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令和２年１１月１８日判決言渡
令和２年（行ケ）第１００１８号審決取消請求事件
口頭弁論終結日令和２年９月９日
判決
原告株式会社東京精密
同訴訟代理人弁護士半場秀
筬島裕斗志
前田直哉
三縄隆
松村啓
同訴訟代理人弁理士丹治彰
石田良平
被告浜松ホトニクス株式会社
同訴訟代理人弁護士設樂隆一
深沢正志
寺下雄介
大澤恒夫
同訴訟復代理人弁護士松阪絵里佳
同訴訟代理人弁理士長谷川芳樹
柴田昌聰
小曳満昭
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１９－８０００１６号事件について令和２年１月７日にした審
決を取り消す。
第２事案の概要
本件は，特許無効審判請求の不成立審決の取消訴訟である。争点は，進歩性につ
いての認定判断の誤りの有無である。
１特許庁における手続の経緯
(1)被告は，平成１３年９月１３日（優先日は平成１２年９月１３日），発明の
名称を「切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法」とする特許出願をし，平
成１５年３月１４日，その設定登録を受けた（特許第３４０８８０５号。請求項の
数３７。甲２７）。
(2)被告は，平成１６年１２月２８日に，発明の名称を「加工対象物切断方法」
と訂正することを含む訂正の請求をし，特許庁は，平成１７年２月４日，同訂正を
認める旨の決定をし，同年３月２２日，同決定の確定登録がされた。その後，被告
は，同年８月１５日に訂正の請求をし，特許庁は，平成１８年３月３日，同訂正を
認める旨の審決（甲１９）をし，同年１１月９日，同審決の確定登録がされた（同
訂正後の請求項の数３１。以下，同訂正後の特許第３４０８８０５号を「本件特許」
といい，同訂正後の本件特許に係る明細書及び図面を「本件明細書」という。）。
(3)原告は，平成３１年２月２５日，本件特許の無効審判の請求（以下「本件
審判請求」という。）をした（無効２０１９－８０００１６号事件）。特許庁は，令
和２年１月７日，本件審判請求について，「本件審判の請求は，成り立たない。」と
の審決（以下「本件審決」という。）をし，本件審決の謄本は，同月１７日に原告に
送達された。
２本件特許に係る発明の要旨
本件特許の特許請求の範囲の記載は，次のとおりである（以下，各請求項に係る
発明を，それぞれ請求項の番号に応じて「本件発明１」などといい，本件発明１～
３１を併せて「本件発明」という。）。
【請求項１】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を
照射し，前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領
域によって，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光
入射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点とし
て前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる，加工対象物切断方法。
【請求項２】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点に
おけるピークパワー密度が１×１０８
（Ｗ／ｃｍ２
）以上でかつパルス幅が１μｓ以
下の条件でレーザ光を照射し，前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領
域を形成し，この改質領域によって，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前
記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成
し，この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる，
加工対象物切断方法。
【請求項３】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点に
おけるピークパワー密度が１×１０８
（Ｗ／ｃｍ２
）以上でかつパルス幅が１μｓ以
下の条件でレーザ光を照射し，前記加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領
域を形成し，この政質領域によって，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前
記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成
し，この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる，
加工対象物切断方法。
【請求項４】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点に
おけるピークパワー密度が１×１０８
（Ｗ／ｃｍ２
）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以
下の条件でレーザ光を照射し，前記加工対象物の内部に屈折率が変化した領域であ
る屈折率変化領域を含む改質領域を形成し，この改質領域によって，前記加工対象
物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に，
切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向
に向かって割れを発生させる，加工対象物切断方法。
【請求項５】
レーザ光源から出射される前記レーザ光はパルスレーザ光を含む，請求項１～４
のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項６】
前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射するとは，一つのレー
ザ光源から出射されたレーザ光を集光して前記加工対象物の内部に集光点を合わせ
てレーザ光を照射する，請求項１～５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項７】
前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射するとは，複数のレー
ザ光源から出射された各レーザ光を前記加工対象物の内部に集光点を合わせて異な
る方向から照射する，請求項１～５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項８】
前記複数のレーザ光源から出射された各レーザ光は，前記加工対象物の表面から
入射する，請求項７記載の加工対象物切断方法。
【請求項９】
前記複数のレーザ光源は，前記加工対象物の表面から入射するレーザ光を出射す
るレーザ光源と，前記加工対象物の裏面から入射するレーザ光を出射するレーザ光
源と，を含む請求項７記載の加工対象物切断方法。
【請求項１０】
前記複数のレーザ光源は前記切断予定ラインに沿ってレーザ光源がアレイ状に配
置された光源部を含む，請求項７～９のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項１１】
前記改質領域は，前記加工対象物の内部に合わされたレーザ光の集光点に対して，
前記加工対象物を相対的に移動させることにより形成される，請求項１～１０のい
ずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項１２】
前記加工対象物は照射されたレーザ光の透過性を有する材料である，請求項１～
１１のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項１３】
前記加工対象物の表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されている，請求
項１～１２のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項１４】
前記加工対象物に力を加えることによって，前記切断の起点となる領域を起点と
して前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることで，前記切断予定
ラインに沿って前記加工対象物を切断する，請求項１～１３のいずれかに記載の加
工対象物切断方法。
【請求項１５】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点に
おけるピークパワー密度が１×１０８
（Ｗ／ｃｍ２
）以上でかつパルス幅が１μｓ以
下の条件でレーザ光を照射し，前記加工対象物の内部に改質領域を形成し，この改
質領域によって，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレー
ザ光入射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点
として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる，加工対象物切断方
法。
【請求項１６】
前記加工対象物は，その表面に複数の回路部が形成されており，前記複数の回路
部のうち隣接する回路部の間に形成された間隙に臨む前記加工対象物の内部にレー
ザ光の集光点を合わせる，請求項１～１５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項１７】
前記複数の回路部にレーザ光が照射されない角度でレーザ光が集光される，請求
項１６記載の加工対象物切断方法。
【請求項１８】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を
照射し，前記加工対象物の内部に，単結晶構造から非晶質構造に変化した領域，単
結晶構造から多結晶構造に変化した領域，又は単結晶構造から非晶質構造及び多結
晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成し，この溶融処理領域
によって，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入
射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点として
前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる，加工対象物切断方法。
【請求項１９】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を
照射し，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において
前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に，多光子吸収による改質領域を形
成することで，この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割
れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の加工対象物切断方法において，前記改質領域を前記レーザ光入
射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項２１】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点に
おけるピークパワー密度が１×１０８
（Ｗ／ｃｍ２
）以上でかつパルス幅が１μｓ以
下の条件でレーザ光を照射し，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工
対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に，クラック
領域を含む改質領域を形成することで，この改質領域を起点として前記加工対象物
の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とす
る加工対象物切断方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の加工対象物切断方法において，前記改質領域を前記レーザ光入
射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項２３】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点に
おけるピークパワー密度が１×１０８
（Ｗ／ｃｍ２
）以上でかつパルス幅が１μｓ以
下の条件でレーザ光を照射し，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工
対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に，溶融処理
領域を含む改質領域を形成することで，この改質領域を起点として前記加工対象物
の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とす
る加工対象物切断方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の加工対象物切断方法において，前記政質領域を前記レーザ光入
射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項２５】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点に
おけるピークパワー密度が１×１０８
（Ｗ／ｃｍ２
）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以
下の条件でレーザ光を照射し，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工
対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に，屈折率が
変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領城を形成することで，この改質領
域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対
象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項２６】
請求項２５記載の加工対象物切断方法において，前記改質領域を前記レーザ光入
射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項２７】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点に
おけるピークパワー密度が１×１０８
（Ｗ／ｃｍ２
）以上でかつパルス幅が１μｓ以
下の条件でレーザ光を照射し，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工
対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に改質領域を
形成することで，この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって
割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項２８】
請求項２７記載の加工対象物切断方法において，前記改質領域を前記レーザ光入
射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項２９】
半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を
照射し，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において
前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に，単結晶構造から非晶質構造に変
化した領域，単結晶構造から多結晶構造に変化した領域，又は単結晶構造から非晶
質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成するこ
とで，この溶融処理領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを
発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
【請求項３０】
請求項２９記載の加工対象物切断方法において，前記溶融処理領域を前記レーザ
光入射面から所定距離内側に形成する加工対象物切断方法。
【請求項３１】
前記加工対象物に力を加えることによって，前記切断の起点となる領域を起点と
して前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることで，前記切断予定
ラインに沿って前記加工対象物を切断する，請求項１８記載の加工対象物切断方法。
３本件審決の理由の要旨等
(1)原告の主張に係る無効理由
本件審判請求における進歩性の要件の違反についての原告の主張の要旨は，本件
発明が甲１～７に記載された各発明（以下，証拠番号に従ってそれぞれ「甲１発明」
などという。）のうち複数のものを組み合わせることにより当業者が容易に想到で
きるものであるというもので，次のア～オのとおりである。
ア無効理由１
本件発明は，甲１発明に，甲４発明，甲７発明，甲６発明及び甲３発明を組み合
わせることで，当業者が容易に想到できるものである。
イ無効理由２
本件発明は，甲４発明に，甲１発明，甲７発明，甲６発明及び甲３発明を組み合
わせることで，当業者が容易に想到できるものである。
ウ無効理由３
本件発明は，甲２発明に，甲１発明，甲６発明，甲３発明及び甲４発明を組み合
わせることで，当業者が容易に想到できるものである。
エ無効理由４
本件発明は，甲５発明に，甲１発明，甲３発明，甲６発明及び甲４発明を組み合
わせることで，当業者が容易に想到できるものである。
オ無効理由５
本件発明は，甲７発明に，甲１発明，甲６発明，甲３発明及び甲４発明を組み合
わせることで，当業者が容易に想到できるものである。
(2)主引例についての本件審決の認定
ア甲１発明の認定
「厚板の合成石英ガラスの内部に焦点を合わせて
高エネルギー密度のエキシマレーザパルスの繰り返しによるエキシマレーザビー
ムを照射し，
前記合成石英ガラスの内部に多光子吸収による微小なクラックを形成し，
切断予定ラインに沿ってワークを水平面内で移動させつつ焦点の位置を前記合成
石英ガラスの底面から上方向に移動させることによって，微細なクラックを合成石
英ガラスの内部で連続させ，合成石英ガラスを複雑な形状に切断加工する，
合成石英ガラスの切断加工方法。」
イ甲４発明の認定
「サファイア基板２０１の表面上に窒化物半導体層２０５が形成された半導体ウ
エハーの前記基板２０１の内部に焦点が結ばれるように，１６Ｊ／ｃｍ２
でレーザ
光線を照射し，前記基板２０１の内部に，微視的なマイクロ・クロックの集合であ
る加工変質層２０６を形成し，この加工変質層２０６によって，前記基板２０１の
底面付近の基板内部に，ローラー荷重をかけた場合の割れ方を制御するためのスク
ライブ・ラインを形成した後，溝部２０４を形成し，前記溝部２０４の底面にスク
ライブ・ライン２０７を形成し，その後，前記溝部２０４に沿ってローラーによっ
て荷重をかけ，前記半導体ウエハーを切断する，半導体ウエハーの切断方法。」
ウ甲２発明の認定
「ガラス物体の内部に焦点を合わせてレーザを照射し，ガラス物体の内部に微小
亀裂を形成し，この微小亀裂によって，前記ガラス物体の分割線に沿って前記ガラ
ス物体の内部に破断点を形成し，破断開封する，ガラス物体の破断方法。」
エ甲５発明の認定
「シリコン基板を含む薄板状の被加工部材１０の内部に集光させて，
１ナノ秒以下のパルス幅で発振するレーザ光を照射し，
高いレーザ光の密度によって前記被加工部材の内部に光学的損傷あるいは光学的
絶縁破壊が生じて変質した微小領域１３を形成し，
この微小領域１３によって，前記被加工部材１０の内部にマーキングし，マーキ
ングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにする，
被加工部材のマーキング方法。」
オ甲７発明の認定
「ガラス，プラスチック，宝石，または半導体等の材料の内部にレーザビームを
収束させて，
光学破壊を起こすハイパワー密度のオーダー（桁）が１０１３
ｗａｔｔｓ／ｃｍ２
でかつパルス幅のオーダー（桁）が１０ピコ秒又はそれより短い条件でレーザビー
ムを照射し，
前記材料の内部に光学破壊により空隙を形成し，
この空隙を前記材料の表面から鋸運動により所定の経路に沿って，複数結びつか
せることによって，前記材料を切断する，
材料の切断方法。」
(3)無効理由１のうち本件発明１についての本件審決の判断の要旨
ア本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点
（一致点）「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記加
工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する，加工対象物切断方法。」
（相違点１）本件発明１は，加工対象物が「半導体材料からなるウェハ状」の
ものであるのに対し，甲１発明は，「厚板の合成石英ガラス」である点。
（相違点２）本件発明１は，切断工程が，「この改質領域によって，前記加工対
象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側
に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点として前記加工対象物の厚さ
方向に向かって割れを発生させる」という工程であって，切断の起点を加工対象物
の内部に形成するのに対し，甲１発明においては，切断工程が，「切断予定線に沿っ
てワークを水平面内で移動させつつ焦点の位置を前記合成石英ガラスの底面から上
方向に移動させることによって，微細なクラックを合成石英ガラスの内部で連続さ
せ，合成石英ガラスを複雑な形状に切断加工する」という工程であって，焦点の位
置を対象物である石英ガラスの底面から上方向へ移動させることで微細なクラック
を連続させて切断するものである点。
イ相違点の検討
(ｱ)相違点１について
甲１には，「厚板であっても自由な切断加工を可能とすることを目的としている」
などと記載されている一方，半導体素子を製造する半導体ウエハーは，通常は薄板
状のものであるとともに，厚板から円柱状等の複雑な形状に加工する必要性は特段
知られていないから，厚板である石英ガラスなどの透明材料について複雑な形状に
切断加工するものである甲１発明において，切断加工対象を半導体材料からなるウ
ェハ状の加工対象物とする動機付けが存在せず，相違点１に係る半導体材料からな
るウエハ状のものを加工対象とすることは，当業者であっても容易ではない。
(ｲ)相違点２について
甲１発明においては，微細なクラック同士が底面から上方向へ連続して切断面を
