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平成３０年５月３０日判決言渡
平成２９年（行ケ）第１０１１１号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成３０年４月１８日
判決
原告パーカー熱処理工業株式会社
同訴訟代理人弁護士辻居幸一
佐竹勝一
同弁理士弟子丸健
磯貝克臣
石崎亮
服部博信
被告オリエンタルエンヂニアリング
株式会社
同訴訟代理人弁理士森哲也
田中秀喆
尾林章
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１６－８０００５５号事件について平成２９年４月１３日にし
た審決を取り消す。
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯等
(1)被告は，平成２１年７月２１日，発明の名称を「表面硬化処理装置及び表面
硬化処理方法」とする発明について特許出願をし，平成２６年１０月１０日，特許
権の設定登録を受けた（特許番号第５６２９４３６号。請求項の数４。以下「本件
特許」という。甲２０）。
(2)原告は，平成２８年５月１１日，本件特許のうち請求項２ないし４について
無効審判を請求し（甲２１），特許庁は，上記審判請求を無効２０１６－８０００
５５号事件として審理を行った。
(3)被告は，平成２８年７月２２日付けで，本件特許について訂正を請求した
（以下「本件訂正」という。甲２３）。
(4)特許庁は，平成２９年４月１３日，本件訂正を認めた上，「本件審判の請求
は，成り立たない。」との別紙審決書（写し）記載の審決（以下「本件審決」とい
う。）をし，その謄本は，同月２１日，原告に送達された。
(5)原告は，平成２９年５月１２日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起
した。
２特許請求の範囲の記載
本件訂正後の特許請求の範囲請求項２ないし４の記載は，以下のとおりである
（なお，本件訂正の前後を通じ，特許請求の範囲の記載に変更はない。）。以下，
これらの発明を，順に「本件発明１」などといい，本件発明１ないし３を総称して
「本件各発明」という。また，本件訂正後の明細書及び図面（甲２０，２３）を併
せて「本件訂正明細書」という。なお，文中の「／」は，原文の改行箇所を示す
（以下同じ。）。
【請求項２】処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む
複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して，前記処理炉内に配置した被処
理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理
装置であって，／前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて，前記炉内ガスの
水素濃度を検出する水素濃度検出手段と，／前記水素濃度検出手段が検出した水素
濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し，当該演算した炉内濃度の
演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成
演算手段と，／前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した
設定炉内ガス混合比率に応じて，前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率と
なるように，前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への導入量の比率で
ある炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入
ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と，前記炉内導入ガス流
量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第
二の制御と，の両者を実行可能であるとともに，同時にはいずれか一方の制御のみ
を選択的に行うガス導入量制御手段と，を備えることを特徴とする表面硬化処理装
置。
【請求項３】前記表面硬化処理を前記ガス軟窒化処理とし，／前記処理炉と前記
水素濃度検出手段とを連通する水素濃度検出配管と，／前記水素濃度検出配管の温
度を制御する配管温度制御手段と，を備え，／前記配管温度制御手段は，前記水素
濃度検出配管内で前記炉内ガスが固体として析出しないように，前記アンモニアガ
スに応じて前記水素濃度検出配管の温度を６０～１００℃の範囲内に制御すること
を特徴とする請求項２に記載した表面硬化処理装置。
【請求項４】前記処理炉と前記水素濃度検出手段との間に介装し，前記処理炉と
前記水素濃度検出手段とを連通させる連通状態と，前記処理炉と前記水素濃度検出
手段との間を閉鎖する閉鎖状態と，を切換可能な開閉弁と，／前記ガス導入量制御
手段の動作状態に応じて前記開閉弁を前記連通状態または前記閉鎖状態に切り換え
る開閉弁切換え制御手段と，を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のう
ちいずれか１項に記載した表面硬化処理装置。
３本件審決の理由の要旨
(1)本件審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりである。要するに，本
件訂正を認めた上，①本件発明１は，（ⅰ）下記アの引用例１に記載された発明
（以下「引用発明１」という。）と同じ発明ではなく，（ⅱ）下記イの引用例２に
記載された発明（以下「引用発明２」という。）と同じ発明ではなく，（ⅲ）引用
発明１及び２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるとは
いえない，②本件発明２は，引用発明１及び／又は引用発明２，並びに下記ウの引
用例３及び下記エの引用例４に記載された技術事項に基づいて，当業者が容易に発
明をすることができたものであるとはいえない，③本件発明３は，引用発明１及び
／又は引用発明２，並びに引用例３，４，下記オないしキの引用例５ないし７に記
載された技術事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである
とはいえない，④本件各発明は，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たす，
というものである。
ア引用例１：河田一喜「窒化ポテンシャル制御システム付きガス軟窒化炉」熱
処理第４９巻２号（平成２１年４月２８日発行）（甲１）
イ引用例２：ＤｉｅｔｅｒＬｉｅｄｔｋｅｕｎｄ６Ｍｉｔａｕｔｏｒ
ｅｎ「ＷａｅｒｍｅｂｅｈａｎｄｌｕｎｇｖｏｎＥｉｓｅｎｗｅｒｋｓｔｏｆ
ｆｅｎＮｉｔｒｉｅｒｅｎｕｎｄＮｉｔｒｏｃａｒｂｕｒｉｅｒｅｎ３．，
ｖｏｅｌｌｉｇｎｅｕｂｅａｒｂｅｉｔｅｔｅＡｕｆｌａｇｅ」（２００６
年発行）（甲２）
ウ引用例３：藤原雅彦「ガス浸炭における測定精度を向上したガス分析システ
ム」熱処理第４４巻５号（平成１６年１０月２８日発行）（甲３）
エ引用例４：特開２０００－７４７９８号公報（甲４）
オ引用例５：特開平１０－５４７８４号公報（甲５）
カ引用例６：特開２００７－４０７５６号公報（甲６）
キ引用例７：特開２００９－１２９９２５号公報（甲７）
(2)引用発明
本件審決が認定した引用発明は，以下のとおりである。
ア引用発明１
(ア)引用発明１－１（引用例１の図５）
ピット型のガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟
窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し，目的の窒化ポテンシャル
に自動制御できる窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉であり，前記
窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることが
でき，その窒化ポテンシャルが設定値となるように，マスフローコントローラーを
介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３，Ｎ２，Ｈ２，ＮＨ３分解ガス，ＣＯ２，
Ａｉｒのうち，ＮＨ３，Ｎ２，Ｈ２，ＮＨ３分解ガスから選ばれる，ガス種と導入ガス
量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき，
窒化ポテンシャルを自動制御できるという窒化センサ制御システム付きピット型ガ
ス軟窒化炉において，ＮＨ３とＮ２のみを使用し，窒化温度５７０℃にて炉内の水素
濃度，窒化ポテンシャルＫＮが，それぞれ，初期には２８Ｖｏｌ％，４．２制御，中
期には４０Ｖｏｌ％，１．８制御，後期には５０Ｖｏｌ％，０．９制御となるよう
に，ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントロ
ーラーへ送って炉内ガスを調整すると，水素濃度についての測定値及びその測定値
から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が，前
記初期には，２８Ｖｏｌ％付近，４．２付近で，前記中期には，４０Ｖｏｌ％付近，
１．８付近で，前記後期には，５０Ｖｏｌ％付近，０．９付近で，それぞれ生じる，
窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉。
(イ)引用発明１－２（引用例１の図７）
バッチ型のガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟
窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し，目的の窒化ポテンシャル
に自動制御できる窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉であり，前記
窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることが
でき，その窒化ポテンシャルが設定値となるように，マスフローコントローラーを
介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３，Ｎ２，Ｈ２，ＮＨ３分解ガス，ＣＯ２，
Ａｉｒのうち，ＮＨ３，Ｎ２，Ｈ２，ＮＨ３分解ガスから選ばれる，ガス種と導入ガス
量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき，
窒化ポテンシャルを自動制御できるという窒化センサ制御システム付きバッチ型ガ
ス軟窒化炉において，ＮＨ３とＮ２とＣＯ２のみを使用し，窒化温度５８０℃にて炉内
の水素濃度，窒化ポテンシャルＫＮが，それぞれ，初期は１５Ｖｏｌ％，７．５制御，
後期には２３Ｖｏｌ％，３．１制御となるように，ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガ
ス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整する
と，水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値に
ついての時間の推移に伴う小刻みな変動が，前記初期には，１５Ｖｏｌ％付近，７．
５付近で，前記後期には，２３Ｖｏｌ％付近，３．１付近で，それぞれ生じる，窒
化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉。
イ引用発明２
ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが，それぞれ，５０％，４５％，５％混合された，ＮＨ３－
