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平成２５年１２月２６日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２４年（行ケ）第１０４２６号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２５年１２月５日
判決
原告ユニティーオプトテクノロジー
カンパニーリミテッド
訴訟代理人弁護士升永英俊
訴訟代理人弁理士佐藤睦
被告日亜化学工業株式会社
訴訟代理人弁護士吉澤敬夫
訴訟代理人弁理士紺野昭男
同井波実
同鮫島睦
同言上惠一
同山尾憲人
同田村啓
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
３この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を３
０日と定める。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１１－８００２５８号事件について平成２４年７月３１日にし
た審決を取り消す。
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯等
(1)被告は，平成１２年３月１０日，発明の名称を「窒化物半導体発光素子」と
する特許を出願（特願２０００－６７６７３。出願日を平成７年６月１５日とする
特願平７－１４８４７０号の分割出願）し，平成１６年１月１６日に設定登録（特
許第３５１１９７０号）された（乙３。請求項の数５。以下「本件特許」といい，
その明細書（乙３）を「本件明細書」という。）。
(2)原告は，平成２３年１２月１６日，本件特許について特許無効審判を請求し，
特許庁に無効２０１１－８００２５８号事件として係属した。
(3)特許庁は，平成２４年７月３１日，「本件審判の請求は，成り立たない。」と
の審決（以下「本件審決」という。）をし，同年８月９日，その謄本が原告に送達さ
れた。
(4)原告は，平成２４年１２月６日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起
した。
２特許請求の範囲
特許請求の範囲の記載は次のとおりである。以下，順に「本件発明１」などとい
い，併せて「本件発明」という。
【請求項１】導電性基板上に，電極を介して光の取り出し側とする窒化物半導体が
接着してなり，該窒化物半導体の最下層はｐ型層であり，最上層がｎ型層であって，
該ｎ型層には部分電極が設けられていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】前記電極が，窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極及び／又
は導電性基板表面に形成されたオーミック電極を含むことを特徴とする請求項１に
記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】前記導電性基板を接着する窒化物半導体層面が，前記ｐ型層であり，
前記電極及び／又は導電性材料が，ｐ型層のほぼ全面に形成されていることを特徴
とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】前記電極が導電性材料を多層構造に積層されたことを特徴とする請求
項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】前記電極及び／又は導電性材料が，窒化物半導体の発光波長を反射で
きることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
３本件審決の理由の要旨
(1)本件審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりであり，要するに，①
本件発明は，後記アの引用例１に記載された発明（以下「引用発明１」という。）で
あるとはいえないし，引用発明１に基づいて，当業者が容易に発明をすることがで
きたものともいえない，②本件発明は，後記イの引用例２に記載された発明（以下
「引用発明２」という。）及び引用発明１に基づいて，当業者が容易に発明をするこ
とができたものとはいえない，というものである。
ア引用例１：特開平５－２５１７３９号公報（甲１）
イ引用例２：特開平２－２８８３７１号公報（甲２）
(2)本件審決が認定した引用発明１並びに本件発明１と引用発明１との一致点
及び相違点は，次のとおりである。
ア引用発明１：ｐ側電極を有するｐ－ＧａＰ半導体結晶と，この結晶の他方の
面上にオーミック電極，更にそのオーミック電極の上の共晶合金，並びに，ｎ－Ｉ
ｎ０.５Ａｌ０.５Ｐクラッド層，アンドープＩｎ０.５Ｇａ０.２１Ａｌ０.２９Ｐ活性層及び
ｐ－Ｉｎ０.５Ａｌ０.５Ｐクラッド層からなる発光層の両側にｎ－Ｇａ０.２Ａｌ０.８
Ａｓ電流拡散層，ｐ－Ｇａ０.２Ａｌ０.８Ａｓ厚膜層を有するＩｎＧａＡｌＰ緑色Ｌ
ＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側にオーミック電極と金属反射層がこの順に存在する
とともに，電流拡散層側に所定の形状にエッチングして形成したｎ側電極が存在し，
前記ｐ－ＧａＰ半導体結晶のオーミック電極とＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導
体結晶の厚膜層側に存在する金属反射層とが前記共晶合金によって機械的にも電気
的にも結合されている，半導体発光素子である発光ダイオード。
イ一致点：導電性基板上に，電極を介して光の取り出し側とする半導体が接着
してなり，該半導体の最下層はｐ型層であり，最上層がｎ型層であって，該ｎ型層
には部分電極が設けられている半導体発光素子。
ウ相違点：半導体が，本件発明１では，「窒化物半導体」であるのに対して，引
用発明１では，「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」である点（以下「相違
点１」という。）。
(3)本件審決が認定した引用発明２並びに本件発明１と引用発明２との一致点
及び相違点は，次のとおりである。
ア引用発明２：ＧａＰ基板９１上にＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層からなる超格子
構造の反射層９２が形成された後，この上にｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１，
アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２及びｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０３
が順次形成され，更にｎ型ＧａＮコンタクト層９５が形成され，この上面の略中央
部にオーミック電極９６が形成されるとともに，ＧａＰ基板９１の下面にオーミッ
ク電極９７が形成されたＬＥＤ。
イ一致点：導電性基板上に光の取り出し側とする半導体が形成されてなり，該
半導体の最下層はｐ型層であり，最上層がｎ型層であって，該ｎ型層には部分電極
が設けられている半導体発光素子
ウ相違点
(ア)本件発明１は，導電性基板上に，電極を介して窒化物半導体が接着してな
るものであるのに対して，引用発明２は，ＧａＰ基板９１上にＧａＡｌＮ／ＢＰ超
格子層からなる超格子構造の反射層９２が形成された後，この上にｐ型ＧａＡｌＮ
／ＢＰ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２及びｎ型ＧａＡｌ
Ｎ／ＢＰ混晶層１０３が順次形成され，更にｎ型ＧａＮコンタクト層９５が形成さ
れたものである点（以下「相違点２」という。）。
(イ)本件発明１は，半導体が窒化物半導体である窒化物半導体発光素子である
のに対して，引用発明２は，窒化物半導体発光素子といえるかどうか明らかでない
点（以下「相違点３」という。）。
４取消事由
本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り
第３当事者の主張
〔原告の主張〕
１相違点１について
本件審決は，引用発明１において，ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶を
窒化物半導体に置換することについて，当業者が容易に想到し得たと認めるに足る
根拠は，本件各証拠を通じてみても，見いだすことができないから，本件発明１が，
引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないと
判断した。
しかし，次のとおり，本件審決の上記判断は誤りである。
(1)本件出願当時，被告は，３９件の青色窒化物半導体素子に関する特許出願を
公開しており（甲７の１～３９），当業者は，被告製の高輝度の青色を発光する窒化
物半導体発光素子（青色ＬＥＤ）の市場での存在をよく知っていた。
(2)引用例１には，ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶を窒化物半導体に
置換することについて，動機付けとなる記載がある。
すなわち，引用例１の特許請求の範囲では，「半導体発光デバイス」を構成する半
導体材料は何ら特定されておらず，単に「半導体発光素子」と記載されているにす
ぎない。「課題を解決するための手段」欄の記載も同様である。このように，引用発
明１は，そもそも「半導体発光素子」を構成する特定の半導体材料に依存する発明
