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平成２４年１１月２７日判決言渡
平成２４年（行ケ）第１００４７号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２４年９月２５日
判決
原告株式会社ＣＨＩＲＡＣＯＬ
訴訟代理人弁理士山本健男
被告特許庁長官
指定代理人加藤友也
同藤原敬士
同瀬良聡機
同芦葉松美
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２０１１－２１０３１号事件について平成２４年１月２５日にした
審決を取り消す。
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯
原告は，発明の名称を「半導体用電解銅メッキ浴及び電解銅メッキ方法」とする
発明について，平成２２年１２月１４日に特許出願（特願２０１０－２７７８２２，
パリ条約による優先権主張日２０１０年１１月１８日，（ＴＷ）台湾。以下「本
願」という。甲１）をしたが，平成２３年５月１１日付けで拒絶理由通知を受け
（甲２），同月３１日に意見書（甲３）及び手続補正書（甲４）を提出したが，同
年６月１０日付けで再度拒絶理由通知を受け（甲５），同月２８日に再度意見書
（甲６）及び手続補正書（甲７）を提出したが，同年８月１６日付けで拒絶査定を
受けた（甲８）。
原告は，平成２３年９月２９日，不服審判（不服２０１１－２１０３１号事件）
の請求（甲９）をするとともに，手続補正書（甲１０）を提出し，特許請求の範囲
及び明細書について補正をした（以下「本件補正」という。）。
特許庁は，平成２４年１月２５日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との
審決をし，その謄本は，同年２月６日に原告に送達された。
２本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載（甲１０）
本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである（下線部は，
本件補正により付加された部分）。
「【請求項１】
下記一般式（２）で表される化合物を含有してなることを特徴とする半導体のシ
リコン貫通電極用電解銅メッキ浴。
【化１】
（式（２）中，Ｒ１
及びＲ2
は，メチル基を示す。Ｍは，カリウムを示す。）」
３審決の理由
審決の理由は，別紙審決書写しのとおりであり，その要旨は，次のとおりである。
(1)本件補正の適否について
本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発
明」という。）は，特開２００７－３３２４４７号公報（以下「引用例１」といい，
引用例１に記載された発明を「引用発明１」という。），特開２００７－１６２６
５号公報（以下「引用例２」といい，引用例２に記載された発明を「引用発明２」
という。）及び国際公開第２００９／０１８５８１号公報（以下「引用例３」とい
い，引用例３に記載された発明を「引用発明３」という。）に基づいて，当業者が
容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特
許出願の際独立して特許を受けることができないものである。したがって，本件補
正は不適法である。
(2)本願発明の進歩性について
本願補正は不適法であり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２
３年６月２８日になされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に
記載された事項により特定されるもの（以下「本願発明」という。）であるところ，
本願補正発明は，本願発明の発明特定事項を限定的に減縮するものであり，本願発
明の発明特定事項を全て含み，更に限定を付加したものに相当する。
そうすると，本願補正発明が，引用発明１ないし３に基づいて当業者が容易に発
明をすることができたものであるから，本願発明についても，同様の理由により，
引用発明１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(3)本願補正発明の進歩性に関する審決の認定・判断の概要