Ｎ２－ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のための制御装置であって，ＨｙｄｒｏＮｉｔ－
Ｓｅｎｓｏｒを用いて測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される，９から４
の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記ＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスの合計導
入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整でき，前記窒化ポテンシ
ャルＫＮが４に設定されると，前記ＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最小
許容ガス投入量に調整され，前記窒化ポテンシャルＫＮが９に設定されると，前記Ｎ
Ｈ３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最大許容ガス投入量に調整される制御装置。
(3)本件各発明と引用発明との対比
本件審決が認定した本件発明１，２と引用発明１，２との一致点及び相違点は，
次のとおりである。
ア本件発明１と引用発明１－１との一致点及び相違点
(ア)一致点
処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉
内導入ガスを前記処理炉内へ導入して，前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬
化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって，
／前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて，前記炉内ガスの水素濃度を検出
する水素濃度検出手段と，／前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて
前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し，当該演算した炉内濃度の演算値に基づい
て前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段と，／
前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混
合比率に応じて，前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように，行
うガス導入量制御手段と，を備える表面硬化処理装置。
(イ)相違点
ガス導入量制御手段が，本件発明１では，「複数種類の炉内導入ガスの処理炉内
への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数
種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と，
前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量
を個別に制御する第二の制御と，の両者を実行可能であるとともに，同時にはいず
れか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのに対し，引用発
明１－１では，「複数種類の前記炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である
炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガス
の前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と，前記炉内導入ガス流量比
率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の
制御と，の両者を実行可能であるとともに，同時にはいずれか一方の制御のみを選
択的に行うガス導入量制御手段」であるのか明らかではない点（以下「相違点１－
１」という。）。
イ本件発明１と引用発明１－２との一致点及び相違点
(ア)一致点
前記ア(ア)と同じ。
(イ)相違点
ガス導入量制御手段が，本件発明１では，「複数種類の炉内導入ガスの処理炉内
への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数
種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と，
前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量
を個別に制御する第二の制御と，の両者を実行可能であるとともに，同時にはいず
れか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのに対し，引用発
明１－２では，「複数種類の前記炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である
炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガス
の前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と，前記炉内導入ガス流量比
率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の
制御と，の両者を実行可能であるとともに，同時にはいずれか一方の制御のみを選
択的に行うガス導入量制御手段」であるのか明らかではない点（以下「相違点１－
２」という。）。
ウ本件発明１と引用発明２との一致点及び相違点
(ア)一致点
処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉
内導入ガスを前記処理炉内へ導入して，前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬
化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって，
／炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段と，／前記水素濃度検出手段が
検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し，当該演算し
た炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する
炉内ガス組成演算手段と，／前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と
予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて，前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガ
ス混合比率となるように，前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への導
入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の
前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量についてのガス導入量制御手段と，
を備える表面硬化処理装置。
(イ)相違点
水素濃度検出手段が，本件発明１では，「処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づ
いて」検出する手段であるのに対し，引用発明２では，ＨｙｄｒｏＮｉｔ－Ｓｅｎ
ｓｏｒであるものの，「処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて」検出する手段
であるのか明らかでない点（以下「相違点２－１」という。）。
ガス導入量制御手段が，本件発明１では，「複数種類の炉内導入ガスの処理炉内
への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数
種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と，
前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量
を個別に制御する第二の制御と，の両者を実行可能であるとともに，同時にはいず
れか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのに対し，引用発
明２では，「複数種類の前記炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内
導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前
記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と，前記炉内導入ガス流量比率が
変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御
と，の両者を実行可能であるとともに，同時にはいずれか一方の制御のみを選択的
に行うガス導入量制御手段」であるのか明らかではない点（以下「相違点２－２」
という。）。
エ本件発明２と引用発明１－２との一致点及び相違点
相違点１－２以外に，以下の点でも相違し（以下「相違点１－３」という。），
その余の点で一致している。
表面硬化処理装置が，本件発明２では，「水素濃度検出配管の温度を制御する配
管温度制御手段を備え，前記配管温度制御手段は，前記水素濃度検出配管内で炉内
ガスが固体として析出しないように，アンモニアガスに応じて前記水素濃度検出配
管の温度を６０～１００℃の範囲内に制御する」との発明特定事項を備えているの
に対し，引用発明１－２では，そのような発明特定事項を備えていない点。
オ本件発明２と引用発明２との一致点及び相違点
相違点２－１，２－２以外に，以下の点でも相違し（以下「相違点２－３」とい
う。），その余の点で一致している。
表面硬化処理装置が，本件発明２では，「水素濃度検出配管の温度を制御する配
管温度制御手段を備え，前記配管温度制御手段は，前記水素濃度検出配管内で炉内
ガスが固体として析出しないように，アンモニアガスに応じて前記水素濃度検出配
管の温度を６０～１００℃の範囲内に制御する」との発明特定事項を備えているの
に対し，引用発明２では，そのような発明特定事項を備えていない点。
４取消事由
(1)本件発明１の新規性ないし容易想到性に係る判断の誤り（取消事由１）
ア引用発明１－１又は１－２を主引用発明とする場合
(ア)引用発明１－１，１－２の認定誤り
(イ)本件発明１の新規性に係る判断の誤り
(ウ)本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
イ引用発明２を主引用発明とする場合
(ア)引用発明２の認定誤り
(イ)本件発明１の新規性に係る判断の誤り
(ウ)本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
(2)本件発明２の容易想到性に係る判断の誤り（取消事由２）
ア引用発明１－１又は１－２を主引用発明とする場合
(ア)相違点１－２の容易想到性に係る判断の誤り
(イ)相違点１－３の容易想到性に係る判断の誤り
イ引用発明２を主引用発明とする場合
(ア)相違点２－１，２－２の容易想到性に係る判断の誤り
(イ)相違点２－３の容易想到性に係る判断の誤り
(3)本件発明３の容易想到性に係る判断の誤り（取消事由３）
