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平成２５年１２月５日判決言渡同日原本受領裁判所書記官
平成２５年（行ケ）第１００７３号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２５年１１月１４日
判決
原告
被告特許庁長官
指定代理人服部秀男
同星野浩一
同樋口信宏
同山田和彦
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２０１１－２４８１２号事件について平成２５年２月５日にした審
決を取り消す。
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯等
原告は，名称を「光電変換装置」とする発明（請求項の数７。以下「本願発
明」という。）について，平成２２年９月１７日に特許出願（以下「本願」という。）
をしたところ，同年１１月１６日付けで拒絶理由が通知されたことから，平成２３
年１月２３日付け手続補正書により明細書，特許請求の範囲及び図面の補正（以下
「本件補正」といい，本件補正により補正された明細書を，図面を含めて「補正後
明細書」という。甲６）をしたが，同年５月２３日付けで拒絶理由が通知され，そ
の後，同年９月２２日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）を受けたので，同
年１０月３０日，拒絶査定不服の審判を請求した（甲１，３，５，６，９，１２，
１３）。
特許庁は，前記(1)の審判請求を不服２０１１－２４８１２号事件として審
理し，平成２４年９月１０日付けで審尋を行い，原告から同年１１月１２日付け回
答書が提出された後，平成２５年２月５日，「本件審判の請求は，成り立たない。」
との審決（以下「本件審決」という。）をし，その謄本は，同月２０日，原告に送達
された（甲１４，１６，１７）。
原告は，平成２５年３月１５日，本件審決の取消しを求めて本件訴訟を提起
した。
２当初明細書等の特許請求の範囲請求項１及び段落【００１９】の各記載並び
に本件補正の内容
当初明細書等の記載
ア本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１の記載は，以下のと
おりである（以下，本願の願書に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面を併せ
て「当初明細書等」という。甲１）。
【請求項１】
本発明は，入射光を電子等の電荷に変換する光電変換領域を有する受光素子部に
入射光の進行方向に対して括れ状の外壁を設けた柱形体の括れ付き光電変換装置。
イ当初明細書等の段落【００１９】の記載は，以下のとおりである。
「【００１９】
尚，太陽電池の製造プロセスは，蒸着，露光，蝕刻（エッチング）など，従来か
らの，半導体，液晶パネルの製造プロセスを踏襲しており，前記括れ形成部９，お
よび括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を形成することは，ＣＶＤ法や選択式
露光，等方性エッチング，選択式エッチング，あるいはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械研磨）法であるダマシン
法やデュアルダマシン法を選択的に駆使して形成することが出来る。」
本件補正の内容
本件補正は，前記アの特許請求の範囲請求項１について以下のアのとおり補正
するほか，前記イの段落【００１９】について，以下のイのとおり補正すること
を含むものであった。なお，下線部は補正部分を示している。
ア特許請求の範囲請求項１について
【請求項１】
本発明は，日射量が最も多い本願装置の真上方向からの光入射を基準として前記
装置を設置し，太陽光の一般的光路変化である，前記光入射基準方向に対しての光
入射角がプラス９０度，マイナス９０度の範囲を考慮に入れて，前記装置を使用想
定する場合に，１次入射光を電子等の電荷に変換する光電変換領域を有する受光素
子部に，１次入射光の進行方向に対して，前記光電変換領域が，１次入射光の進行
方向に沿って形を成す曲線において，前記曲線上に任意の２点を取る場合に，前記
各点における接線の傾きについて，前記１次入射光側の１点の接線の傾きを正とす
ると，前記残りの本願装置の基板寄りの１点の接線の傾きが負となるように設けて
なる括れ状の外壁を設けることを特徴とする，シリコン系材料を使用する柱形体の
括れ付き光電変換装置。
イ段落【００１９】の記載について
「【００１９】
尚，太陽電池の製造プロセスは，蒸着，露光，蝕刻（エッチング）など，従来か
らの，半導体，液晶パネルの製造プロセスを踏襲しており，前記括れ形成部９，お
よび括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を形成することは，ＣＶＤ法や選択式
露光，等方性エッチング，選択式エッチング，あるいはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械研磨）法であるダマシン
法やデュアルダマシン法を選択的に駆使して形成することが出来る。次に詳しく説
明する。シリコン系は結晶の状態により結晶シリコンと薄膜シリコンに分類できる。
結晶シリコンは単結晶シリコンと多結晶シリコンに分類できる。薄膜シリコンは微
結晶シリコンとアモルファス（非晶質）シリコンに分類できる。シリコン系の結晶
型の違いはシリコンの結晶粒界面，つまり結晶欠陥の数の違いであり，結晶欠陥の
少ない順に，単結晶シリコン，多結晶シリコン，微結晶シリコン，アモルファス（非
