなく，窒化チタ
ン膜及びチタン膜を除去する理由があると主張する。
刊行物４（甲３）には，「ブランケットタングステンは，ＶＬＳＩに適用
するためにスパッタリングによるアルミニウムおよびアルミニウム合金に代
替するに適した配線である。・・・ＣＶＤタングステンは良好なステップカ
バレッジ上の利点を提供するものであり，１μ厚みのタングステン膜を用い
れば，１μ×１μの異方性エッチングされたコンタクトの完全なる充填が得
られる。サンプルシミュレーションは，これらのコンタクトの幾何学的形状
に対して，ＣＶＤタングステンを用いる場合は完全な平坦性が達成される一
方，スパッタリングによるシリ化アルミニウム合金が非常に貧弱なステップ
カバレッジであることを示している（図１参照）。このことは，１．２μ×
１．２μのコンタクトがブランケットＣＶＤタングステンにより平坦化され
ている図２のＳＥＭ写真にも示されている。」（１６１頁下１５行∼５行）
との記載がある。これによれば，ステップカバレッジの悪化は，コンタクト
を充填するような厚みで被覆する場合に生ずるものであることが認められ，
その図１（１６３頁）には，径１μｍのコンタクトに「ＡＬ−１％ＳＩ」
（１％のシリコンを含むアルミニウム）をスパッタリングする場合に，膜厚
が０．１μｍのときはステップカバレッジは良好であり，膜厚が０．５μｍ，
１μｍと増すにつれて，コンタクト内部が被覆されにくくなって，ステップ
カバレッジが悪化することが示されている。他方，引用発明に係るコンタク
トの径（１辺の寸法）が１．０∼２．０μｍであることは，前記１(1)のと
おりであり，刊行物１には，その実施例２（引用発明）に係るチタン膜の膜
厚が１００Å（０．０１μｍ）であることが記載されている（４頁左上欄１
６∼１７行）。そうすると，刊行物４の図１記載の「ＡＬ−１％ＳＩ」の場
合と比較しても，引用発明のチタン膜の膜厚は，コンタクトの径に対して十
分に薄く，ステップカバレッジの悪化を生じさせないものと認められるから，
これがスパッタリングによって形成されているからといって，窒化チタン膜
及びチタン膜を除去する理由になるということはできない。
(3)原告は，本件訂正発明３８は，窒化チタンを含む浸食およびウォームホ
ールのバリヤ層を含むものであるところ，引用発明の「窒化チタン膜」を維
持すべき合理的理由がないし刊行物３及び刊行物９によっても上記用途を想
到する余地がないと主張する。
しかし，引用発明の窒化チタン膜を維持すべき合理的理由がないとの原告
の主張に理由がないことは上記のとおりである。そして，刊行物３と刊行物
９を組み合わせた結果得られた構造においては，Ｓｉ基板とＣＶＤ法により
形成されるＷ膜は，Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜により分離されているから，ＣＶＤ
法によりＷ膜をＴｉＮ膜上に形成する際に，ＷＦガスがＳｉ基板に接触し６
ないことは明らかである。そして，Ｓｉ基板にＣＶＤ法によりＷ膜を形成す
る際に，「浸食およびウォームホール」の問題がありそれが予測し得るもの
であることは後記(6)のとおりである。したがって，原告の主張は採用でき
ない。
(4)原告は，刊行物３（甲６）及び刊行物９（甲８）と引用発明とは設定温
度が異なるので，刊行物３と刊行物９を組み合わせて引用発明に想到するこ
とはできないと主張する。
刊行物３には「高アスペクト比（約３）のホールをＳｉ側壁技術およびレ
ジスト・エッチバックを組み合わせたＷ−ＣＶＤによって充填する新規に開
発したプロセスを提案する。・・・８００℃以上の温度で急速に生成される
タングステンシリサイドの生成を抑えるために新規のＷ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ
構造を適用した。」との記載が，刊行物９には「タングステンは高融点金２
属の中では最も抵抗が低く，しかも化学的に安定性を有するため，配線材と
しては魅力的である。しかし，Ｗ／Ｓｉの直接接触を伴う系では６５０℃以