ではないから，引用例１に接した当業者であれば，引用発明１は，ＩｎＧａＡｌＰ
の素材に限定されることなく，発光素子に用いられる半導体材料全般（窒素（Ｎ）
を含む半導体材料一般）に広く適用できることを前提とした発明であると理解する
ことは明らかである。
また，引用例１の「産業上の利用分野」（【０００１】）欄には，「本発明は，輝度
を高く取れる構造を有した半導体発光素子に関するもので，特に表示用光源として，
例えば，…自動車のストップランプ信号機等に用いる目的で開発された高輝度の半
導体発光素子に関するものである。」と記載（なお，「自動車のストップランプ信号
機」は，「自動車のストップランプ，信号機」の誤記である。）されているとおり，
引用発明１が，「信号機等に用いる目的で開発された高輝度の半導体発光素子に関す
るもの」であることが明記されている。そして，信号機の表示する信号には，赤色，
青色，黄色の３色が用いられることが常識であるから，当業者は，「信号機等に用い
る目的で開発された高輝度の半導体発光素子に関するもの」との記載から，引用発
明１では，青色光を発する半導体材料，すなわち，ＧａＮ等の窒化物半導体を用い
ることが想定されているものと当然に理解することができる。
(3)また，①前記のとおり，引用発明１は，半導体発光素子を構成する特定の半
導体材料に依存せず，半導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属によって接合し
たことを特徴とする半導体発光素子の発明であること，②引用例１（【００８３】）
には，「青色ＬＥＤではＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層を使用する」との
記載があること及び③ＧａＮを含む青色ＬＥＤが，道路上の信号機に実際に使用さ
れていること（甲１３）からすると，これらの事項を自己の知識としている当業者
であれば，青色ＬＥＤのための最適な半導体材料として，ＧａＮを選択して，引用
発明１の実施例２（別紙２の図５）の半導体発光素子（ただし，別紙２の図４の導
電型の全て逆の構成（【００５６】））をＧａＮを用いて製作することを容易に想到す
ることができる。
(4)したがって，本件審決の上記判断は誤りである。
２相違点２について
本件審決は，引用発明２における「超格子構造の反射層９２」は良好なバッファ
層として働き，良好なｐｎ接合が得られるようにするものと認められるところ，引
用発明２において，「超格子構造の反射層９２」を金属に代えることを想定するに，
かかる金属が良好なバッファ層として働くものとは認められないから，そのように
することを当業者が容易に想到するとはいえないと判断した。
しかし，次のとおり，本件審決の上記判断は誤りである。
(1)本件審決は，「引用発明２は，ＧａＰ基板９１上にＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子
層からなる超格子構造の反射層９２が形成された後，この上にｐ型ＧａＡｌＮ／Ｂ
Ｐ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２及びｎ型ＧａＡｌＮ／
ＢＰ混晶層１０３が順次形成され」と層が形成される順番を殊更に強調した上で，
「超格子構造の反射層９２」を金属に代えるときにも，引用発明２における層形成
の順番が維持されなければならないことを前提として，上記のとおり，本件発明１
の容易想到性を判断したものである。
しかし，本件審決は，引用発明１が従来技術（引用発明２）の有する課題を解決
するために，「半導体発光素子」と「光半導体結晶基板」とを金属を介して貼り合わ
せるという技術を用いて，従来技術とは層形成の順番を逆にして半導体発光素子を
形成する発明であることを何ら考慮せずに，容易想到性の判断をしている点におい
て誤りである。
すなわち，引用発明１は，「発光層と光半導体結晶基板の間に化合物半導体材料か
らなる光反射層」（引用発明２の「超格子構造の反射層９２」）を形成するという従
来技術が有していた，「光反射層はそれ自体の光吸収及び反射率が５０～６０％と低
いため十分な効果が得られなかった」という課題（【００１３】【００１４】）を，「半
導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属によって接合」することによって解決し
たものである（【００１８】）。
そして，引用発明１は，従来技術の前記課題を解決するため，ダミー基板上に最
終的に最上層となる層から順次積層して，半導体層を形成して半導体発光素子を形
成し，半導体発光素子を金属によって光半導体結晶基板と接合した後に，ダミー基
板を除去して，除去されたダミー基板の位置に電極を設置するという技術を用いた
ものである。
本件審決は，本件発明１の容易想到性の判断において，引用発明１の従来技術が
有する前記課題やその具体的な解決手段（従来技術とは層形成の順番を逆にして半
導体発光素子を形成すること）を何ら考慮していない点において，明らかに誤って
いる。
(2)本件審決は，引用発明１が，従来技術（引用発明２）が有する前記課題を解
決するために，半導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属を介して貼り合わせる
という技術を用いて，金属をバッファ層とすることなく，半導体発光素子を形成す
る発明であることを考慮せずに，容易想到性を判断している点においても誤ってい
る。
すなわち，引用発明１は，発光層と光半導体結晶基板の間に化合物半導体材料か
らなる光反射層（引用発明２の「超格子構造の反射層９２」）を形成するという従来
技術が有していた前記課題を，（ａ）光半導体結晶基板（ｐ－ＧａＮ基板９１）上に
金属を積層し，（ｂ）別の基板（ダミー基板）上に半導体発光素子（ｐ－ＧａＮＡｌ
Ｎ／ＢＰ混晶層１０１～ｎ－ＧａＮコンタクト層９５）を積層し，（ｃ）当該金属と
半導体素子とを貼り合わせ，（ｄ）別の基板（ダミー基板）を除去し，（ｅ）除去さ
れたダミー基板の元の位置に電極を形成することによって，半導体発光素子と光半
導体結晶基板とを金属によって接合するという技術によって解決するものである。
このように，引用発明１によって，超格子構造の反射層９２を金属に置き換えて，
引用発明２が有する前記課題を解決する技術は，金属をバッファ層とすることなど
何ら必要としない。そもそも，当業者にとって，金属が良好なバッファ層として働
くものでないことは当然のことであり，金属をバッファ層として，当該金属上にｐ
－ＧａＮＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１を形成することは，意味のないことである。
したがって，従来技術である引用発明２が有する前記課題を，半導体発光素子の
発光効率向上の目的で，引用発明１に従って解決すれば，本件発明１に至るのであ
るから，本件発明１は，当業者が引用発明２及び１に基づき，容易に発明をするこ
とができたものである。
(3)被告の主張について
ア被告は，引用発明１に係る半導体発光素子と光半導体結晶基板との金属によ
る接合過程に関して原告が説明した，前記（ａ）ないし（ｅ）の組合せは，全体と
してＰ－Ｎ－Ｐ型の半導体になっており，最下層のｐ－ＧａＰ層からｎ－ＧａＮ層
には電流が流れないから，外部と導通が取れず，発明としては成立しない構造であ
ると主張する。
しかし，被告の上記主張は，被告にとって都合の良い構造となるように，別紙３
の図１０の構成を無視し，最上層がｐ型となるように，恣意的に作出したものであ
る。前記（ａ）ないし（ｅ）の組合せのうち，（ｂ）の「別の基板（ダミー基板）上
に「半導体発光素子」（ｐ-ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶１０１～ｎ－ＧａＮコンタクト層
９５）を積層し」との記載は，「別の基板（ダミー基板）上に半導体発光素子が，積
層されること」，「半導体発光素子が，（ｐ-ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶１０１～ｎ－Ｇａ
Ｎコンタクト層９５）の各層から成ること」を意味するにすぎない。すなわち，「別
の基板（ダミー基板）上に「半導体発光素子」（ｐ-ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１
～ｎ－ＧａＮコンタクト層９５）を積層し，」との文言は，別の基板（ダミー基板）
を最下層とし，その上に，層「１０１」，層「１０２」，層「１０３」，層「９５」の
順序で，下から上方向へ順次積層されることを意味するものではない。これは，「ｐ
-ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶１０１～ｎ－ＧａＮコンタクト層９５」との文言から素直に
導かれる意義である。
したがって，被告の上記主張は，失当である。
イ被告は，引用例２では，基板から順に結晶を成長させるに当たり，超格子構
造の反射層９２が存在することを不可欠の前提としているとした上で，原告が説明
した，（ｂ）「半導体発光素子（ｐ－ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１～ｎ－ＧａＮコ
ンタクト層９５）」なるものは，バッファ層として働く「ｐ－ＡｌＧａＮ／ＢＰから
なる超格子層の反射層９２」がないとｐｎ接合ができないから，発光素子として機
能しないと主張する。
しかし，引用例２の特許請求の範囲請求項６ないし９には，「基板上に直接または
バッファ層を介して，…」と記載されているとおり，引用発明２は，「バッファ層」
を不可欠の構成要素とするものではない。
