戻る

平成２２年１０月１３日判決言渡同日判決原本領収裁判所書記官
平成２１年（行ケ）第１０３７１号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２２年９月１５日
判決
原告京セラ株式会社
訴訟代理人弁理士石島茂男
阿部英樹
藤巻文雄
白阪充
被告日立金属株式会社
訴訟代理人弁護士増井和夫
橋口尚幸
齋藤誠二郎
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１原告が求めた判決
特許庁が無効２００８−８００１２０号事件について平成２１年１０月１４日に
した審決を取り消す。
第２事案の概要
原告が名称を「磁気ヘッド用基板」とする発明について登録を受けた特許第３１
２１９８０号の請求項１ないし３について被告が無効審判請求をしたところ（なお，
原告はその後，訂正請求をして，請求項３を削除するとともに，明細書中の記載を
一部改めた。），特許庁はこれを無効２００８−８００１２０号事件として審理した
上で，平成２１年１月２７日に上記請求項１ないし３の発明についての特許を無効
とする旨の審決（第１次審決）をしたが，第１次審決が審決取消訴訟で取り消され
たので，特許庁は再度の審理をして平成２１年１０月１４日に上記請求項１及び２
の発明についての特許を無効とする旨の審決（第２次審決）をした。本件訴訟は第
２次審決の取消訴訟である。
争点は，訂正後の請求項１及び２に係る各発明（以下，それぞれ「訂正発明１」，
「訂正発明２」といい，これらをまとめて「各訂正発明」という。）が，当業者にお
いて本件出願前に頒布された刊行物及び周知技術に基づいて容易に発明することが
できたか否かである。
１特許庁における手続の経緯
原告は，平成６年３月３日，名称を「磁気ヘッド用基板」とする発明につき特許
出願をし（特願平６−３３５１２号。なお，公開日は平成７年９月１９日，公開番
号は特開平７−２４２４６３号。），平成１２年１０月２０日に特許登録を受けた（特
許第３１２１９８０号，請求項の数は３）。
被告は，平成２０年６月２７日，請求項１ないし３につき無効審判請求をし，特
許庁は，これを無効２００８−８００１２０号事件として審理した上，平成２１年
１月２７日，「特許第３１２１９８０号の請求項に係る発明を無効とする。」との第
１次審決をした。
原告は，平成２１年３月３日，第１次審決の取消訴訟を提起し（平成２１年(行ケ)
第１００５０号），かつ同年４月２８日，請求項１を削除し，請求項２の内容を一部
改めてこれを請求項１とする旨等の訂正審判請求をした（訂正２００９−３９００
６０号事件）。
知的財産高等裁判所は，平成２１年６月１９日，特許法１８１条２項に基づき，
第１次審決を取り消す決定をした。
原告は，平成２１年７月６日，請求項１を削除し，請求項２の特許請求の範囲の
記載を後記のとおりに改めるとともにこれを請求項１とし，請求項３の特許請求の
範囲の記載を後記のとおりに改めるとともにこれを請求項２とする等の訂正請求を
し，上記訂正審判請求は取り下げたものとみなされた（特許法１３４条の３第４項）。
特許庁は，さらに審理を加えた上で，平成２１年１０月１４日，上記無効審判請
求事件において，「訂正を認める。特許第３１２１９８０号の請求項１∼２に係る発
明についての特許を無効とする。」との第２次審決をし，同審決の謄本は同月２６日
に原告に送達された。
本件訴訟は，第２次審決の取消訴訟であり，以下単に「審決」というときは，第
２次審決を指す。
２本件発明の要旨
本件の発明は記録機器に用いられる磁気ヘッド用基板に関する発明で，上記訂正
請求による特許請求の範囲は以下のとおりである。
【請求項１】（訂正発明１）
「Ａｌ２Ｏ３を主成分とし，ＴｉＣを２０∼４０重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ３
−ＴｉＣ系焼結体から成る磁気ヘッド用基板であって，
該焼結体中のＡｌ２Ｏ３結晶粒の平均結晶粒径が，ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径よ
り５∼５０％大きく，
該基板の磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオンの照射によりエ
ッチング処理加工された加工部を有し，
前記結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下，前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径
が０．９μｍ以下である磁気ヘッド用基板。」
【請求項２】（訂正発明２）
「前記結晶粒の粒界相の含有量が１．０重量％以下である請求項１記載の磁気ヘ
ッド用基板。」
３審決の理由の要点
(1)各訂正発明は，下記刊行物２（甲２）に記載された引用発明及び甲第１，３，
５ないし９号証に記載された周知技術に基づいて，当業者が容易に発明できたもの
で進歩性を欠く（特許法２９条２項）。
【刊行物２】
特開平４−３２１５５６号公報（発明の名称「セラミツクス材料及び製造方法」，
出願人電気化学工業株式会社，公開日平成４年１１月１１日，実願平３−１１６
５５７号，甲２）
【甲第１号証】
社団法人日本電子材料工業会編「電子回路用高機能セラミック基板」（日本工業
出版株式会社，発行日１９９４年（平成６年）２月２８日）２２３∼２５２頁
【甲第３号証の１】
化学大辞典編集委員会編「化学大辞典３」（共立出版株式会社，発行日昭和４４
年８月５日）８９３頁
【甲第３号証の２】
化学大辞典編集委員会編「化学大辞典５」（共立出版株式会社，発行日昭和４４
年８月１５日）６９９頁
【甲第５号証】
中西卓二ほか著「浮動式薄膜磁気ヘッド」（研究実用化報告第３１巻第２号，発行
年１９８２年（昭和５７年））４５７∼４６８頁
【甲第６号証】
特開平４−３６４２１７号公報（公開日平成４年１２月１６日）
【甲第７号証】
特開平４−３４７８３号公報（公開日平成４年２月５日，出願人京セラ株式
会社（原告））
【甲第８号証】
Ｗｅｂｓｔｅｒ’ｓＴｈｉｒｄＮｅｗＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＤｉ
ｃｔｉｏｎａｒｙＯＦＴＨＥＥＮＧＬＩＳＨＬＡＮＧＵＡＧＥＵＮＡＢ
ＲＩＤＧＥＤ（発行年１９８６年（昭和６１年））１２７１頁
【甲第９号証】
マグローヒル科学技術用語大辞典第２版（株式会社日刊工業新聞社，発行年１
９８５年（昭和６０年））３７１，１７１０頁
(2)審決が認定した引用発明の要旨，訂正発明１と引用発明の一致点及び相違点
はそれぞれ下記のとおりである。
【引用発明の要旨】
「Ａｌ２Ｏ３を６５．４重量％，ＴｉＣを３４．６重量％の割合で含有するＡｌ２
Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体から成る薄膜磁気ヘッド用基板であって，該焼
結体中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が，ＴｉＣの平均結晶粒径よりも４３％大きく，
前記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．９１μｍであり，前記ＴｉＣ結晶粒の平均結
晶粒径が０．７μｍである薄膜磁気ヘッド用基板，
Ａｌ２Ｏ３を７６．４重量％，ＴｉＣを２３．６重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ
３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体から成る薄膜磁気ヘッド用基板であって，該焼結
体中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が，ＴｉＣの平均結晶粒径よりも４３％大きく，前
記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．９４μｍであり，前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶
粒径が０．７μｍである薄膜磁気ヘッド用基板，
Ａｌ２Ｏ３を６５．４重量％，ＴｉＣを３４．６重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ
３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体から成る薄膜磁気ヘッド用基板であって，該焼結
体中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が，ＴｉＣの平均結晶粒径よりも３３％大きく，前
記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．７４μｍであり，前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶
粒径が０．６μｍである薄膜磁気ヘッド用基板，及び，
Ａｌ２Ｏ３を７６．４重量％，ＴｉＣを２３．６重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ３
−ＴｉＣ系セラミックス焼結体から成る薄膜磁気ヘッド用基板であって，該焼結体
中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が，ＴｉＣの平均結晶粒径よりも３３％大きく，前記
結晶粒全体の平均結晶粒径が０．７６μｍであり，前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒
径が０．６μｍである薄膜磁気ヘッド用基板」
【訂正発明１と引用発明の一致点】
「Ａｌ２Ｏ３を主成分とし，ＴｉＣを２３．６または３４．６重量％の割合で含有
するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体から成る磁気ヘッド用基板であって，該焼結体中の
Ａｌ２Ｏ３結晶粒の平均結晶粒径が，ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より３３または４
３％大きく，前記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．７４，０．７６，０．９１，ま
たは０．９４μｍであり，前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．６，または０．