上ではタングステンのシリサイド化反応が起こるため熱安定性がない。」
（訳文２頁３∼６行），「最高９００℃までのアニーリング条件において，
Ｗ／ＷＳｉ／Ｓｉ，Ｗ／ＴｉＳｉ／Ｓｉ，Ｗ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ／Ｓｉｘｘ２
のコンタクト構造の熱安定性について調べた。・・・Ｗ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ
／Ｓｉのコンタクト構造によって，最高温度９００℃まで熱安定性を有す２
る低抵抗性のＷ／シリサイド／Ｓｉコンタクト構造が実現できた。」（訳文
１頁６∼１６行），「タングステン配線が熱アニーリング中にさらにシリサ
イド化するのを防ぐため，タングステン配線とＴｉＳｉ層の間にＴｉＮ拡２
散障壁層を使った。」（訳文３頁１３∼１４行）との各記載があって，いず
れも８００∼９００℃の高温条件下ながら，窒化チタンのバリヤ層又は窒化
チタンを含むバリヤ層が，タングステンとシリコンとの境界面における干渉
を防ぐバリヤ層として機能することが示されている。
そうすると，これらの刊行物に接した当業者であれば，タングステンとシ
リコンとの間にも境界面における相互干渉の問題が発生し得ること，アルミ
ニウム膜とシリコンとの間に存在していた窒化チタンのバリヤ層は，タング
ステンとシリコンとの間の相互干渉を防ぐバリヤ層としても機能し得ること
を認識することは明らかであり，そうであれば，引用発明のアルミニウム膜
をＣＶＤタングステンに置き換えたからといって，それが窒化チタン膜を除
去する理由にはならない。上記刊行物３，９に記載された事項は，直接的に
は，タングステンの析出における干渉の問題ではなく，その場合とは，温度
条件が異なるとしても，一定の条件下で，窒化チタンを含む膜が，タングス
テンとシリコンとの相互干渉を防ぐバリヤ層として機能し得るのであれば，
特に否定されない限り，異なる条件下でも同様に機能する可能性は認識され
るのであるから，原告の主張は理由がない。
(5)原告は，甲１６，１８，２６，２９，４１によると，本件特許の優先権
主張日である１９８７年（昭和６２年）２月１９日当時，窒化チタン膜上に
ＣＶＤによってタングステンを析出することはできないとする知見が技術常
識として存在したと主張する。
ア甲１６には，「図１は，浅いボロン結合上に形成されたＴｉシリサイド
膜のＴＥＭ断面写真である。窒素中でＲＴＡによって形成された窒化物／
シリサイドの２層構造を観察することができる。前記構造をオージェ観察
すると，ＴｉＳｉ層がＴｉ，窒素，及び酸素を含有する層によって覆わ２
れていることが示された。タングステンの堆積は，そのようなサンプル上
にＷＦとＨとを反応種として用いて，３００℃で２５分試みた。タング６２
ステンの成長は認められず，シート抵抗も変化がなかった。ＴｉＮ層は，
ＷＦのＨ又は基材との還元によって引き起こされるタングステンの核生６２
成を抑制することが明らかになった。」との記載がある。しかしながら，
２６この記載は，ＲＴＡによって形成されたＴｉＮ／ＴｉＳｉ層上に，ＷＦ
とＨとを反応種とするタングステンの成長が，３００℃，２５分という２
条件の下では認められなかったことを示すだけである。ＣＶＤタングステ
ンの析出の条件は，温度ひとつをとってみても，刊行物３（甲６）におい
ては３６０∼５００℃（訳文１頁下から２行），刊行物７（甲７）では４
５０℃（１７８頁２４行）とされているから，甲１６の上記条件下で，窒
化チタン膜上に析出できなかったからといって，窒化チタン膜上にＣＶＤ
によってタングステンが析出されないという技術常識が，直ちに認められ
るものではない。
６イ甲１８には，「他の金属上へのタングステンの析出」として，「ＷＦ
：Ｈを用いて窒化チタン上に核生成させることは，膜の正確な処理方法，２
すなわちその膜の化学状態に従うようである。自己整合的なチタンシリサ
イド工程の流れにおいて，窒素雰囲気中の最終アニールは酸素を含んだ薄
い（１０−２０ｎｍ）表面窒化物を生成する。これらの表面層では，長期
