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平成１３年（行ケ）第１７２号審決取消請求事件（平成１４年４月２３日口頭弁論
終結）
判　　　　　決
原　　　　　　告　　　　　　　豊田合成株式会社
　　　　　原　　　　　　告　　　　　　　株式会社豊田中央研究所
　　　　　　　原告ら訴訟代理人弁護士　　　　大場正成
　　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　尾崎英男
　　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　嶋末和秀
　　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　黒田健二
　　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　吉村　誠
　　　　　　　同　　弁理士　　　　　　　平田忠雄
　　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　松原　等
　　　　　　　原告ら訴訟復代理人弁護士　野本健太郎
被　　　　　　告　　　　　　　日亜化学工業株式会社
　　　　　訴訟代理人弁護士　　　　　　　品川澄雄
同　　　　　　　　　　　　　　山上和則
同　　　　　　　　　　　　　　吉利靖雄
同　　　　　　　　　　　　　　野上邦五郎
同杉本進介
同　　　　　　　　　　　　　　冨永博之
同　　　　弁理士　　　　　　　青山　葆
　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　河宮　治
　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　石井久夫
同　　　　　　　　　　　　　　田村　啓
　　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　豊栖康弘
　　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　豊栖康司
主　　　　文
　　特許庁が平成１１年審判第３５００５号事件及び無効２０００－３５２２０号
事件について平成１３年３月２７日にした審決を取り消す。
　　訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
　１　原告ら
主文と同旨
　２　被告
　原告らの請求を棄却する。
　　　訴訟費用は原告らの負担とする。
第２　争いのない事実
　１　特許庁における手続の経緯
　　（１）　被告は、発明の名称を「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」
とする特許第２７５１９６３号の特許（以下「本件特許」という。）の特許権者で
ある。本件特許は、平成４年（１９９２年）６月１０日出願の特願平４－１７７５
２０号（以下「第１基礎出願」といい、その出願日を「第１基礎出願日」とい
う。）及び同年１１月４日出願の特願平４－３２１１８４号（以下「第２基礎出
願」といい、その出願日を「第２基礎出願日」という。）に基づく国内優先権を主
張して、平成５年５月７日特願平５－１０６５５５号（本件出願）として出願さ
れ、その後、平成８年２月２２日付け手続補正書による補正及び平成９年１２月３
日付け手続補正書による補正があり、平成１０年２月２７日設定登録された。
　　（２）　原告豊田合成株式会社（以下「原告豊田合成」という。）は、平成１
０年１２月２９日、本件特許について無効審判を請求したところ（平成１１年審判
第３５００５号、以下「審判１」という。）、被告は平成１１年４月１２日、訂正
請求を行い、特許庁は、同年１１月１５日、「訂正を認める。特許第２７５１９６
３号発明の明細書の請求項第１項ないし第４項に記載された発明についての特許を
無効とする。」との審決（第１次審決）をした。
　　（３）　被告は、第１次審決の取消しを求めて東京高等裁判所に審決取消請求
訴訟（東京高等裁判所平成１２年（行ケ）第１５号）を提起するとともに、本件特
許に対する平成１０年異議第７５３６５号手続において、平成１２年２月２３日、
訂正請求をした。特許庁は、同年３月１日、「訂正を認める。特許第２７５１９６
３号の請求項第１項ないし第４項に係る発明の特許を維持する。」との異議の決定
をした。
　　（４）　原告株式会社豊田中央研究所（以下「原告豊田中央研究所」とい
う。）は、平成１２年４月２５日、本件特許について無効審判を請求した（無効２
０００－３５２２０号、以下「審判２」という）。その後、第１次審決に対する前
記審決取消請求訴訟において、同年８月１０日、本件特許につき訂正が認められた
ことを理由として第１次審決を取り消す判決があった。
　　（５）　特許庁は、平成１２年１０月２０日、審判１と審判２を併合審理する
旨の通知を発し、両審判事件を併合審理したうえ、平成１３年３月２７日、「本件
審判の請求は、成り立たない。」との審決（以下、この審決を単に「審決」とい
う。）をし、その謄本を、同年４月１２日に原告豊田中央研究所に、同月１３日に
原告豊田合成に、それぞれ送達した。　
２　本件発明１ないし４の要旨（前記１（３）の異議決定による訂正認容後の特
許請求の範囲）
　【請求項１】（以下、この発明を「本件発明１」という。）
　　　有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成
長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム
層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源
のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により窒化インジウムガリウム半導体
を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
　【請求項２】（以下、この発明を「本件発明２」という。）
　　　前記原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いることを特徴とする請求項１
に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
　【請求項３】（以下、この発明を「本件発明３」という。）
　　　前記窒化インジウムガリウム半導体を６００℃より高い温度で成長させるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方
法
　【請求項４】（以下、この発明を「本件発明４」という。）
　　　前記窒化インジウムガリウム半導体成長中、インジウム源のガスのインジウ
ムのモル比を、ガリウム１に対し、０．１以上にすることを特徴とする請求項１乃
至３の内のいずれか１項に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
（以下、本件発明１ないし本件発明４を併せて「本件発明」という。）
　３　審決の理由
　審決の理由は、別紙審決書の理由写しのとおりである。
　要するに、審決は、
　（１）平成９年１２月３日付け手続補正は要旨変更であるから本件出願は手続補
正書提出時になされたものとみなすべきであるとの原告豊田合成（審判請求人）の
主張は、採用することができない（審決書３頁２２行ないし５頁７行、「（３．
１）要旨変更について」）と認定したうえ、
　（２）明細書の記載不備の主張に対し、本件特許明細書に記載不備があるとは認
められない（審決書５頁８行～６頁２３行、「（３．３）記載不備について」）と
し、
　（３）新規性欠如の主張に対し、本件特許の出願は平成９年１２月３日付け手続
補正の補正時になされたとみなされるものでないことは前記（１）のとおりである
から、甲第２９号証（特開平４－２０９５５７号公報、審判１の甲第９号証）、甲
第３０号証（「刊行物１０」：JapaneseJournalofAppliedPhysicsVol.31
(1992)L1457-L1459「High-QualityInGaNFilmsGrownonGaNFilms」、審判１
の甲第１０号証）、甲第３１号証（「刊行物１１」：特開平６－２１５１１号公
報、審判１の甲第１１号証）及び甲第４号証（「刊行物１２」：特開平６－１９６
７５７号公報、審判１の甲第１２号証）の各刊行物はいずれも新規性欠如の証拠と
はならず、
　また、本件発明は、第１基礎出願日（平成４年６月１０日）より前に頒布された
甲第２１号証（「刊行物１」：特開平３－２１８６２５号公報、審判１の甲第１号
証）に記載された発明ということはできないから、新規性が欠如するものではない
（審決書６頁２４行～１０頁４行、「（３．４）新規性欠如について」）とし、
　（４）特許法２９条の２該当の主張に対し、本件発明は、先願である特願平２－
４０６２４６号（特開平４－２０９５７７号）（甲第２９号証、審判１の甲第９号
証）の明細書又は図面に記載された発明と同一の発明ということはできない（審決
書１０頁５行～１３頁３行、「（３．５）拡大された先願の地位の規定違反につい
て」）とし、
　（５）進歩性欠如の主張に対して、本件発明は、
　　①　刊行物１（特開平３－２１８６２５号、甲第２１号証、審判１の甲第１号
証）公報に記載された発明及び公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすること
ができたものではない、
　　②　刊行物２（特開平３－２０３３８８号公報、甲第２２号証、審判１の甲第
２号証）に記載された発明及び公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすること
ができたものではない、
　　③　刊行物８（「信学技報Vol.90NO.61３３～３８頁の安岡らによる論文「Ｍ
ＯＶＰＥによるＧａ１－ｘＩｎｘＮのエピタキシャル成長」、甲第２８号証、審判
１の甲第８号証）及び公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができた
ものではない、
　　④　刊行物９（JAPANESEJOURNALOFAPPLIEDPHYSICSVOL.30,NO.12A
DECEMBER,1991,L1998-L2001,中村修二らの論文「High-PowerGaNP-NJunction
Blue-Light-EmittingDiodes」、甲第１５号証、審判２の甲第１号証）に記載され
た発明及び公知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでは
ない、
　　⑤　刊行物１ないし刊行物９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明
をすることができたものではない（審決書１３頁４行ないし２８頁２８行、
「（３．６）進歩性欠如について」）、とし、
　　（注：「刊行物３」ないし「刊行物７」はそれぞれ次のとおりである。
　　　刊行物３：電気材料研究会資料、資料番号ＥＦＭ－８７－２１、５１頁～５
９頁の赤崎らによる論文「ＧａＡｌＮの結晶成長と光電物性」（甲第２３号証、審
判１の甲第３号証）
　　　刊行物４：特開平２－２２９４７６号公報（甲第２４号証、審判１の甲第４
号証）
　　　刊行物５：Inst.Phys.Conf.Ser.No106:Chapter10,725頁～730頁の天野
らによる論文「UVandblueelectroluminescencefromAl/GaN:Mg/GaNLED
treatedwithlow-energyelectronbeamirradiation(LEEBI)」（甲第２５号証、
審判１の甲第５号証)
　　　刊行物６：JAPANESEJOURNALOFAPPLIEDPHYISICSVOL.28,
NO.12,DECEMBER,1989,pp.L2112-L2114の天野らによる論文「P-TypeConduction
inMg-DopedGaNtreatedwithLow-EnergyElectronBeamIrradiation(LEEBI)」
（甲第２６号証、審判１の甲第６号証）
　　　刊行物７：JournalofElectronicMaterials,Vol.21,NO.2,(1992)157頁～
163頁の松岡らによる論文「Wide-GapSemiconductorInGaNandInGaAlNGrownby
MOVPE」（甲第２７号証、審判１の甲第７号証）
　（６）その他の主張に対して、①異議事件の中で行われた訂正請求（平成１２年