７μｍである磁気ヘッド用基板」である点
【訂正発明１と引用発明の相違点】
・相違点ａ
「訂正発明１が磁気ヘッド用基板であるのに対し，引用発明は薄膜磁気ヘッド用
基板である点」
・相違点ｂ
「訂正発明１が基板の磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオンの
照射によりエッチング処理加工された加工部を有するのに対して，引用発明はかか
る事項を有していない点」
第３原告主張の審決取消事由
１引用発明と訂正発明１との一致点及び相違点の認定の誤り（取消事由１）
刊行物２中には，「また，鏡面加工を施した場合，ダイヤモンド砥粒との摩擦によ
って脱粒が生じやすくなるので，精密加工を施す薄膜磁気ヘッド用セラミックス基
板の製造においては，歩留まりが低下するという問題があった。」（段落【０００４】）
との記載があるから，引用発明における鏡面加工は「薄膜磁気ヘッド用セラミック
ス基板」を製造する際に行われていることは明らかである。
そして，引用発明の「薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板」は，刊行物２の記載
にかんがみると，共振周波数に関係する電気回路が形成された部品を得るためのセ
ラミックスの板であるところ，刊行物２中には「（４）研磨面の表面粗さ（鏡面加工
性）：焼結体からφ７６．２×４ｍｍｔの円板を切り出し，＃４００のカップ砥石を
用いて平面研削し，次いで０．２∼３．０μｍのダイヤモンド砥粒によって，砥粒
別に一定時間，３段階の鏡面加工を施し，研磨面の表面粗さを非接触式の表面粗さ
測定器を用いて測定した。」(段落【００２１】)との記載があるから，「薄膜磁気ヘ
ッド用セラミックス基板」は焼結体（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体）から切り出され
た円板であり，鏡面加工はこの円板の表面に対して施すものである。
ここで，刊行物２の段落【０００３】が引用する特開昭５５−１６３６６５号公
報（甲３２）には，Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体の製造工程が記載されており，また
上記公報中には上記工程で製造された物を機械にかけて，ヘッド・スライダー部品
の材料となるウエハを作成する旨の記載があるから，上記「薄膜磁気ヘッド用セラ
ミックス基板」はウエハであって，ウエハを切断した後の部品ではない。
そうすると，引用発明で鏡面加工を施す対象も，薄膜磁気ヘッド・スライダーの
回路を形成したウエハであって，このウエハを切断した後の薄膜磁気ヘッド・スラ
イダーの基になる部品ではない。
したがって，引用発明では，ウエハ切断面であるスライダー浮上面に鏡面加工を
施した後にイオンミリング加工を施す構成は開示されていない。
そうすると，訂正発明１と引用発明との相違点ａは，訂正発明１が切断物である
磁気ヘッド用基板であるのに対し，引用発明がウエハである薄膜磁気ヘッド用基板
である点となるべきであるところ，審決はウエハであるかその切断物であるかを示
さずに前記のとおり相違点ａを認定しているから，訂正発明１と引用発明との相違
点の認定を誤ったものである。
２周知技術の内容の認定の誤り（取消事由２）
(1)甲第１号証について
甲第１号証中には，ウエハの切断前に，ウエハ表面に形成された薄膜をパターニ
ングすることしか記載されておらず，ウエハの切断後にフォトリソグラフィ工程を
実施することは記載されていない。なお，甲第１号証に記載された技術に関しては，
フォトリソグラフィ工程とイオンミリング工程とは，工程の順序や加工の対象とな
る面が異なる異質なものである。
また，甲第１号証中に，磁気ヘッドのスライダー浮上面に対してイオンミリング
加工を施すこと，フォトリソグラフィ工程に先立ってメカノケミカルポリッシング
が施されることが記載されているとしても，加工すべき面が一致することまで記載
されていないから，必ずしもメカノケミカルポリッシングが施された面にイオンミ
リング加工が施されることになるわけではない。しかも，フォトリソグラフィ工程
にはエッチング工程のほかにレジスト塗布工程等の複数の工程が含まれるのであっ
て，フォトリソグラフィ工程をイオンミリング工程に読み替える必然性は存しない。
むしろ，甲第１号証中には，フォトリソグラフィによりウエハ表面に数百個の薄
膜磁気ヘッドを作製してから，上記ウエハの条切断を行い，上記のメカノケミカル
ポリッシングが施された面とは別の面であるウエハ切断面に対してスライダ浮上面
の精密形状加工，すなわちイオンミリング加工を施すことが記載されているもので
ある。
また，甲第１号証中には，１９７９年に発表された製品以降の薄膜磁気ヘッドの
製造にＩＣ製造技術が用いられている旨が記載されているが，ＩＣの製造において
メカノケミカルポリッシングを行うのはウエハ表面である。
しかるに，審決は上記各点を看過して，甲第１号証において，スライダー浮上面
に「イオンミリング加工に先立ってメカノケミカルポリッシングがなされることが
記載されている。」と認定しているが，この認定は誤りである。
なお，甲第１号証中の「磁気ディスク上の浮上距離が５０ｎｍということから考
えても形状変化は１０ｎｍ以下が要求される。」との記載（２４３，２４４頁）は，
内部応力によるひずみがヘッドクラッシュの原因となるから内部応力を抑えるべき
であることを説明したものにすぎず，平滑度について言及したものではない。
(2)甲第５号証について
甲第５号証中に，薄膜磁気ヘッドのスライダー相当面（スライダー浮上面に相当
する。）をラッピングし，その後にイオンエッチング加工（イオンミリング加工）す
ることが記載されているとしても，本件出願当時の技術常識に照らした場合，ラッ
ピングでは鏡面を形成することはできない。ラッピングは鏡面加工の一工程にすぎ
ず，鏡面加工そのものではない。
したがって，甲第５号証には，スライダー浮上面を鏡面加工した後に，この面に
イオンミリング加工をする構成は開示されていない。
また，甲第５号証では，基板の材料として単一材料であるＮｉ−Ｚｎフェライト
材料が採用されており，訂正発明のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系材料のような複合材料が採
用されているわけではない。Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系材料のような複合材料では，Ａｌ
２Ｏ３粒子とＴｉＣ粒子とでイオンミリング加工によるエッチングの速度が異なる
から，エッチング後の表面の粗さが異なる不都合が生じ得る。
甲第５号証には，上記のとおりの複合材料を採用した場合の不都合を回避するた
め，スライダー浮上面を鏡面加工した後にイオンミリング加工を施す契機が記載さ
れていない。
そのため，甲第５号証は，訂正発明１の構成に容易に想到し得る根拠となるもの
ではない。
(3)甲第６号証について
甲第６号証中に薄膜磁気ヘッドのレールパターンをエッチングプロセスで作成す
ることが記載されているとしても，甲第６号証に記載された発明においてはラップ
仕上げがされているだけで，これは鏡面加工ではない（甲第６号証中で引用されて
いる米国特許公報においても同様である。）。
したがって，甲第６号証は，訂正発明１の構成に容易に想到し得る根拠となるも
のではない。
(4)甲第７号証について
甲第７号証中には鏡面加工を施した後にイオンエッチング加工（イオンミリング
加工）を施すことが記載されているが，甲第７号証に記載された発明で加工を施す
対象は，単一種類の化合物粒子から成る焼結体であって，訂正発明１の焼結体のよ
うな加工速度の異なる２種類の粒子から成る焼結体ではない。
また，甲第７号証には，鏡面加工した後にイオンミリング加工をする利点が記載
されておらず，むしろイオンミリング加工をする難点が記載されている。
そうすると，複合材料の焼結体に甲第７号証に記載された鏡面加工，イオンミリ
ング加工を施すようにする契機や理由は存在しない。
(5)まとめ
ア前記(1)ないし(4)のとおり，甲第１号証にはスライダー浮上面にイオンミリン
グ加工をするのに先立って上記浮上面にメカノケミカルポリッシング加工を施すこ
とが記載されていないし，甲第５号証にはスライダー浮上面を鏡面加工した後にイ
オンミリング加工すること等が記載されていないし，甲６号証にはスライダー浮上
面に鏡面加工を施すことが記載されていないし，甲７号証には複合材料の焼結体に
鏡面加工等を施すことが記載されていない。
このとおり，甲第１，５ないし７号証のいずれにも，スライダー浮上面となるウ
エハ切断面を鏡面加工した後，イオンミリング加工により負圧発生部を形成するこ
とは単独で記載されておらず，審決のいう周知技術は各書証に記載された事項を寄
せ集めて恣意的に創作されたものにすぎないのであって，進歩性の判断対象になり
得るものではない。
そうすると，審決のいう引用発明に適用すべき周知技術は甲第１，３，５ないし
９号証に記載されておらず，これに反する審決の認定は誤りである。
イ磁気ヘッドのスライダー浮上面には，その表面を粗くしたり複数個の突起を
付けたりして，ディスクとの吸着を防止する技術が開発されてきており，スライダ
ー浮上面の加工方法は一つではない。したがって，本件出願当時，スライダー浮上
面を鏡面加工し，イオンミリング加工をすることが技術常識だとはいえない。
なお，被告が技術常識の裏付けとして援用する乙第１号証（矢野宏ほか監修「光
と磁気の記録技術」（株式会社オーム社，発行日平成４年１１月３０日）６８∼７
５頁）においても，未だ実用化されていないスライダーとして負圧利用型スライダ
ーが記載されており，スライダーの作成は機械加工によって行うことが一般的であ
った旨示されているのであって，乙第１号証はスライダー浮上面の加工が鏡面加工，
イオンミリング加工の方法によってされることが技術常識であったことを裏付ける
ものではない。
３訂正発明１の顕著な作用効果の看過等（容易想到性の判断の誤り，取消事由
３）
(1)訂正発明１では，エッチング速度が異なるＡｌ２Ｏ３結晶粒とＴｉＣ結晶粒と
の間の加工速度が整合され，平滑性に優れた加工面が形成されており，その結果磁
気ヘッドの浮上が安定し，浮上量も小さくすることができるのであって，耐チッピ
ング性や生産性の点を別にしても，高い表面品位を実現できる点で訂正発明１が格
別の作用効果を奏することは明らかである。