したがって，被告の上記主張は，失当である。
〔被告の主張〕
１相違点１について
原告は，①本件出願当時，青色ＬＥＤは，市場で販売されていた，②引用発明１
は「半導体発光素子」を構成する特定の半導体材料に依存する発明ではない，③引
用例１（【０００１】）には，「自動車のストップランプ信号機等に用いる目的」との
記載があるから，引用発明１では，青色光を発するＧａＮ等の窒化物半導体を用い
ることが想定されているなどとして，引用例１には，「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用
光半導体結晶」を「窒化物半導体」に置換することについての動機付けがあると主
張する。
しかし，次のとおり，原告の主張は，失当である。
(1)原告は，本件審判手続では，仮に引用例１にＧａＮを適用することが記載さ
れていないとしても，本件発明１は引用発明１に基づいて，当業者が容易に想到し
得たものであると主張していたのであり，青色ＬＥＤが周知であったことや，その
青色ＬＥＤ技術との組合せにおいての容易想到性を主張していたものではなく，本
件審決もそのような判断をしていないから，本件訴訟に至って，本件出願当時に青
色ＬＥＤの技術が知られていたかどうかを主張しても意味がない。
(2)引用例１には，「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用半導体結晶」に関する発明が
開示されている。すなわち，特許請求の範囲がたまたま抽象的表現によって広く規
定されていたとしても，引用例１に開示されているのは，あくまでもその明細書に
記載された発明である。そして，引用例１の各実施例には，ＩｎＧａＡｌＰのＬＥ
Ｄが記載されているにとどまり，青色を発光させることや，窒化物半導体によって
構成されることの開示はない。このような引用例１の記載からみて，引用発明１に
窒化物半導体を適用すべき根拠はない。
(3)原告は，引用例１（【０００１】）には，「自動車のストップランプ信号機等
に用いる目的」とあるから，青色光を発するＧａＮ等の窒化物半導体を用いること
が想定されているなどと主張するが，信号機の表示する信号には，赤色や黄色もあ
るから，「信号機」という記載が当然に青色ＬＥＤを含む意味であるということはで
きない。そして，引用例１は，ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ・半導体発光素子（【００
５８】）とその活性層の組成を変えた黄色，橙色，赤色，赤外ＬＥＤ（【００６０】
等）を開示しているのみで，信号機に窒化物半導体の青色ＬＥＤを使用することに
関する記載はないから，引用例１において，窒化物半導体を使用した信号機が考慮
されていないことは明らかである。
２相違点２について
(1)原告は，引用発明１はその従来技術に当たる引用発明２の有する課題を解決
するため，「半導体発光素子」と「光半導体結晶基板」とを金属を介して貼り合わせ
るという技術を用いて，従来技術とは層形成の順番を逆にして半導体発光素子を形
成する発明であるとか，当該技術を用いて，金属をバッファ層とすることなく半導
体発光素子を形成する発明であるなどと主張する。
しかし，引用発明２は，引用例１に記載された従来技術ではなく，引用発明２に
原告が主張する課題があったということはできない。引用例１において言及されて
いる従来例の反射層６（別紙２の図２）や光反射層（【００１３】）は，単純に光を
反射するための化合物半導体材料であり，別紙３の図１０に記載されている「Ｇａ
ＡｌＮ/ＢＰ超格子層からなる反射層９２」とは，技術思想を全く異にする構成であ
る。すなわち，引用例２は，ＧａＮやＡｌＮで低抵抗のｐ型結晶が得られないのは，
イオン性が大きいことによる欠陥が生じやすいことのほか，これらが閃亜鉛鉱型の
結晶構造ではなく，ウルツ鉱型を持っていることが本質的な原因であるとの認識に
基づき，ウルツ鉱型であっても，安定な閃亜鉛鉱型を有する結晶上に成長させれば，
ある程度の厚さまでは閃亜鉛鉱型を保つとか，従来，熱力学的に安定な混晶が作製
できないとされたＢとＧａ，Ａｌ，ＩｎというⅢ族元素の組合せ若しくはＮとＰ，
Ａｓの組合せを含むⅢ－Ⅴ族化合物半導体材料系においても，ＧａｘＢ１－ｘＮｚＰ１－
ｚ系の混晶において，その組成がｘ＝ｚをほぼ満足する場合であれば，ＢとＮを同
時に比較的多量に混合することにより，安定な混晶を得ることができるなどの知見
を得たことを前提として，別紙３の図１０のとおり，ｐ－ＧａＰ基板（図１０の「ｐ
－ＧａＮ」は，「ｐ－ＧａＰ」の誤記である。）にバッファ層の役割を果たすｐ－Ａ
ｌＧａＮ／ＢＰからなる超格子層の反射層９２を設け，その上に順次符号１０１，
１０２，１０３，９５で示されるＡｌＧａＮとＢＰの混晶層を形成するという発明
である。そして，引用例２の反射層９２の構造は，ｐｎ接合を得る上で不可欠な極
めて特殊な層であって，引用例１に記載された光を反射するためだけの「化合物半
導体材料からなる光反射層」とは全く異質な層であり，引用例１で従来例としてい
る反射層６（別紙２の図２）や光反射層（【００１３】）などではない。
(2)原告は，引用発明１は「半導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属によっ
て接合」する技術だとして，引用例１に記載された個々の要素を引用例２に記載さ
れた要素に入れ替えているが，引用例１には，そのような入れ替えが可能であるこ
との記載や，入れ替えることの示唆はない。
また，仮に原告が主張するとおりに引用例１と引用例２とを組み合わせたとして
も，次のとおり，本件発明１を想到することには至らない。
すなわち，原告が引用発明１に係る半導体発光素子と光半導体結晶基板との金属
による接合過程に関して説明した，前記（ａ）ないし（ｅ）の組合せは，最下層が
ｐ型のＧａＰであり，その上に金属層を介してｎ型のＧａＮ，ｎ型ＧａＡｌＮ/ＢＰ
混晶，その上にｐ型のアンドープＧａＡｌＮ/ＢＰ混晶とｐ型ＧａＡｌＮ/ＢＰ混晶
が積層されるから，全体としてＰ－Ｎ－Ｐ型の半導体となっている。かかる構造は，
通常のｐｎ接合による発光素子の構造とは全く異なり，通常の発光素子に用いられ
る駆動電圧では最下層のｐ－ＧａＰ層からｎ－ＧａＮ層に電流が流れないため，外
部と導通がとれない，発光素子としては成立しない構造である。
また，原告が説明した上記構造は，「最上層がｎ型層である」とする本件発明１の
構成を備えていない。
したがって，仮に原告の主張に沿って引用例１と引用例２とを組み合わせたとし
ても，本件発明１を想到することにならないことは明らかである。
(3)原告が説明した，前記（ｂ）「半導体発光素子（ｐ-ＧａＡｌＮ/ＢＰ混晶層
１０１～ｎ-ＧａＮコンタクト層９５）なるものは，別紙３の図１０の符号１０１，
１０２，１０３，９５に相当する部分であるところ，当該部分は引用例２の「ｐ－
ＡｌＧａＮ／ＢＰからなる超格子層の反射層９２」がないとｐｎ接合ができないか
ら，発光素子として機能しないものである。
すなわち，引用例２に記載された半導体発光素子は，基板から順に結晶を成長さ
せるに当たり，本来ウルツ鉱型の結晶構造を有するＧａＡｌＮを閃亜鉛鉱型結晶構
造として積層するため，一定の組成比を有するＧａＡｌＮとＢＰが交互に積層され
た超格子構造の反射層９２が存在することを不可欠の前提とするものであって，別
紙３の図９及び図１０に開示されている「反射層９２」は，「２種類のＧａＡlＮ/
ＢＰ超格子層の積層構造（積層周期は放射光の波長の約１/２の９００Å，キャリア
濃度２×１０１７/ｃｍ３，厚さ６μｍ）である。」という特異な構成である。原告
は，あたかもダミー基板の上にｐ-ＧａＡｌＮ/ＢＰ混晶１０１，アンドープｐ-Ｇａ
ＡｌＮ/ＢＰ混晶１０２，ｎ-ＧａＡｌＮ/ＢＰ混晶１０３，Ｎ-ＧａＮ９５から成る
半導体発光素子が作製できるかのように主張するが，引用例２の半導体発光素子は，
その下層にｐ型結晶を得るためのバッファ層として働く「ＧａＡｌＮ/ＢＰ超格子層
からなる反射層９２」がなければ製造できるものではない。
したがって，「ダミー基板」の上には，引用例２に記載の「半導体発光素子」を作
ること自体ができない。
また，引用例１に記載されたオーミック電極１１（水玉電極），金属反射層１８，
共晶合金１２，全面電極１７は，単にオーミック接続をするための導電性材料にす
ぎず，特殊な目的を有する引用例２に記載の閃亜鉛鉱型を有する超格子層の積層構
造の「反射層９２」とは，全く異質のものである。引用例１に記載された「金属反
射層１８」と，引用例２に記載された「反射層９２」とは，「反射層」という言葉は
共通するものの，その目的，構成，効果が全く異なり，引用発明２において，「反射
層９２」を除去したり，他の構成に交換してしまうと，引用発明２はもはや成立せ
ず，機能もしないから，当業者にとって引用例２に記載された「反射層９２」を引
用例１に記載された「金属反射層１８」に代えて用いることは考え得ないし，その
ような動機付けはあり得ない。
第４当裁判所の判断
１本件発明について
(1)本件発明は，前記第２の２に記載のとおりであるところ，本件明細書（乙３）
には，本件発明について，概略，次のような記載がある。なお，引用の図面は，別
紙１のとおりである。
ア産業上の利用分野
本件発明は，発光ダイオード等の発光デバイス又はフォトダイオード等の受光デ
バイスに使用される窒化物半導体よりなる素子に関するものである（【０００１】）。
イ従来の技術
窒化物半導体は，バンドギャップエネルギーが１．９ｅＶ～６．０ｅＶまである
ので，発光素子，受光素子等の各種半導体デバイス用として注目され，最近この材
料を用いた青色ＬＥＤ，青緑色ＬＥＤが実用化されている。一般に窒化物半導体素