晶質）シリコンとなる。一般的に前記結晶欠陥の数が少ない，および前記結晶欠陥
に伴う不純物の数が少ないほど太陽電池の変換効率は高くなる。つまり，結晶欠陥
が多いほど，電気が効率良く流れなくなる。本願発明の括れをどのように生成する
かを詳しく説明する。本光電変換装置の基板にｐ型半導体３を使用する。結晶シリ
コン太陽電池は一般的に高純度シリコンインゴットからシリコンウエーハという薄
い板状にしたものを使用する。薄膜シリコンの場合はシリコンウエーハもしくはガ
ラス基板などが使用される。ｐ型半導体３はホウ素原子をｐ型不純物として熱拡散
により混ぜて作る。薄膜シリコンの場合は一般的にプラズマＣＶＤ（化学的気相成
長法）装置を使用して，シランガスを放電により分解し，結晶シリコンやガラスな
どの基板に化学的にシリコンを付着させる。次いで，ホウ素原子をｐ型不純物とし
て熱拡散により混ぜて作り，ｐ型半導体３を形成する。次に括れ形成について説明
する。結晶シリコンでは，前記状態のｐ型半導体３の表面にフォトリソグラフィを
使用して，露光の深さ方向のフォーカス位置をずらすことで，レジストのパターン
プロファイルが少々肩部が垂れる形状になることを利用してパターンを形成し，次
にウエットまたはドライエッチングを行って，きのこ柱状の頭部側を形成できる。
あるいは，前記状態のｐ型半導体３の表面を薄く酸化した後，シリコンナイトライ
ド膜をＣＶＤで堆積する。次いでフォトリソグラフィを使用してパターンを形成し
た後に，シリコンナイトライド膜をウエットまたはドライエッチングする。レジス
トを除去し，残ったシリコンナイトライド膜をマスクにして，前記酸化膜をフッ酸
でエッチングする。次いで異方性エッチングをするとＶ字的形状に形成される。一
般的にはＫＯＨ－ＩＰＡ系水溶液が知られている。残った酸化膜とシリコンナイト
ライド膜はウエットまたはドライエッチングする。この方法でも，きのこ柱状の頭
部側を形成できる。次いでフォトリソグラフィを使用して前記Ｖ字的形状の開口パ
ターンより小さいパターンをレジストで形成した後に，等方性エッチングのドライ
エッチングまたはウエットエッチングをする。エッチングが回り込むことによって，
アンダーカット（サイドエッチング）が得られる。次いでレジストは除去する。こ
のようにして括れ形成部９を得ることができる。エッチング底面も同時に波形状を
得ることができる。薄膜シリコンの場合は，前記薄膜シリコンのｐ型半導体３を形
成後に前記結晶シリコンと同様に，エッチングを２段階に行って，括れ形成部９を
得ることができる。あるいは，前記プラズマＣＶＤ装置を使用して，シランガスを
放電により分解し，結晶シリコンやガラスなどの基板に，化学的にシリコンを付着
させた後に，酸化膜またはシリコンナイトライド膜を堆積し，次いでフォトリソグ
ラフィを使用してパターンを形成した後に，前記パターンをマスクにして前記酸化
膜または前記シリコンナイトライド膜をドライエッチングすると，開口が得られる。
次いで前記プラズマＣＶＤ装置を使用して，シランガスを放電により分解し，前記
開口パターン形成済の酸化暎またはシリコンナイトライド膜上に化学的にシリコン
を付着させる。次いで，余分な薄膜シリコンをＣＭＰして，薄膜シリコン柱を形成
する。次いで，前記薄膜シリコン柱を形成済みの上面に，酸化膜またはシリコンナ
イトライド膜を堆積し，次いで，フォトリソグラフィを使用して前記薄膜シリコン
柱の上面サイズより少々大きいレジストパターンを形成した後に，前記レジストパ
ターンをマスクにして前記酸化膜または前記シリコンナイトライド膜をドライエッ
チングする。次いで，前記プラズマＣＶＤ装置を使用して，シランガスを放電によ
り分解し，前記パターン形成済の酸化膜またはシリコンナイトライド膜上に化学的
にシリコンを付着させる。次いで，余分な薄膜シリコンをＣＭＰすると，Ｔ字状断
面形を成す薄膜シリコン柱が形成される。つまり，ダマシン法を２回行うことで，
Ｔ字状断面形を成す薄膜シリコン柱が形成される。あるいは，デュアルダマシン法
を利用しても良い。デュアルダマシン法を利用する場合は，前記プラズマＣＶＤ装
置を使用して，シランガスを放電により分解し，結晶シリコンやガラスなどの基板
に，化学的にシリコンを付着させた後に，第１の酸化膜を堆積し，次いで前記プラ
ズマＣＶＤ装置を使用してシリコンナイトライド膜を堆積し，さらに前記プラズマ
ＣＶＤ装置を使用して第２の酸化膜を堆積する。次いでフォトリソグラフィを使用
してレジストパターンを形成した後に，前記レジストパターンをマスクにして前記
第２の酸化膜と，前記シリコンナイトライド膜と，前記第１の酸化膜をドライエッ
チングして開口する。次いで，フォトリソグラフィを使用して前記開口より少々大
きいレジスト開口パターンを形成した後に，前記レジストパターンをマスクにして
前記第２の酸化膜をドライエッチングする。前記第２の酸化膜の開口サイズは，前
記シリコンナイトライド膜と，前記第１の酸化膜の開口サイズより少々大きくなる。
これはシリコンナイトライド膜のエッチング速度が酸化膜のエッチング速度に比べ
て十分小さく，シリコンナイトライド膜がエッチングストップの作用を生じるから
である。次いで，前記プラズマＣＶＤ装置を使用して，シランガスを放電により分
解し，前記パターン形成済の酸化膜またはシリコンナイトライド膜上に化学的にシ
リコンを付着させる。次いで，余分な薄膜シリコンをＣＭＰすると，Ｔ字状断面形
を成す薄膜シリコン柱が形成される。前記Ｔ字状断面形を成す薄膜シリコン柱の表
面に，フォトリソグラフィを使用して，露光の深さ方向のフォーカス位置をずらす
ことで，レジストのパターンプロファイルが少々肩部が垂れる形状になることを利