審決は，本願補正発明の進歩性の有無について，引用例１を主引例とした場合，
引用例２を主引例とした場合及び引用例３を主引例とした場合の３つに分けて検討
している。審決の認定・判断の概要は次のとおりである。
ア引用例１を主引例とした場合について
(ア)引用発明１の内容
「下記一般式（２）で表わされる化合物を含有してなる電解銅メッキ浴。
（式（２）中，Ｒ１
及びＲ2
は，メチル基を示す。Ｍは，カリウムを示す。）」
(イ)本願補正発明と引用発明１との一致点
「下記一般式（２）で表わされる化合物を含有してなる電解銅メッキ浴。
（式（２）中，Ｒ１
及びＲ2
は，メチル基を示す。Ｍは，カリウムを示す。）」
(ウ)本願補正発明と引用発明１との相違点（以下「相違点１」という。）
本願補正発明は，「半導体のシリコン貫通電極用」であるのに対し，引用発明１
は，「半導体のシリコン貫通電極用」であるのか否か明らかでない点。
(エ)相違点１の容易想到性
引用発明１の電解銅メッキ浴は，より微細な構造の溝や穴に対して銅を良好に埋
め込むことのできるものであり，引用例１には，適用される用途として，「高集積
化電子回路の製造におけるダマシン法など」や「溝や穴に電解銅メッキによって銅
を埋め込む用途」が示唆されている。そして，引用例１に記載された試験がプリン
ト基板のビアに対するものであったとしても，そのメッキ条件は，径３０μｍでア
スペクト比１．０のビアという微細な溝あるいは穴に対するものであり，その試験
の評価として「埋込率が大きく表面状態も良好である」と記載されているのである
から，得られた電解銅メッキ浴の用途として，プリント基板に限られることなく，
高集積化電子回路で使用される半導体基板にも適用可能であることは明らかである。
そうすると，引用発明１の電解銅メッキ浴を，引用例３に示された半導体のシリコ
ン貫通電極用のメッキ浴として使用することは，当業者が容易に想到し得るもので
ある。
イ引用例２を主引例とした場合について
(ア)引用発明２の内容
「下記一般式（１）で表わされる化合物からなる電解銅メッキ用添加剤を含有す
る電解銅メッキ浴。
（式中，Ｒ
１
～Ｒ４
は，メチル基を示す。Ｍは，カリウムを示す。）」
(イ)本願補正発明と引用発明２との一致点
「下記一般式（２）で表される化合物を含有してなる電解銅メッキ浴。
（式（２）中，Ｒ１
及びＲ2
は，メチル基を示す。Ｍは，カリウムを示す。）」
(ウ)本願補正発明と引用発明２との相違点（以下「相違点２」という。）
本願補正発明は，「半導体のシリコン貫通電極用」であるのに対し，引用発明２
は，「半導体のシリコン貫通電極用」であるのか否か明らかでない点。
(エ)相違点２の容易想到性
引用発明２の電解銅メッキ浴は，より微細な構造の溝や穴に対して銅を良好に埋
め込むことのできるものであり，引用例２には，適用される用途として，「高集積
化電子回路の製造におけるダマシン法など」や「溝や穴に電解銅メッキによって銅
を埋め込む用途」が示唆されている。そして，引用例２に記載された試験がプリン
ト基板のビアに対するものであったとしても，そのメッキ条件は，径３０μｍでア
スペクト比１．０のビアという微細な溝あるいは穴に対するものであり，その試験
の評価として「良好に銅を埋め込むことができる」と記載されているのであるから，
得られた電解銅メッキ浴の用途として，プリント基板に限られることなく，高集積
化電子回路で使用される半導体基板にも適用可能であることは明らかである。そう
すると，引用発明２の電解銅メッキ浴を，引用例３に示された半導体のシリコン貫
通電極用のメッキ浴として使用することは，当業者が容易に想到し得るものである。
ウ引用例３を主引例とした場合について
(ア)引用発明３の内容
「銅メッキ促進剤を含有する半導体のシリコン貫通電極用電解銅メッキ浴。」
(イ)本願補正発明と引用発明３との一致点
「銅メッキ促進剤の化合物を含有してなる半導体のシリコン貫通電極用電解銅メ
ッキ浴。」
(ウ)本願補正発明と引用発明３との相違点（以下「相違点３」という。）
銅メッキ促進剤の化合物について，本願補正発明は，「一般式（２）で表わされ
る化合物」であるのに対し，引用発明３は，化合物の種類が特定されていない点。
(エ)相違点３の容易想到性
高集積化電子回路の微細な溝や穴に電解銅メッキによって銅を埋め込む処理にお
いて使用する電解銅メッキ浴として，引用例１には，「一般式（２）で表わされる