すなわち，訂正発明１の素材はエッチング速度が異なる複数の素材から成る複合
焼結体であるところ，エッチング速度の違いのためにイオンミリング加工後の表面
品位が悪くなるという事実は，本件出願当時に知られておらず，上記事実を考慮し
て複合焼結体の各粒子のイオンエッチング速度を整合させ，加工後の表面品位を良
好にすることは，本件出願当時，当業者にとって論理付けることが困難であった。
なお，訂正発明１にいう数値の範囲は上記の格別の作用効果を実現することと密
接な関係を有するものであって，上記範囲を特定することは当業者にとって困難で
ある。
また，平均結晶粒径の算定に使用されるコード法の数式も，明細書に記載された
式と同一のものが国際標準化機構によって制定されており，コード法によって算定
された粒径が一義的なものでないとはいえない。そして，明細書に記載された試料
Ｎｏ．９の測定値が試料Ｎｏ．１７の測定値と同一になってしまったのは，上記各
試料の測定分布の裾の部分になったために，一致したにすぎず，訂正発明１の技術
思想を抽出する上で差し支えとなるものではない。したがって，訂正発明１にいう
数値にどのような技術的意義があるかが明細書に記載されていないとか，コード法
によって算定された粒径が一義的なものでないということはできず，訂正発明１が
顕著な作用効果を奏しないとはいえない。
それゆえ，訂正発明１が顕著な作用効果を奏せず，進歩性がないとの審決の判断
は誤りである。
(2)また，前記２のとおり，甲第１，３，５ないし９号証には審決のいう周知技
術は記載されていないから，引用発明に周知技術を適用することにより，当業者に
おいて訂正発明１の構成に容易に想到できるものではない。
そして，引用発明のセラミックス材料を薄膜磁気ヘッド用基板に限定する理由は
ないし，刊行物２に記載された磁気ヘッドには接触型磁気ヘッド等も含まれ，イオ
ンエッチング以外の加工方法があり得るから，被告が後記のとおり主張するような，
引用発明に甲第１号証等の周知技術を適用する動機付けは存しない。
また，甲第１号証等には，訂正発明１の作用効果であるスライダー浮上面の高精
度の平滑さは記載されていない。
したがって，これらに反し，引用発明及び甲第１，３，５ないし９号証に記載さ
れた周知技術から，当業者において訂正発明１の構成に容易に想到できるとした審
決の判断は誤りである。
４訂正発明２の容易想到性の判断の誤り（取消事由４）
粒界相の含有量を１．０重量％以下にした場合に表面品位が良くなることは訂正
明細書の表３に照らして明らかである。仮に粒界相の含有量が０重量％であったと
しても，引用発明及び甲第１，３，５ないし９号証に記載された周知技術から，当
業者において訂正発明２の構成を容易に想到できるものではない。
したがって，これに反する審決の判断は誤りである。
第４取消事由に関する被告の主張
１取消事由１（一致点及び相違点の認定の誤り）に対し
(1)刊行物２中に薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板の構造や製法が具体的に
記載されていないのは，その出願当時において技術常識となっていた上記基板の構
造等を前提としていたからであるところ，刊行物２の出願当時，薄膜磁気ヘッド用
基板は，素材のウエハ上に電磁変換部を作成した上で，上記ウエハを条切断（スラ
イシング）し，切断面を鏡面加工し，鏡面加工した面（スライダー相当面，スライ
ダー浮上面）にイオンエッチングによる精密加工を施し，負圧部等を形成する工程
を経て作成されるのが技術常識であった。
なお，ラッピングとイオンミリングの加工の順序を反対にすると，チッピングに
対する考慮が必要になるために，イオンミリング加工する深さが大きくなり，長時
間の加工時間が必要になって極めて非効率であるから，当業者がこのような手順を
採用するはずはない。
そうすると，引用発明においても，平滑化処理が施されるのは条切断後のスライ
ダー相当面（スライダー浮上面）であって，条切断前のウエハではないことが明ら
かである。
訂正明細書においても，鏡面加工される面が条切断後のスライダー相当面（スラ
イダー浮上面）であることは，必ずしも明示されておらず，技術常識を参酌して初
めて明らかになることである。
したがって，審決による訂正発明１と引用発明の一致点及び相違点の認定に誤り
はない。
(2)刊行物２の段落【００２１】で，円板の表面を鏡面加工しているのは，鏡面
加工性を評価するために，研磨が容易な円板（ウエハ）を単に材料として採用して
実験したにすぎないのであって，引用発明において円板を鏡面加工し，スライダー
浮上面を鏡面加工しなかったことを意味するものではない。材料の性質を評価する
際に，実験しやすい部位を使用するのは普通のことである。
２取消事由２（周知技術の内容の認定の誤り）に対し
(1)磁気ヘッドのスライダー浮上面は，空気流により磁気記録媒体の表面から浮
上するが，浮上面に凹部を形成することにより，上記表面の方向へ押し付けられる
圧力（負圧）が発生するので，上記表面から浮き過ぎず，上記表面と極く僅かな距
離を保ったまま浮上状態を維持する。しかし，スライダー浮上面は，静止時及び低
速時には上記表面に接触することもあり，また走行時にも，上記表面と極く僅かな
距離しか離れないので，円滑な走行のために，平滑性を要求されることは自明であ
る。例えば，甲第１号証中にも，「薄膜磁気ヘッド完成品は小型でしかも超精密加工
が施され，磁気ディスク上の浮上距離が５０ｎｍということから考えても形状変化
は１０ｎｍ以下が要求される。何故なら，２インチや３インチの基板にはホトリソ
グラフィにより数百個の薄膜ヘッドが作製され，素子が完成して条切断，浮上面精
密加工が行われた後に個別切断がなされるため，内部応力が残留しているとそれが
解放されて変形が生じる。その変形量が大きいと，空気浮上面の平面度が悪くなり，
磁気ヘッドの浮上，停止時にかかる局部的な応力が増大し，ヘッドクラッシュの原
因となる」（２４３頁下から１行∼２４４頁上から７行）と説明されている。スライ
ダーの内部応力による変形も含めて，僅か５０ｎｍの浮上距離での走行に際し，問
題が起きないような高精度の平滑度が，スライダー浮上面のエッチングされない部
分には求められるのであり，スライダー浮上面についてナノメートル（ｎｍ）レベ
ルでの鏡面化処理が必要であることは明らかである。
(2)甲第５，６号証には，①素材である焼結体の薄い板の表面上に，多数の磁気
ヘッドに対応する多数の電磁変換部を形成し，次いで磁気ヘッド１列分を条として，
条ごとに上記の薄い板を切断（条切断）し，この切断面に磁気記録面と対向して走
行することになるスライダー浮上面を形成すること，すなわち上記切断面にラッピ
ング等の研磨による平滑化を行い，次いでイオンエッチング加工（イオンミリング
加工）により所定の形状を得ること，②その後上記浮上面の加工が完成した条を切
断して，完成品である個々の磁気ヘッドを得ることが記載されている。
また，甲第７号証には，磁気記録媒体の表面と対向して浮上，走行する部材であ
る負圧スライダーの製造方法につき，スライダーの表面を鏡面に研磨し，研磨した
面にイオンエッチング加工（イオンミリング加工）を施すことが記載されている。
確かに，甲第１号証中には，スライダー浮上面に鏡面化処理を施したのちにイオ
ンミリング加工をすることは具体的，明示的に記載されていないが，スライダー浮
上面の加工に関し，鏡面化処理を施した上でイオンミリング加工をすることを当然
の前提としているし，甲第１号証の記載からは，素材となる焼結体の材料が異なっ
ても，薄膜磁気ヘッド用基板に加工する工程は特段異ならないことが認められる。
(3)甲第１号証の説明の大部分は，スライダーの素材となる各種の焼結体の特性
と，スライダーへの加工に当てられており，２２６頁１ないし１４行の部分は，各
素材の個別の説明に入る前の，薄膜磁気ヘッドに関する全体的な記載のまとめであ
って，完成した薄膜磁気ヘッドに関するものである。したがって，上記部分は電磁
変換部及びスライダー浮上面に共通するフォトリソグラフィ工程に関するものであ
って，甲第１号証においては，スライダー浮上面に鏡面加工とイオンミリング加工
（イオンエッチング加工，フォトリソグラフィ加工）を施すことについて記載され
ているものというべきである。
なお，薄膜磁気ヘッドの電磁変換部がＩＣの製造技術を用いて作成されるように
なったのは１９７９年ころ以降のことであるが，スライダー浮上面の加工にイオン
ミリング加工が用いられるようになったのは１９８０年代後半からのことであった。
したがって，薄膜磁気ヘッドの電磁変換部の作成にＩＣ製造技術が用いられる旨の
記載があるからといって，この記載からスライダー浮上面が鏡面加工されないとい
うことはできない。
乙第１号証からも，薄膜磁気ヘッド用基板の電磁変換部とスライダー浮上面とが
ともにフォトリソグラフィによって作成されることが技術常識になっていたことが
明らかである。
(4)「鏡面」という用語は抽象的であって，その定義は明確でなく，訂正明細書
においてもその平滑さが定義されているわけではない。
薄膜磁気ヘッド用基板の作成に係る従来技術（甲第５，６号証等）においては，
ラッピング等の表面平滑化加工を施した上でイオンエッチング加工（イオンミリン
グ加工）をしているのであり，上記ラッピング等を訂正発明１にいう鏡面加工と区
別する理由はない。文献中には，ラッピングにより鏡面加工が得られることを明記
しているものもあり，両者は必ずしも峻別されていない。
(5)上記のとおり，本件出願当時，素材である焼結体の切断面にラッピング等に
よる平滑化処理を行い，平滑化後にイオンミリング加工をして所定のスライダー浮
上面を形成することは，磁気ヘッドの構成部材であるスライダーの作成方法として
確立された工程であった。
スライダー浮上面となる面に平滑化処理，すなわち鏡面化処理をすることは，素
材である焼結体の種類に関係なく必要な工程であり，平滑化処理後にイオンミリン
グを行って負圧部（浮上面）の加工を行うことも，本件出願当時の技術常識であっ
た。
訂正明細書中には「鏡面加工」の定義は存しないから，技術常識に従って，スラ
イダーとしての使用に問題を生じない程度以上の平滑度を達成できる平滑化処理を
意味するものと解され，これは甲第５ないし７号証におけるラッピング等と同一で
ある。
また，スライダー浮上面のイオンミリング（イオンエッチング）ないしフォトリ
ソグラフィは，磁気ヘッドの構成部材である電磁変換部の形成に用いられるイオン
エッチング等と，同種の装置を用いて行われる同種の加工方法である。