にわたってＷＦ：Ｈに晒した後であっても，タングステンの核生成が一６２
切起こらないか，８０ｎｍまでのタングステンが析出された結果が報２９３０
告されている」（訳文３頁下から１２∼６行）との記載があって，注２９
と注３０にそれぞれ文献が引用されているが，このうち，タングステンの
核生成が一切起こらないとした注２９の文献は，その８名の執筆者が，上
記甲１６の８名の執筆者と全く同一で，かつ，甲１６の刊行の翌年に刊行
されたものであるから，上記甲１６と同内容のものと推認され，そうであ
れば，上記のとおり，これによって，窒化チタン膜上にＣＶＤによってタ
ングステンが析出されないという技術常識が認められるものではない。
そして，他に，原告主張の「技術常識」が存在したことを認めるに足り
る証拠はなく，上記「技術常識」が，引用発明のアルミニウム膜をＣＶＤ
タングステンに置き換える場合に，窒化チタン膜を除去する理由にはなら
ない。
ウ甲２６，２９，４１については，いずれも本件特許の優先権主張日以降
に公開ないし発刊された刊行物であるし，その内容を検討しても，原告主
張の技術常識を裏付けるものとはいえない。
(6)原告は，本件訂正発明３８は，ＣＶＤタングステンによるコンタクトプ
ラグを実用化するに当たって解決しなければならないと認識されていた浸食
及びウォームホールの発生を抜本的に防ぐという予測できない顕著な作用効
果を奏すると主張する。
ア刊行物２（甲１２）には，以下の記載がある。
「ＷＦをＨにより還元することで生成されるＣＶＤタングステン膜は６２
非常に好適な特性を有する最も将来性のある工程である：すなわち，低堆
積温度，良好なステップカバレッジ，低コンタクト抵抗及び高いエレクト
ロマイグレーション安定性である。コンタクトホールは非選択的タングス
テン析出及びエッチバックによるタングステンプラグによって充填しうる。
この非選択的工程は，タングステンの選択的析出の場合のような浸食効果
やワームホールの問題が何も認められなかった。」（４４３頁「導入」の
項２段落）
イ刊行物４（甲３）には，以下の記載がある。
「選択的ＣＶＤタングステンの浸食は，そのＶＬＳＩの金属層への適用
を抑制する主要な問題であった。この浸食はコンタクト下の接合部の特性
を引下げ，漏れ電流を増加させることから，タングステンをコンタクトバ
リヤとして利用する目的を打ち負かす。我々は，浸食現象の機構に基づい
て浸食問題から解放されたプロセスを開発しており，別所でその詳細を議
論している。その結論を要約すると，浸食に影響する重要な要因は：析出
温度，ＷＦの濃度（必ず低く抑える必要がある），及びコンタクトの下６
のシリコンへのドープである。これらのパラメーターを適切にコントロー
ルすることにより，タングステンの浸食は排除できる。」（１６７頁２段
落）
ウ甲１１には，以下の記載がある。
「材料的な観点からすると，減圧ＣＶＤ法によるタングステンの工程に
依拠した多くの特徴は未だ詳細にすべきものである。特に，タングステン
とシリコンとの接触面では原子レベルまでのサブミクロン上で発生する形
態学的な特徴が存在する。これらの中には，シリコン／二酸化シリコンの
接触面の下におけるタングステンの側面への浸食，シリコン基板における
“ウォームホール”の形成，そしてタングステン／シリコンの接触面の粗
さなどがある。」（１１７頁「要約」）
エ以上の記載を総合すると，当業者であれば，ＣＶＤタングステンの化学
種であるＷＦとの接触を妨げるバリヤ層を設けることでウォームホール６
を予防できる可能性を認識できるから，本件訂正発明３８が当業者の予測
の範囲を超えた顕著な効果を奏するものであるということはできない。原
告の主張は採用できない。
(7)原告は，引用発明から本件訂正発明３８を想到する際に最後の工程だけ
をＣＶＤによるタングステンに置き換えるとの着想はあり得ないと主張する。
しかし，引用発明のアルミニウム膜をＣＶＤタングステンに置き換えると，
必然的に最後の工程だけを置き換えることになるのであり，原告の主張は失
当である。
３本件訂正発明４０について