形成するものと認められる一方，本件発明１は，内部の切断の起点から外部に向け
て割れを進行させるもので，切断の機序が異なる。また，甲２はガラス物体の破断
方法，甲３はレーザ光による屈折率の変化を利用したマーキング方法，甲４は半導
体ウエハーであるサファイア基板の切断方法，甲５は被加工部材のマーキング方法，
甲６はレーザー光線照射による半導体ウェーハ－の一部の溶融除去，甲７は半導体
材料等のレーザ光の鋸運動による切断方法を示すもので，本件発明１の上記工程を
開示するものではない。そうすると，いずれも切断の起点となる領域を形成する上
記工程を開示していないし，そのような工程を採用する動機付けもないから，甲１
発明において，相違点２の構成を採用することは，当業者であっても容易ではない。
ウ有利な効果
本件発明１は，相違点１及び２に係る構成を備えることにより，割断制御が容易
となる（本件明細書の段落【００４２】），切断予定ラインから外れた不必要な割れ
や溶融が生じることなく半導体チップを切り出すことができる，作製される製品の
歩留まりを向上させることができる（同【００６０】）といった，甲１発明と比較し
て有利な効果を奏する。
エしたがって，本件発明１は，甲１発明及び甲２～７に記載された事項に
基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
(4)無効理由２のうち本件発明１についての本件審決の判断の要旨
ア本件発明１と甲４発明の一致点及び相違点
（一致点）「ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射
し，前記加工対象物の内部に改質領域を形成する，加工対象物切断方法。」
（相違点１）加工対象物が，本件発明１は，「半導体材料」であるのに対し，甲
４発明は，「サファイア基板２０１」である点。
（相違点２）加工対象物の内部に改質領域を形成するのに際し，本件発明１は，
多光子吸収によって形成するのに対し，甲４発明は，多光子吸収によって形成して
いるか否か不明な点。
（相違点３）本件発明１においては，切断工程が，「この改質領域によって，前
記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定
距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点として前記加工対象
物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程であって，改質領域が切断
の起点となるのに対し，甲４発明においては，切断工程が，「この加工変質層２０６
によって，前記基板２０１の底面付近の基板内部に，ローラー荷重をかけた場合の
割れ方を制御するためのスクライブ・ラインを形成した後，溝部２０４を形成し，
前記溝部２０４の底面にスクライブ・ライン２０７を形成し，その後，前記溝部２
０４に沿ってローラーによって荷重をかけ，前記半導体ウエハーを切断する」とい
う工程であって，基板２０１を切断するものの，加工変質層２０６によるスクライ
ブ・ラインが切断の起点となるか否か不明な点。
イ相違点の検討
(ｱ)相違点１について
甲４の段落【０００５】及び【０００６】の記載によると，甲４発明では，モー
ス硬度が高く，へき開性がないサファイア基板において，クラック，チッピングを
発生させずに綺麗に切断するという課題を解決することが求められていたところ，
加工対象物をサファイア基板以外のものとすることは，上記課題を解決するもので
はなくなるから，このような材料を変更する動機が存在しない。したがって，甲４
発明において，相違点１の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
(ｲ)相違点２について
甲１には，レーザを用いた多光子吸収によって材料の内部にクラックを発生させ
るという技術的事項が記載されており，甲４発明は，レーザ光線を照射し，サファ
イア基板２０１の内部に微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層２０
６を形成するものである。両者に記載された技術的事項は，いずれも，レーザ光を
用いて加工対象物の内部にクラックを発生させるという点では共通しているから，
甲４発明に甲１の上記技術的事項を適用し，甲４発明において，サファイア基板２
０１の内部に加工変質層２０６を形成するに当たり，多光子吸収によって形成する
ようにすることは，当業者であれば容易になし得たことである。
(ｳ)相違点３について
甲４発明においては，加工変質層２０６によって，基板２０１の底面付近の基板
内部に，ローラー荷重をかけた場合の割れ方を制御するためのスクライブ・ライン
を形成した後，溝部２０４を形成し，溝部２０４の底面にスクライブ・ライン２０
７を形成し，その後，溝部２０４に沿ってローラーによって荷重をかけ，半導体ウ
エハーを切断しているところ，ローラを表裏どちらの面に当接させるかについては
特定がなく，切断の起点がどこであるかに関しても説明はない。したがって，甲４
発明の切断方法で，いずれかの箇所において切断の起点は生じると推測できるもの
の，必ずしも加工変質層２０６によるスクライブラインが切断の起点となっている
とはいえず，本件発明１のように，加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側
に形成した領域を起点として，加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる
という工程を有しているとまでとはいえない。むしろ，甲４発明は，へき開性のな
いサファイア基板について溝部２０４及び溝部２０４底面のスクライブライン２０
７を有するもので，加工変質層２０６によるスクライブラインは，割れ方を制御す
るためのものであること，ローラーが溝部に沿って荷重をかけるものであることに
鑑みると，溝部２０４の底面を起点として割れが生じ，その割れを制御すべく加工
変質層２０６によるスクライブラインが機能すると考えるのが自然ともいえる。ま
た，この工程については，甲１～３，５～７にも記載されていないことから，甲４
発明において，相違点３の構成を採用することは，当業者であっても容易ではない。
ウ有利な効果
本件発明１は，相違点１～３に係る構成を備えることにより，割断制御が容易と
なる（本件明細書の段落【００４２】），切断予定ラインから外れた不必要な割れや
溶融が生じることなく半導体チップを切り出すことができる（同【００６０】）とい
った効果等の，甲４発明と比較して有利な効果を奏する。
エしたがって，本件発明１は，甲４発明及び甲１～３，５～７に記載され
た事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
(5)無効理由３のうち本件発明１についての本件審決の判断の要旨
ア本件発明１と甲２発明の一致点及び相違点
（一致点）「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記加
工対象物の内部に改質領域を形成し，この改質領域によって，前記加工対象物の切
断予定ラインに沿って，前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる，
加工対象物切断方法。」
（相違点１）加工対象物が，本件発明１は，「半導体材料からなるウェハ状」の
ものであるのに対し，甲２発明は，ガラス物体である点。
（相違点２）加工対象物の内部に改質領域を形成するのに際し，本件発明１は，
多光子吸収によって形成するのに対し，甲２発明は，多光子吸収によって形成して
いるか否か不明な点。
（相違点３）本件発明１においては，切断工程が，半導体材料である「前記加
工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，
この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」と
いう工程であるのに対し，甲２発明においては，切断工程が，「ガラス物体の内部に
破断点を形成し，破断開封する」という工程であり，「破断点」が切断の起点か否か
は不明である点。
イ相違点の検討
(ｱ)相違点１について
甲２の段落【０００１】及び【００１３】の記載からすると，甲２発明は，ガラ
ス物体，特に，破断開封アンプル特有の課題を解決しようとした発明であることは
明らかであるから，甲２発明において，加工対象物を半導体材料からなるウェハ状
のものとすることは，「破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破
断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成する」というアンプル特有の課題
とは関係がなく，当業者であっても甲２発明の加工対象物をガラス物体から半導体
材料からなるウェハ状のものにしようとする動機はない。したがって，甲２発明に
おいて，相違点１の構成を採用することは，当業者であっても容易ではない。
(ｲ)相違点２について
甲１には，レーザを用いた多光子吸収によって材料の内部にクラックを発生させ
るという技術的事項が記載されており，甲２発明は，ガラス物体の内部にレーザを
照射し，ガラス物体の内部に微小亀裂を形成するものである。両者の技術的事項は
いずれも，レーザ光を用いて加工対象物の内部に亀裂を発生させるという点では共
通しているから，甲２発明に甲１の上記技術的事項を適用し，甲２発明において，
ガラス物体の内部に亀裂を形成するに当たり，多光子吸収によって形成するように
することは，当業者であれば容易になし得たことといい得る。
(ｳ)相違点３について
甲２発明においては，ガラス物体に対しどのように力をかけ，どのように破断開
封しているかが不明であり，それに伴い，ガラス内部に形成された破断点が切断の
起点となるのか否かも不明である。甲２では，実施例として，アンプルの首の破断
について説明するのみで，力のかけ方や破断の機序についての説明はない。したが
って，甲２発明においては，切断工程が，加工対象物のレーザ光入射面から所定距
離内側に形成した領域を起点として，加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生
させるという工程を有しているとはいえない。また，この工程については，甲１，
３～７にも記載されていないことから，甲２発明において，相違点３の構成を採用
することは，当業者であっても容易ではない。
ウ有利な効果
本件発明１は，相違点１～３に係る構成を備えることにより，割断制御が容易と
なる（本件明細書の段落【００４２】），切断予定ラインから外れた不必要な割れや
溶融が生じることなく半導体チップを切り出すことができる，作製される製品の歩
留まりを向上させることができる（同【００６０】）といった，甲２発明と比較して
有利な効果を奏する。
エしたがって，本件発明１は，甲２発明及び甲１，３～７に記載された事
項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
(6)無効理由４のうち本件発明１についての本件審決の判断の要旨
ア本件発明１と甲５発明の一致点及び相違点
（一致点）「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わ
せてレーザ光を照射し，前記加工対象物の内部に改質領域を形成」する点。
（相違点１）加工対象物の内部に改質領域を形成するのに際し，本件発明１は，
多光子吸収によって形成するのに対し，甲５発明は，多光子吸収によって形成して
いるか否か不明な点。
（相違点２）本件発明１においては，「改質領域によって，前記加工対象物の切
断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に，切断
の起点となる領域を形成し，この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向
かって割れを発生させる，加工対象物切断方法」であって，加工対象物の内部に，
切断の起点となる領域を形成して，加工対象物を切断するのに対し，甲５発明にお
いては，「微小領域によって，前記被加工部材の内部に，マーキングする，被加工部
材のマーキング方法。」であって，被加工部材の内部にマーキングはするものの，切
断を前提としていないから切断の起点となる領域を形成するものではないし，加工
対象物を切断もしていない点。
イ相違点の検討
(ｱ)相違点１について
甲１には，レーザを用いた多光子吸収によって材料の内部にクラックを発生させ
るという技術的事項が記載されており，甲５発明は，被加工部材１０の内部にレー
ザ光を照射し，被加工部材１０の内部に光学的損傷を形成するものである。両者に
記載された技術的事項は，いずれも，レーザ光を用いて加工対象物の内部に損傷を
発生させるという点では共通しているから，甲５発明に甲１の上記技術的事項を適
用し，甲５発明において，被加工部材１０の内部に光学的損傷を形成するに当たり，
多光子吸収によって形成するようにすることは，当業者であれば容易になし得たこ
とといい得る。
(ｲ)相違点２について
甲５発明は，マーキング方法に関するものであり，切断方法に関するものではな
い。また，甲５の段落【００４０】及び【００７１】の記載によると，マーキング
によって被加工部材のクラックが表面に到達するのを防止している。そうすると，
甲５発明を，被加工部材１０の切断方法に変更することは阻害要因があり，当業者
であっても，甲５発明のマーキング方法を切断方法に変更することは容易ではない。
また，甲１にはレーザによる合成石英ガラスの切断方法が，甲２にはレーザによ
るガラス物体の破断方法が，甲４にはレーザによるサファイア基板の切断方法が，
甲７にはレーザによる半導体材料の切断方法が記載されているものの，甲５発明は，
マーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにできるものであって，
甲１，２，４，７によりレーザを切断に用いることが公知技術であるとしても，当
該クラックの発生を抑制するものである甲５発明に適用するには阻害要因がある。
ウ有利な効果
本件発明１は，相違点１及び２に係る構成を備えることにより，割断制御が容易
となる（本件明細書の段落【００４２】），切断予定ラインから外れた不必要な割れ
や溶融が生じることなく半導体チップを切り出すことができる，作製される製品の
歩留まりを向上させることができる（同【００６０】）といった，甲５発明と比較し
て有利な効果を奏する。
エしたがって，本件発明１は，甲５発明及び甲１～４，６，７に記載され
た事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
(7)無効理由５のうち本件発明１についての本件審決の判断の要旨
ア本件発明１と甲７発明の一致点及び相違点
（一致点）「半導体材料からなる加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ
光を照射し，前記加工対象物の内部に改質領域を形成し，この改質領域によって，
前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる，加工対象物切断方法。」
（相違点１）半導体材料からなる加工対象物が，本件発明１は，「ウェハ状」で
あるのに対し，甲７発明は，ウェハ状であるのか否か不明な点。
（相違点２）前記加工対象物の内部に改質領域を形成するに当たり，本件発明
１は，「多光子吸収」によるものであるのに対し，甲７発明は，「光学破壊」による
ものである点。
（相違点３）加工対象物を切断するに当たり，本件発明１は，「改質領域によっ
て，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面か
ら所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点として前記加
工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させ」ており，加工対象物の内部に切断
の起点となる領域を形成しているのに対し，甲７発明では，「空隙を前記材料の表面
から鋸運動により所定の経路に沿って，複数結びつかせることによって，前記材料
を切断」しており，加工対象物である材料の内部に切断の起点となる領域を形成し
ているか否か不明な点。
イ相違点の検討
(ｱ)相違点１について
甲４の段落【００４７】に記載されているように，半導体製造の分野において，
ウエハー状のものを切断することは周知技術である。甲７発明は，半導体材料を切
断する技術に関するものであるから，甲７発明において，上記周知技術を適用し，
加工対象物である半導体材料をウエハ状のものとすることは，当業者であれば容易
に想到し得たということができる。
(ｲ)相違点２について
甲１には，レーザを用いた多光子吸収によって材料の内部にクラックを発生させ
るという技術的事項が記載されており，甲７発明は，レーザビームを照射し，材料
の内部に光学破壊により空隙を形成するものである。両者に記載された技術的事項
は，いずれも，レーザを用いて加工対象物の内部に破壊を発生させるという点では
共通しているから，甲７発明に甲１の上記技術的事項を適用し，甲７発明において，
材料の内部に空隙を形成するに当たり，多光子吸収によって形成するようにするこ
とは，当業者であれば容易になし得たことといい得る。
(ｳ)相違点３について
甲７発明においては，材料の表面から空隙を複数結びつかせて材料を切断してい
ると認められる一方，本件発明１は，内部の切断の起点から外部に向けて割れを進
行させるものとなり，空隙を複数結びつかせることによって材料を切断する甲７発
明とは切断の機序が異なる。また，この工程については，甲１～６にも記載されて
いないことから，甲７発明において，相違点３の構成を採用することは当業者であ
っても容易ではない。
ウ有利な効果
本件発明１は，相違点１～３に係る構成を備えることにより，割断制御が容易と
なる（本件明細書の段落【００４２】），切断予定ラインから外れた不必要な割れや
溶融が生じることなく半導体チップを切り出すことができる，作製される製品の歩
留まりを向上させることができる（同【００６０】）といった，甲７発明と比較して
有利な効果を奏する。
エしたがって，本件発明１は，甲７発明及び甲１～６に記載された事項に
基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
第３原告主張の取消事由
１取消事由１（無効理由１に係る進歩性判断の誤り）
本件審決は，次のとおり，甲１発明の認定のほか，本件発明１に関する相違点１
及び２についての進歩性判断を誤っており，当該判断の誤りは，いずれも結論に影
響を及ぼすものである。本件発明２～３１についても同様である。
(1)甲１発明の認定の誤り
ア「切断の起点」の意義
「切断」とは，ある立体を，当該立体を通過するある面で二つに分離することを
意味するところ，ミクロに見た場合，当該立体の内部に形成される切断面において，
当該立体を構成する原子又は分子の間の結合が切れることである。この際，切断面
全体における原子又は分子の間の膨大な数の結合が同時に切れるという事態は生じ
ないから，切断面の形成は一斉には起こらず，想定する切断面に含まれるいくつか
の箇所において，何らかの理由で原子又は分子の間の結合が切れ，その箇所から想
定する切断面内の隣接する箇所へ，また次の隣接する箇所へと，順次結合が切れて
いくことにより，結合の切れた箇所が互いに連なっていき，その結果，想定する切
断面内で次第に，結合の切れた箇所で構成されるマクロなサイズの線，そして面が
形成され，最終的に切断に至るものである。したがって，「切断の起点」とは，何ら
かの理由により結合が切れ始めるいくつかの箇所であって，切断面全体において最
も早く結合の切れた箇所一点のみを指すとは限らず，切断面内のある領域において
最も早く結合の切れた箇所は，全て「切断の起点」となり得る。
イ甲１発明について
本件審決の甲１発明の認定のうち，「切断予定ラインに沿ってワークを水平面内
で移動させつつ焦点の位置を前記合成石英ガラスの底面から上方向に移動させる」
について，ワーク（石英ガラス）に対してみた場合，焦点の位置は，上方向に移動
しているとは限らない。
甲１の実施例１では，「ワークを３ｒ．ｐ．ｍの回転数で回転させながら，焦点の
位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより，直径３０ｍ
ｍの円筒形の孔を開けた。」とされているが，この場合，上記回転数，速さ及び直径
からして，焦点の位置は，石英ガラスに対してらせん状に移動する。そして，「高エ
ネルギービームの照射された個所に数十ミクロン以下の微小なクラックが発生する」
との甲１の記載を踏まえると，上記の場合，焦点の位置に発生する微小なクラック
が，石英ガラスに対してらせん状に形成されることになるが，それらが形成された
だけで切断に至らないことは明らかであり，切断面が形成されるためには，微小な
クラックを起点として，厚さ方向に，より大きいクラックが進展することを要する。
したがって，甲１発明は，微細なクラックを合成石英ガラスの内部で連続させ，
微小なクラックを起点として，より大きいクラックが進展して切断に至る結果，合
成石英ガラスを複雑な形状に切断加工することができるというものである。換言す
ると，甲１発明の要諦は，切断面内で見たときに，微小なクラック群が上方向（厚
さ方向）ではなく水平方向寄りに複数配置され，それら微小なクラック群を上方向
（厚さ方向）に繋ぐように，微小なクラックを起点として，より大きなクラックが
進展し，その結果，切断面が形成される点にあるというべきである。これにより，
切断面が曲面であっても，曲面形状の大枠を微小なクラックで水平方向寄りに形成
しているため，切断面から外れた不必要な割れの発生が生じにくくなる。微小なク
ラックを厚さ方向につないで形成したとしても，一条の連続したクラックが形成さ
れるのみで，切断には至らない。このようにして切断面を形成するには，結局，微
小なクラックで切断面を覆い尽くさねばならないが，非効率極まりなく，現実的に
採り得る方法ではない。しかも，切断面が曲面である場合は特に，前記一条の連続
したクラック同士の間で，切断面から外れた不必要な割れが発生するおそれを低減
できない。
したがって，微細なクラックを合成石英ガラスの内部で連続させることにより，
直ちに（更なるクラックの進展を必要とせずに）合成石英ガラスを複雑な形状に切
断加工するもの，すなわち，微小なクラック同士がワークの底面から上方向へ連続
して切断面を形成する旨のものとして甲１発明を認定した本件審決の認定は誤りで
ある。
ウ被告の主張について
(ｱ)「数十ミクロン以下」との甲１の記載について，厚さ方向，幅方向，
奥行き方向のいずれかに限定した説明はされていないから，いずれについても数十
ミクロン以下である旨の記載と理解すべきである。そして，「数十ミクロン以下」の
微小なクラックが形成された際のピークパワー密度やパルス幅の条件と，実施例１
のピークパワー密度やパルス幅の条件とが異なると説明されていない以上，同様な
条件であると推定される。また，「数十ミクロン以下」との記載が甲１の［作用］の
欄にあることからして，甲１が企図した発明においては微小なクラックは「数十ミ
クロン以下」になると説明されていると理解すべきであり，その一例である実施例
１において形成される微小なクラックも「数十ミクロン以下」になると理解すべき
である。
上記に関し，レーザ光を照射して形成するクラックにおいて，微小なクラックの
