戻る

平成２６年１２月２５日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２３年(ワ)第３５７２３号特許権侵害差止等請求事件
（口頭弁論の終結の日平成２６年１２月４日）
判決
徳島県阿南市〈以下略〉
原告日亜化学工業株式会社
同訴訟代理人弁護士古城春実
同牧野知彦
同堀籠佳典
同加治梓子
同補佐人弁理士蟹田昌之
大阪府守口市〈以下略〉
被告三洋電機株式会社
同訴訟代理人弁護士尾崎英男
同日野英一郎
同上野潤一
同今田瞳
同鷹見雅和
主文
１被告は，別紙物件目録記載の製品を生産し，譲渡し，輸出若しくは輸
入し，又は譲渡の申出をしてはならない。
２被告は，その占有する前項記載の製品を廃棄せよ。
３被告は，原告に対し，６９万８１７８円及びこれに対する平成２３年
１１月１１日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
４原告のその余の請求を棄却する。
５訴訟費用は，これを３分し，その２を原告の，その余を被告の各負担
とする。
６この判決は，第１項及び第３項に限り，仮に執行することができる。
事実及び理由
第１請求
１主文第１項，第２項同旨
２被告は，原告に対し，４８００万円及びこれに対する平成２３年１１月１１
日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要
本件は，発明の名称を「窒化ガリウム系発光素子」とする特許権を有する
原告が，被告による後記被告製品の生産，譲渡，輸出等が上記特許権の侵害
に当たる旨主張して，特許法１００条１項及び２項に基づきその差止め及び
被告製品の廃棄を求めるとともに，不法行為又は不当利得返還請求権に基づ
き４８００万円及びこれらに対する訴状送達日の翌日である平成２３年１１
月１１日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払
を求める事案である。
１前提事実（後掲各証拠及び弁論の全趣旨により容易に認められる事実を含
む。）
(1)当事者
原告は，半導体及び関連材料，部品，応用製品の製造，販売並びに研究
開発等を業とする株式会社である。
被告は，各種電子機器器具，通信機械器具及び電子部品等の製造販売等
を業とする株式会社である。
(2)原告の特許権
ア原告は，次の特許権（以下「本件特許権」という。また，その特許出願
の願書に添付された明細書（ただし，後記本件補正後のもの）及び図面を
「本件明細書」という。）の特許権者である。
特許番号第４０３３６４４号
出願日平成１３年７月３日（特願２００１－２０２７２６）
登録日平成１９年１１月２日
イ本件特許権に係る特許請求の範囲の請求項１の記載（下線部は後記本
件補正により変更された記載である。）は，次のとおりである（以下，
この発明を「本件発明」といい，本件発明に係る特許を「本件特許」と
いう。）。
「ストライプ状の発光層の両端面に，光出射側鏡面と光反射側鏡面を持つ
共振器構造を有する窒化ガリウム系発光素子において，
光出射側鏡面には，窒化ガリウムより低い屈折率を有する低反射膜が，
該光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層され，該光
出射側鏡面に接した第１の低反射膜が，ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓ
ｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種から成り，
光反射側鏡面には，ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２
から選ばれたいずれか１種からなる単一層の保護膜が接して形成され，か
つ，該保護膜に接して，低屈折率層と高屈折率層とを低屈折率層から積層
して終端が高屈折率層となるように交互に積層してなる高反射膜が形成さ
れてなる窒化ガリウム系発光素子。」
ウ本件発明は，以下の構成要件に分説される（以下，それぞれの構成要件
を「構成要件Ａ」などという。）。