化合物を含有してなる電解銅メッキ浴」(引用発明１)が記載され，引用例２には，
「一般式（１）で表される化合物からなる電解銅メッキ用添加剤を含有する電解銅
メッキ浴」（引用発明２）が記載されており，いずれも，径３０μｍでアスペクト
比１．０のビアを作成したプリント基板に対して試験を行い，銅を良好に埋めるこ
とができる旨記載されている。さらに，適用できる用途として，引用例１，２には，
「高集積化電子回路の製造におけるダマシン法など」や「溝や穴に電解銅メッキに
よって銅を埋め込む用途」が示されており，このような用途として半導体基板に形
成された電子回路が含まれることは明らかである。そうすると，引用発明３におい
て，銅を良好に埋め込むことのできる引用発明１又は引用発明２の電解銅メッキ浴
の配合成分を適用し，相違点３に係る化合物を採用することは，当業者が容易にな
し得たものである。
第３審決の取消事由に係る原告の主張
審決には，引用例１を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り（取消事由
１），引用例２を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り（取消事由２），引用
例３を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り（取消事由３）があり，これらの
誤りは審決の結論に影響を及ぼすものであるから，審決は違法として取り消される
べきである（なお，原告は，当初，取消事由１ないし６を主張していたが，審理の
途中で取消事由１，３及び５を撤回し，その後，当事者双方は，取消事由２，４及
び６について主張立証を行った。上記「取消事由１」，「取消事由２」及び「取消
事由３」は，それぞれ，当事者双方が主張立証の対象とした取消事由２，４及び６
に対応するものである。）。
１引用例１を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り（取消事由１）
(1)引用発明１は，ポリイミド樹脂を使用したプリント基板での高集積化電子回
路を対象としているにすぎず，半導体のシリコン貫通電極用を対象としているもの
ではない。また，引用例３は，電解銅メッキ液の添加剤について，一般的なものを
例示したにすぎず，本願補正発明の添加剤については何ら言及していない。
これに対し，本願補正発明は，引用発明１に示される構造式（２）のＲ１
，Ｒ2
を
メチル基に，Ｍをカリウムに限定し，シリコン貫通ビア（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌ
ｉｃｏｎＶｉａ，以下「ＴＳＶ」ともいう。）において特段の作用効果を見いだ
したものである。ＴＳＶは，高精細回路基板に使用されるポリイミド樹脂とは基質
が異なり，シリコンウエハを対象とするものである。ＴＳＶのシード層はスパッタ
で形成され，アスペクト比も高集積化電子回路の１：３程度と比較し，深いものは
１：１０程度となり，ビア径も細いものは５ミクロン程度であり，全く異なるもの
である。本願補正発明は，このように全く異なる概念に基づくＴＳＶという新たな
用途について研究し，既存の添加剤と比較して著しい効果を見出したものである。
したがって，引用発明１に引用発明３を組み合わせることは，当業者にとっても
容易なことではない。
(2)引用例１は，ダマシンに関する技術であり，ダマシンは，内層配線あるいは
基板表面配線といった，基板の片面側を用いた平面的な配線技術であって，細長い
溝を埋める平面的な技術である。これに対し，引用例３のＴＳＶは，小さな深い穴
を埋める必要がある立体的な技術であって，特有の作用効果を求められるものであ
る。
被告は，本願明細書（甲１）には，ＴＳＶ法がダマシン法と並べて記載されてい
るだけで，その用途を半導体のシリコン貫通電極用であるとすることによる特有の
作用効果については記載がないと主張するが，ダマシンは，絶縁体あるいは層間絶
縁膜上に銅メッキが施されている点で，シリコンウエハ上に直接メッキするＴＳＶ
とはメッキの形態が異なるのであり，特に明示されていないからといって，作用効
果について記載がないとはいえない。
２引用例２を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り（取消事由２）