(4)本件各発明のサポート要件に係る判断の誤り（取消事由４）
第３当事者の主張
１取消事由１（本件発明１の新規性ないし容易想到性に係る判断の誤り）につ
いて
〔原告の主張〕
(1)引用発明１－１又は１－２を主引用発明とする場合
ア引用発明１－１，１－２の認定誤り
(ア)本件審決は，窒化ポテンシャル制御の際のＮＨ３ガス流量を一定とすれば，
ＮＨ３の熱分解度が一定となり，窒化ポテンシャルは一定となる旨の技術常識を認定
するが，かかる認定は誤りである。窒化処理を実施する際，ＮＨ３ガス流量を一定に
維持しても，窒化処理の進行に応じてＮＨ３の熱分解度は変動し，そのことによって
炉内ガス組成は変動する。したがって，炉内ガス組成に対応するパラメータである
窒化ポテンシャルも変動する。この窒化ポテンシャルの変動範囲を小さく抑制する
ために，炉内ガス組成の変動の情報がガスセンサによって検出されて，炉内への各
ガスの導入量がマスフローコントローラーによってフィードバック制御されること
が，本件出願時における当業者の正しい技術常識であった。
(イ)本件出願時の正しい技術常識を前提とすれば，引用発明１－１，１－２は
以下のとおり認定すべきである。
ａ引用発明１－１
炉内のＨ２濃度，炉内のＮＨ３濃度，炉内のＮ２濃度のそれぞれについての換算式を
利用することで，ＮＨ３とＨ２のガス導入量は，初期には，およそ９９．５：０．５
の体積比率となるように，中期には，およそ，９８．５：１．５の体積比率となる
ように，後期には，およそ，９７．７：２．３の体積比率となるように，ガス導入
量制御を行ったと求まり，それぞれの期間中に，炉内のＮＨ３の熱分解度ｓの変動に
起因する窒化ポテンシャルの変動を抑制するべく，引用発明１－１においては，窒
化ポテンシャルが，初期には４．２，中期には１．８，後期には０．９というそれ
ぞれの所望の値に保持されるよう，各ガスの導入量がフィードバック制御されて増
減される（なお，下線部は，本件審決の認定と相違する箇所である。以下同じ。）。
ｂ引用発明１－２
ＮＨ３とＨ２とＣＯ２とのみを使用し，窒化温度は５８０℃にて，炉内のＮＨ３の熱
分解度ｓの変動に起因する窒化ポテンシャルの変動を抑制するべく，炉内の水素濃
度，窒化ポテンシャルＫＮが，それぞれ，初期は１５Ｖｏｌ％，７．５制御，後期に
は２３Ｖｏｌ％，３．１制御となるように，ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量に
ついてのフィードバック信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスの増減
を調整すると，水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシ
ャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が，前記初期には，１５Ｖｏｌ
付近，７．５付近で，前記後期には，２３Ｖｏｌ％付近，３．１付近で，それぞれ
生じる。
イ本件発明１の新規性に係る判断の誤り
前記ア(イ)のとおり正しく認定した引用発明１－１，１－２には，それぞれ，本
件発明１の「第一の制御」及び「第二の制御」（相違点１－１，１－２）が開示さ
れているから，引用発明１－１，１－２は本件発明１と同一である。
ウ本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
本件発明１と引用発明１－１，１－２が同一でないとしても，本件発明１は，引
用発明１－１，１－２に前記ア(ア)の正しい技術常識を適用することによって容易
に想到することができたものである。
(2)引用発明２を主引用発明とする場合
ア引用発明２の認定誤り
(ア)前記(1)ア(ア)のとおり，本件審決の技術常識の認定は誤っており，本件出
願時の正しい技術常識を前提とすれば，引用発明２は以下のとおり認定すべきであ
る。
ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが，それぞれ，５０％，４５％，５％混合された，ＮＨ３－
Ｎ２－ＣＯ２混合ガスにより，測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される窒化
ポテンシャルＫＮのＮＨ３の熱分解度ｓの変動に起因する設定された（目標の）窒化
ポテンシャルからの変動（差分）が小さくなるように，前記ＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２混合
ガスの合計導入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整できるとい
うガス導入量制御において，複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率
を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合
計導入量を前記窒化ポテンシャルＫＮに応じてフィードバック制御して増減する。
(イ)また，引用発明２の水素濃度検出手段である「ＨｙｄｒｏＮｉｔ－Ｓｅｎ
ｓｏｒ」（水素センサの商標名である。）については，処理炉内の炉内ガスの熱伝
導度に基づいて水素濃度を検出する手段である。
イ本件発明１の新規性に係る判断の誤り
前記アのとおり正しく認定した引用発明２には，それぞれ，本件発明１の「水素
濃度検出手段」（相違点２－１）並びに「第一の制御」及び「第二の制御」（相違
点２－２）が開示されているから，引用発明２は本件発明１と同一である。
ウ本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
本件発明１と引用発明２が同一でないとしても，本件発明１は，引用発明２に前
記ア(ア)の正しい技術常識を適用することによって容易に想到することができたも
のである。
〔被告の主張〕
(1)引用発明１－１又は１－２を主引用発明とする場合
ア引用発明１－１，１－２の認定誤り
(ア)本件審決は，窒化ポテンシャル制御の際のＮＨ3ガス流量を一定とすれば，
「ガス流量以外に，炉内のＮＨ3の熱分解度ｓの変動要因が生じない限り」，ＮＨ3の
熱分解度が一定となり，窒化ポテンシャルは一定となると認定しているのであって，
かかる認定に誤りはない。したがって，ガス流量以外の，炉内のＮＨ3の熱分解度ｓ
の変動要因による影響を的確に排除しておけば，窒化ポテンシャル制御の際のＮＨ３
ガス流量を一定とすれば，ＮＨ３の熱分解度が一定となり，窒化ポテンシャルは一定
となる旨の技術常識を認定することができる。実際，温度変化によるＮＨ3の熱分解
度ｓの変動の問題は，温度制御により対処（排除）するのが普通である。
(イ)引用例１の図５に記載されているのは，最初はＫN＝４．２であったのを，
途中でＫN＝１．８に変更させ，さらに，最後にＫN＝０．９に変更させる切替えの様
子だけである。また，引用例１の図７に記載されているのは，最初はＫN＝７．５で
あったのを，途中でＫN＝３．１に変更させる切替えの様子だけである。それゆえ，
引用例１から把握されるガス導入量制御としては，窒化ポテンシャルＫNの設定値ご
とに予め定められた一定流量のＮＨ3ガスを導入するガス導入量制御（計算上のガス
導入量制御）を行うとともに，炉内水素濃度を基に計算上のガス導入量制御の切替
えを行うガス導入量制御である可能性も否定できない。したがって，引用例１では，
炉内水素濃度を基に何らかのガス導入量制御を行っているのは確かであるが，フィ
ードバック制御を行っていると断定することまではできない。
また，引用例１は，本件発明の発明者が執筆した技術解説記事であり，被告が開
発した水素センサで炉内の水素濃度を分析し，目的の窒化ポテンシャルに自動制御
できる窒化ポテンシャル制御システム付きガス軟窒化炉を紹介するための記事であ
る。それゆえ，引用例１には，システムのメリット，窒化ポテンシャルの制御結果，
窒化処理後の被処理品状態，応用範囲等，窒化ポテンシャル制御システム付きガス
軟窒化炉の性能の高さを表す事項しか記載されていない。他方，具体的なガス導入
量制御のやり方は，技術解説記事が掲載される頁数に制限があるなか，商品の購買
動機への寄与が低く，また，できるだけ秘匿したいノウハウとなるため，積極的に
記載する必要はないし，実際に記載していない。
(ウ)甲２９ないし３１には，「このようなフィードバック制御」，つまり，
「炉内へ導入されるＮＨ3とＮ2の各ガスの流量比率が一定値に保持された状態…で，
これらのガスの総導入量がフィードバック制御され」る制御は記載されていない。
したがって，原告の本件出願前の技術常識に係る主張は認められるものではない。
なお，そもそも甲２９ないし３１は，無効審判の口頭審理の期日の前日に審判官
や被告に前触れなく送付された技術文献であり，無効審判で審理判断されていない
証拠である。したがって，甲２９ないし３１に基づく原告の主張は認められない。
(エ)したがって，本件審決の引用発明１－１，１－２の認定に誤りはない。
イ本件発明１の新規性に係る判断の誤り
本件審決の認定するとおり，本件発明１と引用発明１－１との間には相違点１－
１が，本件発明１と引用発明１－２との間には相違点１－２が存する。相違点１－
１，１－２は，いずれも実質的な相違点である。
したがって，本件発明１と引用発明１－１，１－２とは同一でない。
ウ本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
原告主張の技術常識は否認する。相違点１－１，１－２を容易に想到することが
できる旨の原告の主張は争う。
(2)引用発明２を主引用発明とする場合
ア引用発明２の認定誤り
(ア)前記(1)アと同様，本件審決の引用発明２の認定に誤りはない。
(イ)水素濃度検出手段については，ＨｙｄｒｏＮｉｔ－Ｓｅｎｓｏｒが，水素
分子透過性をもつ測定管により炉気の水素濃度を測定する水素センサであることか
らすれば，処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて検出する手段でないことが明
らかである。すなわち，「ＨｙｄｒｏＮｉｔ－Ｓｅｎｓｏｒ」と「処理炉内の炉内
ガスの熱伝導度に基づいて水素濃度を検出する測定方法」とは，水素濃度を測定す
る点では共通するが，上位概念・下位概念の関係にはない，全く別の検出手段であ
る。
したがって，ＨｙｄｒｏＮｉｔ－Ｓｅｎｓｏｒが「処理炉内の炉内ガスの熱伝導
度に基づいて」水素濃度を検出する測定方法を採用可能となることはない。
(ウ)以上のとおり，本件審決の引用発明２の認定に誤りはない。
イ本件発明１の新規性に係る判断の誤り
本件審決の認定するとおり，本件発明１と引用発明２との間には相違点２－１，
２－２が存する。相違点２－１，２－２は，いずれも実質的な相違点である。
したがって，本件発明１と引用発明２とは同一でない。
ウ本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
原告主張の技術常識は否認する。相違点２－１，２－２を容易に想到することが
できる旨の原告の主張は争う。
なお，本件発明１が，引用発明２から容易に想到することができるかは，原告が
無効審判手続で主張しなかった事項であるから，本件訴訟において主張することは
許されない。
２取消事由２（本件発明２の容易想到性に係る判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)引用発明１－１又は１－２を主引用発明とする場合
ア相違点１－２の容易想到性に係る判断の誤り
前記１〔原告の主張〕(1)ウと同じ。
イ相違点１－３の容易想到性に係る判断の誤り
炉内ガスセンサに至る配管内での炉内ガスの析出防止という課題は，引用例３及
び４に記載されているように本件出願前から周知であったし，その解決手段として
配管を加温することも，引用例３及び４に記載されているように本件出願前の技術
常識であった。
引用例１の図３には，炉を格納するハウジングの上部にセンサ本体が図示され，
炉内に降下する配管状の部分が図示されているから，引用例１のセンサが処理炉に