したがって，甲第１，５ないし７号証から認定される周知技術を参照すれば，素
材となる焼結体が複合材料である場合も含めて，条切断された薄膜磁気ヘッド用基
板に鏡面加工を施した後にイオンエッチングをすることは，薄膜磁気ヘッドの製造
において通常ないし必然的な工程にすぎず，訂正発明１の進歩性に何ら寄与するも
のではない。
３取消事由３（訂正発明１の顕著な作用効果の看過等）に対し
(1)訂正明細書には，イオンエッチング面の表面品位のデータが記載されている
ものの，これがどのような技術的意義を有するものか説明されていない。訂正発明
1の実施例の多くは，原告自身が提出する書証（特開平８−３４６６２号公報，甲
２９）に照らしても好ましい表面品位のレベルに達していない。
訂正発明１は，公知の薄膜磁気ヘッド用基板材料を，その適用が想定されている
周知の加工手段を適用して，製造される薄膜磁気ヘッド用基板を開示するものにす
ぎず，引用発明においても同一の材料が開示されているものであるから，従前の技
術と比して顕著な作用効果を奏するものではない。
なお，訂正発明１の作用効果は，表面品位の向上のみにあるものではなく，耐チ
ッピング性，加工速度にも優れている点にあるはずのものである。
(2)刊行物２中には，耐チッピング性，鏡面加工性，緻密性に優れた薄膜磁気ヘ
ッド用セラミックス基板の材料として最適である旨記載されているから，甲第１号
証等の周知技術を適用した場合の作用効果である，イオンミリング等を行った場合
の加工速度を大きくし，加工後の表面品位を大幅に改善することは，当業者におい
て容易に想定可能な範囲内のものであり，当業者であれば当然に上記周知技術を適
用する動機付けがあるといえる。
４取消事由４（訂正発明２の容易想到性の判断の誤り）に対し
訂正明細書中では，粒界相の含有率が１．０重量％を超える試料Ｎｏ．２０，２
１に比して，上記含有率が１．０重量％以下の試料Ｎｏ．２２，２３の表面品位が
向上していることは記載されているが，粒界相の含有率が０重量％である試料Ｎｏ．
１４，１５，１６，１７と上記試料Ｎｏ．２２，２３の表面品位は同等であって，
訂正発明２に特有の顕著な作用効果は存しない。
したがって，訂正発明２は訂正発明１に粒界相の要件が加えられたものであるが，
やはり進歩性がないというべきである。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（引用発明と訂正発明１との一致点及び相違点の認定の誤り）に
ついて
(1)訂正発明１
ア訂正発明１は，磁気ヘッド用基板に関する発明であり，その特許請求の範囲
は前記のとおりであるところ，証拠（甲１１，１８）によれば，訂正明細書の発明
の詳細な説明欄に次のとおりの記載があることが認められる。
(ア)産業上の利用分野
「本発明は，イオンミリング法または反応性イオンエッチング法（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ法＝ＲＩＥ法）などのイオンの照射によって磁気記録
面と対向する面の一部にイオンの照射により加工された加工部を有する磁気ヘッド
用基板に関するもので，特に，Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体からなる磁気ヘッド用基
板に関する。」（段落【０００１】）
(イ)発明が解決しようとする問題点
「しかしながら，従来のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体は，結晶粒径が比較的大きく，
全体の平均粒径で１．５∼３μｍ程度であるために，加工速度（エッチング速度，
またはミリング速度）が遅く，また，Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣとでは加工速度が異なるた
めに加工後の表面品位も満足できるものは得られていないのが現状である。」（段落
【０００６】）
「従って，本発明の目的は，イオンミリングまたはＲＩＥ加工等により超精密加
工が施されたＴＰＣまたはＭＲスライダーなどに好適な表面品位に優れる磁気ヘッ
ド用基板を提供することを目的とするものである。」（段落【０００８】）
(ウ)発明を解決するための手段
「本発明者らは上記問題点に対して検討を重ねた結果，Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣの焼結
体中における結晶粒径をＴｉＣよりＡｌ２Ｏ３の粒径が相対的に大きくなるように
組織を制御し，さらに全体としての結晶粒径を小さく制御することにより，イオン
ミリングまたはＲＩＥ加工した場合の加工速度が大きく，また加工後の表面品位を
従来の焼結体に比較して大幅に改善できることを知見し，本発明に至った。」(段落
【０００９】）
(エ)発明の効果
「本発明によれば，磁気ヘッド用基板を構成するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体にお
けるＡｌ２Ｏ３結晶粒をＴｉＣ結晶粒より大きく設定するとともに，該基板の磁気記
録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオンの照射によりエッチング処理加工
された加工部を有し，さらに，結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下，前記Ｔｉ
Ｃ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下であることから，イオンミリング加工や
ＲＩＥ加工などのイオンの照射によるエッチング処理加工において表面品位が優れ，
また，加工速度を高めることができる。これにより，薄膜磁気ヘッドなどのスライ
ダーにおける浮上面の超精密加工を優れた精度で行うことができ，磁気ヘッドの信
頼性を高めることができる。」（段落【００３９】）
イ前記アの記載及びその他の訂正明細書の記載によれば，磁気記録装置の構成
部品であって，磁気記録媒体からの磁気記録の読み書きを行う磁気ヘッド（この中
には，磁気ヘッドを磁気記録媒体の上方で摺動させる構成部品であるスライダー・
サスペンションの先端に取り付けられて読み書き動作を行うものがある。）のうち，
所定の基板の表面にスパッタリングなどの薄膜を形成する手法で電磁変換回路（磁
気ヘッド回路）を形成する薄膜磁気ヘッドでは，従来，磁気ヘッド基板表面の加工
が機械加工で行われていたが，磁気記録の高密度化を達成するために磁気記録面か
らの磁気ヘッドの浮上量を小さくするべく，スライダー浮上面により高い寸法精度
の加工を施すため，アルゴン（Ａｒ）イオン等を照射して加工を行うイオンミリン
グ法等が検討されるに至っていること，従来から耐摩耗性等に優れるとの理由で磁
気ヘッド用基板の素材として多用されてきた，Ａｌ２Ｏ３（アルミナ，酸化アルミニ
ウム）に対してＴｉＣ（炭化チタン）を含有するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系（アルミナ−
炭化チタン系）焼結体は，結晶粒径が比較的大きいため加工速度が遅く，また，Ａ
ｌ２Ｏ３とＴｉＣとで加工速度が異なるために加工後の表面品位が不十分であると
いう問題点があったこと，訂正発明１の意義は，上記各問題点を解決するため，Ａ
ｌ２Ｏ３の結晶粒径がＴｉＣの結晶粒径よりも相対的に大きくなるよう（前者の結晶
粒径が後者の結晶粒径よりも５∼５０％大きい。），また全体としての結晶粒径が小
さくなるよう（より具体的には平均１μｍ以下。なお，ＴｉＣの平均結晶粒径は０．
９μｍ以下。），結晶組織を制御することにより，イオンミリング等した場合の加工
速度が大きく，加工後の表面品位が良好である磁気ヘッド用基板を実現した点にあ
ることがそれぞれ認められる。
もっとも，訂正発明１においては，薄膜磁気ヘッドのスライダー浮上面の精密加
工である，イオン照射によるエッチング（食刻）であるイオンミリングの加工をす
る前に，スライダー浮上面を鏡面加工するが（訂正発明１の特許請求の範囲，発明
の詳細な説明の段落【００２３】等），どの程度まで加工するか，どの程度の表面品
位等を充たせば鏡面になるかについて，訂正明細書からは明らかでない。
(2)引用発明
ア刊行物２（甲２）によれば，引用発明は，薄膜磁気ヘッドに用いられる「セ
ラミックス材料及びその製造方法」に関する発明であるところ，従来薄膜磁気ヘッ
ド用基板材料として用いられてきたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体では
スライシング（条切断）の際にチッピング（欠け）が発生しやすくなり，鏡面加工
を施した場合に脱粒が生じたり，さらに磁気ヘッド作成のための精密加工を施した
場合に歩留まりが低下したりするという問題点があったので，引用発明では，スラ
イシングの際にチッピングを生じにくくする耐チッピング性，鏡面加工に十分耐え
られるようにする鏡面加工性，スライダー浮上面の緻密性を十分保持できる緻密性
のいずれにも優れ，薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板として好適なセラミックス
材料を提供するべく，Ａｌ２Ｏ３及びＴｉＣの双方の平均結晶粒径を１．０μｍ以下
とし，Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣとの構成割合を一定範囲のものに限定する等したことが認
められる。
ここで，引用発明の請求項１は「焼結体の切断面における面積割合で，１．０μ
ｍ以下の平均結晶粒径を有するＡｌ２Ｏ３粒子が７０∼９０％，平均結晶粒径１．０
μｍ以下のＴｉＣ粒子が１０∼３０％の割合で分散していることを特徴とするセラ
ミックス材料。」というもので，「焼結体の切断面における」との構成により，上記
切断面に関する要素の限定がされていることが明らかである。また，引用発明に先
行する薄膜磁気ヘッド基板に関する技術に関しては，段落【０００３】において，
基板材料に要求される特性として，平面平滑性，緻密性や精密加工性，耐チッピン
グ性等が挙げられており，また，段落【０００６】及び【０００９】ないし【００
１５】において，Ａｌ２Ｏ３粒子とＴｉＣ粒子の粒界強度が低下しスライシングの際
にチッピングが発生しやすくなるという問題や，鏡面加工時にダイヤモンド砥粒と
の摩擦で脱粒が生じやすくなる等の問題があったので，耐チッピング性，鏡面加工
性，緻密性のいずれにも優れた焼結体（セラミックス）を提供する目的で発明され