用してパターンを形成し，次に，ウエットまたはドライエッチングを行って，きの
こ柱状の頭部側を形成できる。次いで，フォトリソグラフィを使用して，きのこ柱
状の頭部サイズと同等の開口パターンをレジストで形成した後に，等方性エッチン
グのドライエッチングまたはウエットエッチングをする。エッチングが回り込むこ
とによって，アンダーカット（サイドエッチング）が得られる。次いでレジストは
除去する。このようにして括れ形成部９を得ることができる。エッチング底面も同
時に波形状を得ることができる。ｐ型半導体３に括れ形成部９および括れの下方側
に形成してなる抉れ部１０を得た後は，ｎ型半導体５を作る。ｎ型半導体５はリン
元素をｎ型不純物として熱拡散により混ぜて作る。前記ｐ型不純物，ｎ型不純物濃
度を微調整するときは，フォトリソグラフィを使用してパターンを形成し，前記レ
ジストパターンをマスクにしてホウ素イオンやリンイオンを使用してイオン注入を
行う。前記イオン注入後に，ｐ＋拡散層４やｎ＋拡散層６が得られる。その後に加
熱アニールにより，結晶性を整えてｐｎ接合ができる。ｐ＋拡散層４を作るための
リンイオン注入の実施順は，加熱アニールの前であれば良い。次に，光が当たるｎ
型半導体５に，蒸着等を利用してＩＴＯ等の透明電極層７をつける。次に，蒸着等
を利用して全面にアルミニウムやＡｇ等をつける。次いで，フォトリソグラフィを
使用してパターンを形成し，次いで，ドライエッチング等で取り出し電極８を形成
する。裏面については残していた酸化膜２に，フォトリソグラフィを使用してパタ
ーンを形成し，裏面からの電極取り出しのパターンを形成する。次いで，スクリー
ン印刷や蒸着を使用して，裏面電極層１を形成する。前記裏面電極層１については，
一般的にアルミニウムやＡｇ等の使用が知られている。」
３本件審決の理由の要旨
本件審決の理由は，別紙審決書（写し）のとおりである。要するに，本件補正に
よって補正後明細書の段落【００１９】に追加された前記２イの下線が付された
部分は，当初明細書等に記載されておらず，当初明細書等のすべての記載を総合す
ることにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しな
いものであるとはいえず，本件補正は，当初明細書等に記載した事項の範囲内にお
いてしたものとはいえないものであって，平成２３年法律第６３号による改正前の
特許法（以下「法」という。）１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない
から，本願は拒絶されるべきものである，というものである。
４取消事由
取消事由１（本件補正は当初明細書等に記載のない新規事項を追加するもの
ではなく，本件審決にはこの点についての事実認定及び判断の誤りがあること）
取消事由２（本件審決の理由中の「１手続の経緯」において経緯の大部分
が省略されていること）
取消事由３（原査定に理由が付されていないこと）
取消事由４（本件審決の理由中の「２原査定の理由」に誤りがあること）
取消事由５（本件審決の理由中の「３本件補正の内容」において，当初明
細書等に記載されていないとする具体的な箇所が記載されていないこと）
取消事由６（拒絶査定不服審判において被告が審判官を変更していること）
取消事由７（本件審決の理由中の「５むすび」に誤りがあること）
第３取消事由についての当事者の主張
取消事由１（本件補正は当初明細書等に記載のない新規事項を追加するもの
ではなく，本件審決にはこの点についての事実認定及び判断の誤りがあること）に
ついて
〔原告の主張〕
本件補正は，新しい部品や材料を加えたり，当初明細書等に記載のない新たな効
果や作用を加えるものではないから，新規事項を追加するものではない。本件審決
は，半導体の長い歴史の中での当時の技術水準を看過しており，この点についての
事実認定及び判断の誤りがある。
原告が平成２３年１月２３日付け手続補正書（甲６）で，「ｐ＋拡散層４を作るた
めのリンイオン注入の実施順は，加熱アニールの前であれば良い。」と記載したこと
に対して，被告はどのように考察して，一連の具体的な製造プロセス（処理の選択的
かつ時系列的な組合せ）として特定できたのかを説明できていない。そして，上記「イ
オン注入」は，生産方法を特定するパラメータとして，イオン注入エネルギー，イオン
注入角度，イオンドーズ量，イオンの価数，基板の回転有無，イオン打ち込み回数等が
あり，これらの条件設定が定まって初めて所望のイオン濃度分布（深さ方向含む）が得
られるものであるから，上記記載は，生産方法として請求する場合の実施例としては
足りないが，物として請求する場合の実施例として十分に足りているものである。
〔被告の主張〕
補正後明細書（甲６）の段落【００１９】の下線が付された部分には，括れ形成
部及び抉れ部を形成するという課題解決のために，①どのような性質の基板を選択
するか，②選択された基板の種類に応じて，どのような処理を選択するか，③それ
ら選択された処理をどのような順序で組み合わせるかという，一連の具体的な太陽
電池の製造プロセス（処理の選択的かつ時系列的な組合せ），特に，括れ形成部及び
抉れ部の形成方法が詳細に説明されている。しかしながら，このような詳細な製造
プロセスは，当初明細書等のどこにも開示されていない。すなわち，当初明細書等
には，太陽電池の製造プロセスに関して，段落【００１９】に，「蒸着，露光，蝕刻
（エッチング）など」と，半導体微細加工において一般的に行われる処理が記載さ
れ，括れ形成部及び抉れ部の形成に関しては，ＣＶＤ法や選択式露光といった，半
導体の製造プロセスにおいて用いられる個々の処理が列挙され，それらを選択的に