対して配管を介して接続可能であることは自明の事項である。
したがって，引用発明１－１又は１－２における水素濃度検出手段を，処理炉に
対して配管を介して接続した場合に，当該配管を加温する設計を採用することは，
当業者にとって単なる設計事項にすぎない。
よって，本件発明２は，引用発明１－１又は１－２に引用例３及び４に記載され
た技術常識を適用することによって，容易に想到することができたものである。
(2)引用発明２を主引用発明とする場合
ア相違点２－１，２－２の容易想到性に係る判断の誤り
前記１〔原告の主張〕(2)ウと同じ。
イ相違点２－３の容易想到性に係る判断の誤り
前記(1)イのとおり，炉内ガスセンサに至る配管内での炉内ガスの析出防止という
課題は，本件出願前から周知であったし，その解決手段として配管を加温すること
も，本件出願前の技術常識であった。
引用例２の図４－３１には，熱伝導率の変化によって水素の濃度を測定するセン
サが「測定ガス入口」の箇所と「測定ガス出口」の箇所とに管路を有することが図
示されているから，当該センサを処理炉に対して配管を介して接続可能であること
は自明の事項である。
したがって，前記(1)と同様に，引用発明２における水素濃度検出手段を，処理炉
に対して配管を介して接続した場合に，当該配管を加温する設計を採用することは，
当業者にとって単なる設計事項にすぎない。
よって，本件発明２は，引用発明２に引用例３及び４に記載された技術常識を適
用することによって，容易に想到することができたものである。
〔被告の主張〕
(1)引用発明１－１又は１－２を主引用発明とする場合
ア相違点１－２の容易想到性に係る判断の誤り
前記１〔被告の主張〕(1)ウと同じ。
イ相違点１－３の容易想到性に係る判断の誤り
炉内ガスの熱伝導度を基に水素濃度を検出するセンサ（熱伝導式水素センサ）は，
炉体に直接配管で装着され，炉内ガスを配管によって自然対流でセンサ素子に導く
のが一般的であり，国内外の文献等では，自然対流の容易さを考慮し，熱伝導式水
素センサの配管は短くされていた。そのため，配管や素子等が６０℃以下にならず，
炭酸アンモニウムの固体の析出がないと考えるのが通常であった。したがって，
「炉内ガスセンサに至る配管内での炉内ガスの析出防止という課題」は，水素セン
サには当てはまらない。
本件各発明の発明者は，多数の実験を行った結果，「第一の制御」や「第二の制
御」を用いて実際にガス軟窒化の量産処理を重ねると，センサ素子と炉体との間の
配管に炭酸アンモニウムが固体として析出する現象が生じることを発見した。この
ような発見をもとに，本件各発明の発明者は，熱伝導式水素センサを有する装置に
おいて，当業者が常識的には考えないセンサ素子と炉体との間の配管を保温するこ
とを案出したのである。これに対し，引用例３等には，「第一の制御」や「第二の
制御」についての記載がなく，このような発見についての示唆さえもない。そのた
め，当業者であっても，引用例３等から本件発明２を想到することはできない。
したがって，相違点１－３を容易に想到することができたとはいえず，引用発明
１－１又は１－２から，本件発明２を容易に想到することができたとはいえない。
(2)引用発明２を主引用発明とする場合
ア相違点２－１，２－２の容易想到性に係る判断の誤り
前記１〔被告の主張〕(2)ウと同じ。
イ相違点２－３の容易想到性に係る判断の誤り
前記(1)イと同じ。
３取消事由３（本件発明３の容易想到性に係る判断の誤り）について
〔原告の主張〕
本件発明３は，本件発明１又は２に従属するものであるところ，前記１及び２の
〔原告の主張〕のとおり，本件発明１又は２に係る本件審決の判断には誤りがある。
本件発明３は，引用発明１又は２，並びに引用例３ないし７に記載された発明に基
づいて，容易に発明をすることができたものである。
〔被告の主張〕
原告の主張は争う。
４取消事由４（サポート要件に係る判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)本件審決が認定した前記１〔原告の主張〕(1)ア(ア)の誤った技術常識を前
提とする場合，本件発明１の第一の制御を行う必要性を合理的に解釈することがで
きない。なぜなら，本件審決が認定した見解に基づけば，窒化ポテンシャルを所望
の値に保持するため，すなわち，前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率と
なるためには，複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への導入量を各々一定
値に保持すれば足り，合計導入量を変動させるべきでないからである。具体的には，
本件訂正明細書の【００９５】において，本件審決が認定した見解に基づけば，窒
化ポテンシャルＫＮが３．３となるように，アンモニアガスの処理炉への導入量は１．
６ｍ３
／ｈに固定され，窒素ガスの処理炉への導入量は０．４ｍ３
／ｈに固定される
ことになり，第一発明例と第一比較例との相違がどこにあるのか不明となる。
また，本件訂正明細書【００９６】の記載を検討しても，本件各発明の「第二の
制御」がどのような技術的意義を有するのか，全く理解できない。
結局，本件審決が認定した誤った技術常識に基づいた場合，発明の詳細な説明に
は，当業者において，炉内ガスの熱伝導度に基づいて処理炉内の雰囲気を検出し，
この検出した雰囲気を参照して処理炉内の雰囲気を制御することが可能な表面硬化
処理装置を提供するという本件発明の課題を解決できると認識できる程度の具体的
な方法について何らの開示もないということになる。
(2)よって，本件各発明は，発明の詳細な説明に記載されていないものであるた
め，特許法３６条６項１号の規定により特許を受けることができない。
〔被告の主張〕
本件各発明では，熱伝導式水素センサを用い，水素を発生するガスとしてアンモ
ニアガスのみを導入する構成として，炉内ガス組成の検出精度を向上し，窒化ポテ
ンシャルの検出精度を向上し，窒化ポテンシャルの微小な変動を測定可能とした。
そして，それ以前は測定不可能だった窒化ポテンシャルの微小変動を正確に測定可
能とし，その測定結果に基づいて炉内導入ガスの合計導入量を制御する「第一の制
御」を実行する構成として，窒化ポテンシャルが変動の小さい状態に保持されるよ
うにした。
このように，本件各発明の第一の制御を行う必要性があると認められるため，本
件各発明の課題を解決できると認識できる程度の具体的な方法について何らの開示
もない旨の原告の主張は，失当である。本件訂正明細書において，発明の詳細な説
明には，「当業者において，…本件発明１～３の課題を解決できると認識できる程
度の具体的な方法について」開示されているといえる。
なお，本件訂正明細書の「第一実施例」では，【００９５】で，第一発明例と第
一比較例の概要について記載し，【００９６】【００９７】で，第一発明例と第一
比較例の詳細について記載している。したがって，第一発明例や第一比較例は，
【００９５】の記載だけから判断すべきではなく，【００９６】【００９７】の記
載も考慮すべきである。本件訂正明細書では，【００９６】【００９７】の記載も
考慮することで，第一発明例が，本件各発明の「第一の制御」を行い，第一比較例
が，窒素ガスの導入量のみの制御（本件発明の「第一の制御」「第二の制御」のい
ずれでもない制御）を行うことが把握されるようになっている。
第４当裁判所の判断
１本件各発明について
本件各発明に係る特許請求の範囲は，前記第２の２のとおりであり，本件各発明
の特徴は以下のとおりである。
(1)技術分野，産業上の利用可能性
本発明は，窒化，軟窒化等，金属製の被処理品に対する表面硬化処理を行う，表
面硬化処理装置及び表面硬化処理方法に関する。（【０００１】）
本発明に係る表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法は，金属材料からなる，自
動車，建設機械，各種産業機械等の部品や金型に対する，窒化，軟窒化等の表面硬
化処理に利用することが可能である。（【０１２０】）
(2)背景技術
従来から，金属製の被処理品，特に，鋼部品や金型に対する表面硬化処理として，
窒化処理や軟窒化処理が適用されている。この窒化処理や軟窒化処理は，後述する
浸炭処理や浸炭窒化処理と比較して，処理温度が低く，また，歪みの少ない処理法
である。
このような窒化処理や軟窒化処理の方法としては，ガス法，塩浴法，プラズマ法
等がある。そして，これらの方法の中では，ガス法が，品質，環境性，量産性等を
考慮した場合に，総合的に優れている。
ところで，ガス法による窒化処理（ガス窒化処理）は，被処理品に対し，窒素の
みを浸透拡散させて，表面を硬化させるプロセスを有する。また，ガス窒化処理で
は，アンモニアガス，アンモニアガスと窒素ガスとの混合ガス，アンモニアガスと
アンモニア分解ガス（７５％Ｈ２，２５％Ｎ２）との混合ガスを処理炉内へ導入して，
表面硬化処理を行う。
一方，ガス法による軟窒化処理（ガス軟窒化処理）は，被処理品に対し，窒素と
ともに炭素を副次的に浸透拡散させて，表面を硬化させるプロセスを有する。また，
ガス軟窒化処理では，アンモニアガスとＲＸガス（ＣＯ，Ｈ２，Ｎ２を主成分とする
吸熱型変成ガス）との混合ガス，アンモニアガスと窒素ガスとＣＯ２との混合ガス等，
複数種類の炉内導入ガスを混合した混合ガスを処理炉内へ導入して，表面硬化処理
を行う。
以上のようなガス窒化処理及びガス軟窒化処理では，内部に被処理品を配置した
処理炉内の雰囲気を管理するために，例えば，非特許文献１に記載されているよう
な測定方法を用いて，炉内ガスのアンモニア濃度や水素濃度を測定する場合がある。
（【０００２】～【０００４】）
(3)発明が解決しようとする課題
非特許文献１に記載されている熱伝導度センサは，赤外線アンモニア分析計と異
なり，低価格であり，且つ，処理炉の炉体に直接装着することが可能であり，また，
炉内ガスの水素濃度を連続的に測定可能であるため，処理炉内の雰囲気に対する連
続自動制御に適用可能である。
したがって，上述したガス窒化処理等，複数種類の炉内導入ガスを混合した混合
ガスを処理炉内に導入して行う表面硬化処理では，非特許文献１に記載されている
ような熱伝導度センサを用いて，処理炉内の雰囲気制御を行うことが，コスト面等
の観点から好適である。
また，熱伝導度センサは，赤外線アンモニア分析計と異なり，処理炉の炉体へ直
接装着することが可能であり，さらに，処理炉内の水素濃度を連続的に測定可能で
あるため，処理炉内の雰囲気に対する連続自動制御に適用可能である。（【００１
０】【００１１】）
しかしながら，熱伝導度センサには，以下に示すような問題点がある。
熱伝導度センサを，単に炉体へ装着しただけでは，炉内ガスが熱伝導度センサの
センサ部に流入するまでに時間を要するという問題が発生するおそれがある。また，
熱伝導度センサの装着位置によっては，炉内ガスの偏った成分のみがセンサ部に流
入し，炉内ガス全体の水素濃度を正確に反映することが困難となるという問題が発
生するおそれがある。
また，熱伝導度センサを常に炉体へ装着している状態では，実際に被処理品を量
産処理する場合，被処理品が処理炉内に配置し，昇温中において初期に発生する，
被処理品に付着していた油分や汚れがガス化してセンサ部を汚染し，熱伝導度セン
サの精度維持が，早期に困難となるという問題が発生するおそれがある。
また，ガス軟窒化処理においては，センサ部と炉体とを連通する配管内に，炭酸
アンモニウムの析出が発生するという問題が発生するおそれがある。また，処理炉
内において塩化水素が発生するようなプロセスを有する場合，センサ部や配管内に，
塩化アンモニウムの析出が発生することにより，熱伝導度センサの精度維持が困難
となるという問題が発生するおそれがある。
しかしながら，従来では，熱伝導度センサの精度を，長期間安定して維持するこ
とが可能な手段や対策が，開示されていない。
また，従来では，熱伝導度センサを用いた処理炉内の雰囲気制御に関して，具体
的な制御方法が開示されていない。
このため，混合ガスを用いる表面硬化処理では，複数種類の炉内導入ガスの消費
量を一定の比率とする等，処理炉内の雰囲気を参照せずに表面硬化処理を行うこと