たのが引用発明であることが示されている。上記の先行技術においても引用発明に
おいても，緻密性，精密加工性，耐チッピング性等は焼結体の同一の面に着目して
問題とされる複数の課題ないし性格であって，引用発明はこれらを解決（改善）す
る趣旨のものであると解するのが刊行物２の素直な読み方であるということができ
る。
なお，いずれも刊行物２の公開日（平成４年１１月１１日）より以前に発行され
た日本工業技術センター発行「磁気記録技術」２４１∼２６１頁（昭和５８年６月，
甲４４）及び甲第５号証によれば，遅くとも引用発明の公開当時，磁気記録媒体に
記録された磁気情報を読み取る磁気ヘッドアセンブリの先端に取り付けられる薄膜
磁気ヘッドは，薄い板状の素材（セラミックスの焼結体，ウエハ）の平面（表面）
に多数の電磁変換回路（トランスデューサー，磁気ヘッド回路）を形成し，上記素
材を薄膜磁気ヘッド素子が１列分になるように鉛直（厚さ）方向に切断（条切断，
スライシング）し，上記電磁変換回路が形成された面と隣り合う面である切断面に
レール等を形成してスライダー浮上面（完成された磁気ヘッドにおいて，磁気記録
媒体と対向することになる面）となるよう所要の加工を施した上で，上記１列分の
素材を素子１個ずつとなるよう切断するという手順で作製されるのが通常であった
ことが認められ，上記手順は薄膜磁気ヘッドの作製に携わる当業者の技術常識であ
ったということができる。
また，刊行物２の公開日前に刊行され，刊行物２が従来技術として引用する（段
落【０００５】）特開昭６３−８２５７号公報（公開日昭和６３年１月１４日，乙
６），特開昭６３−８２５８号公報（公開日昭和６３年１月１４日，乙７）中にも，
開示された各発明に係るセラミック材料の鏡面加工性，切断加工性やＣＳ／Ｓ特性
（スライダー摺動面の耐摩耗性等）が優れていて，スライダー摺動面の鏡面加工が
容易になる旨が記載されており（乙６の６頁左下欄９∼１５行，乙７の７頁左下欄
１∼７行），上記従来技術に係る薄膜磁気ヘッド基板においては，磁気記録媒体の上
方を浮上して動作し，磁気記録媒体と対向する面であるスライダー摺動面ないしス
ライダー浮上面に鏡面加工やスライダー浮上面の形状加工を施すことが明らかであ
る。
そうすると，遅くとも刊行物２の公開当時，引用発明の磁気ヘッドのスライダー
については，完成後にはスライダー浮上面となる焼結体の切断面につき精密加工性，
耐チッピング性，鏡面加工性，緻密性等が志向され，上記切断面に鏡面加工が施さ
れていたということができる。
イ審決は，引用発明の要旨に関して，次のとおり説示する。
「（あ）刊行物２の表１，２に記載のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体で
ある実施例１，２，４及び５のＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの『断面積の占有率』をもとにし
て，Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣの重量％を求めると以下のようになる。
断面積の占有率の比はＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの体積の比に等しいから，断面積の占有
率に比重を乗じた値の比がＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの重量の比になるといえる。
Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣの比重は，技術常識に照らし，それぞれ，４．０，４．９３で
あるから（刊行物２の段落【００１９】，【００２０】には，バイヤー法Ａｌ２Ｏ３を
用いたことや，段落【００１９】，【００２０】，【００２４】には，焼成温度が１５
００∼１７００℃である旨の記載があることから，甲第２号証のＡｌ２Ｏ３はαア
ルミナといえる。これをもとに，甲第３号証１の『酸化アルミニウムの変態』と題
する表及び甲第３号証２の炭化チタンの項目の記載（６９９頁右欄２４行）を参照
しても，上記２成分の比重の値は導出される。），以下の計算により，
上記実施例１と４では，
Ａｌ２Ｏ３の重量％＝７０×４．０／（７０×４．０＋３０×４．９３）
＝６５．４重量％
ＴｉＣの重量％＝３０×４．９３／（７０×４．０＋３０×４．９３）
＝３４．６重量％
上記実施例２と５では，
Ａｌ２Ｏ３の重量％＝８０×４．０／（８０×４．０＋２０×４．９３）
＝７６．４重量％
ＴｉＣの重量％＝２０×４．９３／（８０×４．０＋２０×４．９３）
＝２３．６重量％
となる。
（い）刊行物２の表１，２に記載の実施例１，２，４及び５におけるＡｌ２Ｏ３と
ＴｉＣの結晶粒径は，共に平均結晶粒径であることは，甲第２号証の段落【００２
１】の記載から明らかであって，Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径値をＴｉＣの結晶粒径値で除
した値を求めてみると，
上記実施例１と２では，
Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径値／ＴｉＣの結晶粒径値＝１．０／０．７＝１．４３
上記実施例４と５では，
Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径値／ＴｉＣの結晶粒径値＝０．８／０．６＝１．３３
となるから，
Ａｌ２Ｏ３の平均結晶粒径はＴｉＣの平均結晶粒径より，４３％（実施例１及び２）
または３３％（実施例４及び５）大きいといえる。
（う）刊行物２の表１，２の記載をもとに，実施例１，２，４及び５のＡｌ２Ｏ３
−ＴｉＣ系焼結体の結晶粒全体の平均結晶粒径を計算すると，
実施例１：１×（７０／１００）＋０．７×（３０／１００）＝０．９１μｍ
実施例２：１×（８０／１００）＋０．７×（２０／１００）＝０．９４μｍ
実施例４：０．８×（７０／１００）＋０．６×（３０／１００）＝０．７４μ
ｍ
実施例５：０．８×（８０／１００）＋０．６×（２０／１００）＝０．７６μ
ｍ
である。
また，ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径は，実施例１及び２では０．７μｍ，実施例
４及び５では０．６μｍである。」
ウ審決が説示するとおり，刊行物２の実施例に記載されたＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの
断面積占有率をもとに，刊行物２の他の記載等やＡｌ２Ｏ３及びＴｉＣの各比重に係
る技術常識を参酌してＡｌ２Ｏ３及びＴｉＣの各重量％を算出し，また刊行物２の実
施例に係る記載をもとにＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径，ＴｉＣの平均結晶粒径及び結晶
粒全体の平均結晶粒径を算出すること等ができるのであって，前記アの結論にかん
がみると，引用発明の要旨は審決が認定したように，前記第２の３のとおりである
ということができる。
したがって，上記と同旨の引用発明の要旨に係る審決の認定に誤りがあるとはい
えない。
(3)訂正発明１と引用発明の一致点及び相違点
引用発明の要旨は前記(2)のとおりであるところ，訂正発明１の特許請求の範囲と
引用発明の内容を対比すると，訂正発明１と引用発明の一致点及び相違点は，審決
が認定したように，前記第２の３のとおりであると認められる。したがって，訂正
発明１と引用発明の一致点及び相違点に係る審決の認定に誤りがあるとはいえず，
原告が主張する取消事由１は理由がない。
(4)原告の主張に対する補足的判断
ア原告は，引用発明における鏡面加工は，焼結体（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体）
から切り出された円板である「薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板」の表面に対し
て施すもので，したがって薄膜磁気ヘッド・スライダーの回路を形成したウエハに
施すものであるから，審決の相違点の認定は誤りである等と主張する。
しかしながら，前記のとおり，引用発明においても，完成後にはスライダー浮上
面となる焼結体の切断面について精密加工性，耐チッピング性，鏡面加工性，緻密
性等が志向され，上記切断面に鏡面加工を施すものであるということができるから，
原告の上記主張を採用することはできない。
イなお，刊行物２中には試料の研磨面の表面粗さに関し，「（４）研磨面の表面
粗さ（鏡面加工性）：焼結体からφ７６．２×４ｍｍｔの円板を切り出し，＃４００
のカップ砥石を用いて平面研削し，次いで０．２∼３．０μｍのダイヤモンド砥粒
によって，砥粒別に一定時間，３段階の鏡面加工を施し，研磨面の表面粗さを非接
触式の表面粗さ測定器を用いて測定した。」(段落【００２１】)との記載があるが，
磁気ヘッド基板の研磨面（表面）の平滑性を評価するのに，同一の材料を使用した
円板の表面を同様の方法で研磨してその平滑性を評価しても，研磨面の平滑性の評
価として欠けるところはない。そして，前記のとおり，引用発明の請求項１には「焼
結体の切断面における」との記載があること，刊行物２の「課題を解決するための
手段」の項目中でも焼結体の切断面におけるＡｌ２Ｏ３の占有率が問題とされている
こと（段落【００１０】，【００１３】）に加え，遅くとも刊行物２の公開日当時，薄
膜磁気ヘッドは，薄い板状の素材の平面（表面）に多数の磁気回路を形成し，上記
素材を薄膜磁気ヘッド素子が１列分になるように鉛直方向に切断し，切断面にレー
ル等を形成してスライダー浮上面となるよう所要の加工を施した上で，上記１列分
の素材を素子１個ずつとなるよう切断するという手順で作製されることが当業者の
技術常識であったことにかんがみれば，引用発明においてもこのような手順に従っ
て薄膜磁気ヘッドを作成することは予定されていたということができる。そうする
と，上記引用部分の試験が焼結体の円板（ウエハ）の平面（表面）を用いてされた
ことをもって，引用発明において，鏡面加工は焼結体の平面すなわち磁気回路が設
けられた面のみに対してされ，加工後にスライダー浮上面となる焼結体の切断面に
対してされるものではないということはできない。
原告主張のように，刊行物２中に「薄膜磁気ヘッド用基板材料としてはＡｌ２Ｏ３
−ＴｉＣ系セラミックス焼結体が主に用いられており（特開昭５５−１６３６６５
号公報）」との記載があり（段落【０００３】），特開昭５５−１６３６６５号公報（甲