厚さ方向の大きさが１ｍｍもの大きさになるとは，技術常識からして考えられない。
それは，甲１の「数十ミクロン」との説明からしても明らかに不自然である。
(ｲ)らせん状に断続的に微小なクラックを形成し，厚さ方向に数周にわた
って微小なクラックを形成した場合であっても，微小なクラックから厚さ方向に亀
裂が自然と進展する（又は押圧等することで進展させる）ことで，円筒状に切断で
きる。紙にミシン目状に孔が形成された切り取り線を想像すれば明らかなように，
物を切断する際に，断続的な切れ込みを形成して，押圧等の力を加えて切断するこ
とは一般的な周知慣用技術であり，切り取り線に従って切断した場合に刃物等で切
断した場合と比較してそれほど遜色なく切断できることも，一般的に知れ渡ってい
る。甲１が想定している従来技術は，直線的な加工しかできないものであるから，
円筒状に切断することは，甲１が想定している複雑な加工に該当する。
(ｳ)甲１の［効果］の欄には，微小なクラックが連続している方向につい
て言及がないところ，それを厚さ方向に連続していると解釈することは，実施例１
におけるクラックの形成方法に照らして明らかに不合理である。
(ｴ)微小なクラックを進展させることについて記載がないからといって，
微小なクラックを進展させていないと理解するのは妥当でない。甲１に接した当業
者は，微小なクラックを進展させて切断していると当然に理解できる。甲１には，
微小なクラックが厚さ方向に１ｍｍ幅につき数十ミクロンの大きさで形成されるこ
と及びこれに沿って切断することが記載されているのであって，例えば，紙にミシ
ン目を形成し，ミシン目に沿って切断すると記載されている際，ミシン目に沿って
亀裂を進展させると説明されていなくとも，そのように理解するのと同様，微小な
クラックを進展させて切断していると，当業者は当然理解する。厚さ方向において，
微小なクラックの部分とクラックが形成されていない部分の比率は，１対数十であ
るところ，この比率が切断の起点としては十分な比率であることは明らかであって，
特に，技術常識である微小なクラックが進展しやすいことに鑑みると，切断の起点
として十分な大きさである。
(ｵ)甲１における「連続的」，「連続させる」といった記載は，らせん状に
連なることであって，厚さ方向に連なることを意味しない。また，「底面」から加工
することと，切断面が円筒面の全域にわたって形成されることは，何ら関連性がな
い。さらに，微小なクラックで切断面を覆い尽くせば切断できるとしても，他の方
法でも切断は可能であるから，切断されている以上は微小なクラックで切断面を覆
い尽くされているとはいえない。微小なクラックで切断面を覆い尽くすためには，
微小なクラックの大きさが数十ミクロンであることに鑑みると，厚さ方向１ｍｍの
幅に対して，数十周もらせん状に微小なクラックを形成する必要があるが，それで
は，本件明細書の記載内容と大きな差異を生じる。甲１の実施例１は切断の効率を
追求したものではないという旨の被告の主張は，およそ現実的ではない。
(2)相違点１についての進歩性判断の誤り
ウェハ状のものを直線状に加工するという周知慣用技術を念頭に置くと，厚板で
あっても自由な切断加工を可能とする発明を，ウェハ状の加工対象を直線状に切断
する加工に転用することは，それが「複雑な形状」にしか切断できず直線状には切
断できないという，よほど特殊な発明でない限り，当業者にとって容易である。ま
た，石英ガラスを対象とする甲１発明が，半導体材料からなる加工対象には適用で
きないという特段の事情も存在しない。
したがって，甲１発明において，半導体材料からなるウェハ状のものを加工対象
とすることは，当業者が容易に想到できることである。
(3)相違点２についての進歩性判断の誤り
ア上記(1)のとおり，甲１発明は，「加工対象物のレーザ光入射面から所定
距離内側に，微小クラックを形成し，この微小クラックを起点として，前記加工対
象物の厚さ方向に向かって，より大きなクラックを発生させる」という工程を有す
る。「微小クラック」は本件発明１の「切断の起点となる領域」に，「より大きなク
ラック」は本件発明１の「割れ」に相当するから，甲１発明と本件発明１とは，切
断の機序を同じくするもので，相違点２は実質的な相違点ではない。
イ甲１発明の実施例１を踏まえると，底面から微小なクラックを発生させ
たとしても，底面内の微小なクラックは，ただ一点に留まる（数十ミクロンという
微小クラックの大きさ及び１ｍｍというらせんのピッチに鑑みると，仮に微小なク
ラックが線状で露出するとしても，実質的には点と異ならない。）。そして，切断面
内で，厚さ方向に大きなクラックが発生する際に始まりとなる点（切断の起点）は，
切断面内のほぼ全ての位置で，石英ガラス（ワーク）内部の点である。したがって，
「切断の起点」がどこかという点においては，底面でも微小クラックが発生してい
ることは意味を持たず，「切断の起点」についても甲１発明と本件発明１とに実質的
な相違はない。
(4)有利な効果について
上記(1)のとおり，甲１発明では，切断面が曲面であっても，曲面形状の大枠を，
微小クラックで水平方向寄りに形成しているため，切断面から外れた不必要な割れ
の発生が生じにくくなるのであり，甲１発明によっても，「不必要な割れが生じにく
いので，割断制御が容易となる」といった効果が得られるから，有利な効果につい
ての本件審決の判断も誤っている。
２取消事由２（無効理由２に係る進歩性判断の誤り）
本件審決は，次のとおり，甲４発明の認定のほか，本件発明１に関する相違点１
及び３についての進歩性判断を誤っており，当該判断の誤りは，いずれも結論に影
響を及ぼすものである。本件発明２～３１についても同様である。
(1)甲４発明の認定の誤り
ア甲４発明について
(ｱ)本件発明１と対応する発明は，甲４の請求項４で開示されているとこ
ろ，同請求項に係る発明は，サファイア基板に限定される発明ではなく，基板一般
に妥当する発明であるから，甲４発明を認定するに当たり，「サファイア基板」とサ
ファイアに限定する必要はなく，「基板」と認定すべきである。
(ｲ)引用発明の認定においても，それが特許文献である以上，特許請求の
範囲の記載は重視されるべきであり，実施形態の記載を重視して限定的に認定する
のは妥当でない。特許法２９条１項３号に照らしても，本件発明１に係る特許出願
前に日本国内において頒布された刊行物に当たる甲４の特許請求の範囲に記載され
た発明は，本件発明の進歩性の判断材料であるというべきであり，特許法２９条の
２において，先願発明の認定について明細書と特許請求の範囲とが並記されている
ことからも，先願発明や引用発明を認定するに当たって，特許請求の範囲の記載を
無視してはならないことが明らかである。加えて，甲４に係る特許出願は，その後
特許査定されているところ（甲４１），特許査定時の特許請求の範囲の請求項４でも
「サファイア基板」とはされず，単に「基板」とされており，同出願を審査した審
査官は，甲４の【発明の詳細な説明】では，サファイアであることを必須とせず，
基板一般について開示されていると判断している。
イ被告の主張について
引用文献に記載されている発明を認定するに当たって，特許請求の範囲の記載を
無視することは許されない。特許請求の範囲には，発明の詳細な説明をもとに実施
できるものと出願人が考えている内容が記載されていることにも留意すべきである。
この点，甲４の特許請求の範囲の文言について言及することなく，甲４の段落【０
００４】～【００１３】の記載を引用して主張する被告の主張は妥当でない。甲４
の請求項１の記載からも分かるように，具体的な技術的思想は，特許請求の範囲に
も記載されており，特許請求の範囲において基板として特定している以上，甲４発
明は，サファイア基板に限らず，基板全般について適用できると説明しているもの
と理解される。
(2)相違点１についての進歩性判断の誤り
ア相違点１の認定について
甲４発明について，上記(1)のとおり単に「基板」として認定した上，甲４の請求
項１の文言からも明らかなように，「基板」上に窒化物半導体が積層されていること
を踏まえると，正しい相違点１は，次のとおりとなる（以下「相違点１’」という。）。
（相違点１’）「加工対象物が，本件発明１は，「半導体材料」であるのに対し，
甲４発明は，「窒化物半導体が積層された基板」である点。」
イ進歩性判断について
(ｱ)窒化物半導体が積層された基板は，全体としてみれば半導体材料であ
るから，甲４発明の「窒化物半導体が積層された基板」と本件発明１の「半導体材
料」は一致し，相違点１’は，実質的な相違点とならない。
仮に，甲４発明の「窒化物半導体が積層された基板」を全体としてみることがで
きず，半導体材料に該当しないとしても，甲４発明の属する「スクライブ・ライン
を形成して基板を割断する技術分野」において，加工対象物を半導体基板（すなわ
ち半導体材料）とすることは，周知慣用の技術である。したがって，相違点１’が
実質的な相違点になるとしても，周知慣用技術を適用することで，甲４発明をもと
に，加工対象物を半導体材料とすることは，当業者が容易に想到できる。
(ｲ)甲４の段落【０００５】及び【０００６】は，サファイア基板の場合
に特に不都合が大きいことを説明しているのみで，他の基板の場合に不都合が生じ
ないと述べるものではない。むしろ，甲４の段落【００１３】の記載から明らかな
ように，甲４は，基板の種類に関係なく生じる切断面のクラック，チッピングを抑
制することを課題としていると理解すべきであり，甲４発明について，サファイア
基板を必須とすることを前提とするのは誤っている。
ウ被告の主張について
(ｱ)本件特許出願時より前から，スクライブ・ラインを形成して割断する
対象は，半導体基板に限られるものではなく，例えば，甲４のように，サファイア
基板も対象とされていたもので，「スクライブ・ラインを形成して基板を割断する技
術分野」は存在する。そして，甲４が当該技術分野に属するものである以上，周知
慣用技術を適用することは，当業者が容易に想到できる。
なお，割断する技術において，対象をどのようなものにするかは，当業者が創意
工夫する事項であり，甲４に接した当業者は，加工対象物である基板をどのような
ものにするか，当然創意工夫するのであって，その際にスクライブ・ラインを形成
して割断する際に周知慣用な加工対象物を選択することは，容易に想到できること
である。
(ｲ)甲４の段落【０００３】～【００１２】は，甲４が直面している課題
がより鮮明となる事象について説明するのみで，課題が当該内容に限定される理由
はない。甲４の段落【００１３】に記載されているように，窒化物半導体ウエハー
全般について，クラックやチッピングの課題があるところ，硬度が非常に硬い基板
では，この課題がより際立っていることが説明されているにすぎない。
(3)相違点３についての進歩性判断の誤り
ア相違点３の認定について
(ｱ)上記(1)のとおり，引用発明の認定においても特許請求の範囲の記載
は重視されるべきところ，甲４の請求項４に係る発明は，その内容からして，スク
ライブ・ライン２０７を必須とせず，スクライブ・ライン２０６しか有しないもの
も想定している。なお，半導体ウエハーにスクライブ・ラインを形成して割断する
分野において，スクライブ・ラインは一方の面にだけ形成すれば十分であり，両方
の面に形成しなければならない理由はない。
この点，複数の拒絶理由通知において，甲４に「研磨加工されたウエーハの裏面
側からウエーハに対してレーザー光線を照射してウエーハの内部に変質層を形成し，
ウエーハを個々のチップに分割する分割方法が記載されている」との特許庁の認識
が示されている。
また，前記のとおり，甲４に係る特許出願は，その後特許査定がされているとこ
ろ（甲４１），特許査定時の甲４の請求項４に係る発明も，スクライブ・ライン２０
７を必須とせず，スクライブ・ライン２０６しか有しないものを想定しており，特
許出願を審査した審査官は，甲４の【発明の詳細な説明】には，スクライブ・ライ
ン２０７を必須とせず，スクライブ・ライン２０６しか有しないものも開示されて
いると判断している。
そうすると，甲４発明において，分離（切断）の起点となり得るのは，スクライ
ブ・ライン２０６のみとなり，それが分離（切断）の起点となる。
(ｲ)以上より，正しい相違点３は，次のとおりである（以下「相違点３’」
という。）。
（相違点３’）本件発明１においては，切断工程が，「この改質領域によって，
前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所
定距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点として前記加工対
象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程であって，改質領域が切
断の起点となるのに対し，甲４発明においては，切断工程が，「この加工変質層２０
６によって，前記基板２０１の底面付近の基板内部に，スクライブ・ラインを形成
した後，ローラーによって荷重をかけ，前記半導体ウエハーを切断する」という工
程であって，加工変質層２０６によるスクライブ・ラインが切断の起点となる点。
(ｳ)本件審決は，甲４発明について，必ずしも加工変質層２０６によるス
クライブ・ラインが切断の起点となっているとはいえないとした上で，溝部２０４
の底面を起点として割れが生じ，その割れを制御すべく加工変質層２０６によるス
クライブ・ラインが機能すると考えるのが自然ともいえると判断しているが，スク
ライブ・ライン２０６が分離（切断）の起点となることは，前記のとおり明らかで
あるし，加工変質層２０６について，「ローラー荷重をかけた場合の割れ方を制御す
るための」ものとする本件審決の認定は，甲４の記載に基づくものではなく，当業
者にとって明らかな事項でもなく，不要であり，かつ，誤っている。
また，本件審決は，甲４では溝を形成せずに切断している実施例は存在せず，溝
を形成せずにサファイア基板を切断している場合にどのように切断するかは明らか
ではない，仮に溝が形成されていないサファイア基板を切断するとしても，切断の
起点が基板内部の加工変質層から必ず発生するということは甲４の記載からは読み
取れないと判断するが，甲４の請求項４には，溝を必須としない態様も開示されて
おり，溝を形成しない基板を切断する技術が開示されていると認定すべきであって，
基板内部に加工変質層２０６しか存在しない以上，それが切断の起点となることは，
当業者にとって明らかである。
イ進歩性判断について
相違点３’について，本件発明１の構成と甲４発明の構成は，実質的に同一であ
るから，相違点３’に係る構成は，当業者が容易に想到することができる。
ウ被告の主張について
(ｱ)甲４の請求項１及び４には，①基板の表面側及び裏面側の両方の内部
にスクライブ・ラインを形成する技術，②基板の表面側の内部にスクライブ・ライ
ンを形成する技術並びに③基板の裏面側の内部にスクライブ・ラインを形成する技
術が，明確に具体的に記載されているところ，いずれの技術においても，基板の表
面及び裏面に露出したスクライブ・ラインは必須として説明されていない。むしろ，
上記①の技術にあっては，表面側及び裏面側の内部にスクライブ・ラインを形成し
ている以上，表面及び裏面の両方とも露出したスクライブ・ラインが形成されてい
ないとすら理解される。
この点，甲４には片側からのみの加工で窒化物半導体ウェハーの表裏両面から加
工したのと同じ効果を得ることができる方法しか記載されていない旨の被告の主張
は，原告の主張と矛盾しない。また，上記②及び③だけでなく，あえて上記①の態
様が記載されている以上，上記②又は③の態様は，「基板の表面側のみに」又は「基
板の裏面側のみに」スクライブ・ラインを形成する技術と考えるべきであり，被告
の上記主張は誤っている。乙１に係る被告の主張についても同様である。
(ｲ)甲４の審査の過程で特許出願人が提出した意見書（乙２）からは，せ
いぜい基板の表面側及び裏面側の両方にスクライブ・ラインを形成する技術を必須
としていることしか読み取れず，それは，原告の主張と矛盾しない。また，同意見
書は，いわゆるベストモードの効果についていうものにすぎず，発明全般の効果に
ついて説明しているものとは解されない。
(4)有利な効果について
ア有利な効果についての本件審決の判断は，甲４発明との相違点に基づい
た効果としての判断かどうかが不明である。また，加工対象物の内部にレーザ光を
集光して加工変質層を形成し，この加工変質層をもとに加工対象物を切断する甲４
発明でも，当該構成から，当然に，本件発明１と同様の有利な効果を奏するものと
いえる。
イ被告の主張について
本件発明１が溶融処理領域を必須とする発明ではない以上，溶融処理領域による
有利な効果の主張は不当である。また，甲４の請求項１に記載のとおり，甲４発明
は，半導体ウエハーを半導体素子に分割する技術であり，甲４に半導体チップを半
導体ウェハから切り出すことについての記載がないとの主張は誤っている。
３取消事由３（無効理由３に係る進歩性判断の誤り）
本件審決は，次のとおり，本件発明１に関する相違点１及び３についての進歩性
判断を誤っており，当該判断の誤りは，いずれも結論に影響を及ぼすものである。
本件発明２～３１についても同様である。
(1)相違点１についての進歩性判断の誤り
甲２発明は，ガラス板を分離するために適切な破断点を形成する方法に関するも
ので，傷の発生を避けるとの効果を奏するのであるから，本件発明１の「加工対象
物のレーザ光入射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，この領
域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生」させるとの構成
や，これにより「割断時，切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにく」く
なるとの効果が甲２発明と共通していることは明らかである。また，甲２発明を破
断開封アンプル特有の課題の解決に限ることは，甲２の段落【００３６】及び【０
０３７】の記載に反している。さらに，ガラスを対象とする切断方法をシリコン等
半導体に適用することの阻害要因も，本件審決は何ら示していない。本件審決の判
断は，本件発明１の進歩性を認めるとの結論を先取りし，あえて構成や効果を限定
的に解した誤ったものである。
(2)相違点３についての進歩性判断の誤り
甲２発明の請求項１の記載から，甲２発明が「ガラス壁を破断するためまたはガ
ラス板を分離するために」，「微小亀裂」を「ガラス壁またはガラス板の内部に形成
する」以上，当該「微小亀裂」が「切断の起点」となることは明白である。例えば，
ミシン目を形成して紙を切断すると説明されている際に，説明がなくとも当該ミシ
ン目が切断の起点になることは，当業者はもとより一般人であっても自明である。
(3)有利な効果について
上記(1)のとおり，甲２発明と本件発明１の効果は共通する。
(4)被告の主張について
ア被告は，ガラス板（アンプルの首領域）を分離するために適切な「破断
点」を形成することと，半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の切断のために
適切な「切断の起点となる領域」を形成することとは，全く異なると主張するが，
具体的に「物」としてどのような差があるのかを説明していない。甲２の加工対象
物の内部に形成された他の部分と異なる領域である「分離するための適切な破断点」
は，他の部分と異なる領域という点で，本件発明１の「切断の起点」と「物」とし
て同じものを指している。加えて，甲２においても，破断点をもとに分離している
以上，それが分離の起点，すなわち切断の起点になっているのは明らかであり，機
能の点でも一致している。
また，甲２において，人の指に対する傷の発生を避けることができるのは，破談
部分に，不必要なバリ（割れ）等が生じにくくなるからであり，甲２においても，
不必要な割れが生じにくくなるという効果を奏している。
イ被告が主張する特殊な切断プロセスを要するガラス管やフラットガラス
は，甲２に明示されている加工対象物であり，それらを加工対象物とできることに
ついては，容易に想到できるかどうかを検討するまでもない。当業者の創作の範囲
は，甲２に記載されている内容を超えて，どこまで創作できるかの問題であるとこ
ろ，甲２にフラットガラスが挙げられている以上，それと類似した形状のウェハ状
のものも，甲２発明を適用しようと考える加工対象物であるといえる。
ウ阻害要因についての被告の主張は，甲２の段落【００１３】のどの記載
を根拠とするものか明らかでない。また，仮に，同段落に記載されている内容から，
甲２がアンプルの提供を課題としていると理解するのであれば，課題を狭くとらえ
すぎており，妥当でない。このことは，甲２自体がフラットガラス等へ適用するこ
とを想定していることからも明らかである。同段落から認定される甲２の課題は，
再現性の良い切断方法を提供するという程度に理解すべきである。
４取消事由４（無効理由４に係る進歩性判断の誤り）
本件審決は，次のとおり，本件発明１に関する相違点２についての進歩性判断を
誤っており，当該判断の誤りは，結論に影響を及ぼすものである。本件発明２～３
１についても同様である。
(1)相違点２についての進歩性判断の誤り
当業者は「マーキング」と「切断」とを，およそ性質を異にする加工方法として
ではなく，同じレーザ加工方法の下位概念に分類される，近縁の加工方法として認
識していた。したがって，材料内部のレーザ加工をいずれの方法に適した態様で行
うかは，レーザのパラメータを調整する等，適宜設計可能な事項にすぎなかった。
甲５の段落【００４０】及び【００７１】の記載についても，被加工部材のクラッ
クが表面に到達するのを防止しているのは，正にそれが「マーキング」に用いる態
様であるからにすぎず，これを「被加工部材のクラックが表面に到達する」ように
して切断に用いることは，当業者にとって容易である。また，同じ理由により，甲
１，２，３及び７記載の技術と甲５発明とを組み合わせることにも阻害要因はない。
(2)有利な効果について
甲５発明は，シリコン基板を含む薄板状の被加工部材のマーキング加工において，
表面までクラックが到達することで表面が損傷し，被加工部材の破片等が原因とな
るゴミが発生することを課題としている（甲５の段落【００７１】等）のであり，
割断制御を容易とし歩留まりを向上させるとの本件発明１の課題や効果と共通する。
(3)被告の主張について
ア阻害要因に係る被告の主張は，当業者の通常の創作性の範囲を狭めてお
り，不当である。マーキング方法に関する特許文献は，いずれもマーキング方法を
提供することを課題としているところ，そのことゆえにマーキング方法に関する特
許文献を切断方法に転用することにいずれも阻害要因があるとすることは，技術の
実態として不当である。マーキング方法と切断方法は，レーザ加工技術において，
極めて密接した関連性のある技術であり，切断方法の研究者は，当然，マーキング
方法の技術を調べる。
イ甲５発明を切断加工に転用した場合，本件発明１と同様な効果が得られ
る以上，本件発明１の有利な効果は，進歩性を肯定させるほどの事情とはならない。
５取消事由５（無効理由５に係る進歩性判断の誤り）
本件審決は，次のとおり，甲７発明の認定のほか，本件発明１に関する相違点１
の認定及び相違点３についての進歩性判断を誤っており，当該判断の誤りは，いず
れも結論に影響を及ぼすものである。本件発明２～３１についても同様である。
(1)甲７発明の認定の誤り
本件審決における甲７発明の発明特定事項のうち，「空隙」を「複数結びつかせる」
というプロセスは，逆穿孔手順による超微細孔の形成の説明において登場するもの