となる。これにより，炉内導入ガスの消費量が，表面硬化処理に適切な量よりも増
加して，表面硬化処理に要するランニングコストが増加するという問題が発生する
おそれがある。また，処理炉内の雰囲気を参照せずに表面硬化処理を行うと，表面
硬化処理に使用されずに処理炉内から排気される炉内ガスの量が増加して，大気中
へのガス排出量が増加し，環境に悪影響を与えるという問題が発生するおそれがあ
る。
本件各発明は，上記のような問題点に着目してなされたもので，炉内ガスの熱伝
導度に基づいて処理炉内の雰囲気を検出し，この検出した雰囲気を参照して処理炉
内の雰囲気を制御することが可能な，表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法を提
供することを課題とする。（【００１２】～【００１６】）
(4)課題を解決するための手段
ア本件発明１によると，水素濃度検出手段が，炉内ガスの熱伝導度に基づいて
検出した炉内ガスの水素濃度に応じて，処理炉内で水素を発生する炉内導入ガスで
あるアンモニアガスの炉内濃度を演算して求める。そして，この演算値に基づいて，
炉内ガス組成演算手段が，炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。
このため，演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて，
処理炉内の雰囲気を検出し，この検出した雰囲気を参照して，ガス導入量制御手段
が，炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように，複数種類の炉内導入ガス
の導入量を制御することが可能となる。（【００１８】）
イ本件発明２によると，配管温度制御手段が，ガス軟窒化処理で用いるアンモ
ニアガスの種類に応じて，水素濃度検出配管の温度を６０～１００℃の範囲内に制
御することにより，炉内ガスが水素濃度検出配管内で固体として析出することを抑
制する。
このため，塩化アンモニウムや炭酸アンモニウムが水素濃度検出配管内で析出す
るおそれのある表面硬化処理であるガス軟窒化処理において，水素濃度検出配管内
における塩化アンモニウムや炭酸アンモニウムの析出を抑制することが可能となる。
（【００２３】）
ウ本件発明３によると，開閉弁切換え制御手段が，ガス導入量制御手段の動作
状態に応じて，開閉弁を連通状態または閉鎖状態に切り換える。
このため，ガス導入量制御手段が炉内導入ガスの導入量を制御していない状態に
おいて，炉内ガスが含む汚染成分が，水素濃度検出手段へ接触することを抑制可能
となり，水素濃度検出手段の検出精度が低下することを，長期間に亘り抑制するこ
とが可能となる。（【００２５】）
(5)発明の効果
本件各発明によれば，炉内ガスの組成である炉内ガス組成と，予め設定した設定
炉内ガス混合比率に応じて，処理炉内の雰囲気を検出し，この検出した雰囲気を参
照して，処理炉内の雰囲気を制御することが可能となる。
これにより，表面硬化処理に要するランニングコストを減少させることが可能と
なる。また，大気中へのガス排出量を減少させることが可能となるため，環境の悪
化を抑制することが可能となる。（【００２７】）
(6)発明を実施するための形態
ア表面硬化処理の基礎的事項
ガス窒化処理及びガス軟窒化処理では，被処理品を配置する処理炉（ガス窒化炉）
内において，以下の式（１）で表される窒化反応が発生する。この場合，窒化反応
における窒化ポテンシャルＫＮは，以下の式（２）で表される。
ＮＨ３→（Ｎ）＋３／２Ｈ２…（１）
ＫＮ＝ＰＮＨ３／ＰＨ２
３／２
…（２）
なお，上記の式（２）では，窒化ポテンシャルをＫＮで示し，ＮＨ３（アンモニア
ガス）の分圧をＰＮＨ３で示し，Ｈ２（水素ガス）の分圧をＰＨ２で示す。
ここで，窒化ポテンシャルＫＮは，公知の要素であり，上記の式（２）のように，
アンモニアガスと水素ガスの分圧比率を表し，ガス窒化炉内の雰囲気が有する窒化
強度または窒化能力を表す指標である。（【００３０】【００３１】）
イ表面硬化処理の問題点
次に，上述した各種の表面硬化処理に共通の問題点について説明する。
ガス窒化処理及びガス軟窒化処理のうち，ガス窒化処理において，アンモニアガ
スのみをガス窒化炉内に導入して表面硬化処理を行う場合，ガス窒化炉内の雰囲気
を所望の窒化ポテンシャルとするためには，熱伝導度センサを用いて，ガス窒化炉
内に存在している炉内ガスの水素濃度を検出する。そして，この検出した水素濃度
に応じて，ガス窒化炉内へのアンモニアガスの導入量を制御する。
このように，一種類の炉内導入ガスのみをガス窒化炉内に導入して表面硬化処理
を行う場合は，熱伝導度センサを用いて炉内ガスの水素濃度を検出することにより，
検出した水素濃度を用いた計算によって，炉内ガスのアンモニア濃度を検出するこ
とが可能となる。したがって，上記の式（２）により窒化ポテンシャルを計算して，
ガス窒化炉内の雰囲気を，所望の窒化ポテンシャルに制御することが可能となる。
しかしながら，例えば，アンモニアガスと窒素ガス等，複数種類の炉内導入ガス
を混合した混合ガスをガス窒化炉内へ導入して，表面硬化処理を行う場合，ガス窒
化炉内へのアンモニアガスの導入量のみ，あるいは，ガス窒化炉内への窒素ガスの
導入量のみを制御しても，ガス窒化炉内の雰囲気を所望の窒化ポテンシャルに制御
することが不可能であるという問題を有する。
これは，表面硬化処理の状況等により，混合ガスの混合比率が変化すると，炉内
ガスの組成である炉内ガス組成が把握できなくなるため，熱伝導度センサを用いて
炉内ガスの水素濃度のみを検出しても，炉内ガスのアンモニア濃度を検出すること
が不可能となるためである。（【００３４】～【００３６】）
ウ構成
水素濃度検出手段４は，炉内ガスの水素濃度を検出可能な構成の熱伝導度センサ
により形成されており，水素濃度を検出するためのセンサ部は，水素濃度検出配管
２２を介して処理炉２の内部と連通している。なお，炉内ガスの水素濃度は，炉内
ガスの熱伝導度に基づいて検出する。（【００４４】）
炉内ガス組成演算手段２４は，水素濃度検出手段４が検出した水素濃度に基づい
て，炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。そして，この演算した炉内ガ
ス組成を含む情報信号（炉内ガス組成信号）をガス導入量制御手段２６へ出力する。
（【００４６】）
ガス導入量制御手段２６が行う制御について，具体的な例を挙げて説明する。
ガス導入量制御手段２６は，上述した式（２）で表される窒化ポテンシャルＫＮが
３．３となるように，炉内ガス組成演算手段２４が演算した炉内ガス組成を参照し
て，炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように，アンモニアガス（ＮＨ３）
の導入量と窒素ガス（Ｎ２）の導入量を演算する。
そして，ガス導入量制御手段２６は，演算したそれぞれのガス（ＮＨ３，Ｎ２）の
導入量に基づいて，第一炉内導入ガス供給量制御部３０及び第二炉内導入ガス供給
量制御部３８へ，それぞれの導入量を制御する制御信号（導入量制御信号）を出力
する。
なお，ガス導入量制御手段２６が，アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）
の導入量を制御する際は，以下の二通りの制御のうち，一方を行う。
第一の制御は，処理炉２内へ導入する混合ガス（アンモニアガス＋窒素ガス）の，
処理炉２内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態
で，アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）の処理炉２内への合計導入量を
制御するものである。
一方，第二の制御は，混合ガス（アンモニアガス＋窒素ガス）の炉内導入ガス流
量比率が変化するように，アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）について，
それぞれの導入量を個別に変化させる制御である。（【００６０】～【００６３】）
エ実施例
(ア)第一実施例
処理炉として，ピット型ガス窒化炉（処理重量：５０ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）を備え，
処理炉内の温度を５７０℃とし，アンモニアガスの処理炉への導入量を，マスフロ
ーコントローラにより，１．６ｍ３
／ｈに制御し，また，窒素ガスの処理炉への導入
量を，マスフローコントローラにより，０．４ｍ３
／ｈに制御して，窒化ポテンシャ
ルＫＮが３．３となるように，ガス窒化処理を行った。
ここで，第一発明例では，ＮＨ３：Ｎ２＝８０：２０という混合ガスの混合比率を
基にして，ガス導入量制御手段により，窒化ポテンシャルＫＮが３．３となるための
水素濃度の設定値と，水素濃度検出手段により検出した炉内ガスの水素濃度とを比
較し，アンモニアガス及び窒素ガスのマスフローコントローラに対して，それぞれ，
処理炉２内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率ＮＨ３：Ｎ２＝８０：２０
を保持した状態で，アンモニアガス及び窒素ガスの処理炉内への合計導入量を制御
することにより，窒化ポテンシャルＫＮを制御した。
第一発明例では，窒化ポテンシャルＫＮを，３．３と，精度良く制御することがで
きた。また，炉内水素濃度を２７．４％，炉内アンモニア濃度を４７．２％に，そ
れぞれ，制御することが可能であった。（【００９５】～【００９９】）
(イ)第二実施例
処理炉として，バッチ型ガス軟窒化炉（処理重量：６００ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）を
備え，処理炉内の温度を５８０℃とし，アンモニアガスの処理炉への導入量を８ｍ３
／ｈ，窒素ガスの処理炉への導入量を５ｍ３
／ｈ，二酸化炭素ガスの処理炉への導入
量を０．４ｍ３
／ｈに制御して，３時間のガス軟窒化処理を，５ロット／日で５日間
／週の期間行った。
第二発明例では，１０ロットを処理した後においても，水素濃度検出配管２２，
開閉弁１０及び水素濃度検出手段４のセンサ部に，炭酸アンモニウムの析出は発生
していなかった。また，標準水素ガスにより，水素濃度検出手段４の精度をチェッ
クしたところ，フルスケールに対して０．５％以内の誤差しか生じていないことが
確認された。さらに，第二発明例では，４ヶ月経過した後に，標準水素ガスにより，
水素濃度検出手段４の精度をチェックしたところ，フルスケールに対して０．５％
以内の誤差しか生じていないことが確認された。（【０１００】～【０１０７】）
(ウ)第三実施例
処理炉として，バッチ型ガス軟窒化炉（処理重量：６００ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）を
備え，処理炉内の温度を５８０℃とし，アンモニアガスの処理炉への導入量を８ｍ３
／ｈ，窒素ガスの処理炉への導入量を５ｍ３
／ｈ，二酸化炭素ガスの処理炉への導入
量を０．４ｍ３
／ｈに制御して，３時間のガス軟窒化処理を，被処理品（Ｓ４５Ｃ材
及びＳＣＭ４４０材）に対して行った。
ここで，第三発明例では，処理炉内の昇温が完了した後，３時間のガス軟窒化処
理を行う間は，窒化ポテンシャルＫＮが３．１（Ｎ２：２３％，ＮＨ３：３５％）とな
るように，アンモニアガス及び窒素ガスの処理炉内への導入量を保持した状態で，
アンモニアガス及び窒素ガスの処理炉内への合計導入量を制御することにより，処
理炉内の雰囲気を制御した。
第三発明例では，表面硬化処理装置の窒化性能を第三比較例と同様に保持した状
態で，炉内導入ガスの使用量を大幅に削減することが可能となり，表面硬化処理に
要するランニングコストを減少させて，経済的効果を達成するとともに，大気中へ
のガス排出量を減少させて，環境の悪化を抑制することが可能となることが確認さ
れた。（【０１０８】～【０１１３】）
２引用発明について
(1)引用発明１について