３２）中に，薄膜磁気ヘッド用基板の材料となるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス
焼結体の製造方法が開示され，また焼結体の完成をもって「ヘッド送り要素の製造
に使用されるウエハとなる準備ができたことになる。」（３頁左上欄１∼３行）と評
する記載がある。しかし，前者の記載は薄膜磁気ヘッド用基板の材料に主としてＡ
ｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体が用いられることを示すにすぎず，焼結体の
どの面，すなわちウエハ表面又は切断面のいずれかを鏡面加工するかまで限定する
趣旨のものではないし，特開昭５５−１６３６６５号公報もＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セ
ラミックス焼結体の製造方法を開示するにすぎない上，その３頁左上欄１ないし３
行の記載も，焼結体の完成後に電磁変換回路の形成等の工程が予定されている旨の
当然の事項を示すものにすぎないのであって，焼結体のどの面を鏡面加工するかま
で限定する趣旨のものではない。
２取消事由２（周知技術の内容の認定の誤り）について
(1)甲第１号証に関する主張について
ア甲第１号証の文献は，電子回路に用いられるセラミック基板に関する書籍の
うち薄膜磁気ヘッド基板に関する部分であるところ，①薄膜磁気ヘッドは，極めて
小さな空隙を介して磁気記録媒体と高速非接触の状態を維持するものなので，一般
の機械部品に比して，極端に微視的な観点からの性能が要求され（高密度の磁気記
録を行う場合にはさらに要求される性能が高くなる。），また薄膜磁気ヘッド基板に
も組織の緻密性，精密加工性，高精度イオンミリング特性，高強度，高破壊靱性，
高ヤング率，耐摩耗性等が要求されること，②上記各要求を満たす基板材料として
Ａｌ２Ｏ３系（アルミナ系）の材料等が選択され得るが，これらの基板材料はダイヤ
モンドポリッシングの後，さらにメカノケミカルポリッシングを施して５ｎｍ程度
の表面粗さに仕上げられ，フォトリソグラフィ工程を経て磁気ヘッドが作成される
こと，③薄膜磁気ヘッドのスライダー浮上面を形成するために，アルゴンイオン（Ａ
ｒ＋
）を用いたドライエッチングによって，僅かな凹面に加工することがあること
が認められる。
上記のとおり，磁気記録媒体と対向する薄膜磁気ヘッドのスライダー浮上面に高
い平滑性が要求されることは明らかである上，一般に写真感光技術，食刻技術等を
用いてするフォトリソグラフィ工程にはドライエッチングであるイオンミリングが
含まれるし，甲第１号証のイオンミリング特性においては，電磁変換回路作成のた
めのイオンミリング（金属膜，酸化物膜の除去加工等）とスライダー浮上面形成の
ためのイオンミリングが区別されていない。
したがって，甲第１号証においては，薄膜磁気ヘッドのスライダー浮上面につい
ても，イオンミリングによる負圧部等の形成に先立ち，ダイヤモンドポリッシング，
メカノケミカルポリッシングを施して，表面粗さを５ｎｍとする構成が開示されて
いるということができる。
イ原告は，甲第１号証には，ウエハ表面に形成された薄膜をパターニングする
ことしか記載されておらず，ウエハの切断後にフォトリソグラフィ工程を実施する
ことは記載されていない等と主張するが，甲第１号証中の段落７．２（２２６頁１
∼１４行）等の記載の体裁にかんがみれば，当業者の技術常識である薄膜磁気ヘッ
ド作成の手順を踏んで，薄膜磁気ヘッドを作成することが予定されているものと容
易に推認できるのであって，焼結体を条切断した後に切断面にイオンエッチングを
施すことは明らかであるし，甲第１号証のイオンミリング特性においては，電磁変
換回路作成のためのイオンミリング（金属膜，酸化物膜の除去加工等）とスライダ
ー浮上面形成のためのイオンミリングが区別されていない。そうすると，原告の上
記主張を採用することはできない。
なお，甲第１号証中に，米国ＩＢＭ社が開発した磁気ディスク装置に関して，１
９７９年（昭和５３年）に発表された３３７０型以降の磁気ディスク装置では，す
べてＩＣ製造技術を用いた薄膜磁気ヘッドが採用されている旨の記載（２２３頁下
から２行∼２２４頁上から２行）があるとしても，薄膜磁気ヘッドの作成にＩＣ製
造技術の１つである薄膜形成技術，すなわちフォトエッチング技術等が応用されて
いる旨を指摘するものにとどまり，薄膜磁気ヘッドのどの面を研磨するかまで限定
する趣旨のものではないから，上記記載をもって，鏡面加工が焼結体の平面すなわ
ち電磁変換回路が設けられた面のみに対してされるということはできない。
ウ審決は，上記と同旨の認定をするものであるから，甲第１号証が開示する技
術の内容に係る審決の認定に誤りがあるとはいえない。
(2)甲第５号証に関する主張について
ア(ア)甲第５号証では，薄膜磁気ヘッドの作成方法として，基板上に複数の電
磁変換部（電磁変換回路）を形成した後に，基板切断，ラッピングを行い，さらに
イオンエッチング（イオンミリング）加工を行う工程等が示されている。
ここで，第５号証中では上記「ラッピング」につき定義がされていないものの，
そこには，薄膜磁気ヘッドのうち，スライダー浮上面の両脇部にレールを設け，中
央部に段差面を有する凹部を設けた形状の負圧利用形スライダー（負圧スライダー）
においては，イオンエッチングによって形成するスライダーの中央の凹み部分の深
さが４μｍ（４０００ｎｍ）程度，薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体からの浮上量が
０．２μｍ強（２００ｎｍ強）となるときに，薄膜磁気ヘッドに加わる負圧力（磁
気記録媒体表面に向かって引き付けられる圧力）が最大になる旨の記載があるから
（４６５頁左欄７∼１２行，図１３），上記ラッピングがスライダー浮上面の相当程
度の平滑度を実現し得る程度の精度をもってされることは明らかである。
(イ)ところで，甲第８，９，２４ないし２６号証によれば，辞書等には，鏡面
加工ないしラップ仕上げにつき，材料の脆性を利用し，硬質工具を用いる研磨加工
をラッピングに，軟質砥粒，軟質ポリシャ等を用いる研磨加工をポリッシングにそ
れぞれ分類する例や（甲２５），上記の観点の分類に加え，最終仕上げである鏡面仕
上げはポリシングで行われるとする例（甲２６）もあるが，「ラッピング」，「ラップ
仕上（げ）」を鏡面加工と呼ぶこともあることが認められる。
そうすると，甲第５号証のラッピングで研磨された対象物が鏡面であるか否かは，
加工の精度によって決されるべきもので，ラッピングであるからといって必ずしも
鏡面加工ではない等ということはできない。
そして，前記(ア)のとおり，甲第５号証における基板切断後のラッピングは，ス
ライダー浮上面の相当程度の平滑度を実現し得る程度の精度をもってされるもので
あるところ，特に負圧利用形スライダーにおいては，イオンエッチングによって形
成するスライダーの中央の凹み部分の深さが４μｍ（４０００ｎｍ）程度，スライ
ダーの磁気記録媒体からの浮上量が０．２μｍ（２００ｎｍ）強にすぎないこと等
にかんがみれば，少なくとも負圧利用型スライダーの作成に関しては，甲第５号証
中の「ラッピング」を「鏡面加工」と解することも可能である。
イ審決は，上記と同旨の認定をするものであるから，甲第５号証が開示する技
術の内容に係る審決の認定に誤りがあるとはいえない。
ウ原告は，本件出願当時の技術常識に照らした場合，ラッピングでは鏡面を形
成することはできないから，甲第５号証には，スライダー浮上面を鏡面加工した後
に，この面にイオンエッチングをする構成は開示されていない等と主張するが，前
記のとおり，ラッピングを鏡面加工と呼ぶ場合も存するから，原告の上記主張を採
用することはできない。
また，原告は，甲第５号証には，薄膜磁気ヘッド用基板の材料として単一材料で
あるＮｉ−Ｚｎフェライト材料が採用されており，これは訂正発明１のＡｌ２Ｏ３−
ＴｉＣ系材料のような複合材料とは異質なもので，イオンミリング加工によるエッ
チング速度が異なる等の不都合は生じないから，甲第５号証には複合材料を採用し
た場合の不都合を回避するため，スライダー浮上面を鏡面加工した後にイオンミリ
ング加工を施す契機が記載されていない等と主張する。
確かに，甲第５号証において薄膜磁気ヘッド用基板の素材（材料）に採用されて
いるのは，原告のいう単一材料であるＮｉ−Ｚｎフェライト材料（ニッケル−亜鉛
フェライト材料）であるが，本件出願当時，訂正発明１の薄膜磁気ヘッド用基板の
素材であるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体は薄膜磁気ヘッド用基板の素材として広く
使用されていたものであって（訂正明細書の段落【０００４】），当業者においてＡ
ｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体のイオンミリング加工が一般的でなかった等の事情を認
めるに足りる証拠もないから，上記当時にＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体にイオンミリ
ング加工を施すことが著しく困難であったということはできない。また，甲第５号
証において採用されている素材が単一材料であるＮｉ−Ｚｎフェライト材料であり，
訂正発明１で採用されている素材が複合材料であるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系材料であ
ったとしても，前者に係る周知技術ないし技術常識を後者の材料に関して適用（応
用）する場合には，当業者において，対象物の性質の相違に基づき，砥粒径や圧力
等を適宜調整すること等が当然予定されているものであって，複合材料のエッチン
グ速度の齟齬が組合せの阻害要因となるかどうかは別として，上記素材の相違をも
って甲第５号証が周知技術認定の基礎とならないとまではいうことができない。
(3)甲第６号証に関する主張について
ア甲第６号証では，薄膜磁気ヘッドの作成方法として，基板上に複数のトラン
スジューサ（電磁変換回路）を形成した後に，基板切断，ラッピングを行い，さら
にエッチングプロセス（イオンミリング加工が含まれる。）を行う工程等が示されて
いる。
甲第６号証中でも，甲第５号証と同様に上記「ラッピング」につき定義がされて
いないが，その特許請求の範囲では，空気支持面（ＡＢＳ，スライダー浮上面）を
覆う保護被膜（２層）の一部をなすシリコン製の接着層の厚さが約１０ないし５０