２月２３日付け）の適否については異議の決定（甲第１１号証）において訂正が認
められ確定しており、訂正請求が認められるべきでないとの原告らの主張は理由が
ない、②本件発明１のうち、原料ガスのインジウムのガリウムに対するモル比が１
より多い部分の発明は、第１優先権主張（第１基礎出願に係る優先権主張）に基礎
をおくものであるから、参考資料９（特開平６－２１５１１号公報、甲第３１号
証、審判１の甲第１１号証）は特許法２９条の２の対象とならず、本件発明１のう
ち原料ガスのインジウムのガリウムに対するモル比が１以下の部分の発明と参考資
料９に記載された発明を対比しても、参考資料９にはモル比が１以下であることは
開示されてないから、両発明を同一発明とすることはできない、③本件発明に特許
法２９条の２違反及び記載不備（実施不能、同モル比が０．１未満の部分）の無効
理由があるとはいえない（審決書２８頁２９行～３０頁１３行、「（３．７）請求
人１及び請求人２のその他の主張」）、
と認定、判断し、原告ら（審判請求人ら）の主張及び証拠方法によっては、本件発
明１ないし４についての特許を無効とすることはできない、とした。
第３　原告ら主張の審決取消事由
　審決は、刊行物１（甲第２１号証）の認定を誤った結果、新規性の判断を誤り
（取消事由１）、刊行物１、８、２及び９（甲第２１、２８、２２、１５号証）の
認定を誤った結果、容易推考性の判断を誤り（取消事由２）、本件発明の認定を誤
った結果、「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下」の部分について、基準出願時を誤り、容
易推考性の判断を遺脱し（取消事由３）、平成９年１２月３日付けの補正（以下
「本件補正」という。）について要旨変更の判断を誤り（取消事由４）、特許法２
９条の２の判断を誤り（取消事由５）、特許法３６条の要件違反（明細書の記載不
備）を看過したものである（取消事由６）から、違法なものとして取り消されるべ
きである（なお、取消事由１及び２は、本件特許の出願時（基準時）を第１基礎出
願日、第２基礎出願日、本件補正日のいずれとみるかに依存しない主張であ
る。）。
　１　取消事由１（刊行物１の認定誤りによる新規性判断の誤り）
　（１）　本件発明１について
　　　ア　審決は、「刊行物１（甲第２１号証）には、ＡｌＮバッファ層の上にＭ
ｇ添加の（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮ（0≦x＜1、0≦y＜1）を成長させること
（①）、及び、故意に不純物を添加しない（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮの単結晶層
（ｎ型、0≦x＜1、0≦y＜1）の上にＭｇを添加した（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮ（0
≦x＜1、0≦y＜1）単結晶層を成長させること（②）は、個々に記載されているが、
ＡｌＮバッファ層の上に故意に不純物を添加しない（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮの
単結晶層（ｎ型、0≦x＜1、0≦y＜1））を成長させ、更にその上にＭｇを添加した
（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮ（0≦x＜1、0≦y＜1）単結晶層を成長させること
（③）は記載されていない。」（審決書９頁７行～１６行、①ないし③は原告らに
よる注記）と認定しているが、刊行物１に上記③が記載されていないとした審決の
認定は誤りである。
　刊行物１中の上記①及び②の２つの記載に基づけば、上記③は刊行物１に記載さ
れているに等しい。すなわち、刊行物１の「・・・単結晶作製方法をp-n接合発光素
子作製に応用することにより・・・」（３頁左上欄４行～９行）との記載や「本発
明によれば、・・・p-n接合による発光素子の作製は容易・・・」（４頁左下欄１
行）との記載によれば、上記②の記載（p-n接合発光素子に関する記載）は、上記①
の記載（刊行物１の発明の記載）を前提として①の記載を応用したものであること
が明らかであるから、上記②の記載内容において上記①の記載内容である低温で成
長させたＡｌＮ緩衝層（バッファ層）を適用し得ることは自明である。
　したがって、上記③の事項は、実際には記載されているから、審決がこれを記載
されていないと認定したことは誤りである。
　　　イ　さらに、審決が、「刊行物１に記載されている、・・・単結晶層２では
ｘ＝ｙ＝０、単結晶層３ではｘ＝０、ｙ≠０の組合せとすれば本件発明のＧａＮ層
及びＩｎＧａＮ層と同じ構成になるが、例示されているのは、共にｘ＝ｙ＝０のｐ
型ＧａＮ単結晶とｎ型ＧａＮ単結晶との組合せのみであり、両単結晶においてｘ及
びｙが異なる値をとること、ＧａＮ層の上に窒化インジウムガリウム半導体を成長
させることについては記載されていないから、刊行物１に前記ｘ及びｙの値の組合
せが開示ないし示唆されているとすることはできず」（審決書９頁１７行～２６
行）と認定したことは誤りである。
　すなわち、刊行物１に記載されたｎ型単結晶層２及びｐ型単結晶３についての
（Ｇａ1-ＸＡｌＸ）1-ｙＩｎｙＮ（0≦x＜1、0≦y＜1）という化学式は、それぞれ
Ｇａ
Ｎ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮという４通りの組成を、いずれも除
外することなく具体的に開示し、１６通りの組成の組合せも除外していないのであ
り、また刊行物１のpn接合発光ダイオードはホモ接合のみならずヘテロ接合も包含
していることは明らかであるから、刊行物１は、ｎ型単結晶層２がx＝0，y＝0のと
きのＧａＮと、ｐ形単結晶層３がx＝0，0＜y＜1のときのＩｎＧａＮとの組合せも明
らかに開示しているのである
　したがって、この点につき開示されていないとした審決の認定は誤りである。
　　　ウ　以上のとおりであるから、本件発明１は、刊行物１に記載された発明と
同一であり、新規性を欠如していることは明らかである。
　（２）　本件発明２ないし４について
　第１基礎出願日の時点では、原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いること
（請求項２）は周知であり（甲第２２、２７、１４、９号証）、またＩｎＧａＮを
６００℃より高い温度で成長させること（請求項３）は周知であり（甲第２２、２
７、２８、９号証）、さらにＩｎ／Ｇａモル比を０．１以上にすること（請求項
４）も周知であり（甲第２２、２７、２８、３６、３７、４１号証）、これにより
奏する作用効果も予測の範囲内のものである。よって、周知技術を単に請求項１に
付加しただけの本件発明２ないし４についても、本件発明１と同様に、刊行物１に
記載された発明と実質的に同一であり、新規性を欠如している。
２　取消事由２（容易推考性の判断の誤り）
　（１）　刊行物１（甲第２１号証）の発明を中心とする進歩性欠如（容易推考性
の判断の誤り）
　　　ア　本件発明１について　
　審決が、「刊行物１（甲第２１号証）に記載されている、・・・単結晶層２では
ｘ＝ｙ＝０、単結晶層３ではｘ＝０、ｙ≠０の組合せとすれば本件発明のＧａＮ層
及びＩｎＧａＮ層と同じ構成になるが・・・刊行物１に基づいて前記ｘ及びｙの値
の組合せを想到することが、当業者に容易ということもできない。」（審決書９頁
１７行～２８行）とした認定は誤りである。
　すなわち、（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮ（0≦x＜1、0≦y＜1）という化学式は、
前記（１）イのとおり、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮの全１
６通りの組成の組合せをすべて具体的に開示しているのであるから、「開示も示唆
もない」と認定した審決は誤りである。
　また、刊行物８（甲第２８号証）、刊行物２（甲第２２号証）及び甲第４１号証
がＧａＮ層上にＩｎＧａＮを成長させることを直接的に開示していることからも明
らかなように、本件発明１の重要部分である「ＧａＮ層上にＩｎＧａＮ層を成長さ
せること」は周知技術そのものである。
　してみると、前記の全１６通りの組合せの中から、ｎ型ＧａＮ単結晶層２とｐ形
ＩｎＧａＮ単結晶層３の組合せを選択することに格別の障害ないし困難性はない。
　したがって、刊行物１記載の発明に基づいて、周知技術であるｎ型ＧａＮ単結晶
層２とｐ形ＩｎＧａＮ単結晶層３の組合せに想到することは当業者に容易であるか
ら、審決はこの判断を誤ったものである。
　　　イ　本件発明２ないし４について
　本件発明２ないし４は、前記１（２）（取消事由１）で述べたような周知技術を
単に請求項１に付加しただけであるから、刊行物１の発明に基づいて当業者が容易
に推考し得たものである。
　　(２)　刊行物８（甲第２８号証）を中心とする進歩性欠如（容易推考性の判断
の誤り）
　　　ア　本件発明１について
　審決は、本件発明１と刊行物８とを対比し、両者の相違点につき、「本件の請求
項１に係る発明（本件発明１）では、低温で成長させるバッファ層の次にＧａＮを
成長させるのに対し、刊行物８に記載された発明では、バッファ層は記載されてい
ない」（審決書２２頁２６行～２３頁１行）と正当に認定した。
　ところが、審決は、刊行物８には、①基板にＧａＮを介してＩｎＧａＮを成長さ
せると良質なＩｎＧａＮが形成できることを開示していないとの認定（審決書２３
頁４行～１１行）、及び、②ＧａＮの上に作製されたＩｎＧａＮはＩｎのほとんど
がＧａＮ中に不純物として取り込まれた状態であり、禁制帯中に様々な準位がある
ことなどから、高品質の結晶が得られたとはいえないとの認定（審決書２４頁３行
～３５行）の下に、刊行物８において、ＩnＧaＮの結晶性を良好にすべく低温で成
長させたバッファ層の構成要件を付加して本件の請求項１に係わる発明のように構
成することは当業者にとって容易ということはできないと判断した。しかしなが
ら、この判断は、前提となる認定が誤っており、その結論も誤りである。
　　　　(ア)　刊行物８には、サファイア基板上に直接ＩｎＧａＮを成長させた(a)
のパターンに比べ、サファイア基板上にＧａＮを介してＩｎＧａＮを成長させた(b)
のパターンは、基板との格子定数不整（ミスマッチ）がＧａＮにより緩和されてＩ
ｎＧａＮの結晶性が向上し良好な単結晶が得られるという課題及びその課題克服の
達成事実が明記されている。すなわち、刊行物８には、「図９に、・・・パターン
を示す。(a)のパターンでＧａ1-xＩｎxＮだけだと単結晶相と多結晶相の混在したパ
ターンを示すが、(b)のパターンではＧａＮ上のＧａ1-xＩｎxＮは基板とのミスマッ
チが膜厚３μｍのＧａＮにより緩和され良好な単結晶を示している。」（３６頁右
欄４行～１０行）と記載されており、図９（３７頁）からは、(a)のパターンでは単
結晶と多結晶のＩｎＧａＮが混在しているのに対して、サファイア基板上にＧａＮ
を介してＩｎＧａＮを成長させた(b)のパターンでは良好な単結晶のＩｎＧａＮが得
られていることが分かる。
　　　　(イ)　また、(b)のパターンのＩｎＧａＮについて、刊行物８中の光学的エ
ネルギー間隙3.25eV（ＧａＮの光学的エネルギー間隙は3.39eVである）、ＰＬスペ
クトルの第２ピーク値(368nm)及びＥＬ特性(377nm)の記載に照らせば、刊行物８に
ついての長友隆男教授の陳述書（甲第３３号証）でも陳述されているように、Ｉｎ
ＧａＮ中のＩｎが（その一部が不純物としても取り込まれているかどうかはさて措
き）結晶構造に取り込まれていることは当業者から見れば明らかである。　さら
に、基板に直接ＩｎＧａＮを成長させるとＩｎ0.22Ｇａ0.78Ｎが成長したが、その
基板にＧａＮを介してＩｎＧａＮを成長させるとＩｎ組成比ｘがより少ないＩｎ
0.04Ｇａ0.96Ｎが成長した原因は、被告のいうように後者でＧａＮを介したからで
はなく、「ＩｎＧａＮの成長温度」が前者より後者の方が高かったからである。刊
行物８は、このＩｎＧａＮの結晶性の向上という課題及びその課題克服の達成事実
を前提とし、なお、そのＩｎＧａＮには不十分な点が残っていて、更に検討する必
要があると述べているにすぎないのである。
　　　　(ウ)　一方、刊行物２（甲第２２号証）、甲第３２号証（審判１の参考資
料４）及び甲第４１号証により、「低温成長バッファ層」／「ＧａＮ」／「窒化ガ
リウム系化合物半導体」という３層を成長させると、「窒化ガリウム系化合物半導
体」の結晶性を良好にできるという知見が周知であった。