で，鋸運動による切断溝の形成の説明には登場しない。したがって，鋸運動による
切断溝の形成に係る発明を認定するのであれば，「光学破壊により空隙を形成し」は，
「光学破壊により破壊された領域を形成し」と，「この空隙を前記材料の表面から鋸
運動により所定の経路に沿って，複数結びつかせること」は，「この破壊された領域
を前記材料の表面から鋸運動により所定の経路に沿って形成すること」とそれぞれ
認定すべきである。
(2)相違点１の認定の誤り
本件審決における甲７発明の発明特定事項のうち，「半導体等の材料」は，当然，
シリコンウェハほか半導体ウェハを含む。これは，甲７に，「シリコンまたはガリウ
ム砒素ウェーハ」といった記載がある点に照らして明らかである。したがって，本
件審決の相違点１の認定は誤りである。
(3)相違点３についての進歩性判断の誤り
上記(1)を踏まえると，甲７発明は，「破壊された領域を前記材料の表面から鋸運
動により所定の経路に沿って形成することによって，前記材料を切断」するものと
認定すべきところ，「鋸運動」においては，厚さ方向において，「空隙を複数結びつ
かせることによって材料を切断」しておらず，本件発明１と同じく，「加工対象物の
レーザ光入射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域（破壊された領域）を
形成し，この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生」
させることによって加工対象物を切断しており，その機序は同じである。「破壊され
た領域を前記材料の表面から鋸運動により所定の経路に沿って形成する」際，当然，
切断面は「鋸運動」が行われる面（「鋸運動」で形成する「破壊された領域」が含ま
れる面）であることが想定されているところ，その場合，鋸運動によって材料内部
に形成される複数の「破壊された領域」のうち，材料内部に形成された上から２本
目以降の領域が「切断の起点」にはならないとすると，所望の切断面は得られない。
したがって，材料内部に形成された「破壊された領域」は，当然，「切断の起点」で
あって，甲７では，切断の起点が加工対象物の内部であることも開示されていると
いえる。
(4)有利な効果について
甲７に開示された，「鋸運動」による材料内部での「破壊された領域」の形成によ
っても，本件発明１の「割断時，切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じに
く」くなるといった効果を奏する。
(5)被告の主張について
被告は，鋸運動において形成される各空隙が上下間でも相互に結びついている根
拠について，何ら説明していない。
この点，仮に，空隙が上下間で相互に結びついているのであれば，当該空隙は，
破壊された領域から延びた亀裂をも含む概念と理解すべきである。技術常識からす
ると，レーザ光を照射して，他の部分と性質を変化した領域を形成する際，当該領
域の大きさは，数十ミクロン等の小さなものであり，そこから亀裂が進展すること
はあるにしても，甲７において，そのような小さな領域自体を上下間で結びつくよ
うにレーザ加工をすることは，技術常識としてあり得ない。例えば，１ｃｍ厚のも
のを切断するためでも，鋸運動を数十回行わなければならなくなり非現実的である。
したがって，甲７発明によって形成される「破壊された領域」は，上下間で相互に
結びついているものではないというべきである。
第４被告の主張
１取消事由１（無効理由１に係る進歩性判断の誤り）について
(1)甲１発明の認定の誤りの主張について
ア甲１の実施例１において，らせんが形成されただけでは切断に至らない
という前提は誤っている。甲１には実施例１において形成される微小なクラックの
厚さ方向の寸法は記載されておらず，「数十ミクロン以下」という記載が微小クラッ
クの厚さ方向の寸法であると解すべき理由はない。また，微小クラックの寸法は，
レーザ光のピークパワー密度やパルス幅によって大きく変化し得るが，上記数十ミ
クロン以下の微小クラックが形成された際のピークパワー密度やパルス幅の条件と，
実施例１のピークパワー密度やパルス幅の条件とが同一である旨の記載もない。ら
せんのピッチが１ｍｍとされているからといって，切断面となるべき円筒面の全域
にわたって微小なクラックが形成されていないことにはならない。
また，甲１発明は，石英ガラスなどの透明材料を複雑な形状に加工することと，
厚板であっても自由な切断加工を可能にすることとを目的としており，甲１の実施
例１もその一例と解されるから，仮に，甲１の実施例１が微小クラックを起点とし
てより大きいクラックを進展させるものであるとすると，甲１発明は，微小クラッ
クを起点としてより大きいクラックを進展させることで，厚板の透明材料を複雑な
形状に加工することが可能な発明であるということになるが，そのような発明が甲
１に開示されているとは解されない。微小クラックを起点としてより大きいクラッ
クを進展させることで厚板の透明材料を複雑な形状に加工することができるとは考
えられず，厚板の透明材料を複雑な形状に加工するためには，切断面全域にわたっ
て微小なクラックを連続させることが必要と考えられる。現に，甲１の［効果］欄
には，「例えば，石英ガラスに対しエキシマレーザを照射すると，微細なクラックが
透明材料の内部に発生する。これを連続させることによって透明材料を複雑な形状
に切断加工できる。」と記載されている。
以上のことと，甲１に微小クラックを進展させることについての記載が全くない
ことからすると，甲１発明は，切断面全域にわたって微小なクラックを連続させる
ことで透明材料を切断する発明であり，甲１の実施例１も，切断面となるべき円筒
面の全域にわたって微小なクラックを連続させるものと解するのが妥当である。
イ甲１における，「透明材料に連続的なクラックを発生させることによっ
て透明材料を切断加工する」，「焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎ・・・ワーク底面より
引き上げることにより，・・・円筒形の孔を開けた。」，「例えば，石英ガラスに対し
エキシマレーザを照射すると，微細なクラックが透明材料の内部に発生する。これ
を連続させることによって透明材料を複雑な形状に切断加工できる。」等の記載に
接した当業者は，甲１の実施例１を，切断面となるべき円筒面の全域にわたって微
小なクラックを形成しているものと理解する。
ウ仮に，実施例１で形成される微小なクラックの厚さ方向の寸法が数十ミ
クロンで，らせんが形成されただけでは切断に至らないといえたとした場合，甲１
には微小なクラックを厚さ方向に進展させることについて一切記載がされておらず，
らせんのピッチが１ｍｍとすると，切断面となるべき円筒面のごく一部にしか微小
クラックが形成されないことになり，厚さが１５０ｍｍもあるガラス板が円筒状に
切断されるはずがなく，実施例１は実施不能なものとなるにすぎない。
エ原告は，微小クラックで切断面を覆い尽くすことは，非効率極まりなく，
現実的に採り得る方法ではない旨主張するが，根拠を示していない。仮に，手数が
かかるとしても，甲１の実施例１は，切断の効率を追求したものではないから，非
現実的とはいえない。
また，微小クラックで切断面を覆い尽くす場合に切断面から外れた不必要な割れ
が発生することはあり得ない。逆に，原告が主張するように，切断面のごく一部に
しか形成されない微小クラックを進展させようとした場合には，切断面から外れた
不必要な割れが発生するおそれがある。
(2)相違点１についての進歩性判断の誤りの主張について
仮に，甲１発明が，原告がいうような，「複雑な形状にしか切断できず，直線状に
は切断できないという，よほど特殊な発明」ではないとしても，そのことは，甲１
発明をウェハ状の加工対象を直線状に切断する加工に転用することが「可能」であ
ることの理由にはなり得ても，それが「容易」であることの理由にはならない。
(3)相違点２についての進歩性判断の誤りの主張について
甲１には，実施例におけるクラックの深さ方向の大きさがどの程度になるかの記
載はないが，微小なクラックが深さ方向にある程度の大きさを有していることは明
らかであるから，微小なクラックは表面及び底面に点で露出するのではなく，線状
に露出すると考えるのが妥当である。
また，前記(1)のとおり原告の主張が成り立たない以上，厚さ方向に大きなクラッ
クが発生する際，始まりとなる点が切断面内のほぼ全ての位置で石英ガラス（ワー
ク）内部の点であるとの原告の主張は，前提を欠くものである。
(4)有利な効果について
前記(1)のとおり原告の主張が成り立たない以上，原告の主張は前提を欠くも
のである。
２取消事由２（無効理由２に係る進歩性判断の誤り）について
(1)甲４発明の認定の誤りの主張について
ア特許法２９条１項３号の「刊行物に記載された発明」は，当業者が，出
願時の技術水準に基づいて本願発明を容易に発明することができたかどうかを判断
する基礎となるべきものであるから，当該刊行物の記載から抽出し得る具体的な技
術的思想でなければならない。このことは，刊行物が特許文献か否か，刊行物の記
載が特許請求の範囲の記載か発明の詳細な説明の記載かで何ら変わりがない。した
がって，たとえ引用文献の特許請求の範囲の記載に含まれる事項であっても，その
引用文献の記載全体から当業者が具体的な技術的思想として抽出できない事項は，
引用発明としては認定できないというべきである。
イ甲４の段落【０００１】～【００１３】の記載を踏まえて甲４の記載全
体を理解すると，甲４からは，サファイアのような「窒化物半導体との格子定数不
整が大きい」，「へき開性を有していない」，「モース硬度がほぼ９と非常に硬い」（段
落【０００５】）といった特性を有する加工対象物特有の課題を解決しようとした発
明しか，具体的な技術的思想としては抽出できず，「基板」全般を加工対象物とする
具体的な技術的思想は抽出できない。
なお，甲４に係る特許出願を審査した審査官の判断に，本件訴訟の判決が拘束さ
れるいわれはない。そもそも審査は，「刊行物に記載された発明」の内容を認定する
ために行われるものでもない。さらに，特許請求の範囲の記載のみをもって，審査
官の判断内容を推し量ることができないことも明らかである。
(2)相違点１についての進歩性判断の誤りの主張について
ア前記(1)によると，原告の主張は前提を欠くものである。
イスクライブ・ラインを形成して基板を割断する技術分野において，加工
対象物を半導体基板（すなわち半導体材料）とするというような周知慣用の技術は
存在しない。半導体基板をスクライブ・ラインを形成して割断する技術自体は従来
から知られていた技術であるが，それはあくまでも，半導体基板を分割する手法が
模索される中で開発された技術であり，加工対象物を問わない「スクライブ・ライ
ンを形成して基板を割断する技術」というものがあって，その加工対象物を半導体
基板とするという思想に基づく技術ではない。
また，甲４記載の「スクライブ・ラインを形成して基板を割断する技術」は，「加
工変質層２０６によって，基板２０１の底面付近の基板内部に，ローラー荷重をか
けた場合の割れ方を制御するためのスクライブ・ラインを形成した後，溝部２０４
を形成し，前記溝部２０４の底面にスクライブ・ライン２０７を形成し，その後，
前記溝部２０４に沿ってローラーによって荷重をかけ，前記半導体ウエハーを切断
する」といった構成を備えた，サファイア基板の分割に特化された技術であるから，
仮に，原告の主張する周知慣用の技術を前提としても，そのことは，甲４発明の加
工対象物を半導体基板に置換することが容易想到であったことの理由にはならない。
ウ甲４の段落【００１３】の記載から，甲４の課題が基板の種類に関係な
く生じる切断面のクラック，チッピングを抑制することであるとは理解されない。
同段落でいう「窒化物半導体ウエハー」が，ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＧａＰなど
の半導体ウエハーではなく，「サファイアやスピネル等のへき開性を有せず硬度が
非常に硬い基板上に窒化物半導体が積層されたウエハー」を指すことや，同段落で
いう「クラック，チッピング」がそのような「窒化物半導体が積層されたウエハー」
特有の課題を指していることは，甲４の段落【０００３】～【００１２】の記載か
ら明らかである。
(3)相違点３についての進歩性判断の誤りの主張について
ア本件審決の相違点３の認定に誤りはない。
甲４の段落【０００９】，【００１０】及び【００６７】の記載を含む甲４の記載
全体を考慮すると，甲４に接した当業者が，「スクライブ・ライン２０６は形成する
がスクライブ・ライン２０７は形成しない加工対象物を切断する方法」の発明を，
具体的な技術的思想として抽出し得たとする根拠はない。上記各段落が甲４発明全
体に係る課題・効果の記載であること，甲４に開示される実施例（実施例１～５）
は，いずれも「片側からのみの加工で窒化物半導体ウェハーの表裏両面から加工し
たのと同じ効果を得る」（上記段落【００６７】）ことができるものとされているこ
と等を考慮すると，甲４の記載から当業者が抽出し得た具体的な技術的思想は，上
記「片側からのみの加工で窒化物半導体ウェハーの表裏両面から加工したのと同じ
効果」を得ることができる方法だけである。この効果は，「スクライブ・ライン２０
６は形成するがスクライブ・ライン２０７は形成しない加工対象物を切断する方法」
により得られないことは明らかである。
甲４発明と同様に，サファイア基板を切断加工の対象として想定した特開昭５０
－６４８９８号公報（乙１）においても，「サファイア基板の両方の面にスクライブ・
ラインを形成したことで，分割面をほぼ直線状にすることができた」旨記載されて
おり，そのような知見をも有した上で，上記段落【０００９】及び【００１０】の
記載を記載に接した当業者は，甲４発明を，「スクライブ・ライン２０６を形成する
場合には，スクライブ・ライン２０７を形成することも必要な発明である。」と当然
に理解する。
なお，甲４発明を認定するに当たって，溝部２０４を必須のものとする必要があ
るかないかは，本件審決の判断の当否とは無関係である。
イ原告が主張する拒絶理由通知は，本件発明とは異なる発明に対してされ
たものである上，本件審決がそれらの認定に拘束されるいわれはない。
ウ原告は，甲４に係る特許出願の登録時の特許請求の範囲でもスクライブ・
ライン２０７が必須とされていない旨主張するが，当該出願を審査した審査官の判
断に本件の無効審判事件の審決が拘束されるいわれはない。
また，当該出願の審査経過をみると，審査官において，甲４の【発明の詳細な説
明】に，スクライブ・ライン２０７を必須とせず，スクライブ・ライン２０６しか
有しないものも開示されているとの判断をしていないことは明らかである。当該出
願の審査経過に係る平成１４年７月３０日付け意見書（乙２）において，出願人は，
「片側からのみの加工で窒化物半導体ウエハーの表裏両面から加工したのと同じ効
果を得ることができる」という効果を強調しているところ，それが，「片側からのみ
の加工により窒化物半導体ウエハーの表裏両面にスクライブ・ライン乃至スクライ
ブ溝を形成可能であること」を表していることは，甲４の段落【０００９】，【００
１０】及び【００６７】並びに各実施例についての記載から明らかである。
エ加工変質層２０６が，ローラー荷重をかけた場合の割れ方を制御するた
めのものであることは，甲４の段落【００１０】及び図２の記載や，甲２３に示さ
れる技術常識等から当然に導出される事項である。
(4)有利な効果について
甲４には，溶融処理領域を形成することについての記載も半導体チップを半導体
ウェハから切り出すことについての記載もないから，有利な効果についての本件審
決の認定にも誤りはない。
３取消事由３（無効理由３に係る進歩性判断の誤り）について
(1)相違点１についての進歩性判断の誤りの主張について
アガラス板（アンプルの首領域）を分離するために適切な「破断点」を形
成することと，半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の切断のために適切な「切
断の起点となる領域」を形成することとは，全く異なる。人の指に対する傷の発生
を避けるという効果と，割断時，切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じに
くくなるという効果も全く異なるものである。
イ甲２の段落【００３６】及び【００３７】の記載は，引用発明となり得
るような具体的な技術的思想を何ら開示するものではない。
仮に，上記各段落の記載をもって，甲２発明を破断開封アンプル以外の加工対象
物に適用しようとの発想はあるといえたとしても，甲２発明の全体の課題を記載し
た甲２の段落【００１３】やそれに先立つ段落【００１０】，【００１１】等の記載
に照らすと，甲２の段落【００３６】でいう「ガラス管を切断等する多くの適用」
や，甲２の段落【００３７】でいう「フラットガラスの分野」における「特殊な切
断プロセス」も，甲２の段落【００１０】でいう「破断中の破断ガラスのリスク」，
あるいは甲２の段落【００１１】でいう「アンプルの漏洩または時期尚早破断」を
避ける必要のある特殊な切断プロセスを指していると解するのが自然である。した
がって，当業者が甲２発明を適用しようと考える「破断開封アンプル以外の加工対
象物」の範囲は，せいぜいそのような特殊な切断プロセスを要するガラス管やフラ
ットガラスまでであり，少なくとも，半導体材料からなるウェハ状の加工対象物が
その範囲に含まれていないことは明らかである。
このことは，本件特許の出願前から「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」
を切断する技術が半導体チップの製造プロセスに不可欠の技術であって，極めて需
要の高い技術であったにもかかわらず，甲２がその技術を「半導体材料からなるウ
ェハ状の加工対象物」の切断に利用することについての示唆すらしていないという
事実からも明らかである。
ウ阻害要因がなくても動機付けがなければ容易想到とはいえない。また，
仮に，甲２発明の加工対象物を「シリコンウェハ」に換えた場合には，甲２の段落
【００１３】に示される課題自体が存在しないことになり，甲２発明の意味がなく
なってしまうという意味において，甲２発明の加工対象物を「シリコンウェハ」に
換えることに対しては，阻害要因があるともいえる。
(2)相違点３についての進歩性判断の誤りの主張について
原告は，具体的な根拠を何も示していない。甲２の実施例においては，破断点は
甲２の段落【００４０】に記載されるようにアンプルの首（締め付け）の領域に形
成されるから，その部分の表面に応力が集中し，その表面が切断の起点となること
も否定はできない。その意味で，「破断点が切断の起点となるのか否かも不明であ
る。」とした本件審決の認定に誤りはない。
(3)有利な効果について
前記(1)アのとおり，甲２発明と本件発明１の効果は共通せず，本件発明１が本件
審決が認定したとおりの有利な効果を奏することは明らかである。
４取消事由４（無効理由４に係る進歩性判断の誤り）について
(1)甲５発明のマーキング方法を切断方法に変更した場合に，甲５発明の「薄
板状の被加工部材にマーキングする際にも，表面まで達するクラックの発生を抑制
することができるマーキング方法及びマーキング装置を提供する。」という課題が
解決できなくなることは明らかであるから，甲５発明のマーキング方法を切断方法
に変更することについて阻害要因がある。
(2)甲５発明は，加工対象物を切断する発明ではないから，本件審決が認定し
た本件発明１の有利な効果を奏し得ない。
５取消事由５（無効理由５に係る進歩性判断の誤り）について
(1)甲７からは，本件審決が認定したとおりの甲７発明が抽出可能であり，甲
７には，「空隙ではない破壊された領域」により加工対象物を切断できる旨の記載は
ないから，本件審決の甲７発明の認定に誤りはない。甲７発明を原告主張のように
認定することは，具体的な技術的思想として開示されていない事項までを含んだ発
明を認定することとなって，妥当でない。
(2)甲７には，原告が主張するような「加工対象物のレーザ光入射面から所定
距離内側に，切断の起点となる領域（破壊された領域）を形成し，この領域を起点
として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生」させることにより加工対
象物を切断する方法の発明は記載されていない。甲７発明の「切断」における原告
主張の「破壊された領域」は，「空隙」であり，鋸運動における各空隙は上下間でも
相互に結びついているものである。そして，そのような相互に結びついた空隙は，
「切断面」自体を構成するものであって「切断の起点」ではない。
第５当裁判所の判断
１本件発明について
(1)本件明細書の記載
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】
【０００２】本発明は，半導体材料基板からなる加工対象物の切断に使用され
る加工対象物切断方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】レーザ応用の一つに切断があり，レーザによる一般的な切断は
次の通りである。例えば半導体ウェハやガラス基板のような加工対象物の切断する
箇所に，加工対象物が吸収する波長のレーザ光を照射し，レーザ光の吸収により切
断する箇所において加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工
対象物を切断する。しかし，この方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所と
なる領域周辺も溶融される。よって，加工対象物が半導体ウェハの場合，半導体ウ
ェハの表面に形成された半導体素子のうち，上記領域付近に位置する半導体素子が
溶融する恐れがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】加工対象物の表面の溶融を防止する方法とし
て，例えば，特開２０００－２１９５２８号公報や特開２０００－１５４６７号公
報に開示されたレーザによる切断方法がある。これらの公報の切断方法では，加工
対象物の切断する箇所をレーザ光により加熱し，そして加工対象物を冷却すること
により，加工対象物の切断する箇所に熱衝撃を生じさせて加工対象物を切断する。
【０００５】しかし，これらの公報の切断方法では，加工対象物に生じる熱衝
撃が大きいと，加工対象物の表面に，切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射
していない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生することがある。よって，
これらの切断方法では精密切断をすることができない。特に，加工対象物が半導体
ウェハ，液晶表示装置が形成されたガラス基板や電極パターンが形成されたガラス
基板の場合，この不必要な割れにより半導体チップ，液晶表示装置や電極パターン
が損傷することがある。また，これらの切断方法では平均入力エネルギーが大きい
ので，半導体チップ等に与える熱的ダメージも大きい。
【０００６】本発明の目的は，半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の表
面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しない加工対象物切断
方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る加工対象物切断方法は，半導体材