子は，気相成長法を用いて，基板上にｎ型，ｐ型等に導電型を規定した窒化物半導
体を積層成長させることによって得られる。基板には，サファイア，スピネル等の
絶縁性基板のほか，炭化ケイ素，シリコン等の導電性基板が使用されるが，窒化物
半導体と完全に格子整合する基板は未だ開発されておらず，現在のところ，格子定
数が１０％以上も異なるサファイアの上に窒化物半導体層を強制的に成長させた青
色，青緑色ＬＥＤ素子が実用化されている。図６は，従来の青色ＬＥＤ素子の構造
を示す模式的な断面図である。従来のＬＥＤ素子は，基本的にサファイア基板の上
に窒化物半導体よりなるｎ型層と活性層とｐ型層とが順に積層されたダブルへテロ
構造を有している。サファイアは絶縁性であり基板側から電極を取り出すことがで
きないので，同一窒化物半導体層表面に正電極と負電極とが設けられた，いわゆる
フリップチップ方式の素子とされている（【０００２】～【０００４】）。
ウ発明が解決しようとする課題
しかし，サファイアを基板とする従来のフリップチップ方式の素子には数々の問
題点がある。第一に，同一面側から両方の電極を取り出すためチップサイズが大き
くなり多数のチップがウエハから得られない。第二に，負電極と正電極とが水平方
向に並んでいるため電流が水平方向に流れ，その結果，電流密度が局部的に高くな
りチップが発熱する。第三にサファイアという非常に硬く，劈開性のない基板を使
用しているので，チップ化するのに高度な技術を必要とする。さらにＬＤを実現す
る際には，基板の劈開性を用いた窒化物半導体の劈開面を共振面とできないので共
振面の形成が非常に困難である（【０００５】）。
本件発明は，以上のような事情を鑑みなされたものであり，その目的は，主とし
て上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物
半導体素子を提供することにある（【０００７】）。
エ課題を解決するための手段
本件発明の窒化物半導体発光素子は，導電性基板上に，電極を介して光の取り出
し側とする窒化物半導体が接着してなり，窒化物半導体の最下層はｐ型層であり，
最上層がｎ型層であって，ｎ型層には部分電極が設けられていることを特徴とする
（【０００８】）。
オ作用
本件発明の方法及び素子では窒化物半導体層に導電性基板を接着している。つま
り，窒化物半導体が絶縁性基板の上に成長されたウエハでは，窒化物半導体より得
られる各種素子はフリップチップ形式とならざるを得ないが，導電性基板をウエハ
最上層の窒化物半導体層に接着することにより，導電性基板が電極を形成する基板
となる。その後，絶縁性基板を除去すると窒化物半導体層が露出するので，露出し
た窒化物半導体層面にもう一方の電極を形成することができ，従来のような電極が
水平方向に並んだ素子ではなく，互いの電極が対向した素子を作製することができ
る（【００１６】）。
カ実施例１
サファイア基板１の表面に窒化物半導体層２が積層されたウエハを用意する。な
お，窒化物半導体層２はサファイア基板１から順にドナー不純物がドープされたＡ
ｌＸＧａ１－ＸＮ（０≦Ｘ≦１）よりなるｎ型層２１と，ＩｎＹＧａ１－ＹＮ（０＜Ｙ
＜１）よりなる活性層２２と，アクセプター不純物がドープされたＡｌＸＧａ１－Ｘ
Ｎ（０≦Ｘ≦１）よりなるｐ型層２３とを少なくとも有するダブルへテロ構造を有
している。なお，最上層のｐ型層２３は４００℃以上のアニーリングにより低抵抗
化されている（【００２１】）。
次に，図１に示すように窒化物半導体層２の表面のほぼ全面にＮｉとＡｕを含む
オーミック電極３０を５００オングストロームの膜厚で形成する。つまり窒化物半
導体層２の最上層のｐ型層のほぼ全面にｐ型層と好ましいオーミックが得られる第
一のオーミック電極３０を形成する。さらに，そのオーミック電極３０の上に接着
性を良くするためにＡｕ薄膜を０．１μｍ形成する（【００２２】）。
一方，導電性基板として，サファイア基板１とほぼ同じ大きさを有するｐ型Ｇａ
Ａｓ基板５０を用意し，このｐ型ＧａＡｓ基板５０の表面にＡｕ－Ｚｎよりなる第
二のオーミック電極４０を５００オングストロームの膜厚で形成する。さらに，そ
の第二のオーミック電極４０の上に接着性を良くするためにＡｕ薄膜を０．１μｍ
形成する（【００２３】）。
次に，図２に示すように第一のオーミック電極３０を有する窒化物半導体ウエハ
と，第二のオーミック電極４０を有するｐ型ＧａＡｓ基板５０とのオーミック電極
同士を貼り合わせ，加熱により圧着する。ただし，圧着時ウエハのサファイア基板
１とｐ型ＧａＡｓ基板５０とは平行となるようにする。平行でないと次のサファイ
ア基板を除去する工程において，露出される窒化物半導体層の水平面が出ないから
である。また，第一のオーミック電極３０と第二のオーミック電極４０とを接着す
るためにＡｕを使用したが，この他電極３０と４０との間にインジウム，錫，ハン
ダ，銀ペースト等の導電性材料を介して接着することも可能である。なお，ｐ型Ｇ
ａＡｓ基板５０を接着する際に窒化物半導体層の劈開性と，基板５０との劈開方向
を合わせて接着してあることはいうまでもない（【００２４】）。
次に，ｐ型ＧａＡｓ基板５０を接着したウエハを研磨器に設置し，サファイア基
板１のラッピングを行い，サファイア基板を除去して，窒化物半導体層２のｎ型層
２１を露出させる。なお，この工程において，例えばサファイア基板１を数μｍ程
度の厚さが残るようにラッピングした後，さらに残ったサファイア基板をエッチン
グにより除去することも可能である。サファイア基板１除去後のウエハの構造を図
３に示す（【００２５】）。
最後に露出したｎ型層２１の表面をポリシングした後，ｎ型層にオーミック用の
電極としてＴｉ－Ａｌよりなる負電極２５を形成し，一方ｐ型ＧａＡｓ基板５０に
は同じくオーミック電極としてＡｕ－Ｚｎよりなる正電極５５を全面に形成する
（【００２６】）。
以上のようにして正電極及び負電極が形成されたウエハを，ｐ型ＧａＡｓ基板の
劈開性を利用して２００μｍ角の発光チップに分離する。分離後の発光チップの構
造を示す模式的な断面図を図４に示す。この発光チップは電極２５と５５間に通電
することにより，活性層２２が発光するＬＥＤ素子の構造を示している。この発光
素子は活性層２２の発光が第一のオーミック電極３０とｐ型層２３との界面で反射
され，ｐ型ＧａＡｓ基板５０に吸収されることがないので，従来の発光素子に比べ
て発光出力が５０％以上増大した（【００２７】）。
キ発明の効果
本件発明の方法によると導電性基板を有する窒化物半導体素子が実現できるの
で，チップサイズの小さい素子を提供することができる。また，素子に形成した電
極同士が対向しているので，電流が窒化物半導体層に均一に流れ発熱量が小さくな
り，レーザ素子を実現することも可能となる。さらに，容易に窒化物半導体の劈開
が可能となり，その劈開面を共振器とできるためレーザ素子の作製が容易となる。
加えて，発光デバイスを実現すると，窒化物半導体層と導電性基板とを接着した電
極により，窒化物半導体層の発光が電極表面で反射されるので発光出力も増大させ
ることができる（【００３１】）。
従来の窒化物半導体ＬＥＤでは，ｐ型層の表面のほぼ全面に光を透過する正電極
が形成され，正電極により発光する光の５０％以上が吸収されていた。しかし，本
件発明の素子によると，図４及び図５に示すように，低抵抗なｎ型層が最上層とな
るので，従来のように全面電極を設ける必要がなくなり，小さな部分電極でよい。
したがって，窒化物半導体層側からの光の取り出し効率が飛躍的に向上し発光出力
が向上する。このように本発明は窒化物半導体を用いたデバイスを実現する上で産
業上の利用価値は非常に大きい（【００３２】）。
(2)以上の記載からすると，窒化物半導体は，バンドギャップエネルギーが１．
９ｅＶ～６．０ｅＶまであるので，発光素子，受光素子等の各種半導体デバイス用
として注目されているところ，従来の青色ＬＥＤ素子において，サファイアを基板
とするフリップチップ方式のものでは，同一面側から両方の電極を取り出すため，
チップサイズが大きくなり，多数のチップがウエハから得られないなどの課題があ
ったことから，本件発明は，主として上下より電極を取り出せる構造を有する窒化
物半導体素子を提供することを目的とし，導電性基板上に，電極を介して光の取り
出し側とする窒化物半導体が接着してなり，窒化物半導体の最下層はｐ型層であり，
最上層がｎ型層であって，ｎ型層には部分電極が設けられていることを特徴とする
窒化物半導体発光素子とすることによって，素子に形成した電極同士が対向してい
るので，電流が窒化物半導体層に均一に流れ発熱量が小さくなり，レーザ素子を実
現することも可能となり，窒化物半導体層と導電性基板とを接着した電極により，
窒化物半導体層の発光が電極表面で反射されるので発光出力を増大させることがで
きたり，低抵抗なｎ型層が最上層となるので，従来のように全面電極を設ける必要
がなくなり，小さな部分電極でよいから，窒化物半導体層側からの光の取り出し効
率が飛躍的に向上するなどの効果を奏するというものである。
２引用発明１について
(1)引用発明１は，前記第２の３(2)アに記載のとおりであるところ，引用例１
（甲１）には，引用発明１について，概略，次のような記載がある。なお，引用の
図面は別紙２のとおりである。
ア産業上の利用分野
本発明は，輝度を高く取れる構造を有した半導体発光素子，特に表示用光源とし
て，例えば，自動車のストップランプ信号機等に用いる目的で開発された高輝度の
半導体発光素子に関するものである（【０００１】）。
イ従来の技術
半導体発光素子の中でも発光ダイオード，特に高輝度のＬＥＤは，表示用光源，
例えば，自動車のストップ・ランプ，信号機等に使用されている（【０００２】）。