　　　　(エ)　すると、刊行物８に記載された、サファイア基板／ＧａＮ／ＩｎＧ
ａＮの構成において、基板との格子定数不整を更に緩和して、ＧａＮ及びＩｎＧａ
Ｎの結晶性を更に向上させるために、サファイア基板とＧａＮとの間に、周知事項
である「次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層」を適
用することには十分な動機付けがあることが明らかである。
　　　　(オ)　してみると、甲第３３ないし第３５号証にもあるとおり、本件発明
１は、刊行物８に記載された発明に周知事項である「次に成長させる窒化ガリウム
層よりも低温で成長させるバッファ層」を適用することにより、当業者が容易に推
考することができたものであることは明らかであるから、この点について反対の判
断をした審決は誤りである。
　　　イ　本件発明２ないし４について
　刊行物８に記載された発明と前記１（２）で述べたような周知技術とに基づい
て、当業者が容易に推考することができたものである。
　　(３)　刊行物２（甲第２２号証）を中心とする進歩性欠如（引用発明の認定の
誤り及び本件発明との対比の認定の誤り）
　　　ア　本件発明１について
　審決は、本件発明１と刊行物２とを比較して、両者は「有機金属気相成長法によ
り成長させるバッファ層を介して、ガリウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、
同じく有機金属気相成長法により、窒化インジウムガリウム半導体を成長させるこ
とを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」である点で一致すると
したうえ、相違点として、刊行物２（甲第２２号証）に記載された発明は、「バッ
ファ層の上に窒化インジウムガリウム半導体を成長させるものであり、成長温度に
も上記限定はない点、で相違している。」（審決書２１頁１４行～２６行）と認定
し、当該相違点を理由に本件発明１は当業者が容易に発明をすることができたもの
ではないと判断しているが、誤りである。
　　　　(ア)　審決は、刊行物２の認定を誤っている。
　すなわち、刊行物２には、「有機金属気相成長法により、バッファ層として『Ａ
ｌＮ層』及び『ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層』及び『ＡｌzＧａ1-zＮ層（0≦z≦1,z＝
0でＧａＮ）』のうちの少なくとも一層」を成長させ、この上にＧａxＩｎ1-xＮ
層（0≦x≦1）を成長させること」が記載されているということができる。
　ここで、「・・・少なくとも一層」とは、バッファ層を複数層設けたものも刊行
物２の発明に含まれることを明確にしたものである。
　また、バッファ層であるＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層が、組成がＡｌＮからＧａＮ
へ徐変するものの、基板に接したＡｌＮバッファ層部分とＩｎＧａＮに接したＧａ
Ｎバッファ層部分とを有することも明らかである。
　しかも、重要なことに、刊行物２には、「さらにＧａＮ層とＧａxＩｎ1-xＮ層と
の格子定数は近い。よって、その表面に形成したＧａxＩｎ1-xＮ層の結晶性は飛躍
的に向上する」（４頁右下欄１行～３行）と記載されており、ＧａＮ上のＩｎＧａ
Ｎの結晶性が良好になるとの知見が開示されている。
　すると、刊行物２は、①ＡｌＮバッファ層／ＧａＮバッファ層／ＩｎＧａＮとい
う層構成、及び②ＡｌＮ・ＧａＮ超格子バッファ層のＡｌＮバッファ層部分／Ａｌ
Ｎ・ＧａＮ超格子バッファ層のＧａＮバッファ層部分／ＩｎＧａＮという層構成の
２通りの層構成を開示しているのである。ところが、審決は、かかる記載を無視
し、実施例だけに拘泥して刊行物２の発明を認定しており、この点、刊行物２の認
定を誤っている。
　　　　(イ)　そして、以上からすると、本件発明１と刊行物２の２通りの発明と
の相違点は、ＡｌＮバッファ層を「低温で成長」させるとの限定の有無のみであ
る。
　してみると、前記のとおり「バッファ層を低温で成長させること」は、第１基礎
出願日の時点において周知であり、「ＡｌＮバッファ層」又は「ＡｌＮバッファ層
部分」を低温で成長させることは、当業者にとって容易に推考し得ることであるか
ら、本件発明１は、刊行物２記載の発明と周知技術とに基づいて、当業者が容易に
推考し得るものである。
　　　　(ウ)　したがって、審決は、刊行物２の発明の認定を誤り、その結果進歩
性の判断を誤ったものである。
　　　イ　本件発明２ないし４について　
　刊行物２に記載された発明と取消事由１で述べた周知技術（前記１（２））に基
づいて、当業者が容易に推考し得たものである。
　　(４)　刊行物９（甲第１５号証）の発明に刊行物８及び刊行物２を組み合わせ
ることによる進歩性欠如（容易推考性の判断の誤り）　
　　　ア　本件発明１について　
　審決は、刊行物９（甲第１５号証）記載の発明を、刊行物８（甲第２８号証）記
載の発明であるＭＩＳ型発光ダイオードや、ＩｎＧａＮ活性層へ置換すべき理由は
ない旨認定して容易推考性を否定する（審決書２６頁２行～１３行）。
　しかし、第一基礎出願日の当時、ｉ型層をｐ型化することは刊行物２等により周
知であり、いつでもｐ型化することができたのであるから、刊行物９のｎ型ＧａＮ
及びｐ型ＧａＮを、同時に刊行物８のｎ型ＧａＮ及びｉ型ＩｎＧａＮに置換して
も、同時に刊行物２等によりｉ型ＩｎＧａＮをｐ型化することは可能であり、何ら
置換の障害はないのであるから、これに反する審決は誤っている。
　また、審決は、いずれの刊行物にも窒化ガリウム層よりも低温で成長させたバッ
ファ層を介して成長させた窒化ガリウム層の上に窒化インジウムガリウムを形成す
ることができるとの知見は開示されていない旨認定しているが（審決書２７頁１行
～１１行）、前記のとおり刊行物２には第１バッファ層としてのＡｌＮ層と第２バ
ッファ層としてのＡｌzＧａ1-zＮ層（0≦z≦1）との２層、及びＡｌＮ／ＧａＮ歪超
格子層のうちのＡｌＮバッファ層部分とＧａＮバッファ層部分が開示されているか
ら、刊行物８と刊行物２とから、審決のいう知見を得ることは可能であり、審決は
誤っている。
　以上のように、刊行物９のｎ型ＧａＮ及びｐ型ＧａＮを刊行物８のｎ型ＧａＮ及
びｉ型ＩｎＧａＮに置換し、さらに、該ｉ型ＩｎＧａＮを刊行物２のｐ型ＩｎＧａ
Ｎに置換することにより、容易に克服することができるものであるから、本件発明
１は刊行物９、刊行物８及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に
推考し得たものである。
　したがって、これを否定した本件審決は誤りである
　　　イ　本件発明２ないし４について
　取消事由１で述べた周知技術を単に請求項１に付加しただけのものであり、当業
者が容易に推考し得たものである。
　３　取消事由３（判断遺脱）
　（１）　「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の部分」に対する判断の遺脱
　審決は、第１基礎出願日と第２基礎出願日との間に、甲第２９号証（特開平４－
２０９５７７、審判１の甲第９号証）、甲第３０号証（JapaneseJournalof
AppliedPhysicsVol.37(1992)L1457-1459「High-QualityInGaNFilmsGrownon
GaNFilms」、審判１の甲第１０号証）が公知となっているにもかかわらず、これら
の刊行物が新規性欠如の証拠とはならない旨認定し（審決書６頁２４行～７頁１
行）、当該証拠に基づく「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の部分」の進歩性欠如の検討
をしておらず、この点の判断を遺脱した違法がある。
　　　ア　本件発明は、少なくとも第１基礎出願ではＩｎ／Ｇａモル比とは独立に
は成立しないものであるところ、被告は、第２基礎出願で初めてＩｎ／Ｇａモル比
が１以下でもよいとし、Ｉｎ／Ｇａモル比が０．１の実施例を追加したのであるか
ら、本件発明に内在されるＩｎ／Ｇａモル比が１以下の部分は、第１基礎出願の優
先権が働かず、第２基礎出願日を基準にすべきことが明らかである。
　この点、本件発明１はＩｎ／Ｇａモル比を要件としていないが、そのこととＩｎ
／Ｇａモル比に応じて優先権を判断することとが抵触するものではないし、そのよ
うに考えることが特許法７０条１項の規定に抵触するものでもない。なぜなら、上
記の考察は、優先権を考える上で、同請求項１がＩｎ／Ｇａモル比を何も限定して
いない（０＜Ｉｎ／Ｇａモル比＜∞）という意味で内在していると捉えているだけ
であって、発明の技術的範囲を限定解釈しているわけでも拡張解釈しているわけで
もないからである。　
　　　イ　被告は、同一の特許発明をめぐる他の無効審判事件において、請求項４
に規定されていたモル比「０．１以上」を「１以上」に訂正したい旨表明あるいは
請求しているが（甲第５２号証の１、甲第５２号証の２、甲第５３号証）、この事
実からすれば、被告は、請求項４、更には請求項１においても、Ｉｎ／Ｇａモル比
が１以下の部分は、第１基礎出願に基づく優先権が働かず、第２基礎出願日を基準
にすべきことを認めたものといえる。
　　　ウ　以上からすれば、甲第２９号証、甲第３０号証を新規性欠如・進歩性欠
如の根拠とできないのは、第１基礎出願に基礎をおく「Ｉｎ／Ｇａモル比が１より
多い部分」だけであり、第２基礎出願に基礎をおく「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の
部分」に対しては、甲第２９、３０号証はまさに公知技術である。したがって、こ
れに基づく進歩性欠如を検討しなかった審決には判断の遺脱があり、しかも、かか
る遺脱が審決の結論に影響を及ぼすものであることは、次の（２）に述べるとおり
明らかである。
　　(２)　「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の部分」についての容易推考性の判断の誤
り
　　　ア　甲第３０号証の発明を中心とする進歩性欠如（容易推考性の判断の誤
り）
　本件発明１のうち「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の部分」と甲第３０号証との相違
点は、審決の認定（審決書３０頁３行）どおり、甲第３０号証のＩｎ／Ｇａモル比
が「１２」であることであるが、同号証において参考文献１２として引用する甲第
３７号証第２２５１頁、図１には、Ｉｎ／Ｇａモル比を１以下である０．３でＩｎ
ＧａＮを成長させることが記載されている。
　そもそもＩｎ／Ｇａモル比を１以下とすることは、周知である（刊行物７、８、
甲第３６号証、甲第３７号証）。
　したがって、甲第３０号証の発明において、Ｉｎ／Ｇａモル比が１２であるとこ
ろを０．１以上１以下の範囲に変更して、本件発明１のうちの「Ｉｎ／Ｇａモル比
が１以下の部分」に至る程度のことは、当業者が容易に推考し得ることである。
　同様に、本件発明２ないし４についても、取消事由の１で述べたような周知技術
（前記１（２）参照）と甲第３０号証の発明に基づいて、当業者が容易に推考し得
たことである。
　　　イ　甲第２９号証の発明を中心とする進歩性欠如（容易推考性の判断の誤
り）
　甲第２９号証には、「有機金属気相成長法により、次に成長させるＩｎ1-x-yＧａ
xＡｌyＮ（0≦x≦1；0≦x＋y≦1）クラッド層よりも低温で成長させるバッファ層を
介して、バッファ層よりも高温で成長させたＩｎ1-x-yＧａxＡｌyＮ（0≦x≦1；0≦
x＋y≦1）クラッド層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源
のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、Ｉｎ1-x-yＧ
ａxＡｌyＮ（0≦x≦1；0≦x＋y≦1）活性層を成長させること」が記載されている。
当該記載中の、Ｉｎ1-x-yＧａxＡｌyＮ（0≦x≦1；0≦x＋y≦1）と規定された化学
式は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＧａ
ＡｌＮの７通りの組成に対して上位概念に立つということではなく、この７通りの
組成を個々に記載しているに等しいものであるから、ｎ型クラッド層がx＝1、y＝
0のときのＧａＮと、活性層が0＜x＜1、y＝0のときのＩｎＧａＮとの組合せが記載
されている。
　すると、本件発明１のうち「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の部分」と、甲第２９号