オングストローム（１．０∼５．０ｎｍ，請求項４），上記保護被膜の一部をなすア
モルファス水素添加炭素製の保護被膜の厚さが約２５０オングストローム（２５．
０ｎｍ）以下とされていること（請求項５）にかんがみると，上記「ラッピング」
がスライダー浮上面の相当程度の平滑度を実現し得る程度の精度をもってされるこ
とは明らかである。
そして，前記のとおりの「ラッピング」等の用語の一般的な意義にも照らせば，
甲第６号証にいう「ラッピング」を鏡面加工と呼んでも誤りではないというべきで
ある。
イ審決は，上記と同旨の認定をするものであるから，甲第６号証が開示する技
術の内容に係る審決の認定に誤りがあるとはいえない。
(4)甲第７号証に関する主張について
ア甲第７号証に記載された発明は，磁気記録装置に使用される磁気ヘッドに用
いられる，磁気記録媒体との間の負圧を利用したスライダー（負圧スライダー）に
関するものであるところ，甲第７号証は，薄膜磁気ヘッドの作成方法として，スラ
イダー浮上面に鏡面加工を施した後にイオンエッチング（イオンミリング）加工を
行う工程等を示しているものである。
審決は，上記と同旨の認定をするものであるから，甲第７号証が開示する技術の
内容に係る審決の認定に誤りがあるとはいえない。
イ原告は，甲第７号証中に記載された発明で加工を施す対象は，単一の種類の
化合物粒子から成る焼結体であって，訂正発明１の焼結体のような加工速度の異な
る２種類の粒子から成る焼結体ではない等と主張する。
しかしながら，前記(2)と同様に，甲第７号証において採用されている素材が単一
材料であるチタン酸カルシウム等であり，訂正発明１で採用されている素材が複合
材料であるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体であったとしても，前者に係る周知技術ない
し技術常識を後者の材料に関して適用（応用）する場合には，当業者において，対
象物の性質の相違に基づき，砥粒径や圧力等を適宜調整すること等が当然予定され
ているものであり，複合材料のエッチング速度の齟齬が組合せの阻害要因となるか
どうかは別として，上記素材の相違をもって甲第７号証が周知技術認定の基礎とな
らないとまではいうことができない。
また，原告は，甲第７号証には，鏡面加工した後にイオンエッチング加工をする
利点が記載されておらず，むしろイオンエッチング加工をする難点が記載されてい
る等と主張する。しかしながら，甲第７号証では，従前の技術に従うと「負圧発生
部１０８のエッチング加工に時間が非常にかかり，生産性が悪い。」とし，その解決
方法として負圧発生部を機械加工する方法を提供しているものであるが，イオンミ
リング加工に要する時間は加工すべき凹部の深さや形状によって異なり得ることが
容易に推認できるし，一定程度の加工時間を当業者において受容することもあり得
るものである。そうすると，甲第７号証の先行例の負圧スライダーにおいてイオン
ミリング加工に難があるとしても，引用発明のスライダー浮上面のイオンミリング
加工が困難であるとまでは直ちにいうことができない。
周知技術ないし技術常識を適用（応用）する場合には，当業者において適宜工夫
することが当然予定されているものであって，組合せの阻害要因となるかどうかは
別として，上記の難点をもって甲第７号証が周知技術認定の基礎とならないとまで
はいうことができない。
(5)まとめ
結局，甲第１，５，６，７号証に記載されている技術の内容に係る審決の認定に
は誤りがなく，上記各書証によって，遅くとも本件出願当時，薄膜磁気ヘッドの作
成方法として，基板上に複数の電磁変換回路を形成した後に，基板を切断し，切断
面たるスライダー浮上面に鏡面加工を行い，その後スライダー浮上面にイオンミリ
ング加工を施して負圧発生部等を形成することが，当業者において周知の技術（技
術常識）となっていたものと認めることができる。
なお，乙第１号証（発行日平成４年１１月３０日）中には，「負圧利用形のスラ
イダはまだ実用化されていないものの，次世代の超微小浮上量を実現するために，
開発検討がすすめられている代表的なものである。」との記載（７０頁１７，１８行）
があり，平成４年１１月ころ当時には磁気記録媒体の表面に対する負圧を利用した
薄膜磁気ヘッドスライダーが実用化されていなかったかのようにもみうる。しかし，
乙第１号証中の他の記載からみても，既に平成４年１１月ころ当時に，当業者にと
って負圧利用形スライダー（負圧スライダー）が磁気ディスクの高密度化を実現す
る上で，有力な候補となっており，開発が進んでいたことが明らかである。そして，
「平成１３年度特許出願技術動向調査分析報告書高記録密度ハードディスク装
置」（特許庁編，平成１４年３月，甲４２）及び小野京右著「日本の磁気記録のトラ
イボロジー５０年の歩み」（トライボロジスト５０巻１２号，２００５年）８７０∼
８７６頁（甲４）によれば，遅くとも本件出願当時（平成６年３月３日）ころには，
既に負圧スライダーが実用化されていたとみる余地もあるし，負圧スライダーのス
ライダー浮上面の形成が広くイオンミリング（エッチング）によってされていたこ
とを推認することができる。また，特開平６−５２６４６号公報（甲５８）中では，
先行技術の説明に係る「従来の技術」欄で，コの字型（より正確には「エ」の字型）
のスライダー浮上面を有するスライダーを「従来の負圧を利用する」「浮動ヘッドス
ライダ」と紹介しており（段落【０００３】），平成４年７月３０日（出願日）当時
に既に負圧スライダーが当業者の間に広く知れわたっていたことを容易に推認する
ことができるものである。そうすると，乙第１号証中の前記記載は，本件出願当時
における周知技術（技術常識）に係る前記結論を何ら左右するものではない。
したがって，甲第１，３，５ないし９号証（甲３，８，９号証は前記のとおり用
語を定義するものである。）に基づいてする審決の周知技術の認定に誤りはなく，原
告が主張する取消事由２は理由がない。
３取消事由３（訂正発明１の顕著な作用効果の看過等）について
(1)前記１，２のとおり，訂正発明１と引用発明の一致点及び相違点，甲第１号
証等に記載された周知技術（技術常識）の内容に係る審決の認定に誤りはない。
(2)ア審決は，相違点ａにつき，
「訂正明細書段落【００３９】には，『本発明によれば，・・・・・・できる。こ
れにより，薄膜磁気ヘッドなどのスライダーにおける浮上面の超精密加工を優れた
精度で行うことができ，磁気ヘッドの信頼性を高めることができる。』との記載がな
されているから，訂正発明１の『磁気ヘッド用基板』は『薄膜磁気ヘッド用基板』
とみることができる。
そうすると，この相違点ａは単に表現上のものであって，実質的なものではない。
仮に，単に表現上のものではなく，実質的なものであるとしても，薄膜磁気ヘッ
ド基板は磁気ヘッド基板の一つであるから，引用発明の『薄膜磁気ヘッド用基板』
を『磁気ヘッド用基板』とすることは当業者であれば困難なくなし得たことである。」
と説示する。
訂正明細書の段落【００３９】中には，審決が指摘するとおりの記載があるから，
訂正発明１にいう「磁気ヘッド」には薄膜形成技術を利用して電磁変換回路を形成
する磁気ヘッドすなわち薄膜磁気ヘッドが含まれるものということができる。した
がって，訂正発明１と引用発明との前記相違点ａは，両発明の実質的な相違点では
なく，これと同旨の審決の判断に誤りはない。
イまた，審決は，相違点ｂにつき，
「（た）そうすると，甲第２号証発明のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体は，薄膜磁気
ヘッド用基板とするに当たり，上記（さ）∼（せ）（判決注：甲第１，５，６，７号
証及び刊行物２の記載による分析）から明らかなように，『イオンミリング』加工を
鏡面加工したスライダ浮上面に対してなすものといえ，この浮上面への加工は上記
（そ）（判決注：訂正明細書の記載による分析）で述べたとおり，上記相違点ｂに係
る訂正発明１の発明特定事項に含まれるから，引用発明において，基板の磁気記録
面と対向する鏡面加工された面の一部にイオン照射により加工された加工部を有す
るようにすることは，当業者であれば困難なくなしえたものである。」
と判断する。
そこで，審決の上記判断につき検討するに，前記のとおり，甲第１，３，５ない
し９号証から，遅くとも本件出願当時，薄膜磁気ヘッドの作成方法として，基板上
に複数の電磁変換回路を形成した後に，基板を切断し，切断面たるスライダー浮上
面に鏡面加工を行い，その後スライダー浮上面にイオンミリング加工を施して負圧
発生部等を形成することが，当業者において周知の技術（技術常識）となっていた
ものと認めることができるところ，甲第３，８，９号証は辞典類の一般文献である
し，甲第１，５ないし７号証はいずれも磁気記録装置の磁気ヘッドに関するもので，
引用発明や訂正発明１と技術分野が同一である。
また，甲第１，５ないし７号証から認定できる周知技術と引用発明や訂正発明１
とでは，磁気記録媒体の高密度化（大容量化）を実現するための磁気ヘッドの安定
動作，さらには上記安定動作を実現するために磁気ヘッドを構成するスライダー浮
上面の形状の適正化，表面の平滑化を実現するという課題が共通し，スライダー浮
上面の形状の適正化，表面の平滑化を実現し，磁気ヘッドの安定動作を実現すると
いう作用効果が共通する。
そして，甲第１，５ないし７号証から認定できる周知技術と引用発明との間の技
術分野及び作用効果の共通性の高さにもかんがみれば，上記周知技術を引用発明に
適用することを阻害する格別の事情が存しなければ，上記周知技術を引用発明に適
用する動機付けに欠けるところはないというべきである。
なお，刊行物２中には「本発明のセラミックス材料は，薄膜磁気ヘッド用セラミ
ックス基板材料として最適であるが，その他，電磁気材料用の非磁性セラミック基
板として，さらには切削工具などの構造材としても使用できる。」との記載（段落【０
０２９】）があるが，刊行物２中の各記載の体裁にかんがみれば，刊行物２が薄膜磁
気ヘッド基板を念頭に置いていることは明らかであるし，磁気ヘッドスライダーの
加工方法にはイオンミリングのほかに機械加工等があるとしても，上記の動機付け
の障害となるものではない。
また，前記２のとおり，とりわけ磁気ヘッドがごく小さい負圧スライダーにおい
ては，磁気記録媒体からの磁気ヘッドの浮上量の安定，磁気ヘッドの浮上動作の安
定のために，スライダー浮上面の高精度の平滑性が求められるのは当然であって，
甲１，５，６号証にはそれぞれ上記平滑性に関連する記載があるし，刊行物２もス