前記第２，１記載の当事者間に争いのない事実のとおり，本件訂正発明４０
に係る特許は，本件無効審決の確定により無効となっているものであり，本件
訂正審判請求において，原告（請求人）はもはや本件訂正発明４０に関して訂
正審判請求をすることが許されないものであるから（特許法１８５条，１２６
条６項），本訴請求中，審決のうち本件訂正発明４０に関する部分の取消しを
求める部分は，訴えの利益を欠くというべきである。
４本件訂正発明４６について
(1)前記第２，１記載の当事者間に争いのない事実及び証拠（甲２１の１，
２８，乙５）を総合すると，原告は，無効２００３−３５５１８号事件にお
いて，平成１６年７月２１日，請求項４６に係る発明について「前記タング
ステンプラグは，ＷＬとＨとのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」６２
を「前記タングステンプラグは，ＷＦとＨとのＣＶＤ反応によって選択的６２
に形成される」と訂正する内容の訂正請求をしたところ，特許庁は，平成１
７年６月２４日，請求項４６に係る発明についての訂正については，誤記の
訂正を目的としていることを理由にこれを認めるとともに，訂正後の請求項
４０及び４３に記載された発明についての特許を無効にするとの本件無効審
決をし，その後原告は本件無効審決について審決取消訴訟を提起したが，本
件訴訟係属中に本件無効審決が確定したことが認められる。
他方，本件訂正審判請求において，原告は，本件特許の請求項３８，４０
及び４６に関して訂正審判を請求しているところ（訂正審判請求書（甲２１
の１）には，「請求の趣旨」として，「特許２６４５３４５号の明細書（請
求項５，８，１２，２２，２４，３６，３８，４０および４６について）を
本訂正請求書に添付した明細書の通り訂正することを求める。」と記載され，
訂正審判請求書手続補正書（甲２１の２）には，「補正の内容」として，
「『特許２６４５３４５号の明細書（請求項５，８，１２，２２，２４，３
６，３８，４０及び４６について）を本訂正請求書に添付した明細書の通り
訂正することを求める。』とあるのを，『特許２６４５３４５号の明細書
（請求項３８，４０および４６について）を本訂正請求書に添付した明細書
の通り訂正することを求める。』に変更する。」と記載されていることに照
らせば，このことは明らかである。），審判合議体は，本件特許の請求項４
６に係る訂正について，「誤記の訂正を目的とするものであって，願書に添
付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり，かつ実
質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。」と判断し，さ
らに本件訂正発明４６の独立特許要件の有無を検討し，「訂正発明４６は，
刊行物１ないし９に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たもの
ではないから，特許法第２９条第２項の規定に違反したものとはいえない。
また，刊行物１ないし刊行物９に係る発明をどのように組み合わせても，訂
正発明は導き出せない。」として独立特許要件を肯定しながら，本件訂正発
明３８，４０が独立特許要件を欠くことを理由に，「本件審判の請求は，成
り立たない。」との審決をしたことが認められる。
(2)アところで，特許法は，昭和６２年法律第２７号による改正により，い
わゆる改善多項制を導入したものであるところ，同改正後の特許法の下に
おいては，２以上の請求項に係る特許については請求項ごとに無効審判請
求をすることができるものとされていること（特許法１２３条１項柱書）
に照らせば，２以上の請求項に係る特許無効審判の請求に対してされた審
決は，各請求項に係る審決部分ごとに取消訴訟の対象となり，各請求項に
係る審決部分ごとに確定するというべきである。そして，２以上の請求項
を対象とする特許無効審判の手続において，無効審判請求の対象とされた
請求項について訂正請求がされ，「訂正を認める」とした上で，審判請求