引用例１（甲１）にはおおむね以下の記載がある（下記記載中に引用する図表は，
別紙１引用例１図表目録参照）。
ア従来，ガス窒化炉およびガス軟窒化炉の雰囲気管理に関しては，手動ガラス
管式アンモニア分析計により不連続に炉内残留アンモニア量をチェックする程度で
あった。また，連続的に炉内ガスを分析する場合は，サンプリングポンプにより炉
内ガスを赤外線アンモニア分析計に導入する方法を採っていた。ただ，この赤外線
アンモニア分析計は，ガス軟窒化処理においては，炭酸アンモニウムの析出により
サンプリング経路の詰りが発生しやすい，定期的にフィルター掃除などのメンテナ
ンスの必要がある，分析計が高価であるなどの問題点があり，あまり普及していな
い。
そこで，炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度を分
析し，目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きガス
軟窒化炉を開発した。（６４頁左欄１～１６行）
イ窒化炉内の水素濃度を窒化センサにより分析すれば，窒化ポテンシャルを知
ることができる。また，希望する窒化ポテンシャルに炉内ガスを調整するには，導
入ガス量，ガス種をマスフローコントローラーへ設定信号を送ればよい。（６５頁
左欄下から２行～６６頁左欄下から１３行）
ウ図５は，ピット型ガス軟窒化炉（処理重量：５０ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）を用い，
窒化温度５７０℃にてＮＨ３とＮ２の流量を変化させることにより窒化ポテンシャル
を高い値から低い値まで自在に制御できることを示した記録チャートである。（６
６頁左欄下から１２行～下から７行，図５）
エ図７には，バッチ型ガス軟窒化炉（処理重量：６００ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）に
おいて，窒化初期は窒化ポテンシャルを高くし，後期には窒化ポテンシャルをある
値に低く制御して処理することによりアンモニアガス量およびトータル使用ガス量
を大幅に削減できたときの記録チャートを示す。また，そのときの具体的な窒化ポ
テンシャル制御によるガス使用量削減効果と窒化性能結果を表１に示す。（６６頁
右欄下から４行～６７頁左欄下から６行，図７，表１）
(2)引用発明２について
引用例２（甲２）にはおおむね以下の記載がある（下記記載中に引用する図表は，
別紙２引用例２図表目録参照）。
ア熱処理温度および熱処理時間と並んで，炉内の反応ガスの組成を把握して再
現性よく制御することは，窒化層の所要の組織を得るために決定的な要素である。
これに関して，投入するガスの種類と量，アンモニアの分解，部品（処理品）の性
質（たとえば表面積，重量など），における相違が把握されて調整される。
測定されるガス成分に基づいてプロセスの進行を自動的に制御する場合には，ガ
ス窒化の場合，測定された水素濃度もしくはアンモニア濃度から直接，または前述
した窒化センサによって，窒化ポテンシャルＫＮに対する値が計算される。より低く
設定されたＫＮ値に対してアンモニアの量が上昇した場合には，分解ガスの添加によ
り減少させる。（１５８頁１～５行，１０～１４行）
イＮＨ３－Ｈ２－ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のためのＫＮ値を基準にした制御の
概念を図４－３７に示した。３つのガス成分の比例的な変化に従って，最大ないし
最小許容ガス投入量の限界領域内で，窒化ポテンシャルＫＮは変動され得る。炉内で
のプロセス進行のターゲットを図４－３８に示した。混合ガスによる軟窒化におい
て，より低い窒化ポテンシャルＫＮの調整が必要な場合には，ガス投入量の削減でそ
れを達成するのはもはや不可能で，分解ガス添加が可能な図４－３９に示された制
御概念に拡張する必要がある。（１６０頁１～６行，図４－３７～図４－３９）
ウまた，プロセスの進行は，プログラム化され得て，終了後にはドキュメント
化され得る。（１６２頁５，６行，図４－４０）
３取消事由１（本件発明１の新規性ないし容易想到性に係る判断の誤り）につ
いて
(1)引用発明１－１又は１－２を主引用発明とする場合
ア引用発明１－１，１－２の認定
(ア)引用例１の前記２(1)の記載によれば，引用発明１－１，１－２は，前記第
２の３(2)ア記載のとおりであることが認められる。
(イ)原告の主張について
ａ原告は，「窒化ポテンシャル制御（前記１(6)ア及びイ）の際のＮＨ３ガス流
量を一定とすれば，ＮＨ３の熱分解度が一定となり，窒化ポテンシャルは一定となる」
旨の本件審決の技術常識の認定は誤りであり，その結果，引用発明１－１，１－２
の認定も誤っている旨主張する。
この点について検討すると，甲１１には，「アンモニアの熱分解度は，流量に依
存する。遅い流れは，反応領域での長い滞留時間のため，高い熱分解度をもたらす。
速い流れは，熱分解度を低くし，それによって，未分解のアンモニアの量を増加さ
せ，窒化ポテンシャルＮｐの値を上昇させる」ことが記載されている。これによれ
ば，甲１１には，「アンモニアの熱分解度は，流量に依存する」ことが記載されて
いるが，アンモニアガス流量を一定とすれば，ある期間において，アンモニアの熱
分解度が一定であることは記載されていない。また，「速い流れは，熱分解度を低
くし，窒化ポテンシャルの値を上昇させる」ことが記載されているが，アンモニア
ガス流量を一定とすれば，窒化ポテンシャルの値は一定になることは記載されてい
ない。
また，甲１１の図４をみると，窒化ポテンシャル制御可能範囲では，アンモニア
ガス流量に対して窒化ポテンシャルの値が右肩上がりに増加しており，アンモニア
ガス流量をある値とすれば，窒化ポテンシャルの値が一義的に決まることは読み取
れる。しかし，図４にはアンモニアの熱分解度は記載されていないので，アンモニ
アガス流量とアンモニアの熱分解度の関係を読み取ることはできない。そして，図
４には，アンモニアガス流量に対する窒化ポテンシャルの値が記載されているにと
どまり，時間軸の記載はないから，アンモニアガス流量を一定とした場合に，ある
期間において，アンモニアの熱分解度と窒化ポテンシャルが一定となることが視認
されるとはいえない。実際，炉内の温度や圧力がアンモニアの熱分解度に影響を与
えることは，本件出願前に知られたことであるから（乙１），窒化処理を実施する
際，ＮＨ３ガス流量を一定に維持しても，窒化処理の進行に応じて，炉内の温度や圧
力がアンモニアの熱分解度に影響を与えることが考えられる。したがって，ＮＨ３ガ
ス流量を一定とすれば，ＮＨ３の熱分解度が一定であるとはいえないし，窒化ポテン
シャルが一定であるともいえない。
さらに，甲１１の記載を総合的に検討しても，本件審決認定の「窒化ポテンシャ
ル制御の際のＮＨ３ガス流量を一定とすれば，ＮＨ３の熱分解度が一定となり，窒化
ポテンシャルは一定となる」旨の技術常識を導くことはできず，他に上記技術常識
を認めるに足りる証拠はない。
以上のとおり，本件審決における技術常識の認定には誤りがある。しかし，引用
発明１－１，１－２の認定は，ＮＨ３ガス流量が一定であることを前提とするもので
はなく，したがって前記の誤った技術常識を前提とするものではないから，技術常
識の認定が誤っているからといって，引用発明１－１，１－２の認定が誤っている
ことにはならない。
ｂ原告は，炉内ガス組成に対応するパラメータである窒化ポテンシャルは変動
するから，この窒化ポテンシャルの変動範囲を小さく抑制するために，炉内ガス組
成の変動の情報がガスセンサによって検出されて，炉内への各ガスの導入量がマス
フローコントローラーによってフィードバック制御されることが，本件出願時にお
ける当業者の技術常識であった（甲２９～３１，３４，３５）として，かかる技術
常識に基づけば，本件審決の引用発明１－１，１－２の認定は，炉内のＮＨ３の熱分
解度ｓの変動に起因する窒化ポテンシャルの変動を抑制するべく，ガスの導入量を
フィードバック制御することを看過した点において，誤っていると主張する。
しかし，本件各発明の発明者の一人である河田一喜の執筆した刊行物（甲３０，
３１）には，ＮＨ３の熱分解度の変動による窒化ポテンシャルの変化を補正するため
に，窒化処理中に炉内の雰囲気センサを利用して窒化ポテンシャルを演算し，各導
入ガス流量をフィードバック制御する技術が記載されているが，河田一喜の執筆し
た他の刊行物（甲２９，３４，３５）には，必ずしもフィードバック制御を意味し
ない「自動制御」と記載されているにすぎず（甲２９，３４），また，本件各発明
とは分野を異にする浸炭のフィードバック制御に関して記載されているにすぎない
（甲３５）。そして，執筆者を異にする刊行物（甲３６）には，モニタリングして
制御する旨の記載があるにすぎず，いかなる制御であるかは定かでない。これら記
載を総合すれば，「窒化ポテンシャルの変動範囲を小さく抑制するために，炉内ガ
ス組成の変動の情報がガスセンサによって検出されて，炉内への各ガスの導入量が
マスフローコントローラーによってフィードバック制御されること」が当業者の技
術常識であったとは認め難い。そして，引用例１の図５，図７等の記載（前記２(1)
ウ及びエ）をみると，「ガス種と導入ガス量とについての設定信号をマスフローコ
ントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき，窒化ポテンシャルを自動制御できるこ
と」，「炉内のＨ２濃度，窒化ポテンシャルＫＮが特定値となるように，ＮＨ３とＮ２
のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って
炉内ガスを調整すること」，「水素濃度についての測定値及びその測定値から求ま
る窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動がそれぞれ生じ
たこと」を認識することはできるが，引用例１には「ＮＨ３の熱分解度ｓ」と「ＮＨ
３ガスを含む導入されるガスの総流量」の関係について記載されていないから，「Ｎ
Ｈ３の熱分解度ｓの変化に応じて，ＮＨ３ガスを含む導入されるガスの総流量を制御
する」ことを認識することができない。
したがって，引用例１の記載から「窒化ポテンシャルＫＮの値について設定された
目標を達成するため，炉内におけるＮＨ３の熱分解度ｓの変化に応じて，ＮＨ３ガス
を含む導入されるガスの総流量を制御する」ことを読み取ることはできない。
よって，引用例１の記載から，「炉内のＮＨ３の熱分解度ｓの変動に起因する窒化
ポテンシャルの変動を抑制するべく，ガスの導入量をフィードバック制御すること」
を読み取ることはできない。
ｃ以上のとおり，原告の主張はいずれも理由がない。
イ本件発明１の新規性に係る判断の誤り
(ア)引用発明１－１との関係
ａ本件発明１と引用発明１－１との間には，前記第２の３(3)ア(イ)記載のとお
り，相違点１－１が認められる。
ｂ相違点１－１について
引用例１の図５（前記２(1)ウ）には，ガス種と導入ガス量とについての設定信号
をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき，窒化ポテンシャルを自
動制御できるという窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉において，
ＮＨ３とＮ２のみを使用し，窒化温度５７０℃にて炉内のＨ２濃度，窒化ポテンシャル
ＫＮが，それぞれ，初期には２８Ｖｏｌ％，４．２制御，中期には４０Ｖｏｌ％，１．
８制御，後期には５０Ｖｏｌ％，０．９制御となるように，ＮＨ３とＮ２のそれぞれ
の導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを
調整することにより，炉内ガスの窒化ポテンシャルを高い値から低い値まで制御で
きたことが記載されていると認められる。
そうすると，引用例１の図５から，ピット型ガス軟窒化炉において，炉内のＨ２濃
度，窒化ポテンシャルＫＮが，初期，中期，後期で特定値に制御されるように，ＮＨ