駆使して形成すると抽象的に記載されるにとどまる。
したがって，補正後明細書の段落【００１９】の下線が付された部分は，当初明
細書等に記載されておらず，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導
かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであると
はいえないから，本件補正は，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてした
ものとはいえず，法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないものである。
なお，原告は，甲２４及び２５を提出するが，甲２４及び２５を参照しても，当初
明細書等の記載から，上記下線が付された部分に相当する，具体的な括れ形成部及
び抉れ部の形成方法を理解できる根拠は見いだせない。
取消事由２（本件審決の理由中の「１手続の経緯」において経緯の大部分
が省略されていること）について
〔原告の主張〕
本件審決の「理由」の「１．手続の経緯」において，経緯の大部分が省略されて
いて，出願から審決に至るまでの手続の全貌が解るような記載がされていない。
〔被告の主張〕
本件審決においては，審理の前提となる拒絶理由通知（甲５，９）や拒絶査定（甲
１２），審理の対象となる補正（甲６）など，審決の理由を明らかにする上で有用な
経緯を示しているところであるが，出願番号通知（甲２）など，事案の概要や審決
の結論を示すのに必要のない手続は記載を省略している。しかるに，審決において，
手続の経緯をすべて記載しなければならない法律上の規定はないから，手続の経緯
を省略して記載したことが，本件審決を違法にするものではない。
取消事由３（原査定に理由が付されていないこと）について
〔原告の主張〕
ア特許法１５８条は，審査においてした手続は，拒絶査定不服審判においても，
その効力を有するとして，続審主義を採用している。
特許法５２条は，「査定は，文書をもって行い，かつ，理由を付さなければならな
い。」と規定しているにもかかわらず，原査定（甲１２）では，理由の項目を記載し
ておらず，実質理由が記載されていないから，同条違反であって，本件審決に重大
な影響を与える瑕疵がある。また，原査定に理由の項目を記載せずに，備考（一般
的な国語辞典によれば，備考とは参考になることを書き添えるとの意味であり，本
文に書くほどではないが，本文理解のために参考になることを書き添えたものであ
る。）の項目を記載していることも矛盾があり，瑕疵がある。さらに，原査定の「こ
の出願については，平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知書に記載した理由１－
２によって，拒絶をすべきものです。」との記載では，具体的理由を示しているとは
いえず，「平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知書に記載した理由１－２」の文言
と，平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知書（甲９）は，完全一致していないか
ら，記載内容が不明確であって，本件審決に重大な影響を与える瑕疵である。
イ被告は，審決取消訴訟においては，審決ないし審判手続の違法性が取消事由にな
るべきところ，原告の主張は，審査手続における瑕疵をいうものであって，主張自体失
当であると主張する。
しかし，行政事件訴訟法１０条２項は，処分の取消しの訴えとその処分についての審
査請求を棄却した裁決の取消しの訴えとを提起することができる場合には，裁決の取消
しの訴えにおいては，処分の違法を理由として取消しを求めることができないが，他方，
原処分の取消しの訴えを認めず，必ず裁決の取消しの訴えを提起すべき旨が個別の法律
で定められている場合には，処分の取消しの訴えが提起できないので，同法１０条２項
の適用はなく，裁決の取消しの訴えの中で，原処分の違法（瑕疵）を主張できるし，裁
決が取り消されれば原処分も失効する。特許に係る審決取消訴訟においては，拒絶査定
が原処分になるところ，特許法は，原処分である拒絶査定の取消しの訴えを認めず，審
決取消訴訟のみが提起できることから，原処分についても審決取消訴訟で争うことにな
る。
したがって，被告の上記主張は主張自体失当である。
〔被告の主張〕
ア審決取消訴訟においては，審決ないし審判手続の違法性が取消事由になるべ
きところ，原告の主張は，審査手続における瑕疵をいうものであって，主張自体失
当である。
イなお，以下のとおり，原査定にも違法はない。
すなわち，特許法５２条においては，拒絶査定は，理由を付して行わなければな
らない旨規定されているが，拒絶査定に「理由」という項目名が記載されなければ
ならないことが規定されているものではないから，かかる項目名が記載されていな
くとも，特許法５２条に違反することにはならない。
また，原査定には，本願は，平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知書（甲９）
に記載した理由１及び２によって拒絶すべきものであること，意見書の内容を検討
したが，拒絶理由を覆す根拠が見いだせないことが記載されている。ここで，上記
拒絶理由通知書には，理由１として，補正後明細書の段落【００１９】について法
１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない旨，理由２として，請求項１に