Ａストライプ状の発光層の両端面に，光出射側鏡面と光反射側鏡面を持
つ共振器構造を有する窒化ガリウム系発光素子において，
Ｂ光出射側鏡面には，窒化ガリウムより低い屈折率を有する低反射膜が，
該光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層され，該
光出射側鏡面に接した第１の低反射膜が，ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，
Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種から成り，
Ｃ光反射側鏡面には，ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ
２から選ばれたいずれか１種からなる単一層の保護膜が接して形成され，
かつ，該保護膜に接して，低屈折率層と高屈折率層とを低屈折率層から
積層して終端が高屈折率層となるように交互に積層してなる高反射膜が
形成されてなる
Ｄ窒化ガリウム系発光素子。
(3)出願経過（乙３，６，７，９，１５）
本件の特許出願に対しては，平成１５年１１月１９日付けで拒絶理由通
知（以下「本件拒絶理由通知」という。）がされ，平成１７年４月２６日
付けで拒絶査定がされた。これに対し，原告は，拒絶査定不服審判を請求
し，審判請求の理由として「本件発明の保護膜は共振器内の定在波を窒化
物半導体と高反射膜との界面から保護膜と高反射膜との界面に移動させる
ことで端面劣化を抑制する機能を有する」旨主張するとともに，平成１９
年９月２５日付け手続補正書により，特許請求の範囲を前記(2)イの下線部
のとおり変更する旨の補正（以下「本件補正」という。）をした。原告の
上記審判請求につき，平成１９年１０月９日付けで，原査定を取り消し本
件発明を特許すべきものとする旨の審決がされた。
(4)被告の行為等
ア被告は，平成１９年１１月２日～平成２３年１１月２日の間，別紙物件
目録記載の半導体レーザダイオード製品（以下「被告製品」という。）の
製造，販売（その申出を含む。）及び輸出をした。
イ被告製品は，次の構成を備えており（別紙図面参照），本件発明の構成
要件Ｃの「単一層の保護膜」を除く全ての構成要件を充足する。
ａストライプ状の発光層の両端面に，光出射側鏡面と光反射側鏡面を持
つ共振器構造を有する窒化ガリウム系発光素子である。
ｂ光出射側鏡面には，ＡｌＮ膜（第１膜，約１０ｎｍ）が接して形成さ
れ，かつ，第１膜に接してＡｌ２Ｏ３膜（第２膜，約１２０ｎｍ）が積層
されている。窒化ガリウム，Ａｌ２Ｏ３及びＡｌＮの屈折率は，Ａｌ２Ｏ
３＜ＡｌＮ＜窒化ガリウムである。
ｃ光反射側鏡面には，ＡｌＮ膜（第１膜，約１０ｎｍ）が接して形成さ
れ，かつ，第１膜に接して，Ａｌ２Ｏ３膜（第２膜，約１８７．５ｎｍ），
ＺｒＯ２膜（第３膜，約４５ｎｍ），Ａｌ２Ｏ３膜（第４膜，約６２．５
ｎｍ），ＺｒＯ２膜（第５膜，約４５ｎｍ），Ａｌ２Ｏ３膜（第６膜，約
６２．５ｎｍ），ＺｒＯ２膜（第７膜，約４５ｎｍ）が順に積層されて
いる（以下，それぞれの膜を「光反射側第１膜」などという。）。Ａｌ
２Ｏ３とＺｒＯ２の屈折率の関係は，Ａｌ２Ｏ３＜ＺｒＯ２である。
ウ上記アの期間における被告製品の売上げの合計額は，２３２７万２６１
５円である（なお，原告は，被告製品の売上額は１６億円であると主張し
ていたところ，被告の主張する売上額を認めるに至った。ただし，請求の
減縮はされていない。）。
エ本件における特許法１０２条３項所定の「その特許発明の実施に対し受
けるべき金銭の額に相当する額の金銭」は，被告製品の売上額の３％であ
る。
２争点
(1)被告製品の構成要件Ｃ「単一層の保護膜」の充足性
(2)差止請求等の当否
３争点に関する当事者の主張
(1)争点(1)（被告製品の構成要件Ｃ「単一層の保護膜」の充足性）につい
て
（原告の主張）
ア本件発明は，発光層の光反射側の端面に直接高反射膜が形成される従
来の構造では端面破壊が起きやすくなるという課題が存在したため，こ
れを抑制する目的で保護膜を形成するというものであり，その機能に着
目して上記膜が保護膜と称されている。被告製品の光反射側第１膜に端