料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，加
工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領域によって，加
工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側
に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点として加工対象物の厚さ方向
に向かって割れを発生させることを特徴とする。
【０００８】本発明に係る加工対象物切断方法によれば，加工対象物の内部に
集光点を合わせてレーザ光を照射しかつ多光子吸収という現象を利用することによ
り，加工対象物の内部に改質領域を形成している。加工対象物の切断する箇所に何
らかの起点があると，加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。
本発明に係る加工対象物切断方法によれば，改質領域を起点として切断予定ライン
に沿って加工対象物が割れることにより，加工対象物を切断することができる。よ
って，比較的小さな力で加工対象物を切断することができるので，加工対象物の表
面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切
断が可能となる。
【０００９】また，本発明に係る加工対象物切断方法によれば，加工対象物の
内部に局所的に多光子吸収を発生させて改質領域を形成している。よって，加工対
象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので，加工対象物の表面が溶融す
ることはない。なお，集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。切断予定
ラインは加工対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし，仮想の線でもよ
い。
【発明の効果】
【０１１８】本発明に係る加工対象物切断方法によれば，半導体材料からなる
ウェハ状の加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じること
なく，加工対象物を切断することができる。よって，加工対象物を切断することに
より作製される製品（例えば，半導体チップ）の歩留まりや生産性を向上させるこ
とができる。
(2)本件発明の概要
前記第２の２の本件特許の請求項１及び前記(1)の本件明細書の記載からすると，
本件発明１は，次のようなものと認められる
ア技術分野
半導体材料基板からなる加工対象物の切断に使用される加工対象物切断方法に関
する（本件明細書の段落【０００２】）。
イ従来技術
レーザによる一般的な切断では，加工対象物の切断する箇所に，加工対象物が吸
収する波長のレーザ光を照射し，レーザ光の吸収により切断する箇所において加工
対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断するが，加
工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融されるから，加工対象物
が半導体ウェハの場合，上記領域付近に位置する半導体素子が溶融するおそれがあ
る（同段落【０００３】）。加工対象物の表面の溶融を防止する切断方法として，切
断する箇所をレーザ光により加熱し，加工対象物を冷却することにより，切断する
箇所に熱衝撃を生じさせて加工対象物を切断するものがあるが，熱衝撃が大きいと，
加工対象物の表面に，切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の
箇所までの割れ等の不必要な割れが発生することがあり，精密に切断することがで
きず，特に，加工対象物が半導体ウェハ等である場合，不必要な割れにより半導体
チップ等が損傷することがあるほか，平均入力エネルギーが大きい切断方法である
ため半導体チップ等に与える熱的ダメージも大きい（同段落【０００４】，【０００
５】）。
ウ発明が解決しようとする課題
本件発明の目的は，半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の表面に不必要な
割れを発生させることなく，かつ，その表面が溶融しない，加工対象物切断方法を
提供することである（同段落【０００６】）。
エ課題を解決するための手段等
(ｱ)半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて
レーザ光を照射し，加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この
改質領域によって，加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入
射面から所定距離内側に，切断の起点となる領域を形成し，この領域を起点として
加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させるという構成を採用する（同段落
【０００７】）。
(ｲ)上記(ｱ)の構成によると，加工対象物の内部の改質領域を起点として
切断予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより，比較的小さな力で加工対
象物を切断することができ，また，加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収
されないので，半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の表面に溶融や切断予定
ラインから外れた割れが生じることなく，加工対象物を切断することができる（同
段落【０００８】，【０００９】）。したがって，加工対象物を切断することにより作
製される製品の歩留まりや生産性を向上させることができる（同段落【０１１８】）。
オ「切断の起点」について
以上の本件発明１の技術的意義に照らすと，「切断の起点」とは，切断が始まる点
であればどこでもよいのではなく，「切断が最初に始まる点」すなわち「切断が開始
する点」を意味するというべきである。
２主引用例とされている発明について
原告の主張する取消事由１～５に係る無効理由１～５は，それぞれ甲１発明，甲
４発明，甲２発明，甲５発明，甲７発明を主引用例とする一方で，それらのうち他
の発明の一部を副引用例とするものであるから，まず，上記各発明について認定す
る。
(1)甲１発明の認定
ア平成４年４月１３日に公開された甲１（特開平４－１１１８００号公報）
は，名称を「透明材料の切断加工方法」とする発明に係るもので，「発明の詳細な説
明」として，次の事項が記載されていると認められる。
(ｱ)産業上の利用分野
本発明は，石英ガラスなどの種々の透明材料を切断加工する方法に関する。
(ｲ)従来の技術
従来，石英ガラスなどの種々の透明材料を切断加工する方法として，バンドソー
や内周刃などの直線的な切断機や，コアドリル，円筒研削機などの円形の加工機械
が使用され直線状または，円筒状の加工がおこなわれている。
また，不定形の切断加工には炭酸ガスレーザを使用したレーザ加工機等が使用さ
れている。
(ｳ)発明が解決しようとする課題
従来の切断加工機械のバンドソーや，内周刃などでは直線的な切断加工のみであ
り，また，コアドリル，円筒研削機などの円形の加工機械は，円筒形の切断のみで
あり，複雑な加工には使用できなかった。炭酸ガスレーザを利用したレーザ切断機
では，炭酸ガスレーザビームの波長はガラスを透過しないため，材料表面部に集光
し表面より溶断して行くが，この場合溶断表面より内部へ進行するに従って，溶断
面のピットによりレーザビームがさえぎられるので，溶断する厚さに対し限度があ
り，現状では１０mm程度が限界である。
本発明は，石英ガラスなどの透明材料を複雑な形状に切断加工することを目的と
し，被加工物の厚味に影響を受けず，厚板であっても自由な切断加工を可能とする
ことを目的としている。
(ｴ)課題を解決するための手段
そこで，本発明は，石英ガラスなどの透明材料に吸収されない高エネルギービー
ムを透明材料内部に焦点を結ばせて照射し，透明材料内部に微小なクラックを発生
させることによって切断加工しようとするものである。
透明材料としては，例えば，光学ガラス，石英ガラスなどの無機ガラス，アクリ
ル樹脂などの透明樹脂等が挙げられる。
・・・
焦点の移動は，光学的に焦点位置を移動させても，また，ワークを移動させても
良く，操作しやすい方法を適宜選択できる。
焦点は，最初ワークの下側にあわせ，それから上方に移動させるのが効率的であ
る。最初に，ワークの上方に焦点を合せると，切断部分により高エネルギービーム
が部分的に切断されてしまい作業効率が悪くなるからである。
高エネルギービームが通過する表面は研磨しておき，ビームが表面で散乱するの
を防止し，焦点位置にビームが集中するようにするのが好ましい。
(ｵ)作用
透明材料に吸収されない高エネルギービームを，レンズやミラーから構成される
光学系を介して透明材料の内部に焦点を合せ，高エネルギービームを透明材料内部
に照射する。すると，高エネルギービームの照射された個所に数十ミクロン以下の
微小なクラックが発生する。高エネルギービームの照射位置を移動させて，透明材
料に連続的なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工する。
・・・
この発明においては，多光子吸収を利用して，バンドギャップよりエネルギーが
低く，本来，吸収の起こらない波長の光を透明材料に吸収させることにより，透明
材料の結合ボンドを切断したり，あるいは，発熱を利用して微小なクラックを透明
材料内部に発生させるのである。
石英ガラスでは，このバンドギャップは約９ｅＶ（１４０ｎｍ）である。石英ガ
ラス中に不純物や欠陥構造が無い限り，バンドギャップよりも低エネルギー，すな
わち，長波長の光は，通常吸収しない。
・・・
(ｶ)実施例
次に，本発明を実施例によってさらに詳しく説明する。
実施例１
透明材料として１５０×１５０×１５０mmの合成石英ガラス（ＯＨ１３００ｐ
ｐｍ含有）を使用し，高エネルギービームとしては，不安定共振器を用いたエキシ
マレーザ（ＫｒＦ２４８ｎｍエネルギー密度５０ｍＪ／cm２
・パルス，くり返し
周波数１５０Ｈｚ）を使用し，焦点距離５００ｍｍのレンズで集光し，ミラーで反
射させ，上面を予め研磨したワークである厚板の合成石英ガラスの内部にエキシマ
レーザビームの焦点を合せエキシマレーザをワークの上面から照射し，ワークを３
ｒ．ｐ．ｍの回転数で回転させながら，焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワー
ク底面より引き上げることにより，直径３０ｍｍの円筒形の孔を開けた。
このとき，ワーク内部におけるエキシマレーザのビームの垂直方向の焦点位置は，
レンズの位置を移動させることによって変化させた。
また，ワーク内部での焦点位置の水平方向の移動は，ワーク自体を水平方向に移
動させることによっておこなった。
切断に当っては，焦点位置は，ワークの底面から上方向に移動させた。
(ｷ)効果
以上，述べてきたように，透明材料の内部に焦点をあわせ，透明材料に対し吸収
の無い高エネルギービーム，例えば，石英ガラスに対しエキシマレーザを照射する
と，微細なクラックが透明材料の内部に発生する。これを連続させることによって
透明材料を複雑な形状に切断加工できる。
焦点をワークの内部に結ばせているのでワークの厚味に影響を受けず，自由な形
状に加工できる。
焦点の移動をコンピュタにプログラムしておくことによって，円錐形，ひょうた
ん型など，その形状は制約を受けないといってもよいものである。
イ前記アからすると，甲１には，本件審決が認定した前記第２の３(2)アの
甲１発明が記載されていると認められる。
ウ(ｱ)原告は，甲１発明において，ワーク（合成石英ガラス）に対してみた
場合，焦点の位置は，上方向に移動しているとは限らないと主張するが，前記アか
らすると，甲１発明において，焦点の位置は，合成石英ガラスの底面から上方向に
移動していることは明らかであって，原告が実施例１について主張する「らせん状」
の場合も上方向に移動しているということができる。
(ｲ)原告は，甲１の「数十ミクロン以下の微小なクラック」という記載（前
記ア(ｵ)）及び実施例１についての記載（同(ｶ)）からすると，実施例１において，
切断面が形成されるためには，微小なクラックを起点として，厚さ方向に，より大
きいクラックが進展することを要するから，甲１発明は，微小なクラックを起点と
してより大きいクラックが進展することをその構成に含むものである旨を主張する。
しかし，甲１の「作用」欄に記載されている上記「数十ミクロン」が厚さ方向の
寸法かどうかは明らかでなく，また，実施例１がこれを前提としているかどうかも
明らかでないから，この「数十ミクロン」との記載と実施例１の記載を組み合わせ
ることにより，甲１発明においては，微小なクラックを起点として厚さ方向により
大きなクラックが進展すると認めることはできない。甲１には，微小なクラックか
ら，厚さ方向に，より大きいクラックが進展することをうかがわせる記載はない。
むしろ，「作用」についての記載（前記ア(ｵ)）では，「数十ミクロン以下の微小なク
ラックが発生する。・・・照射位置を移動させて，透明材料に連続的なクラックを発
生させることによって・・・切断加工する。」と記載され，「効果」についての記載
（同(ｷ)）でも，「微細なクラック・・・を連続させることによって透明材料を複雑
な形状に切断加工できる」と記載されている。
また，甲１には，発明の効果として，「自由な形状に加工できる」，「円錐形，ひょ
うたん型など，その形状は制約を受けないといってもよい」と記載されている（前
記ア(ｷ)）ところ，甲１発明が微小なクラックを起点として，厚さ方向に，より大き
いクラックが進展することをその構成に含むものであると理解した場合に，そのよ
うな自由な加工が可能であるとは直ちに解し難い。
上記に関し，原告は，微小なクラックで切断面を覆い尽くすのは，非効率極まり
なく，現実的に採り得る方法ではないと主張するが，厚さ方向の寸法が「数十ミク
ロン」との主張を採用できないことは前記のとおりである上，甲１発明は，切断の
効率性を追求したものでないから，この点は上記判断を左右するものではない。
したがって，甲１発明が微小なクラックを起点として，厚さ方向に，より大きい
クラックが進展することをその構成に含む旨の原告の主張は採用できない。
(2)甲４発明の認定
ア平成１１年６月１８日に公開された甲４（特開平１１－１６３４０３号
公報）は，名称を「窒化物半導体素子の製造方法」とする発明に係るもので，次の
事項が記載されていると認められる。
(ｱ)特許請求の範囲
【請求項１】基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー
(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法であ
って，前記半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を有し該第１の主面(111)側
及び／又は第２の主面(121)側からレーザーを前記半導体ウエハー(100)を介して照
射し少なくとも前記基板(101)の第２の主面(121)側及び／又は前記基板(101)の第
１の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と，
前記スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを
特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】前記スクライブ・ラインは基板内部に形成された加工変質層(206)
である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。
(ｲ)発明の詳細な説明
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオ
ードやレーザーダイオード，更には高温においても駆動可能な３-５族半導体素子
の製造方法に係わり，特に，基板上に形成された窒化物半導体素子の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来技術】今日，高エネルギーバンドギャップを有する窒化物半導体（Ｉｎ
ＸＧａＹＡｌ１－Ｘ－ＹＮ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）を利用した半導体素子が開発
されつつある。窒化物半導体を利用したデバイス例として，青色，緑色や紫外がそ
れぞれ発光可能な発光ダイオードや青紫光が発光可能な半導体レーザが報告されて
いる。更には高温においても安定駆動可能且つ機械的強度が高い各種半導体素子な
どが挙げられる。
【０００３】通常，ＧａＡｓ，ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体材料が
積層された半導体ウエハーは，チップ状に切り出され赤色，橙色，黄色などが発光
可能なＬＥＤチップなどの半導体素子として利用される。半導体ウエハーからチッ
プ状に切り出す方法としては，ダイサー，やダイヤモンドスクライバーが用いられ
る。ダイサーとは刃先をダイヤモンドとする円盤の回転運動によりウエハーをフル
カットするか，又は刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後（ハーフカット），外力
によりカットする装置である。一方，ダイヤモンドスクライバーとは同じく先端を
ダイヤモンドとする針などにより半導体ウエハーに極めて細い線（スクライブ・ラ
イン）を例えば碁盤目状に引いた後，外力によってカットする装置である。ＧａＰ
やＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶は，へき開性が「１１０」方向にある。そのた
め，この性質を利用してＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＧａＰなどの半導体ウエハーを
比較的簡単に所望形状に分離することができる。
【０００４】しかしながら，窒化物半導体を利用した半導体素子は，ＧａＰ，
ＧａＡｌＡｓやＧａＡｓ半導体基板上に形成させたＧａＡｓＰ，ＧａＰやＩｎＧａ
ＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。結晶性の
良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには，ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法などを
用いサファイアやスピネル基板など上にバッファー層を介して形成させることが行
われている。サファイア基板などの上に形成された窒化物半導体層を所望の大きさ
に切断分離することによりＬＥＤチップなど半導体素子を形成させなければならな
い。
【０００５】サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエ
ピ構造である。窒化物半導体はサファイア基板などとは格子定数不整が大きい。ま
た，サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており，その性質上へき開性
を有していない。さらに，サファイア，窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非
常に硬い物質である。
【０００６】したがって，ダイヤモンドスクライバーで切断することは困難で
あった。また，ダイサーでフルカットすると，その切断面にクラック，チッピング
が発生しやすく綺麗に切断できなかった。また，場合によっては基板から窒化物半
導体層が部分的に剥離する場合があった。
【０００７】窒化物半導体の結晶性を損傷することなく半導体ウエハーを正確
にチップ状に分離することができれば，半導体素子の電気特性や効率を向上させる
ことができる。しかも，１枚の半導体ウエハーから多くの半導体チップを得ること
ができるため生産性をも向上させられる。
【０００８】そのため窒化物半導体ウエハーはダイヤモンドスクライバーやダ
イサーを組み合わせて所望のチップごとに分離することが行われている。チップご
との分離方法として特開平８－２７４３７１号などに記載されている。具体的一例
として，図５（Ａ）から図５（Ｄ）に窒化物半導体素子の製造方法を示す。サファ
イア基板(501)上に窒化物半導体層(502)が形成された半導体ウエハー(500)を図５
（Ａ）に示している。サファイア基板下面側から窒化物半導体層に達しない深さで
ダイサー（不示図）による溝部(509)を形成する工程を図５（Ｂ）に示している。溝
部(509)にスクライブ・ライン(507)を形成する工程を図５（Ｃ）に示してある。ス
クライブ工程の後半導体ウエハー(500)をチップ状の半導体発光素子(510)に分離す
る分離工程を図５（Ｄ）に示してある。これにより，切断面のクラック，チッピン
グが発生することなく比較的綺麗に切断することができるとされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，半導体ウエハーの一方のみに
スクライブ・ラインなどを形成させると分離時に他方の切断面にクラック，チッピ
ングが発生しやすい傾向にある。分離された窒化物半導体素子の一表面形状は揃え
ることが可能であるが，窒化物半導体素子の他方の表面形状ではバラツキが発生し，
半導体ウエハーにクラックやチッピングが生じやすい。したがって，半導体ウエハ
ーを分離するときに，スクライブ・ライン形成面側から形成されていない半導体ウ
エハー面側への割れかたを制御し完全に窒化物半導体素子の形状を揃えて切断する
ことは極めて難しいという問題を有する。
【００１０】他方，半導体ウエハーの両面にスクライブ・ラインを形成させ窒
化物半導体ウエハーの割れ方を制御することは可能である。しかし，窒化物半導体
ウエハーの両主面にスクライブ・ラインを形成するには半導体ウエハーをゴミの付
着などを防止しつつ，ひっくり返し再度固定する工程が必要となり極めて量産性が
悪くなる。また，サファイア基板上に形成された窒化物半導体の半導体ウエハー硬
度は極めて高くダイヤモンドスクライバーのカッター刃先などの消耗，劣化が多く
なり加工精度のバラツキ，刃先交換の為の製造コストが発生する。さらには，ダイ
ヤモンドスクライバーでスクライブ・ラインを形成させると刃先の磨耗に応じてダ
イヤモンドスクライバーの加重を変えなければならない。また，ダイヤモンドスク
ライバーによりスクライブ・ラインを形成させるためにはそのダイヤモンドの刃先
ごとに適した角度で接触させなければならず極めて量産性が悪いという問題を有す
る。
【００１１】より小さい窒化物半導体素子を正確に量産性よく形成させること
が望まれる今日においては上記切断方法においては十分ではなく，より優れた窒化
物半導体素子の製造方法が求められている。
【００１２】特に，窒化物半導体の結晶性を損傷することなく半導体ウエハー
を正確にチップ状に分離することができれば，半導体素子の電気特性や効率を向上
させることができる。しかも，１枚のウエハーから多くの窒化物半導体素子を得る
ことができるため生産性をも向上させられる。
【００１３】したがって，本発明は窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離す