ついて特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない旨それぞれ記載され
ている。そして，原査定にも，「１．理由１について」，「２－１．一つ目の理由につ
いて」，「２－２．二つ目の理由について」及び「２－３．三つ目の理由について」
で理由が記載されている。
したがって，原査定には理由が付されており，その具体的内容も明確に示されて
いるから，原告の主張は失当である。
取消事由４（本件審決の理由中の「２原査定の理由」に誤りがあること）
について
〔原告の主張〕
特許法１５７条２項４号は，審決は，審決の結論及び理由を記載しなければなら
ないと規定している。
本件審決の「理由」の「２．原査定の理由」において，原査定の理由の一つは，
本件補正は，平成２３年５月２３日付けで通知された拒絶理由のとおり，当初明細
書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから，「法１７条の２第３項」
に規定する要件を満たしていないというものであるとしているが，原査定には，「法
１７条の２第３項」の文言が全く記載されていない。したがって，原査定に記載さ
れていない「法１７条の２第３項」の文言を，あたかも原査定に記載してあるかの
ように記載した本件審決の「理由」の「２．原査定の理由」は無効であり，本件審
決には瑕疵がある。
〔被告の主張〕
原査定には，「この出願については，平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知書に
記載した理由１－２によって，拒絶をすべきものです。」と記載され，上記拒絶理由
通知書の「理由１」には，「平成２３年１月２４日付けでした手続補正は，下記の点
で願書に最初に添付した…当初明細書等…に記載した事項の範囲内においてしたも
のでないから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。」と記
載され，さらに，原査定には，「１．理由１について本願明細書の段落【００１９】
における，括れ形成部及び抉れ部の形成方法についての詳しい説明を追加する補正
は，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえません。」との
記載がある。
そうしてみると，原査定には，その理由が，法１７条の２第３項違反であること
が示されているから，本件審決の「２．原査定の理由」の記載には，審決の結論に
影響を及ぼすような誤りはない。
取消事由５（本件審決の理由中の「３本件補正の内容」において，当初明
細書等に記載されていないとする具体的な箇所が記載されていないこと）について
〔原告の主張〕
本件審決の「理由」の「４．当審の判断」において，「本願明細書の【００１９】
に追加された上記下線が付された部分は，当初明細書等に記載されておらず」とし
ているが，具体的な箇所が指摘されておらず，原告にとっては，「本願明細書の【０
０１９】に追加された上記下線が付された部分」の文言が，「下線」内の部分的な指
摘なのか，「下線」の全てなのかが判読困難であって，３頁近くにおよぶ長さで引か
れている「下線」の中で，文言としては，いったいどの部分が新たな技術的事項に該当
するのかについて，被告からは，明快で，具体的な技術論は開示されておらず，本件審
決には，事実認定の誤り及び手続上の誤りがある。
〔被告の主張〕
本件審決が引用した段落【００１９】には，下線が付された部分と下線が付され
ていない部分があるところ，本件審決は，下線が付されているか否かで記載箇所を
特定している。したがって，本件審決が，下線が付された部分のすべて（基板の選
択を含む一連の具体的な製造プロセス全体）を，当初明細書等に記載されていない
と説示したことは，記載上明らかであり，「本願明細書の【００１９】に追加された
上記下線が付された部分は，当初明細書等に記載されておらず」とした本件審決の
認定に何ら瑕疵はない。
取消事由６（拒絶査定不服審判において被告が審判官を変更していること）
について
〔原告の主張〕
原告が拒絶査定不服審判において審尋に対する回答書を提出した後に，被告は審
判官１名を変更している。しかし，原告は審判官の忌避を申し立てておらず，変更
の理由が不明で，不可解であり，瑕疵がある。
〔被告の主張〕
審判官の変更を根拠に審決に瑕疵があるとするのは，原告独自の見解である。審
判官を変更しても，本件審決に瑕疵があることにはならないし，本件審決の結論に
誤りがあることにもならない。
取消事由７（本件審決の理由中の「５むすび」に誤りがあること）につい
て
〔原告の主張〕
本件審決の「理由」の「５．むすび」において，「本件補正は，特許法第１７条の
２第３項による要件を満たしていないものであるから，本願は拒絶されるべきもの
である。よって，結論のとおり審決する。」としているが，前記ないしのとお
り，審決に至るまでの手続，拒絶理由，その認定判断には誤りがあり，審決に対し
て重大な影響を与える違法があるから，本件審決は取り消されるべきである。
〔被告の主張〕
原告主張の取消事由１ないし６には，いずれも理由がないから本件審決の結論に
誤りはない。
第４当裁判所の判断
１取消事由１（本件補正は当初明細書等に記載のない新規事項を追加するもの
ではなく，本件審決にはこの点についての事実認定及び判断の誤りがあること）に
ついて
前記第２の２によれば，本件補正によって補正後明細書の段落【００１９】
に追加された下線部の記載は，括れ形成部及び抉れ部について，一連の具体的な製
造プロセス（処理の選択的かつ時系列的な組合せ）を説明したものと認められる。