３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ
送って炉内ガスを調整することにより，炉内ガスの窒化ポテンシャルを高い値から
低い値まで制御できたことが開示されていると認められるが，ＮＨ３及びＮ２の導入
ガスについて，具体的な制御方法が記載されておらず，流量比率を一定値としてい
るのか，変化させているのか，導入ガスの導入量を個別に制御しているのか否か不
明であり，また，導入ガスの合計導入量を制御しているのか否かも不明である。し
たがって，引用例１の図５がいかなる制御方法を採用しているかは不明であり，本
件発明１の「第一の制御」及び「第二の制御」を採用していると認めることはでき
ないから，相違点１－１は実質的な相違点である。
ｃよって，本件発明１が引用発明１－１であるということはできない。
(イ)引用発明１－２との関係
ａ本件発明１と引用発明１－２との間には，前記第２の３(3)イ(イ)記載のとお
り，相違点１－２が認められる。
ｂ相違点１－２について
引用例１の図７（前記２(1)エ）には，ガス種と導入ガス量とについての設定信号
をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき，窒化ポテンシャルを自
動制御できるという窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉において，
ＮＨ３とＮ２とＣＯ２のみを使用し，窒化温度５８０℃にて炉内の水素濃度，窒化ポテ
ンシャルＫＮが，それぞれ，初期は１５Ｖｏｌ％，７．５制御，後期には２３Ｖｏ
ｌ％，３．１制御となるように，ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設
定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整すると，図７の後期に
は，水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値が
時間の推移に伴って，それぞれ，２３Ｖｏｌ％付近，３．１付近で小刻みに変動し
たことが記載されていると認められる。
そうすると，引用例１の図７から，バッチ型ガス軟窒化炉において，炉内のＨ２濃
度，窒化ポテンシャルＫＮが，初期，後期で特定値に制御されるように，ＮＨ３とＮ２
のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って
炉内ガスを調整することにより，炉内ガスの窒化ポテンシャルを高い値から低い値
まで制御できたことが記載されていると認められるが，ＮＨ３とＮ２とＣＯ２の導入ガ
スについて，具体的な制御方法が記載されておらず，流量比率を一定値としている
のか，変化させているのか，導入ガスの導入量を個別に制御しているのか否か不明
であり，また，導入ガスの合計導入量を制御しているのか否かも不明である。した
がって，引用例１の図７がいかなる制御方法を採用しているかは不明であり，本件
発明１の「第一の制御」及び「第二の制御」を採用していると認めることはできな
いから，相違点１－２は実質的な相違点である。
ｃよって，本件発明１が引用発明１－２であるということはできない。
(ウ)原告の主張について
ａ原告は，炉内におけるＮＨ３の熱分解度ｓの変化に応じて変動する窒化ポテン
シャルを所望の範囲に制御するために，引用例１の窒化センサ制御システムが，炉
内ガスの濃度を「応答性が速い」窒化センサによって測定して，「炉内ガスの切替
りが速い」マスフローコントローラーを用いてフィードバック制御していることは
明らかであると主張する。
しかし，前記(ア)及び(イ)のとおり，引用例１には，導入ガスについて，具体的
な制御方法は記載されておらず，流量比率を一定値としているのか，変化させてい
るのか，導入ガスの導入量を個別に制御しているのか否か不明であり，また，導入
ガスの合計導入量を制御しているのか否かも不明であるから，フィードバック制御
していることが明らかであるとはいえない。
ｂ原告は，甲９によれば，図８（引用例１の図５）において，炉内ガス導入比
率ＮＨ３：Ｎ２を比例関係に保ちながら導入ガス総流量制御が小刻みに行われている
ことは，当業者であれば自明である，また，表１における①の制御から②の制御，
②の制御から③の制御への移行時において，炉内ガス導入比率ＮＨ３：Ｎ２を変化さ
せていることも明らかである，つまり，図８をみれば，本件発明１における第一の
制御と第二の制御が行われていることは，明らかであると主張する。また，引用例
１の図７についても同旨の主張をする。
しかし，甲９によって，引用例１の図５，７における「炉内ガス導入比率ＮＨ３：
Ｎ２」が算出されるが，引用例１の図５の①ないし③，図７の①及び②の範囲のそれ
ぞれにおいて，水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシ
ャルの値が時間の推移に伴って小刻みに変動していること，すなわち，何らかの制
御が行われていることは読み取れるが，導入ガス総流量が制御されていることを読
み取ることができないから，「炉内ガス導入比率ＮＨ３：Ｎ２」を比例関係に保ちな
がら，導入ガス総流量制御が小刻みに行われていることが記載されているとはいえ
ないことは，前記(ア)及び(イ)のとおりである。
ｃ以上のとおりであるから，原告の各主張はいずれも理由がない。
ウ本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
(ア)前記イのとおり，相違点１－１，１－２は実質的な相違点である。
(イ)相違点１－２について，引用発明１－２と引用発明２とは同じガス種ＮＨ３
とＮ２とＣＯ２のみを使用する窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉に
関するものであるから，引用発明１－２と引用例２の記載事項の組合せを検討する
と，前記イ(イ)のとおり，引用発明１－２がいかなる制御方法を採用しているのか
は不明であること，後記(2)ア(イ)のとおり，引用例２においては，実際のプロセス
の進行状態では，ＮＨ３とＮ２とＣＯ２との比率が一定となっているとは認められない
ことからすれば，上記組合せによっては，本件発明１の「第一の制御」及び「第二
の制御」（相違点１－２）の構成には到達しない。
(ウ)ほかに，本件出願当時に存在した技術から，本件発明１の「第一の制御」
及び「第二の制御」（相違点１－１，１－２）を容易に想到することができたとは
認め難い。
(エ)小括
以上のとおり，引用発明１－１又は１－２を主引用発明として，本件発明１を容
易に想到することができたということはできない。
エ小括
以上によれば，本件発明１は，引用発明１－１又は１－２に基づいて，新規性及
び進歩性を欠くとはいえない。また，本件審決の技術常識の認定の誤りは，結論に
影響しない。
(2)引用発明２を主引用発明とする場合
ア引用発明２の認定
(ア)引用例２の前記２(2)の記載によれば，引用発明２の制御方法について，前
記第２の３(2)イのとおりの引用発明２が記載されていることが認められる。この認
定は，ＮＨ３ガス流量が一定であることを前提とするものではなく，したがって前記
(1)ア(イ)ａの誤った技術常識を前提とするものではないから，技術常識の認定が誤
っているからといって，引用発明２の認定が誤っていることにはならない。
よって，本件審決の引用発明２の認定に誤りはない。
(イ)原告の主張について
原告は，炉内ガス組成に対応するパラメータである窒化ポテンシャルは変動する
のであって，この窒化ポテンシャルの変動範囲を小さく抑制するために，炉内ガス
組成の変動の情報がガスセンサによって検出されて，炉内への各ガスの導入量がマ
スフローコントローラーによってフィードバック制御されることが，本件出願時に
おける当業者の技術常識であった（甲２９～３１，３４，３５）として，かかる技
術常識に基づけば，本件審決の引用発明２の認定は誤っていると主張する。
しかし，前記(1)ア(イ)ａのとおり，本件審決における技術常識の理解には誤りが
あるが，引用発明２の認定に当たり，当該技術常識に基づいた認定はされていない。
そして，前記(1)ア(イ)ｂのとおり，甲２９ないし３１，３４，３５記載の技術事項
が当業者の技術常識であったとは認め難い。
また，引用例２の図４－３７及び図４－３８の記載（前記２(2)イ）をみると，Ｎ
Ｈ３とＮ２とＣＯ２とが，それぞれ，５０％，４５％，５％混合された，ＮＨ３－Ｎ２
－ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のための制御装置であって，ＨｙｄｒｏＮｉｔ－Ｓｅ
ｎｓｏｒを用いて測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される，９から４の間
の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記ＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスの合計導入量
が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整できるが，より低い窒化ポテ
ンシャルＫＮの調整が必要な場合にはガス投入量の削減では達成できない制御装置，
すなわち，前記窒化ポテンシャルＫＮが４に設定されると，前記ＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２
混合ガスの合計導入量は最小許容ガス投入量に調整され，前記窒化ポテンシャルＫＮ
が９に設定されると，前記ＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最大許容ガス
投入量に調整される制御装置が視認される。
ここで，図４－４０（前記２(2)ウ）はドキュメント化された「レトルト炉での軟
窒化のプロセスの進行の様子」であって，図４－３８の実際のプロセスの進行状態
を示したものと認められるが，ＫＮが一定値である期間（約１．２５～３．５ｈ）に
おいて，混合ガス中のＮＨ３とＮ２とＣＯ２の流量値は激しく変動しており，ＮＨ３と
Ｎ２とＣＯ２との比率が一定であると認めることができない。そうすると，図４－３
８は，ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが，それぞれ，５０％，４５％，５％混合された，ＮＨ
３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスと図示されているが，図４－４０からみて，実際のプロセス
の進行状態では，ＮＨ３とＮ２とＣＯ２との比率が一定となっているとは認められない。
したがって，引用例２の記載をみても，「複数種類の炉内導入ガスの処理炉内へ
の導入量の比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記
処理炉内への合計導入量を前記窒化ポテンシャルＫＮに応じてフィードバック制御し
て増減する」ことを認識することはできないから，原告の主張は理由がない。
イ本件発明１の新規性に係る判断の誤り
(ア)本件審決の相違点の認定について
ａ本件発明１と引用発明２との間には，前記第２の３(3)ウ記載のとおり，相違
点２－２が認められる。
ｂ一方，引用発明２の水素濃度検出手段に関し，引用例２（甲２）には，Ｈｙ
ｄｒｏＮｉｔ－Ｓｅｎｓｏｒについて，以下のとおり記載されている。
窒化の場合に，炉内の残留アンモニア濃度φＲ（ＮＨ３）と水素濃度φＲ（Ｈ２）と
の計測値が，窒化ポテンシャルＫＮの決定に利用される（１５４頁１２，１３行）。
費用がかからない手段は，アンモニアと窒素とがほとんど同じ熱伝導率を有する
ために，熱伝導率の変化によって炉排気ガス内の水素の濃度を決定する方法である。
他からの影響を受けにくい測定方法（図４－３１：水素濃度の測定の原理）として，
工業用にも使用されている。
ＨｙｄｒｏＮｉｔ－ＳｅｎｓｏｒはＰＨ２（水素濃度）を計測している（図４－３
５～４－３９）。
ｃそうすると，引用例２の記載から，熱伝導率の変化によって炉排気ガス内の