引用発明２は，ポリイミド樹脂を使用したプリント基板での高集積化電子回路を
対象としているにすぎず，半導体のシリコン貫通電極用を対象としているものでは
ない。また，引用例３は，電解銅メッキ液の添加剤について，一般的なものを例示
したにすぎず，本願補正発明の添加剤については何ら言及していない。
これに対し，本願補正発明は，引用発明２に示される構造式（１）のＲ１
，Ｒ2
を
メチル基に，Ｍをカリウムに限定し，前記１(1)のとおり，ＴＳＶにおいて特段の
作用効果を見いだしたものである。
したがって，引用発明２に引用発明３を組み合わせることは，当業者にとっても
容易なことではない。
３引用例３を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り（取消事由３）
引用例３は，電解銅メッキ液の添加剤について，一般的なものを例示したにすぎ
ず，本願補正発明の添加剤については何ら言及していない。また，引用発明１及び
２は，いずれもポリイミド樹脂を使用したプリント基板での高集積化電子回路を対
象としているにすぎず，半導体のシリコン貫通電極用を対象としているものではな
い。
これに対し，本願補正発明は，引用発明１の構造式（２）又は引用発明２の構造
式（１）のＲ１
，Ｒ2
をメチル基に，Ｍをカリウムに限定し，前記１(1)のとおり，
ＴＳＶにおいて特段の作用効果を見いだしたものである。
したがって，引用発明３に引用発明１又は２を組み合わせることは，当業者にと
っても容易なことではない。
第４被告の反論
原告の主張する取消事由はいずれも理由がなく，審決に取り消されるべき違法は
ない。
１取消事由（引用例１を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り）に対し
(1)引用発明１は，引用例１の記載（段落【００３２】及び【００３９】等）に
あるように，用途を実施例のプリント基板に限定しておらず，さらに，引用例１の
段落【０００３】，【０００４】及び【０００７】で従来技術として提示された特
開２００２－３０２７８９号公報（乙第１号証）の記載（段落【００１６】，【０
０１８】及び【００４５】），並びに特表２００４－５２２０００号公報（乙第２
号証）の記載（段落【０００２】）からみて，プリント基板に限らず，半導体ウエ
ハ等を含む半導体の製造技術全般における電解銅メッキ浴に関するものであって，
高いアスペクト比を有するビア孔に銅を埋め込む電解銅メッキ浴に関するものであ
るといえる。
そして，引用例１（段落【００３２】）に記載されたビアの数値（径３０μｍ，
アスペクト比１．０）は，引用例３の記載（翻訳文の段落【０００８】の「ＴＳＶ
のビアの開口は約２００ｎｍから２００μｍ，典型的には２５μｍと７５μｍの間
の桁の直径のような入口寸法を有する。シリコン貫通ビアの典型的なアスペクト比
は０．３：１から２０：１より大きい。」）を参照すると，半導体ウエハのシリコ
ン貫通ビアにも適用可能な範囲にある。
他方，本願補正発明は，半導体のシリコン貫通電極用電解銅メッキ浴であるが，
本願明細書（甲第１号証）の段落【０００２】には，ＴＳＶ法がＣｕダマシン法と
並べて記載されているだけで，その用途を半導体のシリコン貫通電極用であるとす
ることによる特有の作用効果については記載がなく，電解銅メッキ浴の成分が発明
の本質であり，本願補正発明の半導体の電解銅メッキ浴は，単に半導体のシリコン
貫通電極用に適用できるとしたものである。
したがって，引用発明１と引用発明３を組み合わせることが当業者にとって容易
でないとする理由はなく，引用発明１の用途を，半導体のシリコン貫通電極用と特
定することは，当業者であれば容易に想到し得たものである。
(2)原告は，本願補正発明が，メッキ対象，アスペクト比，ビア径の異なる，全
く異なる概念について研究し，著しい効果を見いだした旨の主張をしているが，引
用例３の記載からみて，引用発明１のもののビア径やアスペクト比は，シリコン貫
通ビア（ＴＳＶ）のビア径やアスペクト比に含まれるものであり，本願補正発明で
あると原告の主張するアスペクト比（「高集積化電子回路の１：３程度と比較し，
深いものでは，１：１０程度となる」）やビア径（「細いものは５ミクロン程度で
あり」）は，引用例３の記載の範囲内である。
したがって，ＴＳＶは，引用発明１の用途として，全く異なる概念に基づく新た