しかし，当初明細書等には，括れ形成部及び抉れ部の形成方法について，「尚，
太陽電池の製造プロセスは，蒸着，露光，蝕刻（エッチング）など，従来からの，
半導体，液晶パネルの製造プロセスを踏襲しており，前記括れ形成部９，および括
れの下方側に形成してなる抉れ部１０を形成することは，ＣＶＤ法や選択式露光，
等方性エッチング，選択式エッチング，あるいはＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅ
ｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械研磨）法であるダマシン法や
デュアルダマシン法を選択的に駆使して形成することが出来る。」（【００１９】）
と，ＣＶＤ法，選択式露光，等方性エッチング，選択式エッチング，ＣＭＰ，ダマ
シン法及びデュアルダマシン法という半導体製造技術における一般的な処理方法が
記載されているものの，補正後明細書の段落【００１９】の下線部に記載された括
れ形成部及び抉れ部についての一連の具体的な製造プロセス（処理の選択的かつ時
系列的な組合せ）については，何らの記載もない。また，補正後明細書の段落【０
０１９】の下線部に記載された括れ形成部及び抉れ部についての一連の具体的な製
造プロセス（処理の選択的かつ時系列的な組合せ）が，当初明細書等の段落【００
１９】の半導体製造技術における一般的な処理方法の記載から，本願出願当時の技
術水準に照らして自明な事項であるということもできない。
したがって，補正後明細書の段落【００１９】の下線部の記載は，当初明細書等
に記載されておらず，また，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導
かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであると
いうことはできない。
原告は，この点について，本件補正は，新しい部品や材料を加えたり，当初
明細書等に記載のない新たな効果や作用を加えるものではないから，新規事項を追
加するものではなく，半導体の長い歴史の中での当時の技術水準を看過しており，
本件審決にはこの点についての事実認定及び判断の誤りがある旨主張するが，前記
で説示したとおりであって，原告の同主張には理由がない。
また，原告は，原告が平成２３年１月２３日付け手続補正書（甲６）で，「ｐ＋拡
散層４を作るためのリンイオン注入の実施順は，加熱アニールの前であれば良い。」
と記載したことに対して，被告はどのように考察して，一連の具体的な製造プロセス
（処理の選択的かつ時系列的な組合せ）として特定できたのかを説明できていない旨，
及び，上記「イオン注入」は，生産方法を特定するパラメータとして，イオン注入エネ
ルギー，イオン注入角度，イオンドーズ量，イオンの価数，基板の回転有無，イオン打
ち込み回数等があり，これらの条件設定が定まって初めて所望のイオン濃度分布（深さ
方向含む）が得られるものであるから，上記記載は，生産方法として請求する場合の
実施例としては足りないが，物として請求する場合の実施例として十分に足りてい
るものである旨主張する。
しかし，補正後明細書の段落【００１９】の下線部に記載された括れ形成部及び
抉れ部についての一連の具体的な製造プロセス（処理の選択的かつ時系列的な組合
せ）は，原告主張に係る「ｐ＋拡散層４を作るためのリンイオン注入の実施順は，
加熱アニールの前であれば良い。」との記載に限られるものでないことは，前記第２
の２(2)イのとおり明らかである。仮に，「ｐ＋拡散層４を作るためのリンイオン注
入の実施順は，加熱アニールの前であれば良い。」との事項が，当初明細書等の記
載から自明なことであったとしても，補正後明細書の段落【００１９】の下線部に
記載されたその余の括れ形成部及び抉れ部についての一連の具体的な製造プロセス
（処理の選択的かつ時系列的な組合せ）は，当初明細書等には記載されていないし，
また，当初明細書等の段落【００１９】の半導体製造技術における一般的な処理方
法の記載から，本願出願当時の技術水準に照らして自明な事項であるということも
できない。原告の上記主張も理由がない。
したがって，取消事由１は理由がない。
２取消事由２（本件審決の理由中の「１手続の経緯」において経緯の大部分
が省略されていること）について
原告は，本件審決の「理由」の「１．手続の経緯」において，経緯の大部分が省
略されていて，出願から審決に至るまでの手続の全貌が解るような記載がされてい
ない旨主張する。
しかし，審決において，手続の経緯を必ず記載しなければならないとする法令上
の根拠はないから（特許法１５７条２項参照），経緯の大部分の記載が省略されて
いることをもって，本件審決に違法があるとすることはできず，原告の上記主張は
主張自体失当である。
この点を措いても，本件審決は，「理由」の「１．手続の経緯」において，本願
発明の特許出願，拒絶理由通知，本件補正，原査定，拒絶査定不服審判請求，審尋
及び回答書の提出等，審決の理由を明らかにする上で必要な手続の経緯を記載して
おり，当該記載をもって記載が足りず不相当ということはできない。
したがって，取消事由２は理由がない。
３取消事由３（原査定に理由が付されていないこと）について
原告は，特許法１５８条は，審査においてした手続は，拒絶査定不服審判に
おいても，その効力を有するところ，同法５２条は，「査定は，文書をもって行い，
かつ，理由を付さなければならない。」と規定しているにもかかわらず，原査定（甲
１２）では，理由の項目を記載しておらず，実質理由が記載されていないから，同
条違反であって，本件審決に重大な影響を与える瑕疵がある，また，原査定に理由
