戻る

平成１９年７月１１日判決言渡
平成１８年（行ケ）第１０４４５号審決取消請求事件
平成１９年６月６日口頭弁論終結
判決
原告日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
訴訟代理人弁理士片寄恭三
被告特許庁長官肥塚雅博
指定代理人大嶋洋一
同城所宏
同宮崎園子
同徳永英男
同大場義則
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２００４−２１２９３号事件について平成１８年８月２２日に
した審決を取り消す。
第２争いのない事実
１特許庁における手続の経緯
原告は，平成８年１２月１９日，発明の名称を「半導体装置及びその製造方
」（，法並びに半導体装置用絶縁基板とする特許出願特願平８−３５４４２７号
以下本願というをしたその後原告は平成１５年６月３日付けで本「」。）。，，
願に係る明細書特許請求の範囲を含むを補正する手続補正をしたこの補（。）（
，「」。），正により発明の名称は半導体装置及びその製造方法となったところ
平成１６年６月１日付けで拒絶理由通知を受けたので，更に同年８月６日付け
で特許請求の範囲を補正する手続補正をした（以下，この補正後の本願に係る
明細書及び図面を「本願明細書」という。甲２，３，４）が，同年９月３日付
けで拒絶査定を受けた。そこで，原告は，平成１６年１０月１４日，拒絶査定
不服審判を請求し，上記審判請求は不服２００４−２１２９３号事件として特
許庁に係属した特許庁は審理の結果平成１８年８月２２日本件審判の。，，，「
請求は，成り立たない」との審決（以下「審決」という）をし，同年９月５。。
日，その謄本を原告に送達した。
２特許請求の範囲
，（，本願明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである以下
この発明を「本願発明」という。。）
「半導体集積回路チップと，
導体パターンを備え，上記半導体集積回路チップが固定される熱可塑性ポ
リイミド樹脂を主体とする絶縁基材を有し，上記熱可塑性ポリイミド樹脂が
１５０∼２５０℃の範囲のガラス転移点を有する絶縁基板と，
上記半導体集積回路チップの主面に形成された電極パッドと上記導体パタ
ーンとを電気的に接続する手段と，
上記導体パターンと外部基板との電気的接続を動作可能に形成するために
上記導体パターンに設けられた接続手段と，
を有する半導体装置」。
３審決の理由
別紙審決書写しのとおりである。要するに，本願発明は，本願の出願日前に
頒布された刊行物である特開平８−３３５６５３号公報（以下「刊行物」とい
う甲１に記載された発明以下刊行物発明というに基づいて当業者。）（「」。）
が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により
特許を受けることができない，というものである。
審決が上記結論を導くに当たり認定した刊行物発明の内容，本願発明と刊行
物発明との一致点・相違点は，次のとおりである。
（刊行物発明の内容）
「半導体チップと，
引き回し導体を備え，半導体チップが固定される熱融着性ポリイミド樹脂
層を絶縁層であるポリイミドフィルム上に有し，熱融着性ポリイミド樹脂層
は，１５０∼２５０℃の範囲のガラス転移温度を有する補助配線板片と，
半導体チップの電極と引き回し導体とを電気的に接続する充填金属と，
引き回し導体と外部基板との電気的接続を可能にする金属バンプと，
を有する半導体装置」
（一致点）
「半導体集積回路チップと，
導体パターンを備え，上記半導体集積回路チップが固定される熱可塑性ポ
リイミド樹脂を有し，上記熱可塑性ポリイミド樹脂が１５０∼２５０℃の範
囲のガラス転移点を有する絶縁基板と，
上記半導体集積回路チップの主面に形成された電極パッドと上記導体パタ
ーンとを電気的に接続する手段と，
上記導体パターンと外部基板との電気的接続を動作可能に形成するために
上記導体パターンに設けられた接続手段と，
を有する半導体装置」である点。
（相違点）
本願発明では，熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする絶縁基材であるのに
対して，刊行物発明では，熱可塑性ポリイミド樹脂を絶縁性のポリイミドフ
ィルム上に有し，熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする点については明確に
記載されていない点。
第３取消事由に係る原告の主張
審決は，以下のとおり，本願発明と刊行物発明との一致点の認定を誤り，両
，，。者の相違点を看過したものであるから違法として取り消されるべきである
１本願発明について
本願明細書の段落０００６００１２００１３００２７及び【】，【】，【】，【】
【００４５】の各記載によれば，本願発明の絶縁基板は，熱可塑性ポリイミド
樹脂を主体とする絶縁基材上に，該樹脂の接着性を利用して，接着層又は接着
剤を用いることなく，直接的に導体パターンを有するものである。特許請求の
範囲の記載に「接着層又は接着剤を用いることなく，あるいは「直接的に」，」
などという文言がなくても，本願発明において，熱可塑性ポリイミド樹脂が接
着性を有することは明らかであるから，上記解釈は当然に導き出せる（なお，
本願発明は，接着剤等を用いないスパッタリング又は電解めっきによる方法を
要件とはしていないし，本願明細書には，導体パターンを，接着剤又は接着層
を介在させて，熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする絶縁基材上に形成するこ
とは，記載されていない。。）
２刊行物発明について
刊行物発明では，引き回し導体を接着層又は接着剤を用いて絶縁層であるポ
リイミド樹脂に接着しなければならず，補助配線板片が絶縁層であるポリイミ
ドフィルムを含む構成である以上，引き回し導体を形成するための接着層又は
接着剤を必須の構成としなければならない。すなわち，刊行物の段落【００３
５】の記載によれば，刊行物発明では，引き回し導体を形成するために，合成