証とを対比した場合、甲第２９号証には、Ｉｎ／Ｇａモル比について記載がないこ
とが唯一の相違点であることとなるが、Ｉｎ／Ｇａモル比を１以下とすることは、
周知である（甲第２７（刊行物７）、第２８（刊行物８）、第３６、第３７号
証）。
　したがって、甲第２９号証の発明において、Ｉｎ／Ｇａモル比を、０．１以上１
以下の範囲に変更して、本件発明１のうちの「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の部分」
に至る程度のことは、当業者にとって容易に推考し得ることである。
　本件発明２ないし４も、取消事由１で述べたような周知技術（前記１（２）参
照）を請求項１に単に付加しただけのものであり、当業者が容易に推考し得ること
である。
　　　ウ　刊行物８、甲第３０号証と周知技術の組合せ、又は刊行物８、甲第２９
号証と周知技術の組合せによる進歩性欠如（容易推考性の判断の誤り）
　刊行物８（甲第２８号証）の発明と「モル比が１以下の部分」に関する本件発明
１とでは、刊行物８に低温成長バッファ層が記載されていない点でのみ相違する。
　しかし、前記の通り、低温成長バッファ層は第１基礎出願日前から周知であり、
第２基礎出願日前には、低温成長バッファ層／ＧａＮ／ＩｎＧａＮの積層も周知と
なっていたのであるから（甲第３０号証、甲第２９号証）、刊行物２の発明に低温
成長バッファ層を付加することは、第２基礎出願日当時には当業者が容易になし得
たものである。したがって、本件発明１のうち「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の部
分」は、刊行物８と甲第３０号証又は甲第２９号証と上記周知技術に基づいて当業
者が容易になし得たものである。
　本件発明２ないし４も、取消事由１で述べたような周知技術を単に請求項１に付
加しただけの発明であるから、本件発明１と同様、当業者が容易に想到し得たもの
である。
　４　取消事由４（要旨変更の判断の誤り）
　審決は、「ＡｌＮバッファ層やＧａＮバッファ層をその上に成長させるＧａＮ層
よりも低い堆積温度で成長させると、よいＧａＮの結晶を形成することができるこ
とは周知の事項であ」り、前記周知の事項を技術水準として明細書をみると、平成
９年１２月３日付け補正（以下、「本件補正」という。）で加えられた「次に成長
させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よ
りも高温で成長させた該窒化ガリウム層」は、第１基礎出願日の出願時点から明細
書に記載されていたに等しい事項であると認められるから、本件補正は要旨変更に
当たらないものと判断した（審決書４頁３行～２３行）。しかし、本件補正は、バ
ッファ層の成長温度とＧａＮ層の成長温度について本件特許出願当初の明細書又は
図面の記載を超えて拡張するものであり、当初明細書の要旨を変更するものであ
る。この点を反対に解した審決の判断は誤りである。
　してみると、本件発明は、本件出願の出願時とみなされる本件補正書提出時（平
成９年１２月３日）前に公知となった甲第４号証（特開平６－１９６７５７号公
報、本件出願の公開公報）等に記載された発明と同一発明であるから、新規性欠如
の拒絶理由を含むこととなり、要旨変更がないとした審決の判断の誤りが結論に影
響を与えることは明らかである。
　５　取消事由５（特許法２９条の２に関する判断の誤り）
　（１）　第１基礎出願日を基準とした本件発明１と甲第２９号証の拡大された先
願発明との同一性判断の誤り
　審決は、「甲第９号証（本訴甲第２９号証）には、・・・ＧａＮ層の上に窒化イ
ンジウムガリウム半導体を成長させることについては記載されていない。・・・両
発明の差異を課題解決のための具体化手段における微差ということはできず、両発
明を同一の発明とすることはできない。」（審決書１２頁１４行～３３行）と認定
した。
　しかしながら、前記のとおり（取消事由３（２）参照）、甲第２９号証は、Ｇａ
ＮとＩｎＧａＮとの組合せを記載しているのであるから、本件発明１は、Ｉｎ／Ｇ
ａモル比にかかわらず、甲第２９号証の先願発明と同一であり、審決はこの点の判
断を誤ったものである。
　また、本件発明２及び３については、甲第２９号証中に開示されており、本件発
明４については、取消事由１で述べたように周知であるから、甲第２９号証の先願
発明と同一である。
　（２）　第２基礎出願日を基準とした本件発明と甲第３１号証の拡大された先願
発明との同一性判断の誤り
　審決は、本件発明１のうち「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下の部分」と甲第３１号証
（特開平６－２１５１１号公報、審判１の甲第１１号証、審判２の参考資料９）記
載の先願発明とを対比し、後者には原料ガスのインジウムのガリウムに対するモル
比が１以下であることは開示されておらず、上記モル比を０．１～１の範囲で成長
させることが周知であるともいえないから、両発明が同一発明であるとすることは
できないと判断した（審決書２９頁下から２行～３０頁４行）。
　しかしながら、（甲第３１号証に明示的には記載されていないものの）各層を有
機金属気相成長法により成長させることは周知であり（甲第２１号証～甲第３０号
証）、「Ｉｎ／Ｇａモル比が１以下」とする点についても、第２基礎出願日の当
時、例えば、刊行物７（甲第２７号証）、刊行物８（甲第２８号証）、甲第３６号
証、甲第３７号証により周知であるから、このような成長方法及びモル比を特定す
ることは、単なる周知技術の付加にすぎず、これにより奏される作用効果も有機金
属気相成長法を採用したことによる作用効果以上のものではない。
　しかも、甲第２７号証（「刊行物７」松岡論文、審判１の甲第７号証）のＦｉ
ｇ．１をみれば、ＩｎＧａＮを５００℃あるいは７００℃で成長させる場合にＩｎ
／Ｇａモル比を１以下とすることが具体的に開示されているのであるから、審決が
刊行物７について「モル比４以上」としたのは、書証の記載それ自体と矛盾する明
白な事実誤認である。さらに、審決は、刊行物８（甲第２８号証、審判１の甲第８
号証）にもＩｎ／Ｇａモル比を１以下の範囲で成長させることが記載されてい
る（Table１、２）にもかかわらず、これを見落としている。
　以上のように、第２基礎出願日当時、Ｉｎ／Ｇａモル比０．１～１の範囲でＩｎ
ＧａＮを成長させることは周知であり、本件発明１のうち「Ｉｎ／Ｇａモル比が１
以下の部分」は甲第３１号証記載の先願発明に周知事項を特定しただけのものであ
るから、本件発明１と甲第３１号証記載の先願発明とは実質的に同一である。これ
を周知資料が十分でないとして否定した審決の判断は誤りである。
　本件発明２ないし４についても、同様に前記１で述べたような周知技術を単に請
求項１に付加しただけの発明であり、甲第３１号証記載の先願発明と実質的に同一
である。
　６　取消事由６（記載不備、特許法３６条４項又は５項及び６項違反）
　（１）　「Ｉｎ／Ｇａモル比が０．１未満の部分」についての記載不備
　審決は、「モル比が０．１未満の場合においても、結晶性は悪いとしても実施不
可能ということはできない。」と認定している（審決書３０頁５行～１２行）。
　しかしながら、「結晶性に優れたＩｎＧａＮを形成すること」、「従来では不可
能であったＩｎＧａＮ層の単結晶を成長させること」等の本件発明の本質的効果に
照らせば、「結晶性は悪い」ということは、実施不可能であることを意味してい
る。
　また、本件発明１のうち、ＩｎＧａＮ成長時に流す原料ガス中の「Ｉｎ／Ｇａモ
ル比が０．１未満の部分」については、発明の詳細な説明中に、当業者が容易に実
施し得る程度に発明の構成（ＩｎをＧａＮ結晶中に入れてＩｎＧａＮの単結晶を成
長させる条件等）が記載されていない。
　しかも、明細書の「好ましくは０．１以上」の記載から、Ｉｎ／Ｇａモル比が
０．１未満の場合が実施が可能であるか不可能であるかは明らかでない。
　よって、「モル比が０．１未満の場合においても、結晶性は悪いとしても実施不
可能ということはできない」として記載不備を認めなかった審決の判断は誤ってい
る。
　（２）　請求項１の「…ＧａＮ層よりも低温で成長させるバッファ層」、「バッ
ファ層よりも高温で成長させたＧａＮ層」に関する記載不備
　本件明細書には、５１０℃で成長させたＧａＮバッファ層の上に、１０３０℃で
ＧａＮ層を成長させた実施例が記載されているだけで、それ以外の成長温度のとき
に、そのＧａＮ層上に結晶性の良いＩｎＧａＮ層の単結晶を成長させることができ
るとは認められない。
　このような温度の相対的な規定の仕方では、作用効果が根拠付けられない不当に
広い成長温度の組合せを含むことになる。
　したがって、本件発明は、特許法３６条４項又は５項及び６項に違反している。
（３）　請求項１に基板及びバッファ層の材料が記載されていない記載不備
　請求項１のように基板が規定されていないと、サファイア基板がない場合やサフ
ァイア以外の基板を用いる場合も含むことになり、また、バッファ層の材料が規定
されていないと、ＧａＮ以外のバッファ層を用いる場合も含むことになるが、これ
らの場合にも発明の効果（ＩｎＧａＮの結晶性向上）が得られるのか否かを根拠付
ける記載がない。
　したがって、本件発明は、特許法３６条４項又は５項及び６項の規定に違反して
いる。
　（４）　平成１２年２月２３日付けの訂正請求（甲第１０号証）は、訂正前の請
求項１に係る発明を、バッファ層とＧａＮ層について原料ガスの特定を外すことで
実質的に拡張していることが明らかであるから、訂正事項ａは、特許請求の範囲の
実質的拡張を伴っていることとなる。したがって、当該訂正請求は特許法１２６条
３項の規定に違反しなされたものである。
第４　被告の反論
　１　取消事由１（新規性判断の誤り）に対して
　（１）　本件発明１について
　　　ア　原告らは、刊行物１（甲第２１号証）には、ＡｌＮバッファ層の上に故
意に不純物を添加しない（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮの単結晶層（ｎ型、0≦x＜
1、0≦y＜1））を成長させ、更にその上にＭｇを添加した（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎ
yＮ（0≦x＜1、0≦y＜1）単結晶層を成長させること（原告ら主張の記載③）が記載
されているというが、誤りである。
　原告らが主張の根拠として挙げる刊行物１中の記載②にはＡｌＮバッファ層が含
まれていない。しかも、記載①と記載②は、それぞれ第１図、第２図を参照しなが
ら別個に説明されている（同号証４頁）から、当業者であれば、記載②において低
温成長ＡｌＮバッファ層は不要であると考え、バッファ層を使用せずに記載②のｐ
ｎ接合ＧaＮダイオードを作製しようとするものである。
　また、記載②のｐｎ接合ＧaＮダイオードにＡｌＮバッファ層を採用するとすれ
ば、組み合わせるための動機付けが必要であるが、そのような記述や示唆は当該記
載②の説明からは見出すことはできない。
　　　イ　刊行物１は、本件発明の「ＩnＧaＮ／ＧaＮ」構成のような窒化ガリウム
系化合物半導体のヘテロ接合を開示していない。
　すなわち、刊行物１に記載された２層は、いずれも同じ変数ｘ、ｙを使って（Ｇ
ａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮと表記されているため、仮にｘ＝ｙ＝０であればＧaＮとＧ
aＮのホモ接合を開示するのみで、ヘテロ接合を開示するものではない。
　原告らは、実施例に示されているｘ＝０、ｙ＝０のホモ接合は例示であって限定
ではないこと、及びヘテロ接合が周知であることから、刊行物１はヘテロ接合も包
含する旨主張する。
　しかしながら、刊行物１にはヘテロ接合の具体例がないばかりか、ヘテロ接合を
とり得るといった示唆もなく、ホモ接合のみが例示されていること、更に、各層の
ｘ及びｙが異なる値をとり得るとの説明もない。
　したがって、当業者にとっては、刊行物１はホモ接合が意図されていることと理
解される。
ウ　よって、審決に誤りはない。
　（２）本件発明２ないし４について
　上記（１）の理由により、本件発明２ないし４も新規性を欠くものではない。
　２　取消事由２（進歩性判断の誤り）に対して
　（１）刊行物１（甲第２１号証）からの容易推考性の主張に対して
ア　本件発明１について
　刊行物１には、（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮ（0≦x＜1、0≦y＜1）の上層４通
り、下層４通りの計１６通りの中から、特に下層にＧaＮを選び、更に上層の４通り
の中からＩnＧaＮを選ぶとの示唆もなければ、これら選ばれたＩnＧaＮとＧaＮを組