の項目を記載せずに，備考（一般的な国語辞典によれば，備考とは参考になること
を書き添えるとの意味であり，本文に書くほどではないが，本文理解のために参考
になることを書き添えたものである。）の項目を記載していることも矛盾があり，瑕
疵がある，さらに，原査定の「この出願については，平成２３年５月２３日付け拒
絶理由通知書に記載した理由１－２によって，拒絶をすべきものです。」との記載で
は，具体的理由を示しているとはいえず，「平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知
書に記載した理由１－２」の文言と，平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知書（甲
９）は，完全一致していないから，記載内容が不明確であって，本件審決に重大な
影響を与える瑕疵である旨主張する。
しかし，特許法は，特許出願に関する行政処分の是正手続については，一般の行
政処分の場合とは異なり，常に専門的知識経験を有する審判官による審判の手続の
経由を要求するとともに，取消しの訴えは，原処分である拒絶査定の処分に対して
ではなく，審判の審決に対してのみこれを認め，もっぱら審決の適法違法のみを争
わせ，拒絶査定の適否は審判の審決の適否を通じてのみ間接にこれを争わせるにと
どめているものである（最高裁判所昭和５１年３月１０日大法廷判決・民集３０巻
２号７９頁参照）。したがって，審決取消訴訟における審理の対象は，行政処分たる
審決の違法性そのものであって，原処分たる拒絶査定の違法性は審理の対象となら
ないというべきところ，原告の上記主張は，原処分である原査定の瑕疵を主張する
ものにすぎないから，それ自体失当というほかない。
なお，原告が指摘する特許法１５８条は，拒絶査定不服審判の審理は，審査段階の審
理に基づいた審理を継続し，審査段階で提出されていなかった新たな資料をも補充して，
審査官の判断の当否を調査し，審査で行われた手続がそのまま審判でも効力を有すると
して，審査と拒絶査定不服審判とが続審の関係にあることを規定したものであって，審
決取消訴訟における審理の対象を画する規定ではない。
前記で説示した点を措いても，原査定には以下のとおり理由が付されてい
ることは明らかであって，原告の前記の主張は理由がない。
特許法５２条は，「査定は，文書をもって行い，かつ，理由を付さなければなら
ない。」と規定するところ，査定には理由が付されていれば足り，「理由」という
項目が記載されなければならないものではない。したがって，原査定に理由の項目
の記載がなく，備考の項目に理由が記載されていることをもって，原査定に特許法
５２条違反があるとすることはできない。
そして，平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知書（甲９）には，「理由」の項
目の下に，「理由１」として，補正後明細書の段落【００１９】に追加された，括
れ形成部及び抉れ部の形成方法についての詳しい説明に関する事項は，明らかに当
初明細書等に明示的に記載された事項ではないし，当初明細書等に記載がなくても，
これに接した当業者であれば，出願時の技術常識に照らして，当該事項が記載され
ているのと同然であると理解する事項とは認められず，当初明細書等の記載から自
明な事項でもないから，本件補正は当初明細書等に記載した事項の範囲内において
したものでなく，法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないことが記載
されている。また，「理由２」として，請求項１に記載された「１次入射光の進行
方向に沿って形を成す曲線」とは，１次入射光の進行方向に対してどのように描か
れた曲線を意味するのか理解できず，また，請求項１に記載された「１次入射光の
進行方向に対して，…括れ状の外壁を設ける」とは，１次入射光の進行方向に対し
てどのように括れが設けられる外壁を意味するのか，どの方向から入射する１次入
射光に対して定義されるのか理解できないことなどから，特許法３６条６項２号に
規定する要件を満たしていないことが記載されている。
その上で，原査定（甲１２）には，冒頭部分で，本願については，上記の平成２
３年５月２３日付け拒絶理由通知書（甲９）に記載した理由１及び２によって拒絶
すべきものであること，意見書の内容を検討したが，拒絶理由を覆すに足りる根拠
が見いだせないことが記載され，さらに，原査定には，いずれも「備考」中の，「１．
理由１について」において，補正後明細書の段落【００１９】において括れ形成部
及び抉れ部の形成方法についての詳しい説明を追加する補正は，当初明細書等に記
載した事項の範囲内においてしたものとはいえないことが，「２．理由２について」
の「２－１．一つ目の理由について」において，請求項１に記載された「１次入射
光の進行方向に沿って形を成す曲線」が１次入射光の進行方向に対してどのように
描かれた曲線を意味するのか理解できないことが，「２－２．二つ目の理由につい
て」において，請求項１に記載された「１次入射光の進行方向に対して，…括れ状
の外壁を設ける」が１次入射光の進行方向に対してどのように括れが設けられる外
壁を意味するのか理解できないことが，「２－３．三つ目の理由について」におい
て，「前記曲線上に任意の２点を取る場合に，前記各点における接線の傾きについ
て，前記１次入射光側の１点の接線の傾きを正とすると，前記残りの本願装置の基
板寄りの１点の接線の傾きが負となるように設けてなる括れ状の外壁」がどのよう
な形状であるのか不明確であることが，それぞれが記載されている。
以上によれば，原査定には，本願を拒絶すべき理由が付されており，その具体的