を不成立とする審決がされた場合には，訂正請求に係る請求項は，審決の
うち当該請求項について審判請求不成立とした部分が確定した時に，当該
訂正された内容のものとして確定するというべきである（当庁平成１９年
６月２０日決定（同年(行ケ)第１００８１号），同年７月２３日決定（同
年(行ケ)第１００９９号），同年９月１２日判決（同１８年(行ケ)第１０
４２１号）参照）。
このように，改善多項制導入後の特許法の下においては，特許無効審判
手続における特許の有効性の判断及び訂正請求による訂正の効果は，請求
項ごとに生ずるものであり，その確定時期も請求項ごとに異なり得るもの
である。これを言い換えれば，２以上の請求項を対象とする特許無効審判
の手続においてされた審決に対する取消訴訟においては，審決の取消しを
求める当事者（原告）は，当該訴訟において取消しの対象とされている請
求項に係る審決部分に関しては，審決が当該請求項について訂正請求を認
めたこと，あるいはこれを認めなかったことを含めて，その当否を争うこ
とが許されるが，当該訴訟において取消しの対象とされていない請求項に
ついて審決が訂正請求を認めたこと，あるいはこれを認めなかったことを
争うことは許されないということである。そうすると，そもそも，２以上
の請求項を対象とする特許無効審判の手続において，特許権者から２以上
の請求項について訂正請求がされた場合には，審判合議体は，原則として，
各請求項ごとに訂正請求の許否を判断すべきものであり，そのうちの１つ
の請求項についての訂正請求が許されないことを理由として，その余の請
求項についての訂正請求の許否に対する判断を行わずに，訂正請求を一体
として許されないと判断することは，改善多項制の下における特許法の解
釈としては，特段の事情のない限り，許されないというべきである。
イ特許無効審判の手続において，無効審判請求の対象とされていない請求
項について訂正請求がされ（特許法１３４条の２第５項後段参照），当該
訂正請求につき「訂正を認める」との審決がされた場合は，審決のうち，
当該請求項について「訂正を認める」とした部分は，無効審判請求の双方
当事者の提起する取消訴訟の対象となるものではないから，審決の送達に
より効力を生じ，当該請求項は，審決送達時に，当該訂正された内容のも
のとして確定すると解するのが相当である。
特許無効審判の手続において，無効審判請求の対象とされている請求項
及び無効審判請求の対象とされていない請求項の双方について訂正請求が
された場合においては，審判合議体は，無効審判請求の対象とされていな
い請求項についての訂正請求が独立特許要件を欠く等の理由により許され
ないことを理由として，無効審判請求の対象とされている請求項について
の訂正請求の許否に対する判断を行わずに，訂正請求を一体として許され
ないと判断することは，特段の事情のない限り，特許法上許されないとい
うべきである。また，この場合において，無効審判請求の対象とされてい
る請求項についての訂正請求が許されないことを理由として，無効審判請
求の対象とされていない請求項についての訂正請求の許否に対する判断を
行わずに，訂正請求を一体として許されないと判断することも，特段の事
情のない限り，特許法上許されないものである。
(3)そうすると，本件特許の請求項４６は，同請求項を対象とする訂正請求
を認めた本件無効審決の送達時において，当該訂正された内容のものとして
確定したというべきである。そして，前記のとおり，当該訂正請求による訂
正後の請求項４６の内容は本件訂正発明４６と同一であるから，本件訂正審
判請求のうち請求項４６に係る部分は，本件特許の請求項４６について，本
件無効審決により既に訂正されて確定した内容と同一内容に訂正を求める内
容であって，無意味なものである（なお，訂正審判請求書（甲２１の１）及
び訂正審判請求書手続補正書（甲２１の２）の記載に照らし，本件訂正審判
請求において，原告が本件特許の請求項４６についても訂正を求めていると
解さざるを得ないことは，既に前記(1)において説示したとおりである。）。