ウ発明が解決しようとする課題
屋外用の表示用電源の場合，各々の発光色領域において，１ｃｄ以上の輝度が必
要である。赤色領域では直接遷移型であるＧａＡｌＡｓ－ＬＥＤは１ｃｄ以上の輝
度が容易に得られるが，赤色より短波長領域の橙色から緑色のＬＥＤでは間接遷移
型であるＧａＡｓＰ－ＬＥＤやＧａＰ－ＬＥＤを使用しているため，５００ｍｃｄ
程度がほぼ限界となる。したがって，屋外用に使用するＬＥＤ発色光の場合，赤色
より短波長領域である燈色，黄色，緑色では，従来１個の発光素子を載置するリー
ド上に複数個載置することとなり，コストアップとなる（【０００６】【０００７】）。
また，直接遷移型であるＩｎＧａＡｌＰ－ＬＥＤにおいても，十分な輝度が得ら
れない。その原因の一つに発光した活性層と光半導体結晶基板との間の光を有効に
活用していないことが挙げられる。光反射層及び電流拡散層を形成することによっ
て，発光効率を上げることはできるが，橙色から緑色までの範囲の光を１ｃｄ以上
のＬＥＤとして十分生かすことができないのが現状である（【０００８】【０００
９】）。
また，発光層における活性層として，バンド・ギャップの大きいＩｎＧａＡｌＰ
系半導体結晶を用いた半導体発光素子を使用すると，光半導体結晶基板がバンド・
ギャップの小さいＧａＡｓ等の材料の場合，発光層は短波長の発光をするので，発
せられる光の多くは，この光半導体結晶基板に吸収され，発光により下方に向った
光は，外部に取り出し得ないことになる。光半導体エピタキシャル結晶成長層が薄
いため，光半導体結晶基板を除去する方法もむずかしく，光半導体結晶基板にその
発光波長光の吸収の少ないものを選択せねばならず，光半導体結晶材料が限定され
ている状況である（【００１０】～【００１２】）。
従来例図２では，光半導体結晶基板による光の吸収を防いで発光効率を上げると
同時に光半導体結晶基板材料の選択の範囲を広げるため，発光層と光半導体結晶基
板の間に化合物半導体材料からなる光反射層を形成し，発光層から出た光は下方の
光半導体結晶基板の方向に向かっても光反射層によって反射されて光半導体結晶基
板による光の吸収が防がれる。しかし，光反射層はそれ自体の光吸収及び反射率が
５０～６０％と低いため十分な効果が得られない（【００１３】【００１４】）。
一方，反射層を設けずに発光層から発光した光が下方に向っても光を外部に取り
出す方法として，その発光波長光に対し不透明であるＧａＡｓ光半導体結晶基板の
代りに，その発光波長光に対し透明であるＧａＰ光半導体結晶基板を用いたＩｎ０．
５（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）０．５ＰーＬＥＤ（緑色→赤色発光）ができたが，この場合，Ｇ
ａＰ光半導体結晶基板とＩｎ０．５（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）０．５Ｐとの格子不整合による格
子欠陥が多発するため，内部発光効率が低下し，結果的には輝度の高い１ｃｄ以上
のＬＥＤが得られなかった（【００１５】）。
そこで，本発明は，発光効率を上げて光の有効利用が可能となる短波長の光を発
する半導体発光素子ＩｎＧａＡｌＰの四元素混晶材料で構成される活性層から得ら
れる輝度が１ｃｄ以上になるＬＥＤを提供することを目的とするものである（【００
１７】）。
エ課題を解決するための手段
前記課題を解決するため，第一の発明の半導体発光デバイスは，光半導体結晶基
板上に少なくとも一つ以上の発光層で構成された半導体発光素子同志若しくは光半
導体結晶基板上に少なくとも一つ以上の発光層で構成された半導体発光素子と光半
導体結晶基板とを金属によって接合して成ることを特徴とする（【００１８】）。
オ作用
発光層を構成する半導体発光素子・ＬＥＤウエハと，発光層から発せられる光の
エネルギー以上のエネルギーギャップをもつ透明な光半導体結晶基板若しくは不透
明な光半導体結晶基板上に光半導体エピタキシャル結晶成長層を形成した後，光吸
収層となる光半導体結晶基板を除去することにより，光を有効に取り出すことがで
き，赤色より短波長領域である中間色例えば橙色，黄色，緑色発光で１ｃｄ以上の
輝度が容易に得られる。また，半導体発光素子・ＬＥＤウエハ同志の接合には共晶
合金化手段を用いて電極形状にかかわらず，効果的に容易に接合できる（【００２
６】）。
カ実施例
(ア)図４は，実施例１に係る半導体発光素子である発光ダイオードの構造を示
す断面図である。その基本的構造は，一方の電極を有する化合物半導体結晶１４と，
この結晶の他方の面上にオーミック電極１３，更にそのオーミック電極１３の上の
共晶合金１２及び発光層２の両側に電流拡散層３，厚膜層１０を有する光半導体ウ
エハ１５の厚膜層１０側にオーミック電極１１と電流拡散層側３にオーミック電極
５が存在し，化合物半導体結晶１４と光半導体結晶１５とが共晶合金によって機械
的にも電気的にも結合されている（【００４４】）。
次に，上記半導体発光素子の製造方法について具体的に説明する（【００４５】）。
初めにｐ－ＧａＡｓ基板の上にｐ－ＧａＡｓバッファ層を０．５μｍ程度成長さ
せる。この上に順次ｐ－Ｉｎ０．５Ｇａ０．２Ａｌ０．３Ｐ保護膜層を０．１５μｍ，ｐ－
ＧａＡｓコンタクト層を０．１μｍ，ｐ－Ｇａ０．２Ａｌ０．８Ａｓ電流拡散層３を７
μｍ程度，ｐ－Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐ，クラッド層２２を１μｍ程度，アンドープＩ
ｎ０．５Ｇａ０．２１Ａｌ０．２９Ｐ活性層２０を０．６μｍ程度，ｎ－Ｉｎ０．５Ａｌ０．５
Ｐクラッド層を１μｍ程，ｎ－Ｇａ０．２Ａｌ０．８Ａｓ厚膜層を７μ程度，ｎ－Ｇａ
Ａｓコンタクト層を０．１μｍ成長させ，最後にｎ－Ｉｎ０．５Ｇａ０．２Ａｌ０．３Ｐ保
護膜層を０．１５μｍ成長させる（【００５１】）。
次に，このようにして得られたＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶１５の
ｎ－Ｉｎ０．５Ｇａ０．２Ａｌ０．３Ｐ保護膜層をリン酸で７０℃３０秒エッチングして除
去し，真空蒸着法によりｎ－ＧａＡｓコンタクト層にＡｕＧｅ合金層１１を０．５
μｍ蒸着した後に４８０℃１０分間Ａｒ雰囲気中でシンタリングしてオーミックコ
ンタクトを形成する（【００５２】）。
次に，写真触刻法により所定の形状にエッチングして電極１１を形成する。また，
電極１１以外の露出しているｎ－ＧａＡｓコンタクト層をアンモニア水と過酸化水
素水からなるエッチング液で除去する（【００５３】）。
一方，厚さ２５０μｍ程度のｎ－ＧａＰ結晶の両面にＡｕＧｅ合金層９，１３を
０．５μｍ蒸着した後５００℃２０分間Ａｒ雰囲気中でシンタリングしてオーミッ
クコンタクトを形成する。そしてＡｕＧｅ合金層１３の上に真空蒸着法によりＡｕ
Ｇｅ共晶合金１２を１μｍ程度蒸着する。次に，両面のＡｕＧｅ合金を写真触刻法
により電極１１と同じパターンに成形する（【００５４】）。
このようにして電極形成された光半導体結晶１５のｎ側電極１１とＧａＰ半導体
結晶１４の共晶合金１２を密着させた後，水素雰囲気中で４００℃５分熱処理をす
る。この処理によりＡｕＧｅ共晶合金１２が溶け，電極１１と融着する（【００５
５】）。
次に，このＡｕＧｅ合金の融着により接着一体化したウエハをアンモニア水と過
酸化水素水のエッチング液によりｐ－ＧａＡｓ半導体結晶基板のみを除去する。更
にリン酸で７０℃３０秒エッチングしてｐ－Ｉｎ０．５Ｇａ０．２Ａｌ０．３Ｐ保護膜層を
除去し，真空蒸着法によりｐ－ＧａＡｓコンタクト層にＡｕＢｅ合金層を０．３μ
ｍ蒸着した後，４８０℃１０分間Ａｒ雰囲気中でシンタリングしてオーミックコン
タクトを形成する。更にワイヤポンディングが容易にならしめるためにＡｕＢｅ合
金層の上にＡｕを１μｍ程度蒸着した後，所定の形状にエッチングしてＰ側電極５
を形成する（【００５６】）。
また，電極５以外の露出しているｐ－ＧａＡｓコンタクト層はアンモニア水と過
酸化水素水からなるエッチング液で除去する。その後に所定のピッチでダイシング
して個々のペレットに分離する（【００５７】）。
このようにしてＧａＡｓ基板を除去してなる高効率ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ・
半導体発光素子が完成する。このＬＥＤではダブルヘテロ構造部の活性層で発生し
た光は，Ｐ側電極５側，ｎ－厚膜層１０側及び側面に向うことになる。ｎ－厚膜層
１０側に向かった光はｎ－厚膜層１０と空気との界面で１部が反射され，残りは半
導体結晶１４に向う。半導体結晶１４に入射した光も半導体結晶が透明であるので
有効に外に放射される。この効果は電極１１，１３，及び９の面積が小さい程有効
となる（電極は光を吸収するので）。これにより輝度が著しく向上し，２ｃｄ程度の
緑色ＬＥＤが実現する（【００５８】）。
なお，上記実施例では，半導体結晶としてｎ－ＧａＰを採用しているが，ｐ－Ｇ
ａＰを使用しても良い。この場合は図４に示されている導電型は全て逆になる（【０
０５９】）。
実施例では緑色ＬＥＤについて説明したが，ＩｎＧａＡｌＰ活性層の組成を適宜
変えることにより容易に黄色，橙色，赤色，赤外ＬＥＤ等にも適用可能になる（【０
０６０】）。
(イ)図５の実施例２は，金属反射層１８を設けるという点が図４の実施例１と
異なるが，効果は同様である。光半導体発光素子１５の光半導体結晶であるｎー厚
膜層１０側に本発明の実施例１で記載した通りの方法で所定の形状をもった電極１
１を形成した後，真空蒸着法にてＡｇを１μｍ程度蒸着し，このＡｇを光の反射そ
うとして利用する。一方，半導体結晶１４には実施例１と同様に，オーミック電極
１４と１６とを共晶合金１２で接合構造を形成するが，この場合は発光層２から放