なものとはいえないし，効果も格別なものではない。
また，本願の請求項及び発明の詳細な説明には，原告の主張する「ＴＳＶのシー
ド層はスパッタで形成され，アスペクト比も高集積化電子回路の１：３程度と比較
し，深いものは１：１０程度となり，ビア径も細いものは５ミクロン程度」である
ことは記載されておらず，アスペクト比の深いもの，ビア径の細いものに限定され
ることも記載されていない。したがって，原告の主張は，本願の請求項及び発明の
詳細な説明の記載に基づかないものでもある。
(3)原告は，引用例１はダマシンに関する技術であり，ダマシンは細長い溝を埋
める平面的な技術であるのに対し，ＴＳＶは小さな穴を埋める必要がある立体的な
技術であって，特有の作用効果を求められるものであることを前提として，ダマシ
ンとＴＳＶとではメッキの形態が異なり，特に明示されていないからといって，作
用効果についての記載がないとはいえないと主張するが，以下のとおり，原告の主
張は理由がない。
アまず，「ダマシンは細長い溝を埋める平面的な技術である」と限定的に解釈
するのは適切な解釈ではない。
そもそも，半導体製造技術のメッキ工程におけるダマシン技術は，シリコンウエ
ハ，樹脂基板等の基板の一面に溝ないし孔を形成し，当該溝ないし孔にメッキを充
填し表面の余分なメッキを化学機械研磨（ＣＭＰ）技術等を用いて除去する技術手
法であって，メッキを用いた配線／電極の構造そのものを指す技術ではない。この
ことは，乙第３号証の段落【０００３】，同第４号証の段落【０００３】，同第５
号証の段落【０００３】及び同第６号証の段落【０００６】の記載からみて明らか
である。
確かに，ダマシン技術は，内層配線或いは基板表面配線といった，基板の片面側
を用いた配線に適用可能な技術（ある意味での平面的な技術と言えるかもしれな
い。）であるが，このような場合であっても，細長い溝のみならず，層間接続の為
の小さな深い穴へのメッキ充填も同時に行うものである（乙第３ないし同第５号証
の各段落【０００３】）。
また，ＴＳＶ技術においても，底のある孔にメッキを充填後，基板の裏面側を除
去して，孔を貫通孔とする際に，ダマシン技術を適用することは，周知技術であり
（乙第３号証の段落【００１７】，同第４号証の段落【００２１】，同第６号証の
段落【０００６】），この場合，ダマシン技術適用後に，メッキ充填側とは反対側
の面を削除し，貫通電極とすることで，基板の表面と裏面とを用いた両面配線技術
（ある意味での立体的な技術）としての，３次元配線を行うものである。
したがって，ダマシン技術とＴＳＶとを形状の観点から直接比較することはでき
ない。また，仮に，引用発明１又は２が，内層配線あるいは基板表面配線といった，
基板の片面側を用いた平面的な配線技術に限定されるとしても，基板の片面側のみ
を用いる表面配線あるいは内部配線技術と，表面配線と裏面配線をつなぐ貫通電極
としてのＴＳＶとは，配線の形態は異なるものの，共にダマシン技術によって，深
い穴部にメッキを充填するという技術を用いているという点では差異がない。
イまた，ダマシンとＴＳＶとでメッキの形態が異なるものではないし，その作
用効果が異なるものでもない。
すなわち，引用例３（甲第１４号証）の段落【０００４】，【０００５】及び
【０００９】，乙第５号証の段落【０００３】，【００１４】及び【００１５】，
引用例１（甲第１１号証）の段落【０００９】及び【００１０】の記載，並びに，
乙第３号証，同第４号証及び同第６号証の前記アの記載からみて，ダマシン技術自
体は，それを適用する，基板の材質，配線構造，デバイスの種類，小型化の要求等
に応じて適宜採用されるものであり，溝ないし穴の絶対的な大きさ及びアスペクト
比に応じて，成長速度を速くさせたいあるいは側壁からの成長を抑えたいとの課題
を解決するために，メッキ液に導入する光沢剤（促進剤），抑制剤（抑止剤）等の
各種添加剤を選択するものであって，ダマシンとＴＳＶという観点でメッキの形態
が異なるものではないし，その作用効果が異なるものでもない。
事実，本願明細書（甲第１号証）においては，「配線のコンタクト部の微細孔と
配線を同時に行うＣｕダマシン法」と「シリコン半導体チップの内部を垂直に電極
を貫通させるＴＳＶ法」とが並列的に扱われており，そのメッキの形態を変えるこ
とについて何らの記載も示唆もされていない。