面保護機能があることは被告も認めるところであるから，被告製品は構
成要件Ｃの「保護膜」を充足する。なお，それに加えて光反射側第２膜
にも端面保護機能があることや，被告製品の光反射側第１膜の膜厚では
共振器内の定在波を保護膜と高反射膜との界面にまで移動させることが
できないことは，上記の充足性を否定する根拠となるものではない。
イ構成要件Ｃの保護膜は特許請求の範囲に列記された材料の組成を有す
るものに限定されているから，被告製品の光反射側第１膜（ＡｌＮ膜）
はこれを充足する一方，列記された材料に当たらない材料（Ａｌ２Ｏ３）
で組成されている光反射側第２膜はこれを充足しない。このように，被
告製品において保護膜に当たるのは光反射側第１膜のみであるから，被
告製品は構成要件Ｃの「単一層の」を充足する。
（被告の主張）
ア被告製品の光反射側第１膜は，膜厚が１０ｎｍと薄く，酸化膜である
光反射側第２膜と活性層を含む発光層の端面との間に窒化膜を形成する
ことで端面を酸化作用から保護するために形成しているものにすぎず，
本件発明が目的とする端面の熱的破壊の防止という機能は有していない。
また，原告は，拒絶査定不服審判の手続において，構成要件Ｃの保護膜
は定在波を移動させることで端面劣化を抑制する機能を有すると主張し
ていたところ，定在波を光反射側第１膜の上記膜厚分移動させるだけで
は光反射側の端面の定在波エネルギーを９％しか減少させることになら
ない。したがって，被告製品の光反射側第１膜は構成要件Ｃの「保護
膜」を充足しない。
イ被告製品の光反射側第２膜の膜厚が１８７．５ｎｍに設計されている
のは，高出力動作時の発光に伴い発生する熱によって光反射側の端面及
び積層膜が破壊・劣化するのを防止するためであり，光反射側第２膜は
高反射膜と保護膜という二つの機能を有している。したがって，光反射
側第１膜が保護膜に当たるとすれば，被告製品には保護膜が２層存在す
ることになるから，被告製品は構成要件Ｃの「単一層の」を充足しない。
(2)争点(2)（差止請求等の当否）について
（原告の主張）
前記(1)（原告の主張）のとおり，被告製品は本件発明の技術的範囲に属
するから，被告が業として被告製品の生産，譲渡，輸出等の行為をすること
は本件特許権の侵害に当たる。よって，原告は，被告に対し，特許法１００
条１項及び２項に基づき，その差止め及び被告製品の廃棄を求める。
（被告の主張）
争う。なお，被告は被告製品を輸入したことはない。
第３当裁判所の判断
１争点(1)（被告製品の構成要件Ｃ「単一層の保護膜」の充足性）について
(1)後掲の証拠及び弁論の全趣旨によれば，次の事実が認められる。
ア本件明細書（甲２）には次の趣旨の記載がある。
(ア)本件発明は，発光ダイオードやレーザダイオードに使用される，
高出力で信頼性に優れた窒化ガリウム系発光素子に関するものである
（段落【０００１】）。
従来の窒化物半導体発光素子は，発光層の光反射側の端面に直接高
反射膜が形成されていたことなどから，高出力動作時に端面破壊が起
きやすくなり，素子の寿命が低下するという問題があった。本件発明
は，高出力動作時の端面破壊を抑制して素子の寿命を向上させ，高信
頼性の窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする（段落【０
００２】～【０００４】，図５）。
上記課題を解決するため，本件発明の窒化ガリウム系発光素子は，
構成要件Ａ～Ｄの構成を備える（段落【０００５】）。
本件発明の実施の形態において，光反射側の端面に形成する保護膜
には，融点が高く熱安定性に優れたＺｒＯ２等の列記された材料を用い
ることができる。この保護膜を設けることで，従来の構造でＧａＮと
ＳｉＯ２との間で起こっていた端面の劣化を防止することができる（段
落【００２１】）。また，保護膜の膜厚は，発振波長をλ，保護膜の
屈折率をｎとすると，λ／４ｎ又はλ／２ｎとすることが望ましい
（段落【００２２】）。
(イ)実施例においては，比較例の従来の素子と比較して，寿命を１．
８～２．０倍に向上させることができた（段落【００５６】，【００
７４】，【００８８】，【０１０２】，【０１１２】，【０１１３】。