(4)本件審決は，本件無効審決に対して原告が審決取消訴訟を提起したこと
により，本件特許に係る請求項４６の訂正も確定していないとの理解に基づ
き，請求項４６の訂正の許否について審理の対象としているが，これは上記
の理解と異なるものであり，是認することができない。
すなわち，本件無効審決のうち請求項４６について「訂正を認める」とし
た部分は本件無効審決の送達と同時に確定しているのであるから，本件訂正
審判請求の審理を担当する審判合議体としては，こうした理解に基づいて，
請求人（原告）に対し釈明権を行使して，訂正審判請求書の補正により請求
項４６の訂正部分を削除することを求め，請求人（原告）においてこれに応
じない場合には，本件無効審判請求中請求項４６に関する部分については，
不適法なものとして却下すべきであったものである（特許法１３５条）。
(5)上記のとおり，本件特許の請求項４６につき，原告が本件訂正審判請求
において求めた訂正の内容は，本件無効審決により，本件訂正審判請求前に
既に実現しているものである。そして，上記のとおり，本件訂正審判請求に
おいては，審判合議体は，本件無効審判請求中請求項４６に関する部分につ
いては，不適法なものとして却下すべきであったところ，審判請求不成立と
したものであるが，そのことは請求項４６に係る特許に関する請求人（原
告）の法律上の権利義務関係に何ら影響を与えるものではない。そうすると，
本件特許の請求項４６に関する限り，原告は，審判請求不成立の審決により
何ら不利益を受けていないから，本訴請求中，本件審決のうち本件訂正発明
４６に関する部分の取消しを求める部分は，訴えの利益を欠くものというべ
きである。
５結論
以上に検討したところによれば，本件審決のうち本件訂正発明３８に関する
部分の判断の誤りをいう原告の取消事由には理由がなく，本訴請求中，本件審
決のうち本件訂正発明４０及び４６に関する部分の取消しを求める部分は，訴
えの利益を欠くものである。
そして，改善多項制導入後の特許法の下では，２以上の請求項を対象とする
訂正審判請求を不成立とした審決に対する取消訴訟においては，訂正審判請求
の内容が，訂正の許否を各請求項ごとに独立して判断し得るものである場合に
は，請求項ごとに，これに対応する審決部分について，これを取り消すべきか
どうかを判断し得るものと解するのが相当である。けだし，前記のとおり，特
許法が２以上の請求項に係る特許については請求項ごとに無効審判請求をする
ことができるものとしていること（特許法１２３条１項柱書）に照らせば，２
以上の請求項を対象として請求された無効審判における訂正請求については，
各請求項を対象とする無効審判請求に対応する防御手段として，特許権者は，
請求項ごとに訂正請求をすることができ，審判合議体は，請求項ごとに訂正の
許否を判断すべきものというべきであり，この理は，２以上の請求項を対象と
してされた訂正審判請求においても，請求人の求める訂正審判請求の趣旨が，
その内容に照らして訂正の許否を各請求項ごとに独立して判断し得るものであ
る限り，同様に妥当するものと解するのが相当だからである。そして，前記４
(1)の訂正審判請求書（甲２１の１）及び訂正審判請求書手続補正書（甲２１
の２）の記載内容に照らせば，本件訂正審判請求の内容は，各請求項ごとに独
立して判断し得るものというべきである（このことは，本件審決が，本件特許
の請求項３８，４０及び４６に係る訂正について，それぞれ別個に訂正要件及
び独立特許要件を判断していることに照らしても，明らかである。）。
したがって，本訴請求中，本件審決のうち本件特許の請求項４０及び４６の
発明に関する部分の取消しを求める請求に係る訴えは却下すべきであり，原告
のその余の請求は理由がないものとして棄却すべきである。
よって，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官三村量一
裁判官嶋末和秀
裁判官上田洋幸

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