２取消事由２（引用例２を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り）に対し
(1)引用発明２は，引用例２の記載（段落【００２８】及び【００３６】等）に
あるように，用途をプリント基板に限定しておらず，また，引用例２の段落【００
０３】及び【０００５】で従来技術として提示された特開２００２－３０２７８９
号公報（乙第１号証）の記載（上記１(1)参照）からみて，プリント基板に限らず，
半導体ウエハ等を含む半導体の製造技術全般における電解銅メッキ浴に関するもの
であって，高いアスペクト比を有するビア孔に銅を埋め込む電解銅メッキ浴に関す
るものであるといえる。
そして，引用例２（段落【００３１】）に記載されたビアの数値（径３０μｍ，
アスペクト比１．０）は，引用例３の記載を参照すると，半導体ウエハのシリコン
貫通ビアにも適用可能な範囲にある。
他方，本願補正発明は，上記１のとおり，電解銅メッキ浴の成分が発明の本質で
あり，本願補正発明の半導体の電解銅メッキ浴は，単に半導体のシリコン貫通電極
用に適用できるとしたものである。
したがって，引用発明２と引用発明３を組み合わせることが当業者にとって容易
でないとする理由はなく，引用発明２の用途を，半導体のシリコン貫通電極用と特
定することは，当業者であれば容易に想到し得たものである。
(2)原告は，本願補正発明が，メッキ対象，アスペクト比，ビア径の異なる，全
く異なる概念について研究し，著しい効果を見いだした旨の主張をしているが，引
用例３の記載（上記１(1)参照）からみて，引用発明２のもののビア径やアスペク
ト比は，ＴＳＶのビア径やアスペクト比に含まれるものであり，本願補正発明であ
ると原告の主張するアスペクト比やビア径は，引用例３の記載の範囲内である。
したがって，ＴＳＶは，引用発明２の用途として，全く異なる概念に基づく新た
なものとはいえないし，効果も格別なものではない。
また，当該主張は，本願の請求項及び発明の詳細な説明の記載に基づかないもの
である。
３取消事由３（引用例３を主引例とした場合の容易想到性判断の誤り）に対し
上記１及び２のとおり，引用発明１及び２は，プリント基板に限らず，半導体ウ
エハ等を含む半導体の製造技術全般における電解銅メッキ浴に関するものであって，
高いアスペクト比を有するビア孔に銅を埋め込む電解銅メッキ浴に関するものであ
る。また，引用例１及び２に記載されたビアの数値は，シリコン貫通ビアにも適用
可能な範囲にある。
したがって，引用発明１又は引用発明２は，ポリイミド樹脂を使用したプリント
基板を対象としたものであり，その溝や穴に電解銅メッキによって銅を埋め込む用
途を対象としたものであるとして，引用発明１又は引用発明２の対象をプリント基
板に限定する旨の原告の主張には理由がない。
他方，引用発明３は，銅メッキ促進剤の化合物を含有してなる半導体のシリコン
貫通電極用電解銅メッキ浴に関するものであり，引用例３（段落【０００３】ない
し【０００５】）には，小さい直径のビアに十分な銅金属被覆をすること，半導体
が半導体ウエハであることが記載されている。
したがって，引用発明３と引用発明１及び２は，半導体ウエハも対象にしている
という点で技術分野も重複している上に，高いアスペクト比を有するビア孔に銅を
埋め込むための電解銅メッキ浴である点でも共通することから，銅メッキ促進剤の
化合物を含有し，小さい直径のビアに十分な銅金属被覆をすることが求められる引
用発明３において，電解銅メッキ浴として，半導体ウエハ等を含む半導体の製造技
術全般における電解銅メッキ浴に関するものであって，高いアスペクト比を有する
ビア孔に銅を埋め込む電解銅メッキ浴に関するものであり，ビアの数値も，シリコ
ン貫通ビアに適用可能な範囲にある発明である引用発明１及び２の電解銅メッキ浴
の成分を適用し，一般式（２）で表わされる化合物（式（２）中，Ｒ１
，Ｒ2
は，メ
チル基を示す。Ｍは，カリウムを示す。）を採用することは，当業者であれば容易
に想到し得たものであり，本願補正発明の「ボイドを生じさせることなく銅を良好
に埋め込むことができる」（甲第１号証の段落【００１７】）という効果も，引用
発明１及び２の効果（引用例１の段落【０００２】，【００３９】，及び引用例２
の段落【００１１】，【００３６】）からみて格別なものとはいえない。