なお，実施例の高反射膜の高屈折率層としては，いずれもＺｒＯ２が選
択されている。段落【００５５】，【００７３】，【００８４】，
【０１０１】，【０１１１】，【０１１３】。段落【０００９】，
【００２３】も参照。）。
(ウ)本件発明の構成を備える窒化ガリウム系発光素子は，端面破壊を
抑制して高出力動作時における寿命を向上させることができるという
効果を有する（段落【１１８】）。
イ本件拒絶理由通知は，特開２０００－２２２６９号公報（乙２）等に
よれば本件補正前の発明は進歩性を欠如することなどを理由とするもの
であった。上記公報には，本件発明の保護膜に相当する酸化物誘電体膜
が２層積層された構成を有する青色半導体レーザ素子が開示されている
（請求項２，７，明細書の段落【００１４】，【００１７】等）。原告
は，本件補正により，構成要件Ｃの「いずれか１種からなる保護膜を有
し，かつ，該保護膜の上に」との記載を「いずれか１種からなる単一層
の保護膜が接して形成され，かつ，該保護膜に接して，」（下線部が補
正箇所）とする変更をし，その結果，本件発明は特許登録されるに至っ
た(前記前提事実(2)イ，(3)参照)。
(2)前記前提事実及び上記認定事実に基づき，構成要件Ｃの「単一層の保護
膜」について検討する。
ア本件発明の発光素子の光反射側鏡面に形成される高反射膜は，特許請
求の範囲の記載によれば，保護膜に接して低屈折率層と高屈折率層とを
低屈折率層から積層して終端が高屈折率層となるように交互に積層して
形成されるものであるところ，その材料は限定されておらず（段落【０
０２３】参照），上記の積層構造の全体が高反射機能を有するものとし
て高反射膜と称されているものと解される。
他方，構成要件Ｃによれば，本件発明の保護膜は，ＺｒＯ２等の列記さ
れた材料の１種から成り，かつ，光反射側の端面と高反射膜との間にこ
れらに接して形成される膜である。また，構成要件Ｃの「単一層の」と
いう文言は，光反射側の端面と高反射膜との間に保護膜を２層積層する
構成と区別するため，本件補正により付加された要件であり，端面と高
反射膜との間に列記された材料の１種から成る１層の膜以外の膜が介在
する構成が排除されることが明確化されている。
そうすると，ある発光素子が構成要件Ｃを充足するためには，当該素
子が発光層と上記の積層構造から成る高反射膜とを有すること，当該発
光層の光反射側の端面と高反射膜との間にこれらに接して上記材料の１
種から成る単一層の膜のみが形成されていることが必要と解される。
イ次に，上記単一層の膜が有すべき端面の保護機能について検討する。
本件発明の特許請求の範囲の文言上は，上記単一層の膜を「保護膜」
と称するのみで，その有すべき保護機能を特定する記載はないが，上記
(1)アのとおり，本件発明は光反射側の端面と高反射膜との間に上記単一
層の膜を形成するなどの手段を採用することで端面破壊を抑制して素子
の高出力動作時における寿命を向上させるとする発明であること，上記
単一層の膜はこのような端面保護機能に着目して「保護膜」と称されて
いることからして，端面保護機能を全く有していない膜まで「保護膜」
を充足するとみることはできない。
もっとも，本件明細書の発明の詳細な説明の記載をみても，端面を何
からどのように保護するのか（例えば，共振器内の定在波による影響を
避けるためそのピーク位置を移動すること，端面の酸化を防止すること
等）は具体的に記載されておらず（段落【００２１】参照），また，保
護膜の膜厚を特定のものに限定するような記載も見当たらない（段落
【００２２】は「望ましい」一例にとどまる。）
そうすると，上記アの単一層の膜は，それが形成されることにより端
面を保護する機能があると認められる限り，構成要件Ｃの「保護膜」に
当たると解するのが相当である。
(3)これを被告製品についてみると，まず，前記前提事実(4)イｃによれば，
被告製品に形成された光反射側第２膜～第７膜が全体として高反射膜であ
る（第２膜，第４膜及び第６膜が低屈折率層，第３膜，第５膜及び第７膜
が高屈折率層に当たる。）ということができる。そして，光反射側第１膜
は構成要件Ｃに列記された材料の１種であるＡｌＮから成る膜であり，そ