射された光が金属反射層１８で反射するので特定の形状にする必要はなく，写真触
刻法にてパターニングしない。それ以外の工程は実施例１と同様である（【００６１】
～【００６３】）。
キ発明の効果
各半導体発光素子に順バイアスをそれぞれ印加して，各々の発光層から所定の波
長光の発光を任意に制御し半導体発光デバイス・チップ１個で緑と赤若しくは赤と
青又は緑と青の中間色の発光を任意に制御可能にしたことを特徴とする半導体発光
デバイス（【００８４】）。
(2)以上の記載からすると，半導体結晶を用いた半導体発光素子では，赤色より
短波長領域である燈色，黄色，緑色の場合，直接遷移型であるＩｎＧａＡｌＰ－Ｌ
ＥＤにおいても，発光した活性層と光半導体結晶基板との間の光を有効に活用して
いないので，十分な輝度が得られないなどの課題があったことから，引用発明１は，
発光効率を上げて光の有効利用が可能となる短波長の光を発する半導体発光素子Ｉ
ｎＧａＡｌＰの四元素混晶材料で構成される活性層から得られる輝度が１ｃｄ以上
になるＬＥＤを提供することを目的として，ｐ側電極を有するｐ－ＧａＰ半導体結
晶と，この結晶の他方の面上にオーミック電極，更にそのオーミック電極の上の共
晶金属並びにｎ－Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層，アンドープＩｎ０．５Ｇａ０．２１
Ａｌ０．２９Ｐ活性層及びｐ－Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層からなる発光層の両側に
ｎ－Ｇａ０．２Ａｌ０．８Ａｓ電流拡散層，ｐ－Ｇａ０．２Ａｌ０．８Ａｓ厚膜層を有するＩ
ｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側にオーミック電極と金属反射層
がこの順に存在するとともに，電流拡散層側に所定の形状にエッチングして形成し
たｎ側電極が存在し，ｐ－ＧａＰ半導体結晶のオーミック電極とＩｎＧａＡｌＰ緑
色ＬＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側に存在する金属反射層とが共晶金属によって機
械的にも電気的にも結合されている半導体発光素子である発光ダイオードとするこ
とにより，光を有効に取り出すことができ，赤色より短波長領域である中間色例え
ば橙色，黄色，緑色発光で１ｃｄ以上の輝度が容易に得られるとの効果を奏すると
いうものである。
３引用発明２について
(1)引用発明２は，前記第２の３(3)アに記載のとおりであるところ，引用例２
（甲２）には，引用発明２について，概略，次のような記載がある。なお，引用の
図面は別紙３のとおりである。
ア産業上の利用分野
本発明は，広いバンドギャップの化合物半導体材料を用いた短波長の半導体発光
素子（ＬＥＤ）及びその製造方法に関する。
イ従来の技術
高速度かつ高密度の情報処理システムの発展に伴い，短波長のＬＥＤ特に高輝度
の青色ＬＥＤの実現が望まれている。青色ＬＥＤの実現に有望と思われるⅢ－Ⅴ族
化合物半導体材料を大きなバンドギャップという観点からみると，ＢＮ，ＡｌＮ，
ＧａＮ，ＩｎＰ，ＡｌＰ，ＧａＰ等の軽めのⅢ族元素の窒化物と燐化物が大きなバ
ンドギャップを有する。しかし，ＢＮは，バンドギャップが大きいが，４配位（ｓ
ｐ３）結合を有する高圧相（ｃ－ＢＮ）は合成しにくく，しかも３種の多形を有し，
混合物もできやすいので使用できない。不純物ドーピングも難しい。ＩｎＮは，バ
ンドギャップが小さめであり，熱的安定性に乏しく，普通多結晶しか得られない。
ＡｌＰ，ＧａＰは，いずれもバンドギャップがやや足りない。ＡｌＮ，ＧａＮは，
バンドギャップが大きく，安定性にも優れており，短波長発光用として適している
が，結晶構造がウルツ鉱型であり，イオン性が大きいため格子欠陥が生じやすく，
低抵抗のｐ型半導体を得ることができない。
このような問題を解決するため，従来の半導体レーザ用に開発された材料である
Ｂ，Ｎを含まないⅢ－Ⅴ族系の化合物にＢ，Ｎを混合してバンドギャップを大きく
した材料を得る試みがなされているが，従来用いられている材料とＢ，Ｎを含む材
料とでは格子定数が２０～４０％と大きく異なり，また結晶構造も異なるため，安
定な結晶は得られていない。
本発明者らの研究によれば，ＧａＮやＡｌＮで低抵抗のｐ型結晶が得られないの
は，イオン性が大きいことによる欠陥が生じやすいことのほかに，これらが閃亜鉛
鉱型の結晶構造ではなく，ウルツ鉱型を持っていることが本質的な原因である。
ウ発明が解決しようとする課題
従来，高輝度青色ＬＥＤを実現するために必要である，バンドギャップが大きく，
ｐｎ制御が可能で，結晶の質も良い，という条件を満たす半導体材料は存在しなか
った。ＡｌＮ，ＧａＮなどの窒化物は大きいバンドギャップを得る上で有効な材料
であるが，低抵抗のｐ型層を得ることができなかった。
本発明は，この様な点に鑑みなされたもので，新しい化合物半導体材料を用いた
青色発光ＬＥＤ及びその製造方法を提供することを目的とする。
エ課題を解決するための手段
本発明に係るＬＥＤは，ｐｎ接合を構成する半導体層として，ＢＰ層とＧａｘＡ
ｌ１－ｘＮ（０≦ｘ≦１）層が交互に積層されて，ＧａｘＡｌ１－ｘＮ（０≦ｘ≦１）層
が閃亜鉛鉱型結晶構造を有する超格子層を用いたことを特徴とする。
本発明に係るＬＥＤはまた，ｐｎ接合を構成する半導体層として，閃亜鉛鉱型の
結晶構造を有するＧａｘＡｌｙＢ１－ｘ－ｙＮｚＰ１－ｚ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１）混晶層を用
いたことを特徴とする。
本発明は，この様なＬＥＤを製造するに当たって，基板上に直接又はバッファ層
を介して上述した超格子層又は混晶層を含む発光層を成長させてＬＥＤチップを得
た後，そのチップを基板を除去してその除去した側の面を光取り出し面として基台
上にマウントすることを特徴とする。
オ作用
本発明者らの研究によれば，本来ＷＺ構造である結晶であっても，安定なＺＢ構
造を有する結晶上に成長させれば，ある程度の厚さまではＺＢ構造を保つことが判
明した。したがって，本発明のＬＥＤは第１に，ＧａｘＡｌ１－ｘＮ（０≦ｘ≦１）層
を，これとほぼ同一の結合長を有し，かつＺＢ構造であってイオン性が小さくｐｎ
制御が容易であるＢＰ層と交互に積層して超格子層を構成することにより，窒化物
の直接遷移型の広バンドギャップ特性とＢＰの低イオン性で欠陥の生じ難い性質を
併せ持つＺＢ構造の化合物半導体材料として，これを用いてｐｎ接合を構成する。
これにより高輝度の青色発光が実現できる。
また，本発明者らの研究によれば，従来熱力学的に安定な混晶が作製できないと
考えられていたＢとＧａ，Ａｌ，ＩｎというⅢ族元素の組合せ若しくはＮとＰ，Ａ
ｓの組合せを含むⅢ－Ｖ族化合物半導体材料系においても，ＢとＮを同時に比較的
多量に混合することにより，安定な混晶を得ることができる場合のあることが判明
した。それは，ＧａｘＢ１－ｘＮｚＰ１－ｚ系の混晶において，その組成がｘ＝ｚをほぼ
満足する場合である。透過型電子顕微鏡による観察を行うと，Ｇａ－Ｎ，Ｂ－Ｐが
選択的に結合して交互に整列しているオーダリング現象が観測され，Ｇａ－Ｎ，Ｂ
－Ｐの結合が生じることにより，全系のエネルギーが低下して安定な混晶として存
在することが明らかになった。これらの事実から，安定な混晶を得るためには必ず
しも格子定数や結晶構造が同じであることは必要ではなく，結合長が同じであるこ
とが重要であるといえる。そこで，本発明によるＬＥＤは，第２に，ＧａｘＡｌｙＢ
１－ｘ－ｙＮｚＰ１－ｚ系の混晶において，好ましくは組成を，ｘ＋ｙ＝ｚとし，Ｇａ－Ｎ，
Ａｌ－ＮとＢ－Ｐのオーダリングを構造的に生じさせた化合物半導体材料を用いて
ｐｎ接合を構成する。これによっても，高輝度の青色発光が可能になる。
本発明によるＬＥＤの発光層に用いる化合物半導体材料は，これを成長させるに
際して発光波長に対して透明でかつ格子整合がとれる好ましい基板がない。そこで
本発明の方法では，基板上に必要なｐｎ接合を構成する発光層を成長させた後，基
板を除去してその除去した側の面を光取り出し面とすることによって，基板の存在
による光取出し効率の低下を防止し，また発光層への応力を低減することができ，
これにより高輝度の信頼性の高い青色発光ＬＥＤが得られる。
カ実施例
第９図は，超格子構造の反射層とコンタクト層を持ち，かつ発光層を構成するｐ
ｎ接合部分に混晶層を用いた実施例のＬＥＤを示す断面図である。この実施例では
ｐ型ＧａＰ基板９１を用い，この上にＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層からなる反射層９
２が形成され，この反射層上にｐ型ＧａＡｌＢＮＰ混晶層９３，ｎ型ＧａＡｌＢＮ
Ｐ混晶層９４が順次形成され，更にＧａＮコンタクト層９５が形成され，素子両面
にオーミック電極９６，９７が形成されている。ｐ型混晶層９３は，例えば，厚さ
３μｍのＧａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．４であり，ｎ型混晶層９４は，厚さ３μ
ｍのＧａ０．２５Ａｌ０．２５Ｂ０．５Ｎ０．５Ｐ０．５である。
この実施例によっても，ＧａＰ基板を用いているが，超格子構造反射層９２が良
好なバッファ層として働く結果，良好なｐｎ接合が得られ，また高い光取出し効率
が得られて，高輝度青色発光が認められる。
第１０図は，混晶を用いた第９図の実施例を変形してＤＨ構造とした実施例のＬ
ＥＤである。第９図と同様にＧａＰ基板９１上に超格子構造の反射層９２が形成さ
れた後，この上にｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／Ｂ