み合わせることで格別の作用効果を奏することを示す記載も認められない。
　刊行物８（甲第２８号証）には、「基板上に直接ＩnＧaＮを成長させる際のガス
導入部の工夫に関する報告」、及び「ＩnＧaＮをｉ型発光層としたＭＩＳ構造発光
ダイオードについての報告」が記載されており、前者からは、「基板上に直接Ｉｎ
ＧａＮを成長させる構成」によって得られたＩｎＧａＮは、単結晶と多結晶が混在
するＩｎ組成比０．２２のＩn０．２２Ｇa０．７８Ｎであることが認識され、後者
からは、「基板上にＧaＮを介してＩｎＧａＮを成長させる構成」によって得られた
ＩｎＧａＮは、実際にはＧａＮ単結晶であることが認識される。
　してみると、当業者は、「基板上に直接ＩｎＧａＮを成長させる構成」によって
得られた単結晶と、多結晶が混在するＩn０．２２Ｇa０．７８Ｎを、特性の良い単
結晶とするために「基板上にＧaＮを介してＩｎＧａＮを成長させる構成」をとった
としても、結局ＧaＮしか得られないと認識するのであるから、特性の良い単結晶の
ＩnＧaＮを得るために「基板上にＧaＮを介してＩｎＧａＮを成長」する方法を選択
することはしないはずである。
　以上のように、刊行物８を参酌すると、特性の良いＩｎＧａＮを得るために「Ｉ
ｎＧａＮ／ＧａＮ」の積層順序とすることは容易に想到し得ないものである。
イ　本件発明２ないし４について
　同様の理由で、本件発明２ないし４も刊行物１から当業者が容易に推考し得たも
のではない。
　（２）　刊行物８からの容易推考の主張に対して
　　　ア　本件発明１について
　審決の認定、判断に誤りはない。
　　　　(ア)　刊行物８（甲第２８号証）の内容からは、前記のように「ＧａＮ／
ＩｎＧａＮの組合せでは結晶性の良いＩｎＧａＮを成長させることはできない」こ
とが導き出されるから、ＧａＮ／ＩｎＧａＮの組合せが不適であるとの当業者の認
識を越えてなされた本件発明が進歩性を有することは明らかである。
　さらに、同号証には、低温成長バッファ層を付加して結晶性を改善する旨の記載
も示唆もない。
　　　　(イ)　原告らは、光学的エネルギー3.25ｅＶという記載を根拠に刊行物８
のものではＩｎＧａＮが成長した旨主張する。
　しかしながら、同刊行物には、「Ｇa１－ＸＩnＸＮの特性は光学的エネルギー
3.25ｅＶ、抵抗率ρ＝３．２×１０１８Ω㎝で（0002）面のＸ線回折ピーク（２
θ）が３４．８℃で観測され、Ｉｎは不純物として膜中に取り込まれている。」
（甲第２８号証３６頁左欄下～右欄３行）と記載されており、「光学的エネルギー
3.25ｅＶ」を考慮して「Ｉｎは不純物として膜中に取り込まれている。」と結論付
けているのであるから、原告らの主張は失当である。
　また、原告らは、「Ｇa１－ＸＩnＸＮの成長温度が高いほど、Ｉｎ組成比ｘが小
さくなることは周知」であり、「基板／ＩｎＧａＮ」の場合のＩｎＧａＮの成長温
度が６００℃であって、「基板／ＧａＮ／ＩｎＧａＮ」の成長温度が７００℃であ
るから、後者のＩｎ組成比ｘが少ないことはＧａＮを介したことが原因ではない旨
主張する。
　しかしながら、原告らが根拠とした周知技術は、Ｉｎが構成元素として結晶中に
取り込まれた場合にその比率が成長温度に依存するものであるが、刊行物８のよう
に不純物として膜中に取り込まれたＩｎが成長温度を下げることによって構成元素
として結晶中に取り込まれるか否かは、上記周知技術に基づいて当業者が容易に予
測し得る事項ではない。
　したがって、刊行物８は本件発明に想到することの阻害要因であることが明らか
である。　
　　　イ　本件発明２ないし４
　上記アと同様の理由により、当業者が容易に推考し得たものではない。
　（３）　刊行物２（甲第２２号証）からの容易推考性の主張に対して
　　　ア　本件発明１について
　　　　(ア)　刊行物２には、記載された一般式、ＡｌＺＧa１－ＺＮ層（０≦Ｚ≦
１）で表されるバッファ層において、Ｚ＝０として、ＧaＮを形成した実施例もなけ
れば、当該バッファ層を本件発明のＧaＮ層として捉え、更にバッファ層を設けると
いう、複数のバッファ層を設けた実施例もない。
　しかも、バッファ層を２層以上設けた場合の効果、及び、Ｚ＝０にした場合の結
晶性の改善等の効果についても何ら記載されていない。
　また、実施例には、バッファ層は９５０℃で成長され、その上にＩnＧaＮ層が８
００℃で成長されると記載されているように、低温成長バッファ層を採用するどこ
ろか、いうなれば高温成長バッファ層の構成となっているのである。
　してみると、刊行物２の記載に基づいて「バッファ層を上層がＧaＮである２層と
し、各層で成長温度を変え、下の層のバッファ層を低温で成長させるようにするこ
とが、当業者が容易に発明をすることができたものでない」との審決の判断に誤り
はない。
　　　　(イ)　原告らは、刊行物２には、ＡｌＮ・ＧａＮ超格子バッファ層のＡｌ
Ｎバッファ層部分／ＡｌＮ・ＧａＮ超格子バッファ層のＧａＮバッファ層部分／Ｉ
ｎＧａＮという層構成が開示されているのに、審決は当該開示事項を看過し、刊行
物２の認定を誤ったと主張する。
　しかしながら、乙第９号証「超格子」（同号証１６６頁左欄６行～９行）に「２
種類の半導体結晶をそれぞれ一定膜厚で交互に堆積すると、１周期の厚さをマクロ
な結晶格子定数とみなすことができる」と記載されているとおり、超格子とは、２
種類の半導体結晶を交互に堆積した１周期の厚さをマクロな結晶格子定数とする結
晶とみなすのであるから、甲第２２号証に記載されたＡｌＮ・ＧａＮ超格子層をそ
の構成要素であるＡｌＮとＧａＮとを個別の２つの層に分解して解釈することは技
術的に誤りであり、原告らの主張は失当である。
　　　　(ウ)　原告らは、甲第２２号証の、「バッファ層としてＡｌＮ層およびＡ
ｌＮ／ＧaＮ歪超格子層およびＡｌＺＧa１－ＺＮ層（０≦ｚ≦１）のうち少なくと
も一層を有する」との記載を根拠に、「バッファ層を複数設けたものも含む」旨主
張する。
　しかしながら、前記記載には、「少なくとも一層」と記載され「少なくとも一種
類」とは記載されておらず、しかも、複数の異なるバッファ層を積層することがで
きるとは一切述べていないことからして、当該記載は、三種のバッファ層から任意
の一種を選択し、選択された一のバッファ層を一層、若しくは複数層積層すること
を述べていると思われる。
　したがって、原告らの主張は「少なくとも一層」の意味を、層の数ではなく、種
類の数に曲解したものであって、失当である。
イ　本件発明２ないし４について
　上記アと同様の理由により、当業者が容易に想到し得たものではない。
　（４）　刊行物９（甲第１５号証）と刊行物８及び刊行物２の組合せによる容易
推考性の主張に対して
　刊行物２には「ｐ型のＧaＸＩn１－ＸＮ層４は膜厚１．５μｍであり、ｐ型ドー
パントであるＣｐ２Ｍｇ１３をドープして結晶成長させたものである」（甲第２２
号証３頁右下欄８行～１１行）と記載され、当該Ｃｐ２Ｍｇはｐ型ドーパントであ
るＭｇをドープする時に使われる原料であることから、前記ｐ型のＧaＸＩn１－Ｘ
Ｎ層にはｐ型ドーパントであるＭｇがドープされている。
　また、刊行物８では、ＭＩＳ構造発光ダイオードのｉ型ＩｎＧａＮには、Ｍｇ等
のｐ型ドーパントがドープされていないのであるから、ｐ型化は不可能である。
　したがって、原告らの主張は誤りである。
　３　取消事由３（判断遺脱）に対して
　（１）原告らは、「Ｉｎ／ＧａＮのモル比が以下の部分」については、第１基礎
出願の優先権が働かず、第２基礎出願日が基準となると主張し、これを前提とし
て、審決には判断遺脱があると主張するが、前提が誤りであるから主張も失当であ
る。
　　　ア　本件発明の要旨は、「ＩｎＧａＮの成長中に供給する原料ガス中のイン
ジウム源のガスのインジウムモル比をガリウムに対して調整して」ＩｎＧａＮを成
長させる方法にあるのではなく、請求項１記載のとおり、有機金属気相成長法にお
いて「低温成長バッファ層を介してバッファ層よりも高温で成長させたＧａＮ層上
にＩｎＧａＮ層を成長させる」ＩｎＧａＮの成長方法を要旨とするものであり、か
かる層構成順序は、第１基礎出願の出願当初明細書に開示されていた。
　すなわち、第１基礎出願の出願当初明細書の【実施例】欄には、サファイア基板
上に低温成長バッファ層とＧaＮ層を成長した後、ＴＭＧを２×２０－６モル／分、
ＴＭＩを２０×１０－６モル／分の条件でＩｎＧａＮ層を形成した実施例
（【0016】～【0023】）と、原料ガス中のインジウムのガリウムに対するモル比を
実施例と同一にしながらＩｎＧａＮをサファイア基板上に直接成長する比較例
（【0024】～【0026】）とが記載され、両者を比較すると、実施例で得られたＩｎ
ＧａＮの結晶性（【0023】）は比較例で得られたＩnＧaＮの結晶性（【0026】）に
比して格段の差異が生じていることが明らかである。
　これらの記載は、本件請求項１に係わる発明が層構成順序の特異性に基づいて完
成したものであることを当業者に認識させるものであって、本件発明が「モル比」
とは独立して作用効果を奏することを示すものである。
　してみれば、本件請求項１に係わる発明が第１の基礎出願に基づく優先権の利益
を享受し得ることは明らかである。
　　　イ　原告らは、「インジウムのモル比は、ガリウムに対し１より多くする必
要がある」（【0010】）との記載に依拠して第１基礎出願ではモル比１以下が実施
不能範囲として排除されていた旨主張する。
　しかしながら、成長に必要となるインジウムガスのモル比は、目的とするＩnＸＧ
a１－ＸＮに入れるべきＩｎＮの量、即ち、目的とするＩnＸＧa１－ＸＮのインジウ
ム組成比Ｘの大きさによって変わり得ることは、例えば、甲第２７号証、甲第３７
号証に見られるように第１基礎出願日当時に当業者に常識であり、同様のことが第
１基礎出願の【0013】に「インジウムガスのモル比、成長温度は目的とするＩｎＧ
ａＮのインジウムのモル比によって適宜変更できる」と記載されている。
　してみれば、原告らの指摘する【0010】の記載が、ある程度インジウム組成比の
大きなＩｎＧａＮを成長させるには、成長ガス中のインジウムモル比を１以上にす
る必要があることを説明したにすぎず、モル比１未満の領域を、あらゆる組成のＩ
ｎＧａＮが成長不能として除外したものでないことは明らかである。
　４　取消事由４（要旨変更の判断の誤り）に対して
　審決の判断に誤りはなく、原告らの主張は失当である。
　５　取消事由５（特許法２９条の２に関する判断の誤り）に対して
　（１）　第１基礎出願日を基準とした主張（甲第２９号証との同一）に対して
　甲第２９号証の図２ないし４には、実施例１～３として様々な構成が開示されて
いるものの、低温成長バッファ層上にＩｎＧａＡｌＮでなくＧａＮを成長させ、か
つこの上にＩｎＧａＮを成長させることによって結晶性に優れた高品質の窒化イン
ジウムガリウムを得ることについては記載されていないから、本件発明と同一であ
るとすることはできない。
　（２）　第２基礎出願日を基準とした主張（甲第３１号証との同一）に対して
　本件発明１が有効であり、また優先権主張が有効であり第１基礎出願日の優先権
の利益が享受することができる以上、原告らの主張は失当である。
　６　取消事由６（記載不備、特許法３６条４、５、６項違反）に対して
　（１）　「Ｉｎ／Ｇａモル比が０．１未満の部分」について
　本件発明は、有機金属気相成長法により良好な結晶性の窒化インジウムガリウム
を得るための積層順序によって優れた作用効果を奏するものであるから、ＩｎＮ／
Ｇａモル比は本件発明の本質とは関係のないものである。
　また、Ｉｎ／Ｇａモル比によって結晶性の程度に差が生じるとしても、依然とし
て従来なし得なかった極めて高品質なＩｎＧａＮを得ることが可能である以上は、
本件発明の優位性は否定されないし、記載不備ともならない。
　さらに、請求の範囲に特定していない事項は当業者が任意に設定することができ
る事項であるから、Ｉｎ／Ｇａモル比についても当業者が適宜設定すればよく、Ｉ
ｎ／Ｇａモル比が取り得るすべての範囲にわたって実施例として記載されている必
要はない。
　（２）　「ＧａＮ層よりも低温で成長させるバッファ層」、「バッファ層よりも
高温で成長させたＧａＮ層」について
　低温成長バッファ層は本件発明の出願時において周知技術であるから、当該技術
分野に長けた当業者は低温成長バッファ層の成長温度について熟知していると考え
られる。
　したがって、低温成長バッファ層を採用するに当たり適切な温度を選択すること
が可能であるから、本件発明は容易に実施することができるのである。
　したがって、明細書を見た技術専門家たる当業者が発明を実施することができる
ので実施可能要件は充足されている。
　（３）　基板、バッファ層の材料が記載されていない不備があるとの主張につい