るに際し，切断面のクラック，チッピングの発生をより少なくする。また，窒化物
半導体の結晶性を損なうことなく，かつ歩留まりよく所望の形，サイズに分離され
た窒化物半導体素子を量産性良く形成する製造方法を提供することを目的とするも
のである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は，基板(101)上に窒化物半導体(102)が
形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体
素子(110)の製造方法である。特に，半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を
有し第１の主面(111)側及び／又は第２の主面(121)側からレーザーを半導体ウエハ
ー(0)を介して照射し少なくとも基板(101)の第２の主面(121)側及び／又は基板
(101)の第１の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する
工程と，スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する窒
化物半導体素子の製造方法である。
【００１７】本発明の請求項４に記載された窒化物半導体素子の製造方法にお
いては，スクライブ・ラインが基板内部に形成された加工変質層(206)である。
【発明の実施の形態】本発明者らは種々実験の結果，窒化物半導体素子を製造
する場合において半導体ウエハーの特定箇所に特定方向からレーザーを照射するこ
とにより，半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造
することができることを見いだし本発明を成すに到った。
【００２２】即ち，本発明の方法により窒化物半導体素子の分離ガイドとなる
スクライブ・ラインを窒化物半導体層を損傷することなく窒化物半導体ウエハーを
透過してレーザー照射面側以外の任意の点に形成することができる。特に，同一面
側から窒化物半導体素子に悪影響を引き起こすことなく半導体ウエハーの両面を比
較的簡単に加工することができる。以下，本発明の製造方法について詳述する。
【００２３】半導体ウエハーとして，ＬＤ（laserdiode）となる構成の窒化物
半導体層をスピネル基板上に形成させた。具体的には，スピネル基板上に，ＧａＮ
のバッファー層，ｎ型ＧａＮのコンタクト層，ｎ型ＡｌＧａＮのクラッド層，ｎ型
ＧａＮの光ガイド層，ＳｉをドープしＩｎの組成を変化させた多重量子井戸構造と
なるＩｎＧａＮの活性層，ｐ型ＡｌＧａＮのキャップ層，ｐ型ＧａＮの光ガイド層，
ｐ型ＡｌＧａＮのクラッド層及びｐ型ＧａＮのコンタクト層が積層されている。こ
の半導体ウエハーのスピネル基板側からＣＯ２レーザーを照射して窒化物半導体層
とスピネル基板の界面に加工変質層をスクライブ・ラインとして形成させた。スク
ライブ・ラインと略平行にダイサーによりスピネル基板上に溝を形成させる。ロー
ラーにより溝に沿って加圧することで窒化物半導体素子を形成させた。分離された
窒化物半導体素子は何れも端面が綺麗に形成されている。以下，本発明の工程に用
いられる装置などについて詳述する。
【００２４】（窒化物半導体ウエハー１００，２００，３００，４００）窒化
物半導体ウエハー１００，２００，３００，４００としては，基板１０１上に窒化
物半導体１０２が形成されたものである。窒化物半導体１０２の基板１０１として
は，サファイア，スピネル，炭化珪素，酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々の
ものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体層を形成させるためには
サファイア基板，スピネル基板などが好適に用いられる。サファイア基板などは劈
開性がなく極めて硬いため本発明が特に有効に働くこととなる。窒化物半導体は基
板の一方に形成させても良いし両面に形成させることもできる。
【００２７】基板の厚さとしてはレーザー加工機の加工精度や出力により種々
選択することができるがレーザーにより大きい溝（深い溝）を形成させる場合はダ
イヤモンドスクライバーやダイサーに比べて時間が掛かること及び長時間の加熱に
よる部分的な破壊などの観点からレーザー加工による溝などを大きくさせすぎない
ことが好ましい。したがって，半導体ウエハーに形成される溝部１０４はレーザー
による他，量産性等を考慮してダイサーやダイヤモンドスクライバーにより種々選
択することができる。或いはそれらの組み合わせにより形成させることができる。
【００２８】窒化物半導体が積層されたサファイア基板を分離させる場合，切
断端面を量産性良く切断させるために窒化物半導体ウエハーの最も薄い分離部の厚
みは１００μｍ以下が好ましい。１００μｍ以下だとチッピングやクラックなどが
少なく比較的容易に分離することができる。基板の厚さの下限値は特に問わないが，
あまり薄くすると半導体ウエハー自体が割れやすく量産性が悪くなるため３０μｍ
以上が好ましい。また，窒化物半導体層が単一量子井戸構造や多重量子井戸構造な
どの薄膜を含む場合，レーザー照射による半導体接合や半導体層の損傷を防ぐ目的
で予めレーザーが照射される窒化物半導体層をエッチングなどにより予め除去する
こともできる。エッチングは種々のドライエッチング法やウエットエッチング法を
用いることができる。
【００３０】なお，レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは，その焦点
となる照射部が選択的に飛翔した凹部１０３，４０３或いは微視的なマイクロ・ク
ロックの集合である加工変質層２０６，３０８になると考えられる。また，第１の
主面側，第２の主面側とは加工分離される半導体ウエハーの総膜厚を基準として，
総膜厚の半分からその第１の主面或いは第２の主面に向けての任意の位置を言う。
したがって，半導体ウエハーの表面でも良いし内部でも良い。さらに，本発明は第
１の主面側及び／又は第２の主面側のレーザー加工に加えて半導体ウエハーの総膜
厚の中心をレーザー加工させても良い。
【００３１】（レーザー加工機）本発明に用いられるレーザー加工機としては，
窒化物半導体ウエハーが分離可能な溝，加工変質層などが形成可能なものであれば
よい。具体的には，ＣＯ２レーザー，ＹＡＧレーザーやエキシマ・レーザーなどが好
適に用いられる。
【００３２】レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズなどの光学
系により所望により種々に焦点を調節させることができる。したがって，同一方向
からのレーザー照射により半導体ウエハーの任意の焦点に窒化物半導体を損傷させ
ることなく溝，加工変質層などを形成させることができる。また，レーザーの照射
面は，フィルターを通すことなどにより真円状，楕円状や矩形状など所望の形状に
調節させることもできる。
【００３３】レーザー加工機によるスクライブ・ラインの形成にはレーザー照
射装置自体を移動させても良いし照射されるレーザーのみミラーなどで走査して形
成させることもできる。さらには，半導体ウエハーを保持するステージを上下，左
右，９０度回転など種々駆動させることにより所望のスクライブ・ラインを形成す
ることもできる。以下，本発明の実施例について詳述するが実施例のみに限定され
るものでないことは言うまでもない。
【００３４】
【実施例】（実施例１）厚さ２００μｍであり洗浄されたサファイアを基板とし
てＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成さ
せた。窒化物半導体は基板を分離した後に発光素子とすることが可能なよう多層膜
として成膜させた。・・・
【００３８】・・・
こうして形成された半導体ウエハー１００を形成された窒化物半導体１０２が上に
なるように上下・左右の平面方向に自由に駆動可能なテーブル上に固定させた。レ
ーザー光線（波長３５６ｎｍ）をサファイア基板１０１上に形成された窒化物半導
体１０２側から照射し，焦点がサファイア基板１０１の略底面に結ばれるようにレ
ーザーの光学系を調整した。調整したレーザーを１６Ｊ／ｃｍ２
で照射させながら
ステージを移動させることによりサファイア基板１０１の底面に深さ約４μｍのス
クライブ・ライン１０３を縦横に形成する。形成されたスクライブ・ライン１０３
は，窒化物半導体ウエハー１００の主面から見るとそれぞれがその後に窒化物半導
体素子１１０となる約３５０μｍ角の大きさに形成させてある（図１（Ｂ））。
【００３９】次に，レーザー加工機のレーザー照射部のみダイシングソーと入
れ替え窒化物半導体ウエハーの固定を維持したままダイサーにより，半導体ウエハ
ー１００に窒化物半導体１０２の上面からサファイア基板１０１に達する溝部１０
４を形成する。ダイサーにより形成された溝部１０４は，レーザー照射により形成
されたスクライブ・ライン１０３と半導体ウエハー１００を介して平行に形成され
ており，溝部１０４底面とサファイア基板１０１側の底面との間隔が，１００μｍ
でほぼ均一にさせた（図１（Ｃ））。
【００４０】スクライブ・ライン１０３に沿って，不示図のローラーにより荷
重を作用させ，窒化物半導体ウエハーを切断分離することができる。分離された端
面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子１１０を形成すること
ができる（図１（Ｄ））。
【００４１】実施例１ではレーザーが照射される窒化物半導体１０２が形成さ
れた半導体ウエハー１００の表面側ではなく窒化物半導体１０２及びサファイア基
板１０１を透過した半導体ウエハー１００の裏面側となるサファイア基板１０１底
面で集光されたレーザーによりスクライブ・ライン１０３が形成される。
【００４２】半導体ウエハー１００の窒化物半導体１０２が形成された主面側
（レーザー照射側）からサファイアなどの基板１０１に達する溝部１０４を形成す
ることで，容易にかつ正確にスクライブ・ライン１０４に沿って窒化物半導体素子
１１０を分割することができる。
【００４３】なお，スクライブ・ライン１０３の形成をレーザーで行うため，
ダイヤモンドスクライバーの如き，カッターの消耗，劣化による加工精度のバラツ
キ，刃先交換のために発生するコストを低減することができる。また，半導体ウエ
ハーの片側からだけの加工で，半導体ウエハー両面から加工したのと同様の効果を
得られ，上面，裏面においても形状の揃った窒化物半導体素子１１０を製造するこ
とが可能となり，製造歩留まりを高め，形状のバラツキが低減できる分，特に，切
り代を小さくし，半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。さらに，ス
クライブ・ライン１１０をサファイア基板１０１側の表面で形成させるためにレー
ザーによる加工くずが窒化物半導体１０２上に付着することなくスクライブ・ライ
ンを形成することができる。
【００４４】（実施例２）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハーに，
ＲＩＥ（ReactiveIonEtching）によって窒化物半導体表面側から溝が形成される
サファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体
層２０５が形成された半導体ウエハーを用いる。なお，エッチング時にｐｎ各半導
体が露出するようマスクを形成させエッチング後除去させてある。また，ｐｎ各半
導体層には，電極２２０がスパッタリング法により形成されている（図２（Ａ））。
【００４５】この半導体ウエハー２００を実施例１と同様のレーザー加工機に
固定配置させた。実施例２においてもレーザー加工機からのレーザーを窒化物半導
体ウエハーの窒化物半導体２０５側から照射し，焦点がサファイア基板２０１の底
面から２０μmのサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。
調整したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ２
で照射させながらステージを移動させるこ
とによりサファイア基板の底面付近の基板内部に加工変質層２０６となるスクライ
ブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。
【００４６】次に，レーザー光学系（不示図）を調整し直し，焦点がエッチン
グにより露出されたサファイア基板２０１の上面（窒化物半導体の形成面側）に結
ばれるように調整した。調整したレーザーを照射させながらステージを移動させる
ことにより，半導体ウエハーに窒化物半導体層側の上面からサファイア基板に達す
る溝部を形成する。形成された溝部２０４は，加工変質層２０６とサファイア基板
２０１を介して略平行に形成させてある。なお，レーザー照射により形成されたサ
ファイア基板２０１上の溝部２０４は，溝部の底面とサファイア基板の底面との間
隔が，約１００μｍで，ほぼ均一になるように調整してある。さらに，レーザー光
学系を調節し直し，焦点がサファイア基板２０１に設けられた溝部底面に結ばれる
よう調節した。調節したレーザーを１４Ｊ／ｃｍ２
で照射させながらステージを移
動させることにより，窒化物半導体が形成されたサファイア基板の露出面に設けら
れた溝部２０４の底面に深さ約３μｍのスクライブ・ライン２０７を形成する（図
２（Ｃ））。
【００４７】続いて，溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって
荷重をかけ半導体ウエハーを切断し，ＬＥＤチップ２１０を分離させた（図２（Ｄ））。
【００４８】こうして形成されたＬＥＤチップに電力を供給したところいずれ
も発光可能であると共に切断端面にはチッピングが生じているものはほとんどなか
った。歩留まりは９８％以上であった。
【００４９】実施例２では半導体ウエハーの片面側からレーザーにより基板表
裏両面にスクライブ・ラインを形成することで，厚みがある窒化物半導体ウエハー
でもスクライブ・ラインに沿って簡単に窒化物半導体素子を分割するる（判決注：
「分割する」の誤記と認める。）ことが可能となる。また，溝の形成される部分が，
サファイア基板までエッチングされているため，溝形成による窒化物半導体への損
傷がより少なく分離させた後の窒化物半導体素子の信頼性を向上させることが可能
である。特に，スクライブ・ラインが形成されるとき，レーザーの焦点がサファイ
ア基板内部で結ばれていることから，半導体ウエハーを固定している，テーブル若
しくは粘着性シートを損傷することなく加工が実現できる。また，レーザー照射に
よる加工くずの発生もない。なお，全てをレーザー加工でなく溝の形成をダイサー
で行っても本発明と同様に量産性良く窒化物半導体素子を形成することができる。
【００５０】レーザーによって溝部，スクライブ・ラインを窒化物半導体ウエ
ハーに対して非接触で加工できる。そのため，ブレード及びカッターの消耗，劣化
による加工精度のバラツキ，刃先の交換のために発生するコストを低減できる。ま
た，半導体ウエハーの片側からだけの加工で，半導体ウエハー両面から加工したの
と同様の効果を得られ，形状の揃った半導体チップを製造することが可能となる。
製造歩留まりを高め形状のバラツキが低減できる分切り代を小さくし，窒化物半導
体ウエハーからの半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。
【００５１】さらに，半導体層面からの溝部をもレーザーにより形成すること
で，より幅の狭い溝を形成することが可能となる。このため窒化物半導体ウエハー
からのチップの採り数をさらに向上させることが可能となる。
【００５２】（実施例３）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハー３０
０に，予めサファイア基板３０１を８０μｍまで研磨して鏡面仕上げされている。
この半導体ウエハーを窒化物半導体３０２が積層されていないサファイア基板３０
１面を上にして実施例１と同様のレーザー加工機のステージに固定配置させた（図
３（Ａ））。
【００５３】実施例３においてはレーザー加工機（不示図）からのレーザーを
窒化物半導体ウエハー３００の窒化物半導体３０２が形成されていないサファイア
基板３０１面側（基板露出面側）から照射し，焦点が窒化物半導体３０２とサファ
イア基板３０１の界面に結ばれるようにレーザー光学系を調整しする（判決注：「調
整する」の誤記と認める。）。ステージを駆動させながらレーザーを照射することに
より窒化物半導体３０２及び窒化物半導体と接したサファイア基板３０１界面近傍
に加工変質層３０８であるスクライブ・ラインを縦横に第１のスクライブ・ライン
として形成する（図３（Ｂ））。
【００５４】次に，レーザー加工機のレーザー照射部のみダイシングソー（不
示図）と入れ替え窒化物半導体ウエハーの固定を維持したままダイサーによりブレ
ード回転数３０，０００ｒｐｍ，切断速度３ｍｍ／ｓｅｃで窒化物半導体が積層さ
れていないサファイア基板底面側から窒化物半導体面に達しない溝部３０９を形成
した。ダイサーにより形成された溝部は，縦横とも加工変質層３０８と略平行に設
けられ溝部３０９の底面とサファイア基板底面との間隔が，５０μｍでほぼ均一に
なるように形成させる。さらに，ダイシングソーをレーザー加工機と入れ替えレー
ザーの焦点をダイサーにより形成された溝部３０９の底面に合わせる。レーザー照
射により，サファイア基板３０１に形成された溝部３０９の底面に深さ約３μｍの
第２のスクライブ・ライン３０７を形成する（図３（Ｃ））。
【００５５】第２のスクライブ・ライン３０７に沿って，ローラー（不示図）
により荷重をかけ窒化物半導体ウエハーを切断分離し窒化物半導体素子３１０を形
成させた（図３（Ｄ））。こうして形成された窒化物半導体素子の切断端面にはチッ
ピングが生じているものはほとんどなかった。
【００５６】実施例３に記載の方法は，サファイアなど基板３０１裏面側から
窒化物半導体３０２に達しない溝部３０９を別途形成することで，レーザーにより
形成されたスクライブ・ラインに沿って容易にかつ正確に窒化物半導体素子３１０
を分離することが可能となる。したがって，上面，裏面においても形状の揃った窒
化物半導体素子の供給，及び製品歩留まりの向上が可能となる。なお，ダイサーに
よる加工の後に，レーザー加工による第１及び第２のスクライブ・ラインの形成を
形成することもできる。第１及び第２のスクライブ・ライン形成後にダイサーによ
る加工をすることもできる。
【００５７】スクライブ・ラインの形成をレーザーで行うため，ダイヤモンド
スクライバーのカッター消耗，劣化による加工精度のバラツキ，刃先交換のために
発生するコストを低減することができる。また，窒化物半導体ウエハーをひっくり
返すことなく，半導体ウエハーの片側からだけの加工で半導体ウエハー両面から加
工したのと同様の効果を得られる。形状の揃った半導体チップを製造することが可
能となり，製造歩留まりを高め形状のバラツキが低減できるため切り代を小さくし，
窒化物半導体ウエハーからの半導体チップの採り数を向上させることが可能となる。
さらに，レーザー加工による加工くずが窒化物半導体表面に付着することもない。
【００５８】（実施例４）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハーに，
ＲＩＥ（ReactiveIonEtching）によって窒化物半導体表面側から溝が形成される
サファイア基板４０１との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物
半導体４０５が形成された半導体ウエハー４００を用いる。なお，エッチング時に
ｐｎ各半導体が露出するようマスクを形成させエッチング後除去させてある。また，
ｐｎ各半導体層には，電極４２０がスパッタリング法により形成されている。この
半導体ウエハー４００のサファイア基板４０１を１００μｍまで研磨して鏡面仕上
げさせる（図４（Ａ））。
【００５９】半導体ウエハー４００を窒化物半導体が全く積層されていないサ
ファイア基板４０１を上にして実施例１と同様のレーザー加工機（不示図）に固定
配置させた。実施例４においてはレーザー加工機のレーザーを半導体ウエハー（４
００）の窒化物半導体４０５が形成されていないサファイア基板４０１面側から照
射し，焦点は窒化物半導体４０５が積層されたサファイア基板表面側の（予め基板
が露出された）表面近傍に結ばれるようにレーザー光学系（不示図）を調整し，レ
ーザー走査によりサファイア基板４０１に深さ約４μｍの第１のスクライブ・ライ
ン４０３を縦横に形成する（図４（Ｂ））。
【００６０】次に，レーザー光学系を再び調整してレーザーの走査により，窒
化物半導体ウエハーにサファイア基板４０１側から窒化物半導体４０５面に達しな
い溝部４０９を第１のスクライブ・ライン４０３に沿って形成する。レーザー光学
系を再び調整してレーザーの走査により，溝部の底面に深さ約３μｍの第２のスク
ライブ・ラインを形成する（図４（Ｃ））。
【００６１】スクライブ・ラインに沿って，ローラー（不示図）により荷重を
かけ窒化物半導体ウエハーを分離し窒化物半導体素子４１０を形成させる（図４
（Ｄ））。
【００６２】分離された窒化物半導体素子であるＬＥＤチップに通電させたと
ころ何れも発光可能であり，その端面を調べたところチッピングやクラックが生じ
ているものはほとんどなかった。歩留まりは９８％以上であった。
【００６３】スクライブ・ラインの形成をレーザーで行うため，ダイヤモンド
スクライバーのカッターの消耗，劣化による加工精度のバラツキ，刃先交換のため
に発生するコストを低減することができる。また，窒化物半導体ウエハーの片側か
らだけの加工で，半導体ウエハー両面から加工したのと同様の効果を得られ，形状
の揃った半導体素子を製造することが可能となり，製造歩留まりを高め，形状のバ
ラツキが低減できる分，切り代を小さくし，窒化物半導体ウエハーからの半導体チ
ップの採り数を向上させることが可能となる。
【００６４】（実施例５）実施例１のＹＡＧレーザーの照射の代わりにエキシ
マ・レーザーを用いた以外は実施例１と同様にして半導体ウエハーを分離してＬＥ
Ｄチップを形成させた。実施例１と同様半導体ウエハーを分離させるときに半導体
ウエハーを裏返すことなく分離することができる。また，形成されたＬＥＤチップ
の分離端面はいずれも発光可能でありチッピングやクラックのない綺麗な面を有し
ている。
【００６５】（比較例１）レーザー加工の代わりにダイヤモンドスクライバーに
より繰り返し３回スクライブした以外は実施例１と同様にして半導体ウエハーを分
離させた。比較例１の分離された窒化物半導体素子は部分的にクラックが生じてい
た。また，割れが生じ約８４％以下の歩留まりであった。なお，半導体ウエハーの
両面にスクライブ・ラインやダイサーによる溝を形成させるためにひっくり返すな
どの手間がかかり作業性が極めて悪く約１．５倍の時間が掛かった。
【００６６】
【発明の効果】本発明の窒化物半導体素子の製造方法では，レーザー源から照
射したレーザーをレンズなどの光学系で集光することにより，所望の焦点付近でエ
ネルギーを集中させることができる。このエネルギー密度が非常に高くなった焦点
でワークの加工がなされる。特に，窒化物半導体ウエハーを透過したレーザーの焦
点を利用する。不要な分離部となる窒化物半導体ウエハーに光学系で調整したレー
ザーを照射し，必要な窒化物半導体層の損傷をすることなく窒化物半導体ウエハー