よって，シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）という新たな用途について研究した結果，
ボイドの発生もなく，既存の光沢剤と比較し著しい効果を見出したものである旨の
原告の主張も理由がない。
したがって，審決は，上記検討と同趣旨の相違点３の判断及び作用効果の検討を
したものであり，誤りはないので，本願補正発明と引用発明３との対比における相
違点の判断に誤りはなく，原告の主張には理由がない。
第５当裁判所の判断
１当裁判所は，取消事由１（引用発明１を主引例とした場合の容易想到性判断
の誤り）に係る原告の主張は理由がないものと判断する。その理由は，次のとおり
である。
(1)原告は，要旨，「引用発明１は，ポリイミド樹脂を使用したプリント基板で
の高集積化電子回路を対象としているものにすぎず，半導体のシリコン貫通電極用
を対象とするものではなく，また，引用例３は，電解銅メッキ液の添加剤について
本願補正発明の添加剤については何ら言及していないのに対し，本願補正発明は，
引用発明１に示される構造式（２）のＲ１
，Ｒ2
をメチル基に，Ｍをカリウムに限定
し，ＴＳＶにおいて特段の作用効果を見いだしたものであるから，引用発明１に引
用発明３を組み合わせることは，当業者にとって容易なことではない。」旨主張す
る。
なるほど，引用例１（甲１１）の実施例（【００３２】から【００３８】まで）
には，プリント基板のビア部に対して電解銅メッキを行ったものが開示されている。
しかし，引用例１の【００３２】には，「以下，実施例によって本発明を更に説
明するが，本発明はこれらに限定されるものではないことを理解されたい。」と記
載されており，同じく【００３９】には，「本発明によれば，より繊細な構造であ
っても溝や穴に，銅を良好に埋め込むことができる電解銅メッキ浴を提供できるの
で，高集積化電子回路の製造におけるダマシン法など，溝や穴に電解銅メッキによ
って銅を埋め込む用途に好適に使用することができる。」と記載されている。これ
らの記載によれば，引用発明１は，その用途がプリント基板のビア部に用いること
に限定されているものではなく，高集積化電子回路の製造におけるダマシン法など，
溝や穴に電解銅メッキによって銅を埋め込むためにも用いられるものであることが
認められる。
したがって，引用発明１が，ポリイミド樹脂を使用したプリント基板での高集積
化電子回路を対象とするものであるとの原告の主張は理由がない。
ここで，高集積化電子回路における溝や穴に銅を埋め込む処理を必要とする用途
としてシリコン貫通電極ビアは周知である（例えば，引用例３（甲１４）の【００
０５】，【０００６】には，銅被覆処理を行う用途として，ダマシン法と並んでシ
リコン貫通ビア（ＴＳＶ）を充填するための電解銅メッキ浴が記載されている。）。
そして，引用例３（甲１４）の【０００８】には，「ＴＳＶのビアの開口は約２
００ｎｍから２００μｍ，典型的には２５μmと７５μmの間の桁の直径のような入
口寸法を有する。シリコン貫通ビアの典型的なアスペクト比は０．３：１から２０
：１より大きい。」（訳文・特表２０１０－５３５２８９号公報の【０００８】）
との記載があり，これを参照すると，引用例１（甲１１）の【００３２】に記載さ
れているビアの「径３０μｍ，アスペクト１．０」という値は，シリコン貫通ビア
にも適用可能な範囲にあることが明らかである。そうすると，引用例１（甲１１）
と引用例３(甲１４)とは，高いアスペクト比を有する溝に銅を埋め込むものである
という点において技術的に共通しているということができる。
他方，本願明細書（甲１，甲７）の【０００２】には，「Ｃｕダマシン法やＴＳ
Ｖ法では，溝や穴に電解銅メッキによって銅を埋め込む処理が行われている」と記
載され，同じく【００１０】には，「Ｃｕダマシン法やＴＳＶ法について関心を抱
いてきた本発明者は，…」と記載されており，このように，ＴＳＶ法は，Ｃｕダマ
シン法と並列的に記載されている一方，本願明細書には，本願補正発明の用途を半
導体のシリコン貫通電極用であるとすることによる特有の作用効果については何ら
記載されていない。また，本願明細書には，一般式（２）におけるＲ１
，Ｒ２
をメチ
ル基，Ｍをカリウムにしたことによる顕著な効果についても何ら記載されていない。
そうすると，引用発明１の電解銅メッキ浴を，引用例３（甲１４）に示された半
導体のシリコン貫通電極用のメッキ浴として使用することは，当業者が容易に想到