て
　上記のように「バッファ層」は、本件発明の出願当時、当業者に周知な技術事項
であった「低温成長バッファ層」である。
　したがって、当業者であれば、明細書の記載に基づき、出願当時当業者に周知な
「低温成長バッファ層」の技術的事項を参酌して、本件発明を容易に実施すること
ができるのであり、請求項１に基板及びバッファ層の材料が記載されていないこと
は法３６条の予定する記載不備に当たらない。
　（４）平成１２年２月２３日付け訂正請求に係る訂正事項は、「窒化ガリウム
層または窒化ガリウムアルミニウム層」を「窒化ガリウム層」に減縮し、窒化イン
ジウムガリウム層が「同じく有機金属気相成長法」により成長されることを限定す
るとともに、この成長に使用される原料ガスが「ガリウム源のガスと、インジウム
源のガスと、窒素源のガスとを用い」ていることを明確にするために、記載位置を
変更したものであり、「ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガ
ス」とが成長に必要な層はＩｎＧａＮ層であることは明らかであり、バッファ層と
ＧａＮ層の成長にインジウム源のガスが必要であると当業者が考えることはない。
以上のとおり、この点を明確にするために被告は原料ガスの記載位置を訂正したの
である。
　したがって、審決の「何源の原料ガスを使用するかは自明であるからこれを特定
する必要はないものと認められる」とした判断に誤りはない。
第５　当裁判所の判断
　１　本件発明について
　（１）　平成１２年２月２３日付け訂正請求（同年３月１日付け異議決定により
訂正認容）による訂正後の本件発明の特許請求の範囲の記載が前記第２の２のとお
りであることは争いがない（なお、上記訂正の適否につき争いがあるが、以下で
は、審決が判断の対象とした訂正後の請求項１ないし４記載の発明（本件発明１な
いし４）につき、審決の認定判断の当否を検討する。）。
　（２）　甲第１０号証によれば、本件明細書（前記訂正請求書に添付された全文
訂正明細書）の発明の詳細な説明欄には、産業上の利用分野、従来技術並びに本件
発明の課題、作用及び効果に関して、次のとおり記載されていることが認められ
る。
　①【産業上の利用分野】「本発明は青色発光ダイオード、青色レーザーダイオー
ド等に使用される窒化インジウムガリウム半導体の成長方法に関する。」（段落
【０００１】）
　②【従来の技術】「青色ダイオード、青色レーザーダイオード等に使用される実
用的な半導体材料として・・・等の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されてお
り、その中でもＩｎＧａＮはバンドギャップが２ｅＶ～３．４ｅＶまであるため非
常に有望視されている。従来、有機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法という。）
によりＩｎＧａＮを成長させる場合、成長温度５００℃～６００℃の低温で、サフ
ァイア基板上に成長されていた。なぜなら、ＩｎＮの融点はおよそ５００℃、Ｇａ
Ｎの融点はおよそ１０００℃であるため、６００℃以上の高温でＩｎＧａＮを成長
させると、・・・ＩｎＧａＮが殆ど分解してしまい、形成されるものはＧａのメタ
ルとＩｎのメタルの堆積物のみになってしまうからである。従って、従来ＩｎＧａ
Ｎを成長させようとする場合は成長温度を低温に保持しなければならなかった。」
（段落【０００２】、【０００３】）
　③【発明が解決しようとする課題】「このような条件の下で成長されたＩｎＧａ
Ｎの結晶性は非常に悪く、・・・・青色発光が観測されたことはなかった。しか
も、・・・その結晶性は、単結晶というよりも、アモルファス状結晶に近いのが実
状であった。青色発光ダイオード、青色レーザーダイオード等の青色発光デバイス
を実現するためには、高品質で、かつ優れた結晶性を有するＩｎＧａＮの実現が強
く望まれている。よって、本発明はこの問題を解決するべくなされたものであり、
その目的とするところは、高品質で結晶性に優れたＩｎＧａＮの成長方法を提供す
るものである。」（段落【０００４】、【０００５】）
　④【課題を解決するための手段】「ＩｎＧａＮをＭＯＣＶＤ法で成長するにあた
り、従来のようにサファイア基板の上に成長させず、次に成長させるＧａＮ層より
も低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該Ｇ
ａＮ層の上に成長させることによりその結晶性が格段に向上することを新規に見出
した。」（段落【０００６】）
　⑤【作用】「最も好ましい本発明の成長方法によると、原料ガスのキャリアガス
を窒素ガスとして、６００℃より高い成長温度において、ＩｎＧａＮの分解を抑制
することができ、またＩｎＮが多少分解しても、原料ガス中のインジウムを多く供
給することにより高品質なＩｎＧａＮを得ることができる。
　さらに、従来ではサファイア基板の上にＩｎＧａＮ層を成長させていたが、サフ
ァイアとＩｎＧａＮとでは格子定数不整がおよそ１５％以上もあるため、得られた
結晶の結晶性が悪くなると考えられる。一方、本発明ではＧａＮの上に成長させる
ことにより、その格子定数不整を５％以下と小さくすることができるため、結晶性
に優れたＩｎＧａＮを形成することができる。・・・本発明では明らかに結晶性が
向上しているために４５０ｎｍの青色領域に発光ピークが現れている。」（段落
【００１３】【００１４】）
　⑥【実施例】「石英ノズル５から水素を流しながらヒーター３で温度を１０５０
℃まで上昇させ、２０分保持しサファイア基板７のクリーニングを行う。続いて、
温度を５１０℃まで下げ、・・・ＧａＮバッファ層を約２００オングストローム成
長する。・・・バッファ層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０３０℃まで上昇
させる。温度が１０３０℃になったら、・・・ＧａＮ層を２μｍ成長させる。Ｇａ
Ｎ層成長後、温度を８００℃にして、・・・ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。」
（段落【００１７】～【００２０】）
　⑦【発明の効果】「本発明の成長方法によると従来では不可能であったＩｎＧａ
Ｎ層の単結晶を成長させることができる。また、ＧａＮ層を成長させる前にサファ
イア基板上に低温でバッファ層を成長させることにより、その上に成長させるＧａ
Ｎ層の結晶性が更に向上するため、ＩｎＧａＮの結晶性もよくすることができ
る。」（段落【００２８】）
（３）　上記各記載によれば、本件発明１は、青色発光デバイスを実現するのに
必要な優れた結晶性を有するＩｎＧａＮを成長させる方法に係るものであって、
　　　ア　有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、基板（Ⅰ：発明の詳細な説
明によればサファイア基板）の上に、低温成長のバッファ層（Ⅱ）、当該バッファ
層よりも高温で成長させるＧａＮ層（Ⅲ）、を順に成長させ、更にその上にＩｎＧ
ａＮ半導体層（Ⅳ）を成長させることを特徴とし、
　　　イ　バッファ層（Ⅱ）の役割は、「ＧａＮ層を成長させる前にサファイア基
板上に低温でバッファ層を成長させることにより、その上に成長させるＧａＮ層の
結晶性が更に向上するため、ＩｎＧａＮの結晶性もよくすることができる。」（発
明の効果、段落【００２８】）と記載されているとおり、ＧａＮ層（Ⅲ）の結晶性
を向上させることにあること、
　　　ウ　バッファ層（Ⅱ）の上に成長させるＧａＮ層（Ⅲ）の役割は、「従来で
はサファイア基板の上にＩｎＧａＮ層を成長させていたが、サファイアとＩｎＧａ
Ｎとでは格子定数不整がおよそ１５％以上もあるため、得られた結晶の結晶性が悪
くなると考えられる。一方、本発明ではＧａＮの上に成長させることにより、その
格子定数不整を５％以下と小さくすることができるため、結晶性に優れたＩｎＧａ
Ｎを形成することができる。」（段落【００１４】）と記載されているように、サ
ファイア基板（Ⅰ）とＩｎＧａＮ層（Ⅳ）との格子定数不整合を、ＩｎＧａＮとの
格子定数不整合の小さいＧａＮ層（Ⅲ）を介在させることにより緩和して、ＩｎＧ
ａＮ層の結晶性を向上させることにあることが認められる。
　（４）　本件発明２は、本件発明１における原料ガスのキャリアガスを窒素に限
定し、本件発明３はＩｎＧａＮ半導体層（Ⅳ）の成長温度を６００℃より高い温度
に限定し、本件発明４は、ＩｎＧａＮ半導体層（Ⅳ）を成長させるときのインジウ
ム源のガス組成を、モル比でガリウム１に対しインジウム０．１以上（Ｇａ／Ｉｎ
モル比０．１以上）と限定したものであると認められる。
２　取消事由２（容易推考性の判断の誤り）について
　（１）　本件では、本件特許の新規性、進歩性等を判断する基準時を、①第１基
礎出願日（平成４年（１９９２年）６月１０日）、②第２基礎出願日（平成４年１
１月４日）、③手続補正書提出日（平成９年（１９９７年）１２月３日）のいずれ
とみるかが争点の１つとなっているが、以下では、まず、基準時が上記①、②、③
のいずれであるかにかかわりなく本件特許出願前の公知文献と認められる刊行物
１、２、８、９（甲第２１、第２２、第２８、第１５号証）に基づく容易推考性
（原告ら主張の取消事由２）について検討することとする。
　（２）　刊行物２に基づく本件発明の容易推考性について
　　　ア　甲第２２号証によれば、刊行物２（特開平３－２０３３８８号公報）に
次の記載があることが認められる。
　①特許請求の範囲の（１）に、
　「窒化処理した基板と、この基板上に形成したバッファ層と、このバッファ層上
に形成したＧaＸＩn１－ＸＮ層（０≦Ｘ≦１）のｐｎ接合構造とを備え、前記バッ
ファ層がＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧaＮ歪超格子層およびＡｌＺＧa１－ＺＮ層（０
≦Ｚ≦１）のうちの少なくとも一層である半導体発光素子」との記載、
　②特許請求の範囲の（３）に、
　「キャリアガスとして、Ｈ２またはＮ２を用い、Ⅲ族の原料ガスとして、有機Ｉ
ｎ化合物、有機Ａｌ化合物、有機Ｇa化合物を用い、Ⅴ族の原料ガスとしてＮＨ３を
用いて結晶成長を行う有機金属気相成長方法であって、
　基板を昇温する際、ＮＨ３雰囲気中で行い、前記基板の表面を窒化処理した後
に、この窒化処理した基板の表面に、バッファ層としてＡｌＮ層およびＡｌＮ／Ｇ
aＮ歪超格子層およびＡｌＺＧa１－ＺＮ層（０≦Ｚ≦１）のうちの少なくとも一層
を成長させる工程と、この表面にＧaＸＩn１－ＸＮ層（０≦Ｘ≦１）のｐｎ接合構
造を形成する工程とを含む半導体発光素子の製造方法。」との記載、
　③［発明が解決しようとする課題］欄に、
　「しかしながら、このように、サファイア基板１上に、ｎ－ＧaＩnＮ層４１の結
晶を直接エピタキシャル成長させると、サファイア基板１とｎ－ＧaＩnＮ層４１と
の格子定数や熱膨張計数の整合性が悪くなる。すなわちサファイア基板１とｎ－Ｇ
aＩnＮ層４１との界面の結晶性が悪くなり、・・・。その結果、良質な結晶性を有
するｎ－ＧaＩnＮ層４１を得ることができない。このように、ｎ－ＧａＩｎＮ層４
１の結晶性が悪化することにより、・・・高品質なｐｎ接合構造を形成するのが困
難という問題があった。」（２頁左上欄１６行～右上欄１５行）との記載、
④［課題を解決するための手段］欄に、上記①と②と同旨の記載（２頁左下欄９
行～右下欄１４行）、
　⑤［作用］欄に、
　「この発明の半導体発光素子およびその製造方法によれば、窒化処理された基板
上に、バッファ層として、ＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧaＮ歪超格子層およびＡｌＺＧ
a１－ＺＮ層（０≦Ｚ≦１）のうちの少なくとも一層を形成することによって、その
表面に形成したＧaＸＩn１－ＸＮ層（０≦Ｘ≦１）層を、窒素を充分に含む高品質
なものとすることができる」（２頁右下欄１５行～３頁左上欄３行）との記載、
　⑥［実施例］欄に、
「・・・。その後、サファイア基板１の温度を９５０℃に下げて、バッファ層とし
て厚さ０．５μｍのＡｌＮ膜２を成長させる。このように、結晶成長前の昇温時
に、サファイア基板１の表面を窒化処理し、薄いＡｌＮ膜を形成することにより、
この表面に形成するＡｌＮ膜２（バッファ層）とサファイア基板１との格子定数お
よび熱膨張計数の整合性が共に良くなる。
　次に第３図（ｂ）に示すように、サファイア基板１の温度を８００℃まで下げ、
ＡｌＮ層２（バッファ層）の表面に、ｎ型のＧaＸＩn１－ＸＮ層３およびｐ型ＧaＸ
Ｉn１－ＸＮ層４を形成する。」（３頁左下欄１４行～右下欄５行）との記載、及
び、
　⑦同じく［実施例］欄に、