のレーザー照射面に対して半導体ウエハーの反対側の面まで自由に加工を行うこと
が可能となる。
【００６７】したがって，本発明は窒化物半導体ウエハーを透過した所望の焦
点での加工を利用することにより，窒化物半導体ウエハーを両面側から加工する必
要がなく，片側からのみの加工で窒化物半導体ウエハーの表裏両面から加工したの
と同じ効果を得ることができる。したがってより歩留まりを向上させ，且つ形状に
バラツキが少ない窒化物半導体素子及びその量産性の良い製造方法を提供すること
ができる。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
イ本件審決は，前記第２の３(2)イのとおり，甲４発明をサファイア基板に
限定して認定している。
しかし，甲４の段落【０００１】，【０００３】～【００１０】，【００１３】，【０
０２４】及び【００２８】には，へき開性を有しておらず，非常に硬い物質である
ために，ダイヤモンドスクライバーやダイサーで切断する場合にサファイア基板に
は問題があることが記載され，その解決のために甲４発明がされたことが記載され
ているものの，甲４の上記記載は，サファイア基板をダイヤモンドスクライバーや
ダイサーで切断する場合に問題が生じる基板の例として記載しているものと解され，
甲４発明がサファイア基板以外の基板に適用できないというべき事情も認められな
いことからすると，甲４発明をサファイア基板に限ることは相当ではなく，請求項
１及び４に従い，「基板」についての発明であると認めるべきである。
ウ(ｱ)原告は，甲４発明は，その内容からして，スクライブ・ライン２０７
を必須とせず，スクライブ・ライン２０６しか有しないものも想定しており，甲４
発明において，切断の起点となり得るものは，スクライブ・ライン２０６のみとな
り，それが切断の起点となると主張する。
(ｲ)甲４の実施例をみると，加工変質層としてスクライブ・ラインが形成
され，加工対象物の表面に当該スクライブ・ラインが露出しない実施例（実施例２
及び３）が存する。しかし，これらの実施例においては，サファイア基板２０１，
３０１の上面に溝部２０４，３０９を形成し，その溝部底面にスクライブ・ライン
２０７，３０７を形成するとされている（甲４の段落【００４６】，【００５４】，【図
２】，【図３】）。そして，甲４の発明の詳細な説明及び図面の他の記載をみても，加
工対象物の表面にスクライブ・ラインを形成することなく，表面に露出しないスク
ライブ・ラインのみを形成することの記載があるとは認められない。甲４の請求項
４は，その文言からすると，基板内部に形成された加工変質層(206)とされているが，
発明の詳細な説明及び図面の記載が上記のとおりであることからすると，甲４にお
いて，基板内部にのみスクライブ・ラインを形成することが開示されているとは認
められない。
原告が主張する特許庁の拒絶理由通知の内容や甲４に係る発明が特許査定されて
いることは，何ら上記判断を左右するものではない。
そうすると，甲４発明がスクライブ・ライン２０７を必須とせず，スクライブ・
ライン２０６しか有しないものを想定しているとの原告の主張を採用することはで
きない。
上記のとおり，甲４発明には，スクライブ・ラインとして２０７と２０６がある
ところ，甲４には，スクライブ・ライン２０６が切断の起点（切断が開始する点）
となるとの記載があるとは認められず，かえって，甲４の段落【００４７】には，
「溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウエハ
ーを切断」すると記載されていることからすると，スクライブ・ライン２０７が切
断の起点となるとも考えることができる。他にスクライブ・ライン２０７ではなく，
スクライブ・ライン２０６が切断の起点となるというべき事情も認められないから，
甲４発明において，スクライブ・ライン２０６が切断の起点となると認めることは
できない。
なお，甲４の実施例２の構成からすると，スクライブ・ライン２０６は，ローラ
ー荷重をかけた場合の割れ方を制御するものであるということはできる。
(ｳ)したがって，甲４発明が，スクライブ・ライン２０７を必須とせず，
スクライブ・ライン２０６しか有しないものも想定しており，甲４発明において，
切断の起点となるのはスクライブ・ライン２０６であるとの原告の主張は採用でき
ず，同主張を前提とした原告の相違点３’の主張も採用できない。
エそうすると，甲４発明は，次のとおり認定すべきである。
「基板２０１の表面上に窒化物半導体層２０５が形成された半導体ウエハーの前
記基板２０１の内部に焦点が結ばれるように，１６Ｊ／ｃｍ２
でレーザ光線を照射
し，前記基板２０１の内部に，微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質
層２０６を形成し，この加工変質層２０６によって，前記基板２０１の底面付近の
基板内部に，ローラー荷重をかけた場合の割れ方を制御するためのスクライブ・ラ
インを形成した後，溝部２０４を形成し，前記溝部２０４の底面にスクライブ・ラ
イン２０７を形成し，その後，前記溝部２０４に沿ってローラーによって荷重をか
け，前記半導体ウエハーを切断する，半導体ウエハーの切断方法。」
(3)甲２発明の認定
ア平成１１年３月１６日に公開された甲２（特開平１１－７１１２４号公
報）は，名称を「ガラス物体に破断点を形成する方法」とする発明に係るもので，
「発明の詳細な説明」として，次の事項が記載されていると認められる。
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，破断領域に微小亀裂を発生させることに
より，ガラス物体，特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため，
またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成（produce）する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラスアンプル類は，医療用配合物の貯蔵や輸送に広範に使わ
れている。・・・
【０００３】アンプル（いわゆる，ワンポイントカットまたはタングステンカ
ットのアンプル（break-openampoules））の開口部は，すでに多くの特許及び特許
出願の対象となっている。しかしながら，ここで述べられた方法は全て多かれ少な
かれ不利益をともなう。破断開封後さらに取り扱われるアンプルの破断縁はしばし
ばぎざぎざであって，傷つける恐れがあり，その恐れは相対的に広い範囲で変化す
る破断力がむしろ高い値にしばしば達するという事実によってさらに高められ，そ
の結果，手はその瞬間極めて高い緊張にさらされ，アンプルの開封後制御できない
方法で動き，ぎざぎざの破断した縁で傷つく。最後に，さらに，破断線又は破断片
がアンプル本体に侵入し，使用できなくなるという問題がある。さらに，破断操作
中に形成される破断ガラスは，アンプル中に存在する配合物を汚染する恐れがある。
【０００４】上記の問題は，アンプルの首領域のアンプル表面に所定の破断点
として，ヤスリ，切断ホイール，ダイヤモンド等を用いて，多かれ少なかれ限定さ
れた初期の亀裂を物理的に形成する従来の方法において大きくなる。・・・
【０００５】一つの試みであってアンプルの破断をより制御した方法で行う試
みは，所定の破断線をエナメルペイントを用いてマークをつける，いわゆる破断リ
ングアンプルの製造である。・・・この方法の欠点は，前記のように，アンプルを破
断したときに破断ガラスが生じ，配合物がペイントからの重金属粒子で汚染される
恐れがあることである。
【０００６】最近の方法では，非接触手段としてレーザー放射が使われ，係る
手段は極めて再現性が高く，高い保存（service）状態で初期亀裂が生じる。
【００１１】上記レーザー法の別の欠点は，初期亀裂であって表面に位置しま
たは表面まで伸びる亀裂が，アンプルの更なる取扱中に水分などの環境の影響を受
けることにある。このように，好ましくない亀裂の進行が生じ，アンプルの漏洩ま
たは時期尚早破断を導く。さらに，ガラス粒子または蒸発生成物を具備するガラス
表面の負荷は規定されておらず，薬剤師にとっては好ましくないものである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は，破断開封アンプルを再現で
きかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成す
ることにある。特に，破断開封が困難なアンプルを開封するときに生ずる傷の発生
を避け，かつ，アンプルの開封で生ずるアンプル内の医薬品の損傷を妨げることを
意図する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は，破断領域に微小亀裂を発生さ
せることにより，ガラス物体，特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断
するため，またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成する方法において，
前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破
断点を形成する方法により達成される。
【００１５】前記微小亀裂はレーザー照射により形成することが好ましい。
【００２０】表面に対して垂直な微小亀裂の大きさはガラス壁の厚みの０．５
倍を越えないことが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明によれば，適切な破断点は，微小亀裂が制御され
た方法でアンプルのガラス壁内部に形成されるという事実によって作られる。最初
に述べた従来の技術であって，それぞれの場合にガラス壁がガラス表面からの微小
亀裂により弱くなる技術に対して，問題の表面は本発明の方法を使用するときに損
傷を受けない。
【００２５】微小亀裂がガラス壁内部に存在することは，始めに述べた環境と
の相互作用であって亀裂形成に関する変化を導くリスクがないことを意味する。
【００２６】その結果，広範な条件下で貯蔵するときに，アンプルの破断特性
に関し今まで得られなかった安定性が得られる。
【００２８】好都合なことに，本発明に従う微小亀裂は集中レーザー照射手段
により形成される；アンプルの場合，従来技術から公知であるが，アンプルの首領
域で生ずる。直径＜１００μｍのレーザービームをガラス壁の中心に収束すること
が有益であることが証明された。このことを実施するために，ガラスが透明であり
または少なくとも半透明である波長を備えるレーザー放射を利用することが必要な
ことは明らかである。レーザーパラメーターを好適に選択することにより，当業者
は，制御された方法で微小亀裂の長さや幾何学的な配列などの形成及び促進を調節
することができる。これを実施するための適切なパラメーターを見つけだすことは
進歩性を要求せず，これらは当業者によって，例えば適切な通常の実験に基づいて
容易に決定できる。上記から明らかなように，ガラス物体（例えば，アンプル）の
種々の幾何学性に関するプロセスパラメーターを採用することは容易である。微小
亀裂は，約１０～１０００Ｈｚの繰り返し周波数を備える単一レーザーパルスまた
は一連のレーザーパルスを利用して形成できる。
【００３１】本発明方法の２つの実際に実施可能な実施態様は，アンプルの実
施例を参照して説明する。
【００３２】１）適切な破断点は，例えば適切な分割線に沿って周囲方向に配
列した一若しくはそれ以上の微小亀裂領域によって，アンプル締め付け部の周囲の
点に形成してよい。この方法（ワンポイントカット）では，破断開封するときにア
ンプルを配列又は調整するために適切な破断点をマークすることが必要である。
【００３３】２）さらに，適切な破断点は，アンプルの首周りを走るように適
切な分割線に沿って形成してよい（いわゆる破断リングアンプルに類似する方法）。
この場合，アンプルは予め配列又は調整することなく破断開封できる。・・・
【００３５】使用されたレーザー放射源は，Ｑ－スイッチまたはモードロック
Ｎｄソリッドステートレーザーであることが好都合である。短焦点距離を備える適
切な光システムは，必要により広いビーム断面を有するレーザービームを＜０．１
ｍｍのスポット直径に収束する。大きい湾曲面を有すると，例えば，円柱または屈
折の光システム（従来技術）により付加的な形状を備えるビームを提供する必要が
ある。非ガウスレーザービームプロファイルを用いると，破断方向に微小亀裂の付
加的な配向を達成することが可能である。短いレーザーパルス時間のため，必要に
より，アンプル輸送の間適切な破断点を適用することができるが，これは壁の焦点
位置を０．１ｍｍよりも精度よく維持するために，多くの支出が必要である。プロ
セスコントロールは，例えば，プラズマ形成の光電子的観察及びレーザーパラメー
ターの再調整によって実施してよい。
【００３６】当然，本発明の方法は，適切な破断点をアンプルに適用するため
に好適であるばかりではない。この方法は，例えばガラス管を切断する等の多くの
適用に対し，高品質，再現性を有する初期亀裂を得るために使用してよい。
【００３７】この方法は，フラットガラスの分野において特殊な切断プロセス
に用いてもよい（例えば，適切な形状（時計皿）のガラス片をガラス板から切断す
る）。
【００３８】
【実施例】本発明の実験的実施態様は図面を用いて示し，下記により詳細に記
述する。
【００３９】図１は本発明に従って破断開封アンプルに適切な破断点を形成す
るための位置の図式レイアウトを示す。
【図１】
【００４０】図１において，適切な破断点はアンプルの首２（締め付け）の領
域においてホウケイ酸ガラス製の２ｍｌアンプル１に形成する。
【００４１】締め付けは，アンプルの製造方法において二次成形用具（forming
tool）を用いてタレット装置上で直径６．５ｍｍ，壁厚０．８ｍｍに予め形成され
た。適切な破断点は図１で図式された更なるプロセスラインで適用され，ここで，
アンプル１はチェインコンベヤーから，リフト装置３を使用してストップローラー
４に対して持ち上げられる。アンプル１は，ローラー６が二次成形用具を追跡する
ような方法でローラー（rollertable)５及び６上に置く。
【００４２】パルス時間約１０ｎｓ，パルスエネルギー２５ｍＪのＱ－スイッ
チＮｄ：ＹＡＧレーザー７を使用して適切な破断点を作る。レーザービームは，焦
点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束させる：直径
は約０．１ｍｍである。適切な破断点がガラス壁の中心に形成されるように，アン
プルの首２（締め付け）の直径は大きくて０．１ｍｍの公差を有する。１０Ｈｚの
レーザー繰り返し周波数を用いると，３つの適切な破断点は周囲方向に沿って１ｍ
ｍ間隔でアンプルの首に適用される。これを達成するために必要なアンプルの回転
はローラー４の駆動によって行われる。
【００４３】３つの適切な破断点は顕微鏡で見ることが可能で，アンプルを明
確にかつ物理的に破断できる。
イ前記アからすると，甲２には，本件審決が認定した前記第２の３(2)ウの
甲２発明が記載されていると認められる。
(4)甲５発明の認定
ア平成１１年５月２５日に公開された甲５（特開平１１－１３８８９６号
公報）は，名称を「レーザを用いたマーキング方法，マーキング装置，及びマーク
の観察方法，観察装置」とする発明に係るもので，「発明の詳細な説明」として，次
の事項が記載されていると認められる。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，レーザを用いたマーキング方法及びマー
キング装置に関し，特に薄板状の被加工部材にマーキングを行うのに適したマーキ
ング方法及びマーキング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光によるアブレーションを利用して，例えば透明ガラス
基板等の被加工部材の表面にマーキングする方法が知られている。この方法による
と，被加工部材の表面に微細な割れが発生し，その破片が製造ラインに混入する場
合がある。また，マーキングされた位置の近傍に「デブリ」と称される付着物が堆
積するため，この付着物を除去するための洗浄を行う必要がある。
【０００３】被加工部材の表面に損傷を与えることなく，その内部にレーザ光
を集光し，被加工部材の内部にマーキングを行う方法が，特開平３－１２４４８６
号公報に開示されている。この方法によると，被加工部材の表面が損傷を受けない
ため，微細な割れの発生，及びデブリの付着を防止できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の特開平３－１２４４８６号公報に開示
された方法によると，被加工部材の表面から０．５～２．５ｍｍ程度の深さの位置
にマーキングを行うことができる。この方法を用いて，例えば厚さ１ｍｍ以下の薄
板状の被加工部材にマーキングすると，内部に発生したクラックが表面まで到達す
る場合がある。表面まで達したクラックは，微細なパーティクル発生の原因になる。
【０００５】本発明の目的は，薄板状の被加工部材にマーキングする際にも，
表面まで達するクラックの発生を抑制することができるマーキング方法及びマーキ
ング装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によると，レーザ光源から出射
したレーザビームを複数のレーザビームに分割する工程と，分割された複数のレー
ザビームを被加工部材の内部のある微小領域に集光することにより，前記被加工部
材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法が提供さ
れる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）は，本発明の第１の実施例によるマーキング
装置の動作原理図を示す。
【図１】
【００２１】レーザ光源１から，１本のレーザビーム１１が出射する。レーザ
ビーム１１は，ビーム分割手段２に入射する。ビーム分割手段２は，レーザビーム
１１を２つの部分ビーム１２Ａと１２Ｂとに分割する。分割された部分ビーム１２
Ａと１２Ｂは，集光光学系３に入射する。なお，部分ビーム１２Ａと１２Ｂとの総
エネルギの和が，レーザビーム１１のエネルギにほぼ等しくなり，エネルギロスの
生じないように分割することが好ましい。
【００２２】集光光学系３に対向するように，保持台４が配置されている。保
持台４の上に被加工部材１０が載置される。集光光学系３は，部分ビーム１２Ａと
１２Ｂとを，被加工部材１０の内部の微小領域１３に集光する。微小領域１３及び
その近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が，あるしきい
値よりも高くなると，光学的非線型現象による吸収が起こると考えられる。この吸
収に基づき，光学的損傷(OpticalDamage)あるいは光学的絶縁破壊(Optical
Breakdown)が生じ，被加工部材１０の微小領域１３が変質し，外部から視認し得る
ようになる。このようにして，被加工部材１０の内部にマーキングすることができ
る。
【００２３】微小領域１３から発生する光が，光検出器５により観測される。
光検出器５の観測結果が位置調節手段６に通知される。一般的に，被加工部材１０
の表面でアブレーションが生ずると，その内部で光学的損傷あるいは光学的絶縁破
壊が起きている場合に比べて，発光強度が大きくなる。位置調節手段６は，光検出
器５から得られた発光強度情報に基づいて，被加工部材１０の表面でアブレーショ
ンが生じないように，集光光学系３と保持台４とのレーザビームの光軸方向に関す
る相対位置を調節する。このようにして，被加工部材１０の表面に損傷を与えるこ
となく，その内部にマーキングすることが可能になる。
【００２５】また，２本の部分ビーム１２Ａと１２Ｂとに分割して微小領域１
３に集光するため，１本のレーザビーム１１をそのまま集光する場合に比べて，被
加工部材１０の深さ方向に関するレーザ光の密度を，より微小な領域に集中させる
ことができる。このため，変質する領域の深さ方向の長さを短くすることができ，
変質領域が被加工部材１０の表面まで達することを抑制することが可能になる。
【００２６】被加工部材１０の深さ方向に関して，より微小な領域にレーザビ
ームを集光させるためには，集光光学系３の対物レンズとして，なるべく開口数の
大きなレンズを用いることが好ましい。
【００２７】なお，使用するレーザ光としては，被加工部材１０との組み合わ
せにより適当なものを選択する。例えば，石英ガラスにマーキングする場合には，
石英ガラスに対して透明な波長領域，すなわち赤外線領域，可視光線領域，もしく
は紫外線領域の波長を有するレーザ光を使用することができる。また，一般的な板
ガラスにマーキングする場合には，板ガラスに対して透明な波長領域，すなわち赤
外線領域もしくは可視光線領域の波長を有するレーザ光を使用することができる。
また，ガラス以外にも，例えばシリコン基板等にマーキングしたい場合には，シリ
コン基板に対して透明な波長領域のレーザ光を用いればよい。
【００２９】さらに，レーザ光源１として，パルスレーザ装置を用いることに
より，被加工部材１０のマーキング部近傍の温度上昇を抑制することができる。こ
のため，温度上昇による悪影響を回避し，マーキングされる深さ方向の位置を均一
に揃えることが可能になる。なお，パルス幅の短いものを使用することが好ましい。
これは，熱的効果の大きさがパルス幅の平方根に比例するためである。具体的には，
１ナノ秒以下のパルス幅で発振するレーザ光源を用いることが好ましい。
【００３６】次に，図２を参照して，第２の実施例について説明する。図２（Ａ）
に示すように，第２の実施例においては，図１（Ａ）のビーム分割手段２の代わり
に，ビーム整形手段２０を使用している。その他の構成は図１（Ａ）の場合と同様
である。
【図２】
【００３９】レーザビーム１１をそのまま集光すると，光軸方向に関して比較
的長い領域において，その光軸近傍の光強度がしきい値を超える。一方，レーザビ
ーム２１のように，その光軸近傍において光強度の弱いビームを集光する場合には，
光軸方向に関してより短い領域でのみしきい値を超えるように制御することが容易
になる。
【００４０】このため，被加工部材１０の厚さ方向に関して，より短い領域に
のみマーキングすることができ，クラックの表面への到達を抑制することが可能に
なる。
【００４１】被加工部材１０の深さ方向に関して，より微小な領域にレーザビ
ームを集光させるためには，集光光学系３の対物レンズとして，なるべく開口数の
大きなレンズを用いることが好ましい。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，被加工部材の内部に局
所的にマーキングすることができる。マーキングによるクラックの発生が表面まで
到達しないようにできるため，被加工部材の破片等が原因となるゴミの発生を抑制
することができる。
イ前記アからすると，甲５には，本件審決が認定した前記第２の３(2)エの
甲５発明が記載されていると認められる。
(5)甲７発明の認定
ア２０００年６月８日に公開された甲７（国際公開第００／３２３４９号）
には，次の事項が記載されていると認められる（日本語訳のみを掲記する。頁数等
は甲７原文の本文（甲７の３枚目から始まるもの）における頁数等である）。なお，
(ｱ)は，「発明の背景」（BACKGROUNDOFTHEINVENTION），(ｲ)～(ｶ)は，「発明の要旨」