の両端は発光層の端面及び光反射側第２膜に接している。したがって，被
告製品の光反射側第１膜は，上記材料の１種から成り，かつ，端面及び高
反射膜に接して形成された単一層の膜であると認められる。
次に，被告製品の光反射側第１膜に端面保護機能があることは，被告に
おいて，それが端面を酸化作用から保護する機能及び膜厚分だけ定在波を
移動させることで光反射側の端面における定在波エネルギーを一定程度減
少させる機能を有する旨の主張をしていること（前記第２の３(1)（被告の
主張）ア参照）からも明らかである。したがって，被告製品の光反射側第
１膜は構成要件Ｃの「保護膜」を充足する。
以上によれば，被告製品は構成要件Ｃの「単一層の保護膜」を充足する
と認めるのが相当である。
(4)これに対し，被告は，①被告製品の光反射側第１膜は，本件発明が目的
とする光反射側の端面の熱的破壊の防止という機能，原告が拒絶査定不服
審判で主張した定在波移動機能を有していないから，構成要件Ｃの「保護
膜」を充足しない，②光反射側第２膜は高反射膜のみならず保護膜として
も機能しているから，被告製品は構成要件Ｃの「単一層の」を充足しない
と主張するが，以下のとおり，いずれも採用することができない。
ア被告の上記①の主張は，構成要件Ｃの「保護膜」をこれが果たすべき
具体的な保護機能の態様により限定しようとするものであるが，そのよ
うな限定ができないことは前記(2)イのとおりである。
なお，被告は，原告が審判請求の理由として本件発明の保護膜が定在
波を移動させる機能を有する旨記載したことをその主張の根拠とする。
しかし，この記載は，本件明細書の段落【００２２】において「望まし
い」とされた一つの構成に即して定在波移動の効果を説明したものにす
ぎず，本件発明をそのような構成に限定する趣旨ではないと解すること
が可能である上，本件において拒絶理由が解消されて特許登録すべきも
のとされたのは，保護膜を単一層とする旨の本件補正が行われたことに
よるものであって（前記前提事実(3)参照），上記記載がなければ特許登
録に至らなかったと認めるに足りる証拠はない。
イ次に，被告の上記②の主張，すなわち，前記単一層の膜が「保護膜」
を充足する場合において，これに接して形成された高反射膜にも端面保
護機能が認められるときに，そのような構成が本件発明の構成要件Ｃか
ら排除されているか否かを検討する。
本件発明の特許請求の範囲及び本件明細書の発明の詳細な説明のいず
れにも，保護膜に加えて高反射膜にも端面保護機能がある発光素子の構
成を排除する趣旨の記載は見当たらない。また，前記(1)アのとおり，本
件発明の実施例においては高反射膜の高屈折率層としてＺｒＯ２が選択さ
れているところ，ＺｒＯ２は融点が高く熱安定性に優れ保護膜の材料の一
つとしても選択され得るものであるから（段落【００２１】参照），高
反射膜の一部が端面保護機能を果たすこともあることが前提とされてい
るとみることができる。
そうすると，「保護膜」に接して形成された高反射膜にも端面保護機
能が認められるときであっても，構成要件Ｃの充足性は否定されないと
解するのが相当である。
２争点(2)（差止請求等の当否）等について
以上によれば，被告製品は本件発明の技術的範囲に属するから，その生産，
譲渡，輸出等の差止め及び被告製品の廃棄を求める原告の請求は理由がある。
また，前記前提事実(4)ウ及びエによれば，原告の特許権侵害の不法行為に
基づく損害賠償請求は，６９万８１７８円及びこれに対する不法行為日以降
の日である平成２３年１１月１１日から支払済みまで民法所定の年５分の割
合による遅延損害金の支払を求める限度で理由があり，その余の請求は理由
がない。なお，不当利得返還請求権に基づく請求に係る認容額も，上記金額
を上回る金額となるものではない。
３結論
よって，主文のとおり判決する。なお，主文第２項の請求について仮執行
宣言を付するのは相当でないから，これを付さないこととする。
東京地方裁判所民事第４６部
裁判長裁判官長谷川浩二
裁判官清野正彦
裁判官植田裕紀久
（別紙）
物件目録
被告が製造販売する下記型番の半導体レーザダイオード製品
記
型番ＤＬ－４１４６－１０１Ｓ

戻る