「以上はバッファ層としてＡｌＮ層２を形成した場合について説明したが、以下第
１図および第３図に示すバッファ層（ＡｌＮ層２）として、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格
子層またはＡｌｚＧａ１－ｚＮ（０≦ｚ≦１）層を形成した場合について以下説明
する。
　バッファ層の形成には、ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていき、
ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層を形成する方法と、組成のみのＡｌｚＧａ１－ｚＮ（０
≦ｚ≦１）層を形成する方法とがあるが、この表面に形成するＧａｚＩｎ１－ｚＮ
（０≦ｚ≦１）の結晶性は、後者に比較すると前者の方が優れる傾向があ
る。・・・バッファ層としてＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層を使用した場合、ＡｌＮ／
ＧａＮ歪超格子層は格子定数が大きく離れているために、通常用いられている格子
定数が極めて近いＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超格子に比べて、格子親和しやすく、格子欠
陥をほとんど吸収し、また薄いＡｌＮ層で覆われたサファイア基板上の組成をＡｌ
Ｎ層から徐々にＧａＮ層に変えていくことにより、欠陥なくＧａＮ層まで形成する
ことができる。さらにＧaＮ層とＧaＸＩn１－ＸＮ層との格子定数は近い。よって、
其の表面に形成したＧaＸＩn１－ＸＮ層の結晶性は飛躍的に向上する」（４頁右上
欄１９行～右下欄４行）との記載。
　　　イ　上記ア摘示の各記載によれば、刊行物２は、サファイア基板上に直接Ｉ
ｎＧａＮをエピタキシャル成長させるという従来技術では半導体発光素子に適した
高品質のｐｎ接合を形成し得るだけの良質の結晶性を持ったＧａＩｎＮ層を形成す
ることができないことを解決すべき課題として掲げ、この課題を解決するものとし
て、①有機金属気相成長法により、基板上にバッファ層を形成し、その上にＧaＸＩ
n１－ＸＮ層（０≦Ｘ≦１）を形成して（サファイア基板／バッファ層／ＧaＸＩn１
－ＸＮ層という層構成）、ＧaＸＩn１－ＸＮ層にｐｎ接合を形成した半導体発光素
子及びその製造方法を記載し、②「バッファ層」（「ＡｌＮ層およびＡｌＮ／Ｇａ
Ｎ歪超格子層およびＡｌＺＧa１－ＺＮ層（０≦Ｚ≦１）のうちの少なくとも一１
層」）としてＡｌＺＧa１－ＺＮ層（０≦Ｚ≦１）を、また、「ＧaＸＩn１－ＸＮ層
（０≦Ｘ≦１）」として、ＧaＩnＮ層（０＜ｘ＜１）を、それぞれ記載していると
認められる。さらに、刊行物２には、③ＧaＸＩn１－ＸＮ層（０≦Ｘ≦１）を気相
成長法で成長させる際に、その成長の基礎となる層をＧaＮ層（上記ＡｌＺＧa１－
ＺＮ層（０≦Ｚ≦１）でＺ＝０の場合に当たる）とすると、ＧaＮ層との結晶整合性
がよいので、ＧaＸＩn１－ＸＮ層は結晶性が飛躍的に増大するとの知見が示されて
いることが認められる。
　そして、基板とＧａＩｎＮ層との間に介在させる「バッファ層」については、前
記アの①、④及び⑤のとおり、「・・・少なくとも一層」と記載されていることか
ら、刊行物２記載の発明における「バッファ層」は、「１層」に限らず、「２層」
であってもよいことが明らかである。
　この点について、被告は、「・・・少なくとも一層」の意味は、「ＡｌＮ層」、
「ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層」、「ＡｌＺＧa１－ＺＮ層（０≦Ｚ≦１）」のうちの
いずれか一種類のバッファ層を１層又は複数層積層することと解すべきであり、実
施例としてもＡｌＮバッファ層１層のみ有する構成しか具体的に説明、図示されて
いないと主張する。なるほど、刊行物２には、バッファ層を１層とした実施例のみ
が記載され２層の実施例がないことは被告の指摘するとおりであるが、そのことか
ら直ちに刊行物２の発明におけるバッファ層が「１層」あるいは「同一種類の複数
層」に限られると解することはできず、かえって、バッファ層の形成につき、「ま
た薄いＡｌＮ層で覆われたサファイア基板上の組成をＡｌＮ層から徐々にＧａＮ層
にしていくことにより、欠陥なくＧａＮ層まで形成することができる。」（前記ア
の⑦、甲第２２号証の４頁左下欄５、６行）として、基板に近い部分の組成をＡｌ
Ｎ層、ＧａＩｎＮ層直下の組成をＧａＮ層とすることが記載されていることも含め
て「バッファ層が・・・少なくとも一層」の意味を理解するときには、刊行物２に
は、バッファ層を２層とすることが、記載されているというべきである（なお、被
告も、刊行物２の「バッファ層が・・・少なくとも一層」が、バッファ層が２層の
場合も含むものであること自体は否定していない。被告が否定するのは、異種類の
２層（複数層）のバッファ層である。）。
　　　ウ　そこで、刊行物２記載の発明において、バッファ層を２層とした構成
（基板（Ⅰ）／第１のバッファ層（Ⅱ）／第２のバッファ層（Ⅲ）／ＧａＩｎＮ
（Ⅳ）という層構成）を考えると、ＧａＩｎＮ層（Ⅳ）の成長の基礎となる層
（Ⅲ）については、前記ア⑦のとおり、刊行物２の中に、ＧaＸＩn１－ＸＮ層（０
≦Ｘ≦１）を気相成長法により成長させる際に基礎となる層としてＧaＮ層を用いる
とＧaＸＩn１－ＸＮ層の結晶性は飛躍的に増大する旨の教示が存在するのであるか
ら、この層（Ⅲ）をＧａＮ層（ＧaＸＩn１－ＸＮ；Ｘ＝０）とすることは極めて自
然なことというべきである。
　そうすると、刊行物２には、バッファ層が２層である場合の層構成として、基板
（Ⅰ）／第１のバッファ層（Ⅱ）／ＧａＮ層（Ⅲ）／ＧａＩｎＮ層（Ⅳ）という層
構成が示唆されているといってよい。
　　　エ　ところで、複数層の結晶層を有機金属気相成長法により成長させる場合
に、下地となる層の結晶に欠陥が少ない方が、欠陥が多い場合に較べて、その上に
形成する層の結晶性が向上するであろうことは、技術常識からみて当然に予測され
ることであり、このことは、刊行物２中に、「・・・欠陥なくＧａＮ層を形成する
ことができる。さらにＧａＮ層とＧａｘＩｎ１－ｘＮとの格子定数は近い。よっ
て、その表面に形成したＧａｘＩｎ１－ｘＮ層の結晶性は飛躍的に向上する」（前
記ア⑦）として、ＧａＮ層を欠陥なく形成することが（ＧａＮとＧａＩｎＮとの格
子定数が近いことと相俟って）その上に形成するＧａＩｎＮ層の結晶性を向上させ
る旨の記載があることにも表れている。
　そして、窒化ガリウム層（ＧａＮ）の結晶性を向上させるという点に関しては、
以下の（ⅰ）ないし（ⅳ）のとおり、甲第３５号証の１（埼玉大学工学部教授、工
学博士吉田貞史の意見書）の添付資料①、④及び⑦（甲第３５号証の２、５及び
８）、甲第３４号証の１（大阪大学名誉教授、工学博士・理学博士難波進の意見
書）の添付資料④（甲第３４号証の５）等に、低温成長バッファ層の上に気相成長
させることによりＧａＮの結晶性が改善することが記載されており、低温成長バッ
ファ層を設けることで窒化ガリウム層の結晶性を向上させ得ることは第１基礎出願
日（平成４年（１９９２年）６月１０日）前に周知であったと認められる。
　（ⅰ）　甲第３５号証の２（特開昭５２－２３６００号公報、１９７７年２月２
２日公開）
　特許請求の範囲に、「基板上にまず基板温度１０００℃以下において窒化ガリウ
ムの気相成長を行って第１層となし、さらに基板温度を１０００℃をこえる範囲に
上げて上記第１層上に窒化ガリウム単結晶の成長方法」と記載され、詳細な説明欄
に、「成長結晶が発光素子として利用できる条件として電気特性が良い事は当然で
あるが均質な膜状結晶であることも不可欠である。・・・本発明はＧａＮ結晶成長
における上述の問題点を解決し、電気特性が良い均質な膜状ＧａＮ結晶を得る方法
である。」（１頁右欄１５行～２頁左上欄４行）、及び「以上のように、本発明は
気相成長法による窒化ガリウム結晶成長において、基板上にまず１０００℃以下に
おいてＧａＮの気相成長を行って第１層となし、さらに基板温度を１０００℃をこ
える範囲に上げて上記第１層上にＧａＮの第２層を気相成長させることを特徴とす
るもので、電気特性の良い均質な膜状単結晶を得ることができる。」（２頁左下欄
７行～１３行）と記載されている。
　すなわち、気相成長法により、基板に窒化ガリウム層（ＧａＮ）を下地層として
成長させ、その上に、当該下地層より高温で窒化ガリウム層（ＧａＮ）を成長させ
るという点が示されている。
　（ⅱ）　甲第３５号証の５（日本結晶学会誌vol.１５No.３&４、１９８８、
平松和政外「ＭＯＶＰＥ法によるサファイア基板上のＧａＮ結晶成長におけるバッ
ファ層の効果」）
　「§１　はじめに」において、「われわれは，ＭＯＶＰＥ法において成長層と基
板との間にエピタキシャル温度よりも低い温度で単結晶でないバッファ層を堆積さ
せることを提案した。すなわち、バッファ層としてＡｌＮを用いこれを通常のエピ
タキシャル温度（～１２００℃）よりも低い温度で堆積させその上にＧａＮ層を成
長させることにより、ＧａＮ膜の結晶学的特性のみならず光学的特性、さらに電気
的特性も従来のどの方法よりも改善されることを見いだし、さらにこの方法を拡張
することにより高効率のＧａＮ青色ＬＥＤが実現できることを報告した。このよう
なバッファ層の導入は、・・・など、格子不整合度の大きいヘテロエピタキシャル
成長をはじめ、種々の結晶成長において近年広く適用されている。」（７４頁右欄
下から２行目～７５頁左欄１４行）と記載され、「§２　ＡｌＮバッファ層および
ＧaＮ膜の形成」及び「§３　ＡｌＮバッファ層の効果」において、「ＡｌＮバッフ
ァ層は６００～９５０℃で堆積させ、ＧaＮ膜は１０４０℃で成長させた」（７５頁
右欄９、１０行）、「ＡｌＮバッファ層の膜厚は～５００Åである。」（同頁右欄
１６、１７行）、「このことは、ＡｌＮバッファ層を用いることにより、深い準位
の原因となっている結晶欠陥あるいは不純物が大幅に低減していることを示唆して
いる。」（７６頁右欄１７行～２０行）と記載されている。
　すなわち、基板に低温で成長させた窒化アルミニウム層（ＡｌＮ）をバッファ層
として、窒化ガリウム層（ＧａＮ）をバッファ層の成長温度より高温で成長させる
こと（ＡｌＮ低温成長バッファ層／ＧａＮ層という層構成）、及びこれによって得
られる窒化ガリウム層（ＧａＮ）の結晶性が向上したことが示されている。
　（ⅲ）　甲第３５号証の８（JAPANESE　JOURNAL　OF　APPLIED　PHYSICS　
VOL.30.NO.10A、OCTOBER1991,pp．L1705－L1707「GaNGrowthUsingGaNBuffer
Layer」）
　冒頭要旨欄に、サファイア基板上にＧaＮバッファ層を用いて高品質のＧａＮ膜を
得たことが記載され、「§２．Experimental」において、ＧａＮバッファ層を４５
０℃～６００℃の間で成長させ（膜厚１００Å～１２００Å）、次いで、当該バッ
ファ層の上に１０００℃～１０３０℃の間でＧaＮ膜を成長させることが記載されて
いる。
　（ⅳ）　甲第３４号証の５（特開平４－２９７０２３号公報、１９９２年１０月
２１日公開。第１基礎出願日後、第２基礎出願日前の公開である。）
　【０００８】【課題を解決するための手段】に、「本発明の窒化ガリウム系化合
物半導体の結晶成長方法は、反応容器内に反応ガスを供給し、低温で成長させるバ
ッファ層の上に、高温で成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させ
る方法であって、前記バッファ層の一般式がＧaＸＩn１－ＸＮで表されることを特
徴とするものである。但しＸは０＜Ｘ≦１の範囲に特定される。」と記載され、当
該発明の前提となる従来に技術について、【従来の技術及びその問題点】の項の段
落【０００５】に、「このような問題を解決するために窒化ガリウム系化合物半導
体の結晶を成長させる前に、基板上にＡｌＮのバッファ層を成長させる方法が提案
されている（Appl.Phys.Lett48.(1986),353（アプライド　フィズィックス　レタ
ーズ４８巻、１９８６年、３５３頁）、および特開平２－２２９４７６号公報）。
この方法は、サファイア基板上に、成長温度４００～９００℃の低温で、膜厚が１
００～５００ÅのＡｌＮのバッファ層を設けるものである。この方法はバッファ層
であるＡｌＮ層上にＧａＮを成長させることによって、ＧａＮ半導体層の結晶性及
び表面モフォロジーを改善できる特徴がある。」と記載され、【課題を解決するた
めの手段】の項の【００１２】に、「ところでＡｌＮをバッファ層として窒化ガリ
ウム系化合物半導体結晶を成長させる方法はThinSolidFilms.