ライダー浮上面の高精度の平滑性を当然の前提としているものと推認できる。
ウところで，この点，原告は，訂正発明１の素材はエッチング速度が異なる複
数の素材から成る複合材料の焼結体であるところ，エッチング速度の違いのために
エッチング加工後の表面品位が悪くなるという事実は，本件出願当時に知られてお
らず，上記事実を考慮して複合焼結体の各粒子のイオンエッチング速度を整合させ，
加工後の表面品位を良好にすることは，本件出願当時，当業者にとって論理付ける
ことが困難であった等と主張する。
そして，審決は，各訂正発明の作用効果につき，次のとおり説示する。
「被請求人が提出した口頭審理陳述要領書には，『以下，本件明細書の表１∼表３
を結合したものを示す。この表（以下，『総合表』という。）から明らかなように，
『耐チッピング性』，『加工速度』及び『表面品位』の３つの評価項目のうち，『△』
が２つ以上又は『×』が１つ以上ある試料は，総合評価を『×』にしている。この
ように本件発明の作用効果は一義的に確認できないわけではない。』（１１頁３∼７
行）と記載され，同１１頁に記載された総合表を見ると，実施例に相当する試料（試
料Ｎｏ．に『＊』印のついていないもの）の総合評価は『○』印となっており，上
記記載が裏付けられている（なお，上述の本件訂正により試料Ｎｏ．９に『＊』が
付与されたことについては後述する。）。
・・・
（ひ）次に，加工速度と表面品位について，総合表の『△』印，『○』印と，訂正
明細書の表１∼３の数値を比較すると，総合表において，加工速度については，１
３５Å／ｍｉｎ以下の試料について『△』印が，その他のものについては『○』印
が付与され，表面品位については，０．３μｍ以下の試料に『○』印が，その他の
ものについては『△』印が付与されているとみることができる。
そこで，この加工速度の１３５Å／ｍｉｎ，表面品位の０．３μｍという値の持
つ技術的意義についてみてみることにする。
加工速度は生産性の点からみて大きい方が，また，表面品位は磁気ヘッド用とい
う用途からみて滑らかな方が，それぞれ，望ましいことは技術常識に照らして明ら
かであるが，これら数値自体にどのような技術的意義があるのかは訂正明細書には
何等記載されていない。
表１∼３及び総合表から，加工速度の『△』印の最大値が１３５Å／ｍｉｎ，『○』
印の最小値が１３８Å／ｍｉｎ，表面品位の『△』印の最小値が０．３５μｍ，『○』
印の最大値が０．３０μｍであり，加工速度，表面品位とも『○』印と『△』印の
ものとの数値差は必ずしも大きいものとはいえない。
ところで，例えば，加工速度は，イオンビームの入射角度や加速電圧によって変
化するものであり（要すれば，甲第１号証２３３頁，図７．１３を参照），上記加工
速度の差はこれら入射角度や加速電圧の調整によって十分に補えるものといえる。
そうであれば，上記加工速度の１３５Å／ｍｉｎ，表面品位の０．３μｍという
値に技術的意義を見いだすことはできない。
（ふ）そうすると，耐チップ性，加工速度，表面品位をみたときの作用・効果に
関し，『×』印が一つある試料，『△』印が二つある試料，これ以外の試料との間に
格別の差があるとみることができず，訂正発明の奏する作用・効果は顕著なものと
はいえない。
（へ）そして，上述の本件訂正により『試料Ｎｏ．９』に『＊』印がつくことに
なった。試料Ｎｏ．９の加工速度は１３０Å／ｍｉｎであって『△』印が付与され
るべきものであり，耐チッピング性は『○』印であるところ，この試料Ｎｏ．９が
本件訂正により訂正発明１及び２以外のものとなったのであるから，表面品位にも
『△』印が付与されなければ，総合評価に関し実施例と齟齬が生じる。そうであれ
ば，表面品位が０．３μｍは『△』印が付与となるから，試料Ｎｏ．１７の表面品
位にも『△』印が付与されることになる。すると，試料Ｎｏ．１７は，訂正発明１
の特定事項を満足するにもかかわらず，総合評価は『×』印となり，訂正発明１の
中には，所定の作用・効果を奏しないものが存在することになる。
また，訂正後の試料Ｎｏ．９の総合評価を『○』印のままとすれば，実施例でな
いものと実施例であるものが同様の作用・効果を奏することになるから，このこと
からも訂正発明の奏する作用・効果は格別なものとはいえない。」
審決の上記説示についてみるに，確かに，刊行物２にも，甲第１，３，５ないし
９号証にも，粒界部分とその余の部分のエッチング速度の差やＡｌ２Ｏ３粒子とＴｉ
Ｃ粒子とのエッチング速度の差を問題視する記載は存しない。
しかしながら，訂正明細書中には「ＴｉＣが・・・４０重量％を越えると表面品
位は向上する」との記載（段落【００１１】）があり，結晶粒径等の試験条件を種々
変えて加工速度等の実験を行った結果に係る表１中では，表面品位（表面の凹凸の
最大値である表面粗さＲｍａｘ）が０．２０∼０．２９μｍ（２００∼２９０ｎｍ）
のものが発明の範囲内とされており，同様の実験結果に係る表２では，表面品位が
０．２３∼０．３０μｍ（２３０∼３００ｎｍ）のものが発明の範囲内とされてい
るから（なお，ＴｉＣの組成割合が４０重量％を超える試料Ｎｏ．１３は，表面品
位が０．２３μｍであるが，発明の範囲外とされている。段落【００２６】，【００
２８】，【００３３】），訂正発明１の発明者において上記程度の表面品位をもって良
好な表面品位とみなしていたということができる。そして，訂正発明１のスライダ
ー浮上面のレール部の外側に設けられるステップ部の深さは０．５∼１μｍ（５０
０∼１０００ｎｍ。７００∼９００ｎｍが望ましい。）であることにかんがみると（段
落【００１７】），薄膜磁気ヘッド基板の製造を行う当業者にとって，上記程度の表
面品位が格別高い表面品位の水準であるとまではいい難い。他方，刊行物２中の実
施例においては，５．５∼９．５ｎｍの最大表面粗さＲｍａｘの試料が実施例とされ
ているのであって（表１∼３），訂正発明１のスライダー浮上面の方が引用発明のス
ライダー浮上面よりも表面品位が格別に高いものであるとは到底いい難い。そうす
ると，薄膜磁気ヘッド基板の製造を行う当業者にとって，訂正発明１の作用効果が
格別顕著なものとはいえないというべきである。
そして，上記のとおり刊行物２にはアルミナと炭化チタンの組成比率や各結晶粒
径を変えて種々の試験をした結果が示されており（表１∼３等），引用発明の出願当
時に，当業者において鏡面加工性，すなわち加工後の表面品位が良好なＡｌ２Ｏ３−
ＴｉＣ系焼結体を得るべく最適なアルミナと炭化チタンの組成比率等が探求された
ことは明らかである（甲第１号証の図７．１２（２３３頁）でも，同様に，アルミ
ナと炭化チタンの組成比率を変えてラップ面の表面品位を比較した結果が記載され
ている。）。
そうすると，仮に本件出願当時，原告以外の当業者が粒界部分とその余の部分の
エッチング速度の差やＡｌ２Ｏ３粒子とＴｉＣ粒子とのエッチング速度の差を明確
に意識していなかったとしても，種々条件を変えて実験し，加工後の表面品位が良
好なものを選択することを通じて，当業者において引用発明に甲第１号証等に記載
された周知技術を適用した構成，すなわち訂正発明１の構成に至ることができる程
度のものにすぎない。
したがって，当業者がエッチング速度の違いのためにエッチング加工後の表面品
位が悪くなるという事実を知らなかったとしても，引用発明に甲第１号証等に記載
された周知技術を適用することを想到（論理付け）できないわけではなく，訂正発
明１に顕著な作用効果があるかは疑問である。
結局，審決が訂正発明１の顕著な作用効果を看過して訂正発明１の容易想到性を
判断した旨の原告の上記主張を採用することはできない。
エ前記のとおり，本件出願当時，引用発明に甲第１，３，５ないし９号証から
認定できる前記周知技術を適用することは当業者において容易であったところ，前
記周知技術を適用することによって相違点ｂは解消するから，結局，本件出願当時，
当業者において，上記適用によって，訂正発明１の構成に容易に想到することがで
きたということができる。
したがって，審決の相違点ｂに係る前記イの判断に誤りがあるとはいえず，訂正
発明１の容易想到性に係る「よって，上記（相違点ａ）及び（相違点ｂ）の検討結
果より訂正発明１は引用発明及び甲第１，３の１，３の２，５∼９号証に記載され
た周知技術から，当業者であれば困難なくなしえたものである。」との審決の判断に
誤りがあるとはいえない。そうすると，原告が主張する取消事由３は理由がない。
４取消事由４（訂正発明２の容易想到性の判断の誤り）について
(1)訂正発明２は訂正発明１の構成に粒界相の含有量が１．０重量％以下である
として限定を加えたものであるところ，審決は訂正発明２の容易想到性に関し，①
粒界相が存在しない（０重量％）場合については，刊行物２の実施例１，２，４及
び５に上記場合が記載されているから，訂正発明２における上記発明特定事項は，
訂正発明２と引用発明を対比する上での新たな相違点とはなり得ないし，②粒界相
が存在し，１重量％以下の場合については，訂正明細書の表３（段落【００３７】，
試料Ｎｏ．２２，２３）や刊行物２の記載（段落【００１５】，【００１６】）に照ら
せば，焼結助剤ＭｇＯを０．５重量％とすることがある点で本件訂正発明２と引用
発明は一致するから，訂正発明２における上記発明特定事項は，訂正発明２と引用
発明を対比する上での新たな相違点とはなり得ないのであって，③仮に訂正発明２
における上記発明特定事項が訂正発明２と引用発明の相違点になるにしても，当業
者であれば焼結助剤の添加量は適宜決定し得るもので，訂正発明２は引用発明及び
甲第１，３，５ないし９号証に記載された周知技術に基づいて当業者であれば困難
なくなし得たものである旨説示する。
(2)審決が指摘するとおり，当業者であれば，焼結体の加工速度，表面品位や耐
チッピング性を達成する観点をも考慮しながら，焼結助剤の添加量を適宜決定し得
るものにすぎず，他方，その決定に格別の困難があることを認めるに足りる証拠は
存しない。
そうすると，本件出願当時，少なくとも，当業者において，引用発明及び甲第１，
３，５ないし９号証に記載された周知技術に基づいて，容易に訂正発明２の構成に
想到することができたものということができる。
したがって，これと同旨の審決の判断に誤りはなく，原告が主張する取消事由４
は理由がない。
第６結論
以上によれば，原告が主張する取消事由はいずれも理由がないから，主文のとお
り判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
塩月秀平
裁判官
真辺朋子
裁判官
田邉実

戻る