（SUMMARYOFTHEINVENTION），(ｷ)及び(ｸ)は，「好ましい実施形態の詳細な説明」
（DETAILEDDESCRIPTIONOFPREFERREDEMBODIMENTS）における記載である。
(ｱ)３頁１１行目～１８行目
出願人が知る限りでは，マーキングやイメージ形成技術とは対照的に，切断や穿
孔といった産業への応用に用いられている真のマテリアルプロセシング技術におい
て，体積光学破壊を用いることを記載した先行技術はない。ここでいう「マテリア
ルプロセシング」という用語の定義は，産業用レーザの用語法（溶接も含む。）にお
いて通常用いられており，本特許明細書の全体にわたって前提とされている。した
がって，適当な物質における，光学的な体積破壊現象を，産業その他へ応用するた
めに，新しい方法が深刻に求められている。
(ｲ)３頁２３行目～４頁１０行目
本発明は，光学的に透明な材料の体積光学破壊現象を利用してマテリアルプロセ
シングの新たな方法を提供しようとするものである。この現象は，レーザ波長の回
折限界に近い集束スポットが材料内で得られるような高品質の集束対物レンズによ
って，１０ピコ秒以下のレーザである超短パルスビームを，加工される材料の体積
内に集束させたときに発生する。このような短い高ピークパワーパルスは，例えば，
一時的に圧縮される後方誘導ブリユアン散乱(SBS)Nd:YAGレーザから得ることがで
きる。
このような高パワー密度は，１０13
watts/cm2
のオーダーであり，材料は，光学破
壊を起こす。その理由は，材料内でパワーに対する線形応答の遷移限界を超えた後，
レーザ放射線が強く吸収されるからである。集中的なパワー密度のために，材料の
原子及び分子の結合が破壊されると，材料は，ほぼ瞬時に分解してその最も基本的
な構成要素，一般的に，高度にイオン化された構成原子に変化する。
(ｳ)６頁２４行目～７頁１０行目
本発明のさらに別の好ましい実施形態によれば，透明材料の超微細切断のための
方法が提供される。この方法は，上記穿孔の実施例で説明したのと同様であるが，
連続した切断溝が製造されるように互いに近接したさらなる穴を穿孔するさらなる
工程を含んでいる。
あるいは，そして好ましくは，集束されたレーザビームは，切断する材料に対し
て複数回横断を実行するようにされる。レーザビームは，まず，材料の表面，そし
てゆっくりと鋸運動により材料を徐々に下がっていき，所望であれば材料の厚さ分
貫通する方向に延びる完全な切断溝を生成する。
本発明のさらに別の好ましい実施形態によれば，レーザー放射に対して実質的に
透明な材料の上にマテリアルプロセシングを行う方法が提供される。その方法は，
材料の体積内へレーザ放射のパルスを収束する工程，材料が光学破壊を生じるよう
なパルスとする工程，所定の経路に沿って材料に対するレーザ放射のパルスの焦点
を移動させる工程を含む。
(ｴ)７頁２１行目～２３行目
本発明のさらに好ましい実施形態によれば，また，上述したように，材料は，ガ
ラス，プラスチック，宝石，または半導体であることを特徴とする方法が提供され
る。
(ｵ)７頁３０行目～８頁４行目
本発明の好ましい実施形態によれば，上述したように，所定の経路に沿った材料
に対するパルスレーザ放射の焦点の移動が，パルスレーザ放射の放出と，所定の方
法で同期されることを特徴とする方法がまださらに提供される。
(ｶ)９頁２０行目～１０頁８行目
また，本発明のさらに別の好ましい実施形態によれば，レーザ放射に対して実質
的に透明な材料のサンプルを通して穴を穿孔する方法が提供される。穴を穿孔する
工程は，サンプルの体積内，つまり，レーザ放射が行われる表面から離れたサンプ
ルの表面に近い場所へレーザ放射のパルスを収束する工程を含む。その工程では，
１００ピコ秒より短い幅のパルスにより，サンプルの材料は光学破壊を受け，サン
プルの厚さに比べれば短い径の大きさの１番目の孔を生成し，レーザ放射が行われ
る表面から離れたサンプルの表面外で破壊される。また，穴を穿孔する工程は，レ
ーザ放射が行われる表面から所定距離後方へレーザ放射のパルスの収束点を移動す
る工程を含む。その工程では，２番目の孔が，１番目の孔にちょうど入るような所
定の距離の位置に材料の光学破壊により生成される。また，穴を穿孔する工程は，
サンプルの厚さ分の連続する孔を生成するまで前記工程を繰り返すことを含む。
上述したように，材料は，ガラス，プラスチック，半導体，又は宝石であること
を特徴とする方法も本発明の別の好ましい実施形態によって提供される。
(ｷ)１２頁２７行目～１４頁３行目
この方法は，半導体産業において特に有用であり，半導体産業では，表面以外に
非常に高解像度の識別マークを有するように，シリコンまたはガリウム砒素ウェー
ハをマークする必要性が存在している。表面にマークが必要ないのは，表面マーキ
ングプロセスのデブリが，ウエハの処理段階の多くでは，要求される清浄度のレベ
ルに悪影響を及ぼすからである。マークは，フォトレジスト及びエッチング法を使
用して従来のマイクロリソグラフィ法によって適用することができるが，内部レー
ザーマーキング方法はマイクロリソグラフィ方法とは違い，非常に迅速で，簡単な
１段階プロセスで，実施することができる。さらに，本発明のこの実施形態に記載
されたような，内部マーキング方法を利用すれば，必要以上の特徴を有する整頓さ
れたウエハ表面を残すこととなる。本発明のこの実施形態のこの利点は，マーキン
グは，ウエハレベルではなくチップレベルで適用しなければならない場合に一層重
要となる。なぜなら，チップ関連の不動産は高価値の商品だからである。シリコン
が，約１．１μｍから約５μｍに対して実質的に透明の場合には，本実施形態の方
法を実施するのには１．９μｍのレーザパルスが適している。
本発明の別の好適な実施形態によるさらなる方法は，逆穿孔手順により，透明な
サンプルに非常に平行な超微細孔を形成するために，体積光学破壊の効果を使用す
ることである。この方法は，貫通孔が穿孔されるべきサンプルの他の面のちょうど
内側に，上記第１の実施形態で記載されているような，超短パルス幅レーザを収束
させる第１の工程，及び所定数のパルスを点火する工程からなる。体積光学破壊に
より，穿孔された狭い空隙または孔が生じ，ビーム方向において前方に，サンプル
から離れる方に破片が射出される。この方法では，材料とレーザーとの相互作用機
構は，光学破壊のことであることが知られている。なぜなら，プラズマのプルーム
は，あけられた穴の前端から排出されるからである。
形成された空隙はレーザー穿孔ビームの焦点サイズと同程度の大きさの直径を有
し，プラスチック材料では主に１μｍしかなく，ガラスまたはサファイアのような
より耐熱性のある材料では，２μｍから３μｍとなる。
次のステップでは，レーザの焦点位置を材料に応じて０．１－１０μｍの距離後
方へ移動させ，別の一連のパルスが発射される。この空隙は，既存の空隙に結びつ
くように延びている。このようにして，完全な孔が，光学破壊の相互作用によって
サンプルを貫通して穿孔されている。孔が逆穿孔されるので，排出される破片，プ
ラズマ及びガスは，穿孔される際に，孔が拡がる原因とはならず，孔の大きさの良
好な平行度，高均一性が得られることとなる。
(ｸ)１４頁２１行目～１５頁８行目
本発明の別の好ましい実施形態によれば，多数の孔が相互に十分に近接して配置
されており，それにより，隣接する孔は互いに混ざり合い，所定の経路に沿った連
続切断溝を生産することとなる透明材料の微細切断の方法が提供される。
あるいは，そして好ましくは，収束されたレーザビームは所定の経路に沿って，
切断される材料を複数回横断することとなる。収束されたレーザビームの第１の横
断は材料の表面において行われ，それからゆっくりと鋸運動により材料の下の方へ
移動され，完全な切断溝を形成し，所望であれば材料の厚さを貫通するまで延ばす
ことができる。もしくは，切断は，サンプルの遠い側の表面から開始されてもよく，
その場合は，鋸引きで形成された溝がレーザ照射が行われる表面の方へ上がってい
くこととなる。本発明によれば，これらの切断方法は，特にダイヤモンド加工に有
益である。なぜなら，最小の材料しか除去されないからである。また，これらの切
断方法は，半導体産業においても有益である。なぜなら，半導体産業では，極端に
微細で滑らかな切断溝が要求されるからである。これらの方法を利用すれば，０．
２ｍｍの厚さのガラスに１０μｍ以下の切断幅を生成することが可能となる。
イ前記アからすると，甲７には，本件審決が認定した前記第２の３(2)オの
甲７発明が記載されていると認められる。
ウ原告は，「空隙」を「複数結びつかせる」というプロセスは，逆穿孔手順
による超微細孔の形成の説明（前記ア(ｷ)）において登場するもので，鋸運動による
切断溝の形成の説明には登場しないから，鋸運動による切断溝の形成に係る発明を
認定する場合には，「空隙」は「破壊された領域」と，「複数結びつかせる」は「形
成する」とそれぞれ認定すべきである旨主張する。
しかし，鋸運動の実施例に係る「連続した切断溝が製造されるように互いに近接
したさらなる穴を穿孔する」との記載（前記ア(ｳ)）や，「多数の孔が相互に十分に
近接して配置されており，それにより，隣接する孔は互いに混ざり合い，所定の経
路に沿った連続切断溝を生産することとなる」との記載（同(ｸ)）からすると，本件
審決における「空隙を形成し」，「空隙を・・・複数結びつかせる」という甲７発明
の構成が，誤りであるとは認められない。
３取消事由１（無効理由１に係る進歩性判断の誤り）について
(1)前記２(1)のとおり，本件審決の甲１発明の認定に誤りはない。
その上で，甲１発明と本件発明１とを対比すると，それらの間には，本件審決が
認定した前記第２の３(3)アの一致点及び相違点が存在すると認められる。
(2)相違点１について
ア甲１発明は，石英ガラスなどの透明材料について（前記２(1)ア(ｱ)），直
線状又は円筒状の切断加工しかできないことや，炭酸ガスレーザを利用したレーザ
切断機では溶断する厚さとして１０ｍｍ程度が限界であることを従来技術の課題と
し，厚板であっても自由な切断加工を可能とすることを目的とするものである（同
(ｲ)，(ｳ)）。これに対し，半導体材料からなるウェハ状の加工対象物は，通常，薄い
ものであって，厚板から複雑な形状に加工する必要性があるものとも解されない。
したがって，そのような加工対象物に甲１発明を適用することが直ちに動機付けら
れるとはいえないところ，甲１にはそのような動機付けとなり得る記載はなく，そ
の他動機付けとなり得る事情も認められない。
したがって，相違点１が容易想到であるとは認められない。
イ原告は，厚板であっても自由な切断加工を可能とする発明を，ウェハ状
の加工対象を直線状に切断する加工に転用することは，当業者にとって容易である
と主張するが，前記アで指摘した甲１発明の課題や目的を無視するものであって，
上記主張は採用できない。また，原告は，甲１発明を半導体材料からなる加工対象
物に適用できないという特段の事情もないと主張するが，阻害要因がないことから
直ちに容易想到といえるものでもない。
(3)相違点２について
本件発明１は，加工対象物内部に形成された改質領域を切断の起点として厚さ方
向に向かって割れを発生させるものであるところ，甲１発明については，前記２(1)
ウ(ｲ)のとおり，そのようなものとは認められないから，相違点２は，実質的な相違
点である。
そして，原告が副引用例として主張する甲４発明，甲７発明，甲６発明及び甲３
発明のうち，甲４発明は前記２(2)のとおり，甲７発明は前記２(5)のとおりであっ
て，いずれも改質領域を切断の起点として厚さ方向に向かって割れを発生させると
の本件発明１の上記工程を開示するものではない。
また，甲６（特開昭５３－１４８０９７号公報。昭和５３年１２月２３日公開）
に記載された甲６発明は，半導体ウェーハにレーザー光線を照射してその一部を溶
融除去するに当たり，予熱工程と溝の形成工程の２段階を経ることで，ウェーハ材
料に急激に熱が加わることを避け，ガラス保護膜に微小なクラックを生じさせない
というものと認められ（甲６），本件発明１の上記工程を開示するものとは認められ
ない。
さらに，甲３（特開平１１－２６７８６１号公報。平成１１年１０月５日公開）
に記載された甲３発明についても，光透過性材料のマーキングに当たり，材料の表
面の損傷を防ぐため，光透過性材料をガラス材料とし，より低い照射エネルギーの
レーザー光を材料内部に集光させることによって，光学的性質の変化（屈折率その
他任意の光学的特性の変化）を起こさせてマーキングを施すというものと認められ
（甲３），本件発明１の上記工程を開示するものとは認められない。
したがって，甲１発明に甲４発明，甲７発明，甲６発明及び甲３発明を組み合わ
せても，当業者において，本件発明１の上記工程が容易想到であったとは認められ
ない。
よって，相違点２が容易想到であったとは認められない。
(4)まとめ
以上によると，本件発明１は，その余の点について判断するまでもなく，甲１発
明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえないし，本件発明２～
３１についても，当業者が容易に想到し得たというべき事情はない。したがって，
取消事由１は認められない。
４取消事由２（無効理由２に係る進歩性判断の誤り）について
(1)甲４発明は前記２(2)のとおり認定すべきであるから，甲４発明と本件発
明１とを対比すると，それらの間には，本件審決が認定した前記第２の３(4)アの一
致点及び相違点２，３が存在するほか，原告が主張する相違点１’が存在すると認
められる。
(2)相違点３について
相違点３について，本件審決が認定したとおり認められることは，前記(1)のと
おりであり，これは実質的な相違点ということができる。
そして，原告が副引用例として主張する甲１発明，甲７発明，甲６発明及び甲３
発明のうち，甲１発明は前記２(1)のとおりであり，甲７発明は前記２(5)のとおり
であって，改質領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させ
るという本件発明１の工程を開示するものではない。甲６発明及び甲３発明が本件
発明１の上記工程を開示するものと認められないことは，前記３(3)のとおりであ
る。
したがって，甲４発明に甲１発明，甲７発明，甲６発明及び甲３発明を組み合わ
せても，当業者において，本件発明１の上記工程が容易想到であったとは認められ
ない。
よって，相違点３が容易想到であったとは認められない。
(3)まとめ
以上によると，本件発明１は，その余の点について判断するまでもなく，甲４発
明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえないし，本件発明２～
３１についても，当業者が容易に想到し得たものというべき事情はない。したがっ
て，取消事由２は認められない。
５取消事由３（無効理由３に係る進歩性判断の誤り）について
(1)甲２発明は，前記２(3)のように本件審決が認定するとおりである。
その上で，甲２発明と本件発明１とを対比すると，それらの間には，本件審決が
認定した前記第２の３(5)アの一致点及び相違点が存在すると認められる。
(2)相違点１について
ア甲２発明は，ガラス物体，特に破断開封用アンプルを加工対象物とする
ものと認められる（甲２の段落【０００１】～【０００６】，【００１１】，【００１
３】及び【００１４】）ところ，ガラス物体と半導体材料からなるウェハ状の加工対
象物の性質が異なることは，明らかであるといえる。したがって，そのような加工
対象物に甲２発明を適用することが直ちに動機付けられるとはいえないところ，甲
２にはそのような動機付けとなり得る記載はなく，その他動機付けとなり得る事情
も認められない。
したがって，相違点１が容易想到であるとは認められない。
イ原告は，甲２発明が傷の発生を避けるとの効果を奏することを指摘する
が，甲２の段落【００１３】にいう「傷の発生」は，段落【０００３】の記載に照
らすと，アンプルを破断開封する際の破断縁による手の傷をいうものとみられると
ころであり，それが，甲２発明において避けられるものであるとしても，そのこと
から直ちに，それが切断予定ラインから外れた割れを生じさせないという本件発明
１の効果と共通するものであるとはいえない。また，原告は，甲２の段落【００３
６】及び【００３７】の記載や阻害要因がないことを主張するが，原告のそれらの
主張は，相違点１について容易想到であることを基礎付けるに足りるものではない。
(3)相違点３について
甲２発明については，ガラス物体に対してどのように力がかかって破断開封がさ
れるものか等が明らかにされていないから，甲２発明において形成される破断点が，
切断の起点となっているのかどうかは明らかでなく，甲２発明におけるガラス物体
の破断の工程が，改質領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発
生させるという本件発明１における切断の工程と同様に，「破断点」である微小亀裂
を起点とするものであるとは認められない。
そして，原告が副引用例として指摘する甲１発明，甲６発明，甲３発明及び甲４
発明のうち，甲１発明は前記２(1)のとおり，甲４発明は前記２(2)のとおりであっ
て，本件発明１の上記工程を開示するものではない。甲６発明及び甲３発明が本件
発明１の上記工程を開示するものと認められないことは，前記３(3)のとおりであ
る。
したがって，甲２発明に甲１発明，甲６発明，甲３発明及び甲４発明を組み合わ
せても，当業者において，本件発明１の上記工程が容易想到であったとは認められ
ない。
よって，相違点３が容易想到であったとは認められない。
(4)まとめ
以上によると，本件発明１は，その余の点について判断するまでもなく，甲２発
明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえないし，本件発明２～
３１についても，当業者が容易に想到し得たものというべき事情はない。したがっ
て，取消事由３は認められない。
６取消事由４（無効理由４に係る進歩性判断の誤り）について
(1)甲５発明は，前記２(4)のように本件審決が認定するとおりである。
その上で，甲５発明と本件発明１とを対比すると，それらの間には，本件審決が
認定した前記第２の３(6)アの一致点及び相違点が存在すると認められる。
(2)相違点２について
ア甲５発明は，マーキングに関する発明であるところ，従来の技術では，
被加工部材の表面に損傷を生じたり，レーザ光を集光してマーキングを行う方法で
は薄板状の被加工部材にマーキングをするとクラックが表面まで到達してしまうと
いった問題があること（甲５の段落【０００２】～【０００４】）を踏まえ，薄板状
の被加工部材にマーキングする際に表面まで達するクラックの発生を制御すること
を目的とするものである（段落【０００５】）。そして，発明の実施の形態としても，
変質領域が被加工部材の表面まで達することを避けるための構成が示されており
（段落【００２３】，【００２５】，【００２６】，【００２９】，【００４０】，【００４
１】），発明の効果においても，クラックの発生が表面まで到達しないことが示され
ている（段落【００７１】）。
上記のように，甲５発明は，あくまでマーキングを目的としたもので，切断を前
提としておらず，かつ，変質領域が被加工部材の表面まで達することを避けるとい
う，切断とは逆方向の技術的思想を有するものであるから，加工対象物を切断する
ために甲５発明を適用することが動機付けられるとはいえず，その他動機付けとな
り得る事情も認められない。
したがって，甲５発明を，本件発明１のような切断のための方法として適用する
ことが，当業者において容易想到であったとはいえない。
そして，原告が副引用例として主張する甲１発明，甲３発明，甲６発明及び甲４
発明のうち，甲１発明は前記２(1)のとおり，甲４発明は前記２(2)のとおりであっ
て，改質領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させるとい
う本件発明１の工程を開示するものではない。甲３発明及び甲６発明が本件発明１
の上記工程を開示するものと認められないことは，前記３(3)のとおりである。
したがって，甲５発明に甲１発明，甲３発明，甲６発明及び甲４発明を組み合わ
せても，当業者において，本件発明１の上記工程が容易想到であったとは認められ
ない。
よって，相違点２が容易想到であるとは認められない。
イ原告は，当業者においては，「マーキング」と「切断」とを，同じレーザ
加工方法の下位概念に分類される近縁の加工方法として認識していたもので，材料
内部のレーザ加工をいずれの方法に適した態様で行うかは，レーザのパラメータを
調整する等，適宜設計可能な事項にすぎなかった旨を主張する。
しかし，本件発明１は，甲５発明とは上記のとおり異なるものであって，これが
当業者にとって適宜設計可能な事項にすぎなかったというべき事情は認められない。
(3)まとめ
以上によると，本件発明１は，その余の点について判断するまでもなく，甲５発
明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえないし，本件発明２～
３１についても，当業者が容易に想到し得たものというべき事情はない。したがっ
て，取消事由４は認められない。
７取消事由５（無効理由５に係る進歩性判断の誤り）について
(1)前記２(5)のとおり，本件審決の甲７発明の認定に誤りはない。
その上で，甲７発明と本件発明１とを対比すると，それらの間には，本件審決が
認定した前記第２の３(7)アの一致点及び相違点が存在すると認められる。
(2)相違点３について
相違点３についての進歩性判断の誤りをいう原告の主張は，本件審決の甲７発明
の認定に誤りがあることを前提とするものであるが，それに誤りが認められないこ
とは，前記２(5)のとおりであるから，原告の上記主張は前提を欠くものであって採
用できない。
甲７発明は，空隙を複数結びつかせることによって材料を切断する方法を開示す
るものであって，空隙を切断の起点とすることを開示するものではなく，甲７発明
における切断の工程が，加工対象物である材料の内部に切断の起点となる領域を形
成するという本件発明１の工程と共通するものであるとはいえず，甲７に，そのよ
うな本件発明１の工程を示唆する記載は見当たらない。
そして，原告が副引用例として主張する甲１発明，甲６発明，甲３発明及び甲４
発明のうち，甲１発明は前記２(1)のとおり，甲４発明は前記２(2)のとおりであっ
て，本件発明１の上記工程を開示するものではない。甲６発明及び甲３発明が本件
発明１の上記工程を開示するものと認められないことは，前記３(3)のとおりであ
る。
したがって，甲７発明に甲１発明，甲６発明，甲３発明及び甲４発明を組み合わ
せても，当業者において，本件発明１の上記工程が容易想到であったとは認められ
ない。
よって，相違点３が容易想到であったとは認められない。
(3)まとめ
以上によると，本件発明１は，その余の点について判断するまでもなく，甲７発
明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえないし，本件発明２～
３１についても，当業者が容易に想到し得たものというべき事情はない。したがっ
て，取消事由５は認められない。
第６結論
以上の次第で，原告の請求には理由がないからこれを棄却することとして，主文
のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
森義之
裁判官
佐野信
裁判官
中島朋宏

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