163.(1988),415（ツィン　ソリッド　フィルムズ　１６３巻、１９８８年、４１５
号）、および（Appl.Phys.Lett48.(1986),353（アプライド　フィズィックス　レ
ターズ４８巻、１９８６年、３５３頁）等に詳しく述べられているが、それらの文
献に記載されているバッファ層の作用を簡単に述べると以下の内容である。」とし
て、ＧａＮ層の結晶性を向上させることにおけるバッファ層の作用が説明されてい
る。
　上記（ｉ）ないし（ⅳ）の各資料に記載されたところからすれば、ＧaＮを気相成
長法により形成する手段として、基板上にバッファ層（ＡｌＮ、ＧａＮ）を形成す
ること、及びバッファ層がＧＡＮの結晶性の向上に果たす作用については周知であ
り、また、ＧaＮ層を成長させる下地となるバッファ層を当該ＧaＮ成長温度より低
温で成長させること、当該低温として本件発明の実施例に記載された５１０℃前後
とすること等は、当業者にとって周知慣用手段であったと認められる。
　なお、低温で成長させたバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させ
たＧａＮ層を成長させる方法、及び、この状態で成長させたＧａＮ層はバッファ層
を設けない方法で成長させたＧａＮ層に比較して結晶性を相当に向上させることが
できることが第１基礎出願日前に広く知られていたことは、被告の認めるところで
あり、審決も、審判における原告豊田合成の記載不備の主張に対して、「ＡｌＮや
ＧａＮのバッファ層をその上に成長させるＧａＮ層よりも低い堆積温度で形成する
とよいＧａＮの結晶を形成することができることは周知の事項であり」（審決書５
頁２１行～２３行）と認定している。
　　　オ　以上説示したところをまとめると、刊行物２には、２層のバッファ層を
設けることが記載されているということができ、また、良好な結晶性を備えたＩnＧ
aＮ層を成長させるとの観点から、ＩnＧaＮ層を成長させる基礎となる層（同刊行物
にいう「バッファ層」のうちの１層）をＩｎＧａＮ層との格子不整合の少ないＧａ
Ｎ層とすることも示唆されており、したがって、基板（Ⅰ）／第１のバッファ層
（Ⅱ）／ＧａＮ層（Ⅲ）／ＧａＩｎＮ層（Ⅳ）とする本件発明１と同様の層構成が
示唆されているというべきである。
　そして、刊行物２に関する上記認定に係る事実とＧaＮ層の成長手法として当該Ｇ
ａＮ層の下にバッファ層を低温で成長させることが周知慣用の手段と認められるこ
ととを総合すると、本件発明１は、刊行物２に開示された事項及び低温成長バッフ
ァ層の上に成長させるＧａＮ層に関する周知慣用の技術に基づいて、当業者が容易
に想到し得たものと認めることができる。これと異なる判断をした審決は、層構成
及び成長温度に関して、刊行物２及び慣用手段の認定を誤った結果、本件発明１の
進歩性の判断を誤ったものというべきである。
　　　カ　被告は、①刊行物２において、一般式ＡｌｚＧａ１－ｚＮ（０≦Ｚ≦
１）で表されるバッファ層につき、Ｚ＝０としてＧａＮを形成した実施例は記載さ
れていない、②当該バッファ層を本件発明のＧａＮ層としてとらえ、更にバッファ
層を設けるという、複数のバッファ層を設けた実施例も記載されていない、また、
③バッファ層を２層以上設けた場合の効果、及び上記一般式のＺ＝０としてＧａＮ
を形成した場合の結晶性の改善等の効果についても何ら記載されていないと主張
し、これらの点から、審決が、刊行物２に記載された発明は、バッファ層の上に直
接ＩｎＧａＮ層を成長させるものであり、成長温度にも上記限定はない点において
本件発明１と相違し、刊行物に上記相違点に係る構成を開示するものはないから、
「刊行物２の記載に基づいて、バッファ層を上層がＧａＮである２層とし、各層で
成長温度を変え、下の層のバッファ層を低温で成長させるようにすることが、当業
者にとって容易であるとすることはできない」（審決書２２頁１６行～１９行）と
したことに誤りはないと主張する。
　しかしながら、刊行物２にＺ＝０としてＧａＮを形成した実施例が記載されてい
ないことは被告主張のとおりとしても、一般式ＡｌｚＧａ１－ｚＮ層（０≦Ｚ≦
１）で表されるバッファ層がＺ＝０であるＧａＮ層であってよいことは上記一般式
の記載自体から明らかであって、特にＺ＝０とすることを妨げる事情があるとも認
められず、また、ＧａＮ層上に形成したＩｎＧａＮ層の結晶性は飛躍的に向上する
旨の記載があることからすれば、刊行物２は、ＩｎＧａＮ層の直下の層をＧａＮ層
とする積層構成を示唆しているといってよい。
　また、複数のバッファ層を形成した実施例が記載されていないとしても、「少な
くとも１層」のバッファ層という記載が２層のバッファ層を設ける構成を含意して
いることは前示のとおりであり、刊行物２には２層のバッファ層という構成が記載
されているというべきである。
　さらに、被告は、本件発明１は、基板／低温成長バッファ層／ＧａＮ層／ＩｎＧ
ａＮ層という積層構成を特徴とし、この積層構成により従来技術よりも結晶性の格
段に優れたＩｎＧａＮを成長させることを可能としたものであるところ、刊行物２
にはバッファ層を２層にして、基板／バッファ層／ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層という
構成としたときの効果につき記載がないと主張する。なるほど、甲第７、第１０号
証によると、本件明細書には、実施例（特定の成長条件でサファイア基板上に成長
させたＧａＮバッファ層（約２００Å）／ＧａＮ層（約２μｍ）／ＩｎＧａＮ層と
いう層構成のもの）のもので、図２に示されるフォトルミネッセンスのスペクトル
が４５０ｎｍにピークの現れる良質のＩｎＧａＮを実現したことを窺わせる記載が
あるのに対し、刊行物２にはこれと同等の効果の記載がないことが認められる。し
かし、本件明細書に記載されているものは、特定の成長条件の下でサファイア基板
上に低温成長ＧａＮバッファ層、ＧＡＮ層、ＩｎＧａＮ層を順次成長させた実施例
の効果（この記載された効果が刊行物２から想到容易な構成のものについて予測さ
れる効果を超える顕著な効果といえるかどうかはひとまず措く。）であるというこ
とはできても、それが、本件発明１の構成を有するものに共通する効果、すなわ
ち、被告が本件発明１の本質的特徴であり特異な構成であると主張するところの、
低温成長バッファ層の種類、基板の材料、各層の成長条件等につき具体的な限定を
伴わない、基板／低温成長バッファ層／ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層という積層構成そ
のものに基づいて得られる効果であるとは認め難い。そして、本件全証拠を検討し
ても、本件発明１の構成自体に基づいて、刊行物２記載の発明に周知の低温成長バ
ッファ層に関する技術を適用した構成と格段に異なる予測し難い効果が奏されるこ
とを認めるに足りる証拠はない。
　したがって、上記①、②及び③の点についての被告主張は採用することができな
い。
　　　キ　以上のとおりであるから、本件発明１は、刊行物２記載の発明と周知技
術とに基づいて、当業者が容易に推考し得たものというべきであり、これと異なる
認定をした審決は、本件発明１の進歩性についての判断を誤ったものというべきで
ある。
　（３）　本件発明２ないし４について
　本件発明２ないし４は、本件発明１の構成要件に、①原料ガスのキャリアガスと
して窒素を用いる、②ＩｎＧａＮを６００℃より高い温度で成長させる、③Ｉｎ／
Ｇａモル比を０．１以上とする、という限定を加えるものであるが、この①及び②
の事項は、前記（２）ア②及び⑥のとおり刊行物２（甲第２２号証）に記載されて
おり、③の事項も刊行物２の３頁右下欄１２行～４頁２行に記載されているほか、
甲第２７号証（１５８頁左欄７行～右欄２行（訳文３頁８行～２８行）及び同頁の
Fig．１）、甲第２８号証（刊行物８、３６頁Table２．（モル比１））、甲第３６
号証（６３４頁～６３５頁の２．FilmGrowth（訳文２頁））によると周知と認めら
れる。
　してみると、本件発明２ないし４も刊行物２に記載された発明に基づいて当業者
が容易に想到し得たものというべきである。
　（４）　付言
　なお、審判の段階では提出されなかった証拠であるが、甲第４１、第４５ないし
第４８、第５０号証によれば、名古屋大学大学院工学研究科に在籍していた小澤隆
弘は、第１基礎出願日前である昭和６２年（１９８７年）３月に、「ＴＭＧ・ＴＭ
Ｉ－ＮＨ３系のＭＯＶＰＥ」と題する修士学位論文（以下「小澤論文」という。）
を同大学に提出したこと、小澤論文には、「結晶成長法としてＭＯＶＰＥ法を用
い、良質のＩｎ１－ｘＧａｘＮ膜の実現可能性について検討した」（小澤論文６頁
１１、１２行）研究において、「ＧａＮは現在比較的良好な結晶が得られているた
め、ＧａＮモル分率の多い組成領域での結晶成長を行った。サファイア基板上にＡ
ｌＮバッファ層を９５０℃で３０秒間成長させた後、ノンドープＧａＮを１０３０
℃で４分間成長させ、その上にＩｎ１－ｘＧａｘＮ混晶を連続成長させている。混
晶層の成長条件を表２－２に示す。」（９頁１７行～１０頁２行）と記載されてい
ることが認められる（表２－２には、成長温度１０３０℃、成長時間３０minと記載
されており、原料ガス中のＩｎ／Ｇａモル比は同表の記載から０．０３～０．５と
認められる。）。
　また、甲第４５、第５１、第５４ないし第５６号証によれば、小澤論文は、同大
学に提出された原本からの複写物を作成して、昭和６２年３月ころ、小澤隆弘が所
属していた赤崎研究室のメンバー及び外部の研究者に配布されたこと、その内容は
論文提出に先立つ昭和６２年２月ころ、同大学工学部教室で開催された学外者も出
席可能な修士論文発表会（２０数名が出席）で発表されていること、及び小澤論文
の原本は、名古屋大学工学部・工学研究科電気系図書館に同年３月に受け入れら
れ、製本されて、請求により第三者が閲覧及び複写が可能な状態で同図書館に所蔵
されていることが認められる。
　大学院修士課程に在籍した小澤隆弘によって１９８７年（昭和６２年）ころ、既
に、良質のＩｎＧａＮ膜を得ることを目的として、当時、比較的良好な結晶が得ら
れていたＧａＮの上にＩｎＧａＮ層を成長させようという発想に基づいて、サファ
イア基板／低温成長ＡｌＮバッファ層／ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層という構成のもの
が作製され、発光特性等の評価の対象とされていたことは、ＩｎＧａＮ系半導体発
光素子に適したＩｎＧａＮ膜の作成方法に関する当時の技術水準を示すものとして
みることができ、このことは、当業者が刊行物２（平成３年９月公開）の開示に基
づいて、基板／低温成長ＡｌＮバッファ層／ＧａＮ層／ＩｎＧａＮという層構成に
容易に想到し得たことを推認させる事情の一つであるということができる。
　３　結論
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし４は、刊行物２及び周知技術に基づ
いて、当業者が容易に想到し得たものと認められる。これと反対の認定判断をし
て、原告らの無効審判請求は成り立たないとした審決は、誤りであり、原告らのそ
の余の主張につき判断するまでもなく、取消しを免れない。
　よって、原告らの請求は理由があるから、これを認容することとし、主文のとお
り判決する。
　東京高等裁判所第１８民事部
　
　　　　　　　裁判長裁判官　　永　　　井　　　紀　　　昭
裁判官　　古　　　城　　　春　　　実
裁判官　　田　　　中　　　昌　　　利

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