内容も示されているということができる。
したがって，取消事由３には理由がない。
４取消事由４（本件審決の理由中の「２原査定の理由」に誤りがあること）
について
原告は，本件審決の「理由」の「２．原査定の理由」において，原査定の理由の
一つは，本件補正は，平成２３年５月２３日付けで通知された拒絶理由のとおり，
当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから，「法１７条の２
第３項」に規定する要件を満たしていないというものであるとしているが，原査定
には，「法１７条の２第３項」の文言が全く記載されていないから，原査定に記載さ
れていない「法１７条の２第３項」の文言を，あたかも原査定に記載してあるかの
ように記載した本件審決の「理由」の「２．原査定の理由」は無効であり，本件審
決には瑕疵がある旨主張する。
しかしながら，前記３でみたとおり，原査定には，冒頭部分で，本願について
は，平成２３年５月２３日付け拒絶理由通知書に記載した理由１及び２によって拒
絶すべきものであることが，同拒絶理由通知書には，「理由」の項目の下に，「理
由１」として，本件補正は当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたもの
でないから，法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないことが，さらに，
原査定にも，「備考」中，「１．理由１について」において，本件補正は，当初明細
書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないことが，それぞれ記載
されていることが認められる。そうすると，原査定における拒絶の理由の一つが，
本件補正が法１７条の２第３項に違反するというものであることは明らかである。
以上によれば，本件審決の「理由２．原査定の理由」において，原査定の理由の
一つは，本件補正は，平成２３年５月２３日付けで通知された拒絶理由のとおり，
当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから，「法１７条の２
第３項」に規定する要件を満たしていないというものであるとしたことについては，
何らの瑕疵もないというべきであり，原告の上記主張は採用することができない。
したがって，取消事由４には理由がない。
５取消事由５（本件審決の理由中の「３本件補正の内容」において，当初明
細書等に記載されていないとする具体的な箇所が記載されていないこと）について
原告は，本件審決の「理由」の「３．本件補正の内容」において，「本願明細書の
【００１９】に追加された上記下線が付された部分は，当初明細書等に記載されて
おらず」としているが，具体的な箇所が指摘されておらず，原告にとっては，「本願
明細書の【００１９】に追加された上記下線が付された部分」の文言が，「下線」内
の部分的な指摘なのか，「下線」の全てなのかが判読困難であって，３頁近くにおよ
ぶ長さで引かれている「下線」の中で，文言としては，いったいどの部分が新たな技術
的事項に該当するのかについて，被告からは，明快で，具体的な技術論は開示されてお
らず，本件審決には，事実認定の誤り及び手続上の誤りがある旨主張する。
しかし，補正後明細書の段落【００１９】には，下線が付された部分と下線が付
されていない部分とがあるところ，本件審決５頁の４は，「上記下線が付された
部分は，当初明細書等に記載されておらず，当初明細書等のすべての記載を総合す
ることにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しな
いものであるとはいえない。」としているのであるから，下線が付された部分全体
を特定した上で，これが法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないもの
である旨説示したことは明らかである。
したがって，原告の上記主張は採用することができず，取消事由５には理由がな
い。
６取消事由６（拒絶査定不服審判において被告が審判官を変更していること）
について
原告は，拒絶査定不服審判において審尋に対する回答書を提出した後に，被告は
審判官１名を変更しているが，原告は審判官の忌避を申し立てておらず，変更の理
由が不明で，不可解であり，瑕疵がある旨主張するが，拒絶不服審判の手続中に審
判官を変更したことが違法となるものではなく，ひいては本件審決を違法にするも
のではないから，原告の上記主張は主張自体失当である。
したがって，取消事由６も理由がない。
７取消事由７（本件審決の理由中の「５むすび」に誤りがあること）につい
て
前記１ないし６のとおり，原告主張に係る取消事由１ないし６はすべて理由がな
く，本件審決が「理由」の「５．むすび」において，「本件補正は，特許法第１７条
の２第３項による要件を満たしていないものであるから，本願は，拒絶されるべき
ものである。よって，結論のとおり審決する。」と判断したことについても，原告主
張に係る違法な点はない。
したがって，取消事由７も理由がない。
８結論
以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。
よって，原告の本訴請求は理由がないから，棄却されるべきである。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官富田善範
裁判官大鷹一郎
裁判官田中芳樹

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