Ｐ混晶層１０２及びｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０３が順次形成されている。ｐ
型混晶層１０１は，バンドギャップ３ｅＶ，厚さ２μｍ，キャリア濃度１×１０１７
／ｃｍ３
のＧａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．４であり，アンドープ混晶層１０２は，
バンドギャップ２．７ｅＶ，厚さ０．５μｍのＧａ０．２５Ａｌ０．２５Ｂ０．５Ｎ０．５Ｐ０．
５であり，ｎ型混晶層１０３はバンドギャップ３ｅＶ，厚さ２μｍ，キャリア濃度
５×１０１７
／ｃｍ３
のＧａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．４である。
実施例２によっても，実施例１と同様に高輝度の青色発光が得られる。
(2)以上の記載からすると，引用発明２は，従来，高輝度青色ＬＥＤを実現する
ために必要である，バンドギャップが大きく，ｐｎ制御が可能で，結晶の質も良い
という条件を満たす半導体材料は存在しなかったため，新しい化合物半導体材料を
用いた青色発光ＬＥＤを提供することを目的とし，ＧａＰ基板９１上にＧａＡｌＮ
／ＢＰ超格子層からなる超格子構造の反射層９２が形成された後，この上にｐ型Ｇ
ａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２及びｎ型
ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０３が順次形成され，更にｎ型ＧａＮコンタクト層９５
が形成され，この上面のほぼ中央部にオーミック電極９６が形成されるとともに，
ＧａＰ基板９１の下面にオーミック電極９７が形成されたＬＥＤとすることによっ
て，超格子構造の反射層９２がバッファ層として働くので，良好なｐｎ接合が得ら
れ，また高い光取出効率が得られて，高輝度青色発光が得られるという効果を奏す
るというものである。
４本件発明１の容易想到性について
(1)相違点１について
ア相違点１は，半導体が，本件発明１では，「窒化物半導体」であるのに対して，
引用発明１では，「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」である点である。
前記２のとおり，引用発明１は，発光効率を上げて光の有効利用が可能となる短
波長の光を発する半導体発光素子ＩｎＧａＡｌＰの四元素混晶材料で構成される活
性層から得られる輝度が１ｃｄ以上になるＬＥＤを提供することを目的とした発光
ダイオードであるところ，引用例１をみても，引用発明１に係るＬＥＤの構成が，
ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤのほか，ＩｎＧａＡｌＰ活性層の組成を適宜変えること
により，黄色，橙色，赤色，赤外ＬＥＤにも適用できることは開示されているもの
の，青色ＬＥＤやＧａＮ等の窒化物半導体を活性層に用いたＬＥＤに適用すること
については，何ら記載がない。
したがって，引用例１には，引用発明１について，同発明を構成する「ＩｎＧａ
ＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」に代えて，本件発明１のような「窒化物半導体」
を採用することの動機付けはないから，本件出願当時，ＧａＮ等の窒化物半導体は，
青色光を発する半導体材料として周知であったこと（甲３～５）を考慮しても，当
業者において，引用発明１に基づき，相違点１に係る本件発明１の構成を容易に想
到することができたということはできない。
イ原告の主張について
(ア)原告は，引用例１の特許請求の範囲には単に「半導体発光素子」と記載さ
れており，「課題を解決するための手段」の記載も同義であり，これらに接した当業
者は，引用発明１は，ＩｎＧａＡｌＰの素材に限定されることなく，発光素子に用
いられる半導体材料全般（Ｎ（窒素）を含む半導体材料一般）に広く適用できるこ
とを前提とする発明であると容易に理解することができるから，引用例１には，引
用発明１の「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」を窒化物半導体」に置換
することについて，動機付けとなる記載があると主張する。
確かに，引用例１の特許請求の範囲の記載や「課題を解決するための手段」の記
載中では，半導体発光素子の具体的な組成は特定されていない。
しかしながら，前記のとおり，引用発明１は，発光効率を上げて光の有効利用が
可能となる短波長の光を発する半導体発光素子ＩｎＧａＡｌＰの四元素混晶材料で
構成される活性層から得られる輝度が１ｃｄ以上になるＬＥＤを提供することを目
的とするものであり，引用例１をみても，引用発明１に係るＬＥＤの構成が，Ｉｎ
ＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤのほか，ＩｎＧａＡｌＰ活性層の組成を適宜変えることによ
り，黄色，橙色，赤色，赤外ＬＥＤにも適用できることは開示されているものの，
青色ＬＥＤやＧａＮ等の窒化物半導体を活性層に用いたＬＥＤに適用することは，
何ら記載がない。
そうすると，引用例１には，ＩｎＧａＡｌＰ活性層緑色から赤外までの光を発光
するＬＥＤに適用される事項が記載されているのであって，ＩｎＧａＡｌＰの素材
に限定されることなく，発光素子に用いられる半導体材料全般（すなわち，Ｎ（窒
素）を含む半導体材料一般）に広く適用できることを前提とする発明が記載されて
いるということはできない。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
(イ)原告は，引用例１（【０００１】）には，引用発明１が，「信号機等に用いる
目的で開発された高輝度の半導体発光素子に関するもの」であることが記載されて
おり，信号機の表示する信号には，赤色，黄色，青色の３色が用いられることが常
識であるから，当業者は，引用発明１では，青色光を発する半導体材料であるＧａ
Ｎ等の窒化物半導体を用いることが想定されているものと理解する旨主張する。
しかしながら，前記のとおり，引用発明１は，発光効率を上げて光の有効利用が
可能となる短波長の光を発する半導体発光素子ＩｎＧａＡｌＰの四元素混晶材料で
構成される活性層から得られる輝度が１ｃｄ以上になるＬＥＤを提供することを目
的とするものであり，引用例１をみても，引用発明１に係るＬＥＤの構成が，Ｉｎ
ＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤや，ＩｎＧａＡｌＰ活性層の組成を適宜変えることにより，
黄色，橙色，赤色，赤外ＬＥＤに適用できることは開示されているものの，青色Ｌ
ＥＤやＧａＮ等の窒化物半導体を活性層に用いたＬＥＤに適用することは何ら記載
されていないから，引用例１に「信号機等に用いる目的で開発された高輝度の半導
体発光素子に関するもの」との記載があるからといって，引用例１の記載上，引用
発明１を青色ＬＥＤにも用いることが想定されているということはできない。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
(ウ)原告は，①引用発明１が，半導体発光素子を構成する特定の半導体材料に
依存しない，半導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属によって接合したことを
特徴とする半導体発光素子の発明であること，②引用例１（【００８３】）の「青色
ＬＥＤではＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層を使用する」との記載及び③
ＧａＮを含む青色ＬＥＤが，道路上の信号機に実際に使用されていること（甲１３）
を自己の知識としている当業者は，青色ＬＥＤのための最適な半導体材料として，
ＧａＮを選択して，引用発明１の実施例２（図５）の半導体発光素子をＧａＮを用
いて製作することを容易に想到することができると主張する。
しかしながら，前記アのとおり，引用例１には，ＩｎＧａＡｌＰ活性層緑色から
赤外までの光を発光するＬＥＤに適用される事項が記載されているのであって，Ｉ
ｎＧａＡｌＰの素材に限定されることなく，発光素子に用いられる半導体材料全に
広く適用できることを前提とする発明が記載されているということはできない。
また，引用例１の【００８３】には，「青色ＬＥＤではＧａＮ，ＳｉＣエピタキチ
ャル結晶成長層を使用する」との記載があるが，これは，図４の半導体結晶の代わ
りに，ＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウエハ・半導体発光素子をＧａＰ緑色ＬＥＤウエハ・
半導体発光素子と接合して，赤と緑などの中間色を得るための実施例に関する記載
であって，半導体結晶とＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤを結合する引用発明１に関する
記載ではない。
さらに，甲１３（平成６年９月２３日付け毎日新聞）の記載は，概略，「日亜化学
工業が昨年１１月に青色，今年４月には青緑色で世界最高水準の高光度ＬＥＤの製
品化に成功した。」，「同社はあえて未知の窒化インジウム・ガリウムを選んだ。」，「同
じ製法を応用した青緑色でも，従来の緑色系の２０倍の明るさを実現，７月末には
名古屋市内でこのＬＥＤを使った信号機が登場した。」というものであって，その頃，
ＩｎＧａＮからなる青緑色ＬＥＤが信号機に使用されていることは記載されている