し得るものであるといえる。
なお，原告は，「ＴＳＶのシード層はスパッタで形成され，アスペクト比も高集
積化電子回路の１：３程度と比較し，深いものは１：１０程度となり，ビア径も細
いものは５ミクロン程度であり，全く異なるものである。」とも主張するが，この
主張は，本願明細書（甲１，甲７），引用例１（甲１１）及び引用例３（甲１４）
の記載に基づくものではないから，これを採用することはできない。
(2)原告は，要旨，「引用例１のダマシンは，細長い溝を埋める平面的な技術で
あるのに対し，引用例３のＴＳＶは，小さな深い穴を埋める必要がある立体的な技
術であって，特有の作用効果を求められるものであり，両者はメッキの形態が異な
る。」旨主張する。
しかし，ダマシン法については，特開２００９－１３５３３６号公報（乙３）の
【０００３】には，「銅配線の製造方法としては，シリコンウエハ等からなる基板
上に形成された絶縁膜に溝や孔を形成しておき，…電気めっきによって前記溝や孔
内に銅を埋め込みつつ表面に銅層を形成し，その後，化学機械研磨（ＣＭＰ；Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって余分な銅
層を除去して銅配線を製造する，いわゆるダマシン法が採用されている」と記載さ
れ，特開２００９－５７５８２号公報（乙４）の【０００３】には，「近年，基板
上に微細な配線及び層間接続孔（ビア）を形成する方法として，電気めっき法が用
いられる。…その１つにダマシン法がある。ダマシン法では，基板上に，適当な方
法によって，溝及び凹部を形成する。溝は，配線パターンに対応する形状に形成し，
凹部は，ビアを配置すべき位置に形成する。次に，電気めっきによって，基板の表
面に金属を析出させる。この析出金属によって溝及び凹部が埋められる。こうして，
溝及び凹部に埋め込まれた析出金属によって，配線及び層間接続孔が形成され
る。」と記載され，特開２００１－２１７２０８号公報（乙５）の【０００３】に
は，「また，このように複雑な配線パターンは，…あらかじめ層間絶縁膜中に配線
溝あるいはコンタクトホールを先に形成しておき，これをＣｕ層で埋めた後，層間
絶縁膜上に残留しているＣｕ層を化学機械研磨（ＣＭＰ）法により研磨・除去する，
いわゆるダマシン法，あるいはデュアルダマシン法が使われている。」と記載され
ており，これら記載によれば，ダマシン法は，細長い溝のみならず，層間接続のた
めの小さな深い穴へのメッキ充填も同時に行うものであることが認められる。した
がって，ダマシンが細長い平面的な技術であるとは認められない。
また，乙３の【００１７】には，「例えば…などの貫通電極用の孔或いは溝に対
して十分に埋め込み可能である。」と記載され，乙４の【００２１】には，「本発
明は，ＬＳＩ内の銅配線やＳｉ貫通電極の形成への適用が可能である。」と記載さ
れ，特開２０１０－１２５７８号公報（乙６）の【０００６】には，「なお，シリ
コン基板に貫通電極用の穴を形成した後は，…このシード層を陰極として内側壁に
銅，アルミ等の金属皮膜を設け貫通電極とするのが一般的である。また穴内部をダ
マシン法により金属で充填し，裏面からエッチングによりシリコンを除去して金属
部分の頭だしを行い貫通電極とすることも行われている。」と記載されており，こ
れら記載によれば，シリコン貫通電極をダマシン法により形成することは慣用技術
にすぎないことが認められる。したがって，ダマシンとＴＳＶは，メッキの形態が
異なるものとは認められない。
２以上のとおり，取消事由１に係る原告の主張は理由がなく，本願補正発明は，
引用発明１に引用発明３を適用することによって容易に発明をすることができたも
のであるとの審決の判断に誤りはない。
したがって，本願補正発明は，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立
して特許を受けることができないものであるから，取消事由２，３について検討す
るまでもなく，審決に取り消すべき違法は認められない。
第６結論
よって，原告の請求を棄却することとして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官
芝田俊文
裁判官
西理香
裁判官
知野明

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