水素の濃度を決定すること，水素センサは「ＨｙｄｒｏＮｉｔ－Ｓｅｎｓｏｒ」で
あり，水素濃度を計測していることが明らかであるから，引用例２に記載のＨｙｄ
ｒｏＮｉｔ－Ｓｅｎｓｏｒは，熱伝導率に基づいて，水素濃度を測定するセンサで
あると考えるのが自然である。
したがって，相違点２－１は認められないので，本件審決の相違点の認定には誤
りがあるが，後記(イ)のとおり，相違点２－２が実質的な相違点であるから，上記
認定の誤りは，本件審決の結論に影響する違法とはいえない。
(イ)相違点２－２について
引用例２の記載を検討すると，前記ア(イ)のとおり，ＮＨ３とＮ２とＣＯ２の導入ガ
スについて，流量比率を一定値としているとは認められず，その前後の期間を含め
ても，導入ガス流量比率が変化するように導入ガスの導入量を個別に制御している
とも認められないから，本件発明１の「第一の制御」及び「第二の制御」が行われ
ていることが記載されていると認めることができない。
よって，相違点２－２は実質的な相違点であり，本件発明１が引用発明２である
と認めることはできない。
(ウ)原告の主張について
原告は，引用発明２では，炉内へ導入されるＮＨ３とＮ２とＣＯ２との各ガスの流量
比率が一定値に保持された状態で，これらのガスの総導入量（合計導入量）が制御
されていることから，本件発明１の「第一の制御」が開示されていることは明らか
である，また，引用発明２では，「第一の制御」の前後において，炉内へ導入され
るＮＨ３とＮ２とＣＯ２との各ガスの流量比率が変化するようにこれらのガスの導入量
が個別に制御されていることから，本件発明１の「第二の制御」が開示されている
ことも明らかであると主張する。
しかし，前記ア(イ)のとおり，引用例２の記載から，実際のプロセスの進行状態
では，ＮＨ３とＮ２とＣＯ２の導入ガスについて，流量比率を一定値としているとは認
められず，導入ガス流量比率が変化するように導入ガスの導入量を個別に制御して
いるとも認められない。
したがって，原告の主張は理由がない。
ウ本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
前記イのとおり，相違点２－２は実質的な相違点である。そして，前記(1)ウ(イ)
及び(ウ)と同様に，引用例１の記載事項や本件出願当時に存在した技術から，本件
発明１の「第一の制御」及び「第二の制御」（相違点２－２）を容易に想到するこ
とができたとは認め難い。
エ小括
以上によれば，本件発明１は，引用発明２に基づいて，新規性及び進歩性を欠く
とはいえない。
４取消事由２（本件発明２の容易想到性）
(1)引用発明１－２を主引用発明とする場合
ア本件発明２と引用発明１－２との間には，前記第２の３(3)エ記載のとおり，
相違点１－２，１－３が認められる。
イ相違点１－２の容易想到性
前記３(1)ウのとおり，引用発明１－２及び引用例２の記載事項によって，当業者
が，第一の制御及び第二の制御を想到することができないから，相違点１－２を容
易に想到することができたとは認め難い。
また，引用例３及び４には，導入ガスの制御等について記載されていないから，
引用例３及び４の記載事項によっても，当業者が，相違点１－２を容易に想到する
ことができたとは認め難い。
ウ相違点１－３の容易想到性
引用例３及び４に記載されているのは，非分散型赤外分析計（ＮＤＩＲ）を用い
るガス分析装置への炭酸アンモニウムの結晶の生成防止に関する技術事項である。
一方，引用例１に記載されているのは，処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて
前記炉内ガスの水素を検出する水素濃度検出手段であって，炉体に直接装着されて
おり，寿命が長く，ノーメンテナンスであり，炭酸アンモニウムの析出の問題がな
いという特徴を有するものである。
そうすると，引用発明１－２における水素濃度検出手段と，引用例３及び４に記
載されている，非分散型赤外分析計（ＮＤＩＲ）とは，検出手段において相違して
おり，引用発明１には，引用例３及び４の炭酸アンモニウムの結晶の生成防止とい
う課題は存在しないから，引用発明１－２における水素濃度検出手段に引用例３及
び４に記載の技術事項を組み合わせようとする動機付けがあるとはいえない。
エしたがって，本件発明２は，引用発明１－２及び引用例３及び４の記載事項
から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
(2)引用発明１－１を主引用発明とする場合
引用発明１－２と本件発明２はガス種が共通であるのに対し，引用発明１－１と
本件発明２はガス種が異なる。使用するガス種の変更は，引用発明１－１による処
理内容を，窒化処理から軟窒化処理に変更するという，発明内容の変更を伴うもの
であるから，そのような動機付けは認め難い。
したがって，本件発明２は，引用発明１－１から，当業者が容易に発明をするこ
とができたものではない。
(3)引用発明２を主引用例発明とする場合
ア本件発明２と引用発明２との間には，前記第２の３(3)オ記載のとおり，相違
点２－２，２－３が認められる。一方，前記３(2)イ(ア)のとおり，相違点２－１は
認められないので，本件審決の相違点の認定には誤りがあるが，前記３(2)イ(イ)の
とおり，相違点２－２が実質的な相違点であるから，上記認定の誤りは，本件審決
の結論に影響する違法とはいえない。
イ相違点２－２の容易想到性
前記３(2)ア(イ)のとおり，引用例２では，ＮＨ３とＮ２とＣＯ２の導入ガスについ
て，流量比率を一定値としているとは認められず，その前後の期間を含めても，導
入ガス流量比率が変化するように導入ガスの導入量を個別に制御しているとは認め
られないから，第一の制御及び第二の制御が行われていることが記載されていると
認めることができないし，引用例３及び４には，導入ガスの制御等について記載さ
れていない。
よって，引用発明２に引用例３及び４の記載事項を組み合わせても，相違点２－
２に係る構成には至らない。
ウ相違点２－３の容易想到性
前記３(2)イ(ア)のとおり，引用例２に記載されているのは，処理炉内の炉内ガス
の熱伝導度に基づいて前記炉内ガスの水素を検出する水素濃度検出手段である。
そうすると，引用発明２における水素濃度検出手段と，引用例３及び４に記載さ
れている非分散型赤外分析計（ＮＤＩＲ）とは相違しており，引用例２には，引用
例３及び４の炭酸アンモニウムの結晶の生成防止という課題は明記されていないか
ら，引用発明２における水素濃度検出手段に引用例３及び４に記載の技術事項を組
み合わせようとする動機付けがあるとはいえない。
エ小括
したがって，本件発明２は，引用発明２及び引用例３及び４の記載事項から，当
業者が容易に発明をすることができたものではない。
５取消事由３（本件発明３）
本件発明３は，本件発明１又は２に従属する請求項であるところ，前記３のとお
り，本件発明１について新規性及び進歩性の欠如は認められず，また，前記４のと
おり，本件発明２について進歩性の欠如は認められない。
したがって，本件発明３について，進歩性の欠如が認められないことは明らかで
ある。
６取消事由４（サポート要件）
(1)特許請求の範囲の記載が，サポート要件に適合するか否かは，特許請求の範
囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明
が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者
が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その
記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決で
きると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，サポ
ート要件の存在は，特許権者が証明責任を負う。
(2)前記１によれば，本件訂正明細書に接した当業者は，以下の点を理解するこ
とができる。
水素濃度検出手段４は，炉内ガスの水素濃度を検出可能な構成の熱伝導度センサ
により形成されており，炉内ガスの水素濃度は，炉内ガスの熱伝導度に基づいて検
出する。炉内ガス組成演算手段２４は，水素濃度検出手段４が検出した水素濃度に
基づいて，炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。炉内ガス組成信号の入
力を受けたガス導入量制御手段２６は，炉内ガス組成と設定炉内ガス混合比率に応
じて，炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように，複数種類の炉内導入ガ
スの処理炉２内への導入量を制御する。（前記１(6)ウ）
ガス導入量制御手段２６が，アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）の導
入量を制御する際は，第一の制御，第二の制御の二通りの制御のうち，一方を行う。
複数種類の炉内導入ガスの処理炉２内への導入量を制御して，処理炉２内の雰囲気
を制御した状態で，被処理品Ｓの材質や量等に応じて設定した所定の時間，被処理
品Ｓの表面硬化処理を行う。（前記１(6)ウ）
実施例において，本件各発明の表面硬化装置によれば，水素濃度の設定値と，水
素濃度検出手段により検出した炉内ガスの水素濃度とを比較し，炉内水素濃度，炉
内アンモニア濃度を，それぞれ，制御することが可能である（第一実施例）。水素
濃度検出手段４のセンサ部に，炭酸アンモニウムの析出は発生していなかった。水
素濃度検出手段４の精度がフルスケールに対して０．５％以内の誤差しか生じてい
ない（第二実施例）。炉内導入ガスの使用量を大幅に削減することが可能となり，
表面硬化処理に要するランニングコストを減少させて，経済的効果を達成するとと
もに，大気中へのガス排出量を減少させて，環境の悪化を抑制することが可能とな
る（第三実施例）。（前記１(6)エ）
(3)前記(2)によれば，当業者は，本件訂正明細書の記載から，本件発明１の各
手段を備える表面硬化処理装置によって，「炉内ガスの熱伝導度に基づいて処理炉
内の雰囲気を検出し，この検出した雰囲気を参照して処理炉内の雰囲気を制御する
ことが可能な，表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法を提供すること」（前記１
(3)）という課題を解決できることを認識できるといえる。
ここで，当業者が課題を解決できることを認識できる否かにおいて，本件審決の
認定した「窒化ポテンシャル制御の際のＮＨ３ガス流量を一定とすれば，ＮＨ３の熱
分解度が一定となり，窒化ポテンシャルは一定となるとの技術常識」は何ら関係し
ていない。
(4)したがって，当業者は，本件訂正明細書の記載に基づき，本件各発明の表面
硬化処理装置によって，本件各発明の課題を解決できると認識し得るものというこ
とができるから，サポート要件を満たすものである。
７結論
以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がないから，原告の請求を棄
却することとし，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官高部眞規子
裁判官古河謙一
裁判官関根澄子
別紙１引用例１図表目録
【図５】
【図７】
【表１】
別紙２引用例２図表目録
【図４－３７：ＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスでの軟窒化の制御概念】
【図４－３８：ＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスでの軟窒化制御のためのプロセスプロ
グラム】
【図４－３９：アンモニア分解炉を付加したＮＨ３－Ｎ２－ＣＯ２混合ガスでの軟窒
化の制御概念】
【図４－４０：レトルト炉での軟窒化プロセスの進行の様子】

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