ものの，ＧａＮを含む青色ＬＥＤが，信号機に使用されることは記載されていない。
したがって，原告が主張する上記①ないし③の情報を自己の知識としている当業
者であっても，引用発明１の半導体発光素子をＧａＮを用いて製作することを容易
に想到することができるということはできず，原告の上記主張を採用することはで
きない。
(2)相違点２について
ア原告は，引用発明１はその従来技術である引用発明２の有する課題を解決す
るため，「半導体発光素子」と「光半導体結晶基板」とを金属を介して貼り合わせる
という技術を用いて，従来技術とは層形成の順番を逆にして半導体発光素子を形成
する発明であると主張する。
しかしながら，引用発明２は，前記のとおり，従来，高輝度青色ＬＥＤを実現す
るために必要である，バンドギャップが例えば２．７ｅＶ以上と大きく，ｐｎ制御
が可能で，結晶の質も良い，という条件を満たす半導体材料は存在しなかったので，
新しい化合物半導体材料を用いた青色発光ＬＥＤを提供することを目的とするもの
であり，ＧａＰ基板９１上に超格子構造の反射層９２を形成し，その上にｐ型Ｇａ
ＡｌＮ／ＢＰ混晶層（Ｇａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．４）１０１，アンドープＧ
ａＡｌＮ／ＢＰ混晶層（Ｇａ０．２５Ａｌ０．２５Ｂ０．５Ｎ０．５Ｐ０．５）１０２，ｎ型Ｇａ
ＡｌＮ／ＢＰ混晶層（Ｇａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．４）１０３及びＧａＮコン
タクト層９５が順次形成されたＬＥＤ（別紙３の図１０参照）において，超格子構
造反射層９２が良好なバッファ層として働く結果，良好なｐｎ接合が得られ，また，
高い光取出し効率が得られて，高輝度青色発光が認められるというものである。上
記のような半導体発光素子の構成を有する引用発明２について，引用発明１の「半
導体発光素子」と「光半導体結晶基板」とを金属を介して貼り合わせるという技術
を用いて，従来技術とは層形成の順番を逆にして半導体発光素子を形成することを
考慮した場合には，ダミー基板上に，ＧａＮコンタクト層９５，ｎ型ＧａＡｌＮ／
ＢＰ混晶層（Ｇａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．４）１０３，アンドープＧａＡｌＮ
／ＢＰ混晶層（Ｇａ０．２５Ａｌ０．２５Ｂ０．５Ｎ０．５Ｐ０．５）１０２及びｐ型ＧａＡｌＮ
／ＢＰ混晶層（Ｇａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．４）１０１の順に形成することに
なるが，この積層過程では，本来であれば，良好なｐｎ接合を形成するためのバッ
ファ層となる「超格子構造の反射層９２」が形成されないため，ｎ型，アンドープ
及びｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層は，良好なｐｎ接合を得ることができず，発光素
子として十分な特性が得られないものとなる。
そうすると，引用発明２について，層形成の順番を逆にして半導体発光素子を形
成することには，阻害要因があるものというべきである。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
イ原告は，引用発明１はその従来技術である引用発明２の有する課題を解決す
るため，「半導体発光素子」と「光半導体結晶基板」とを金属を介して貼り合わせる
という技術を用いて，金属をバッファ層とすることなく半導体発光素子を形成する
発明であるなどと主張する。
しかしながら，原告が主張する，引用発明１のように「半導体発光素子」と「光
半導体結晶基板」とを金属を介して貼り合わせるという技術は，上記アと同様，層
形成の順番を逆にして半導体発光素子を形成することを前提としたものであると解
されるところ，上記アのとおり，引用発明２において，ダミー基板上に，ＧａＮコ
ンタクト層９５，ｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層（Ｇａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．
４）１０３，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層（Ｇａ０．２５Ａｌ０．２５Ｂ０．５Ｎ０．５
Ｐ０．５）１０２及びｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層（Ｇａ０．３Ａｌ０．３Ｂ０．４Ｎ０．６Ｐ０．
４）１０１の順に形成する積層過程では，本来であれば，良好な接合を形成するた
めのバッファ層となる「超格子構造の反射層９２」が形成されないため，ｎ型，ア
ンドープ及びｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層は，良好な接合を得ることができず，発
光素子として十分な特性が得られないものとなるのであって，引用発明２について，
層形成の順番を逆にして半導体発光素子を形成することには，阻害要因があるもの
というべきである。
したがって，原告の上記主張も，採用することはできない。
ウ原告は，引用例２の特許請求の範囲請求項６ないし９には，「基板上に直接ま
たはバッファ層を介して，…」と記載されているから，引用例２の発明は，「バッフ
ァ層」を必須の構成要素とするものではないなどと主張する。
確かに，引用例２の特許請求の範囲請求項６ないし９には，「基板上に直接または
バッファ層を介して…」との文言が含まれているものの，請求項６の「基板上に直
接またはバッファ層を介して，ＢＰ層とＧａｘＡｌ１－ｘＮ（０≦ｘ≦１）層が交互に
積層されてＧａｘＡｌ１－ｘＮ（０≦ｘ≦１）層が閃亜鉛鉱型結晶構造を有する超格子
層からなる第１導電型層および第２導電型層を順次成長させて発光素子チップを形
成する工程」との記載，請求項７の「基板上に直接またはバッファ層を介して，閃
亜鉛鉱型の結晶構造を有するＧａｘＡｌｙＢ１－ｘ－ｙＮｚＰ１－ｚ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１）
混晶層からなる第１導電型層および第２導電型層を順次成長させて発光素子チップ
を形成する工程」との記載，請求項８の「基板上に直接またはバッファ層を介して，
ＢＰ層とＧａｘＡｌ１－ｘＮ（０≦ｘ≦１）層が交互に積層されてＧａｘＡｌ１－ｘＮ（０
≦ｘ≦１）層が閃亜鉛鉱型結晶構造を有する超格子層からなる第１導電型層および
第２導電型層を順次成長させてｐｎ接合発光層を形成する工程」との記載及び請求
項９の「基板上に直接またはバッファ層を介して，閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する
ＧａｘＡｌｙＢ１－ｘ－ｙＮｚＰ１－ｚ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１）混晶層からなる第１導電型層
および第２導電型層を順次成長させてｐｎ接合発光層を形成する工程」との記載か
らすると，これらの特許請求の範囲にいう「バッファ層」が，一般的なバッファ層，
すなわち，基板とその上に形成する層との格子定数不整を緩和して，基板上に形成
する層の結晶性を向上させるために両者の間に設けられる層をいうものであること
は明らかである（甲７の３０【０００４】，甲７の３３【０００３】参照）。これに
対し，引用発明２の「超格子構造の反射層９２」は，良好なバッファ層として働く
結果，良好なｐｎ接合が得られるというものであり，前記のような一般的なバッフ
ァ層とは，異なる機能を有するものである。
以上のとおり，引用発明２において，良好なバッファ層として機能する「超格子
構造の反射層９２」と，引用例２の特許請求の範囲請求項６ないし９に記載された
「バッファ層」とは異なるものであるから，引用例２の特許請求の範囲請求項６な
いし９には「基板上に直接またはバッファ層を介して，…」との記載があるからと
いって，引用発明２において，良好なバッファ層として機能する「超格子構造の反
射層９２」が必須の構成要素ではないということにはならない。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
(3)以上によれば，本件発明１の容易想到性に係る本件審決の判断に誤りはな
い。
なお，原告は，訴状においては，本件発明２ないし５の容易想到性に係る本件審
決の判断についても争う旨記載しているものの，その取消事由について，具体的な
主張，立証はしていない。しかるに，本件発明２ないし５は，本件発明１の構成を
全て含む発明であるから，本件発明１が引用発明１に基づき，又は引用発明２及び
１に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものということができない以
上，本件発明２ないし５も，引用発明１に基づき，又は引用発明２及び１に基づき，
当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
５結論
以上の次第であるから，原告主張の取消事由は理由がなく，本件審決にこれを取
り消すべき違法は認められない。
したがって，原告の請求は理由がないから，これを棄却することとし，主文のと
おり判決する。
知的財産高等裁判所４部
裁判長裁判官富田善範
裁判官大鷹一郎
裁判官齋藤巌
（別紙１）
乙３の図面
図１
図２
図３
図４
図５
図６
（別紙２）
甲１の図面
図２
図４
図５
（別紙３）
甲２の図面
図９
図１０

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