樹脂フィルムに銅箔を形成するためのワニス溶液を用いるか，熱可塑性又は熱
硬化性接着剤を用いる必要があるから，刊行物発明の補助配線板片は，単に引
き回し導体を備えるにとどまらず，絶縁層であるポリイミドフィルム上に接着
層又は接着剤を用いて備えられた引き回し導体を有するというべきである。
被告は，刊行物にいう融着とは，合成樹脂フィルムを加熱等することにより
半溶融・軟化状態とし，銅箔を接着剤などの介在物なく直接接合する技術であ
るから，合成樹脂フィルム上に接着層又は接着剤を用いない直接的な引き回し
導体の形成方法が明示されている旨主張するが，刊行物には合成樹脂フィルム
，。，を加熱する等の記載はなく半溶融・軟化状態にするような記載もないまた
，，被告の上記主張は融着では接着剤などの介在がないことを前提としているが
刊行物にはそのように解すべき根拠となる記載はない。
被告は，融着以外にも，銅薄膜パターンをスパッタリング又は電解めっき法
により形成する方法が存在するから，接着性を持たないポリイミドフィルムに
スパッタリング又は電解めっきを施し，引き回し導体を形成することができる
と主張するが，刊行物には，引き回し導体をスパッタリング又は電解めっきに
より形成する旨の記載はない。
３本願発明と刊行物発明の対比について
本願発明の絶縁基板は，前記１のとおり，熱可塑性ポリイミド樹脂を主体と
する絶縁基材上に，該樹脂の接着性を利用することにより，接着層又は接着剤
を用いることなく，直接的に導体パターンを有するものであるのに対し，刊行
物発明の補助配線板片は，上記２のとおり，絶縁層であるポリイミドフィルム
上に接着層又は接着剤を用いて備えられた引き回し導体を有するものであるか
ら，本願発明の絶縁基板と刊行物発明の補助配線板片とは相違する。
したがって，審決が，刊行物発明の補助配線板片が本願発明の絶縁基板に相
当するとし導体パターンを備え上記半導体集積回路チップが固定される熱，「，
可塑性ポリイミド樹脂を有し，上記熱可塑性ポリイミド樹脂が１５０∼２５０
℃の範囲のガラス転移点を有する絶縁基板」を有する点を両発明の一致点と認
定したのは，本願発明と刊行物発明との上記相違を看過したものであって，誤
りである。
第４取消事由に係る被告の反論
審決の認定判断に誤りはなく，原告主張の取消事由は理由がない。
１本願発明について
本願明細書の請求項１には接着層又は接着剤を用いることなくあるいは，「」
「直接的に」という文言はないから，原告の主張は特許請求の範囲の記載に基
づかない主張である。また，本願発明を原告主張のように限定して解釈すべき
特段の事情は見当たらない。
本願明細書の段落【０００６【００１２】は，従来技術として，接着剤等】，
を用いる方法と接着剤等を用いない方法を，解決すべき課題である生産性やコ
ストと並記し，従来よりも少ない手数及びコストとする目的のために，本願発
明が発案されたことを説明するものであって，本願発明が，導体パターンを接
着剤等を用いることなく熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする絶縁基材上に直
接的に形成することのみを意図していることを示すものとはいえない。
本願明細書の段落００１３には多層基板を従来のように接着剤を用い【】，「
ることなく実現することを目的としている」との記載があるが，接着剤等を用
いず直接的に多層基板を形成する場合は請求項１６に規定されており，また，
接着層又は接着部材の介在なしに半導体回路チップと絶縁材とを直接的に接合
させる場合は，請求項２及び１５に規定されているものの，請求項１（本願発
明）には，接着層又は接着剤を用いることなく直接的に形成する旨の限定はな
い。
本願明細書の段落【００２７【００４５】は，実施例として，導体パター】，
ンを接着剤等を用いることなく熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする絶縁基材
上に直接的に形成することが記載されているが，上記のとおり，本願発明は，
導体パターンを接着剤等を用いることなく熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とす
る絶縁基材上に直接的に形成したものに限定して解釈されるものではない。
２刊行物発明について
刊行物の段落【００３５】には，合成樹脂フィルムに引き回し導体を形成す
る方法として，合成樹脂フィルムに対し，①銅箔を融着する，②銅箔にワニス
溶液を塗工する，③銅箔を熱可塑性又は熱硬化性接着剤で接着する，という３
つの方法が記載されている。
上記①における融着とは，合成樹脂フィルムを加熱等することにより，半溶
融・軟化状態とし，銅箔を接着剤などの介在物なしに直接接合する技術である
から，刊行物には，接着層又は接着剤を用いない直接的な引き回し導体の形成
方法が記載されているというべきである。
，，，またポリイミドフィルムに引き回し導体を形成するには上記①以外にも
接着層又は接着剤を用いない公知の方法が存在する。例えば，本願明細書の段
落【０００３】には，ポリイミドフィルム上に導体パターンを形成した従来技
術が記載されてその導体パターンの形成方法ついて段落０００６に絶，，【】，「
縁基材上に銅薄膜パターンをスパッタリング又は電解めっき法により形成した
後，電解めっきで導体パターンを得る方法」という，接着層又は接着剤を用い
る方法以外の方法が開示されているから，接着層又は接着剤を用いない形成方
法は，本願の出願当時，導体パターン（引き回し導体）をポリイミドフィルム
に形成する方法として公知であり，接着層又は接着剤を用いる形成方法と互換
的な技術と評価し得るものである。ポリイミドフィルムそれ自身が接着性を持
，，，たないとしても接着層又は接着剤を用いない形成方法として融着以外にも
銅薄膜パターンをスパッタリング又は電解めっき法により形成後，電解めっき
で導体パターン（引き回し導体）を形成する方法は存在する。
３本願発明と刊行物発明の対比について
以上のとおりであるから，審決における本願発明と刊行物発明との一致点の
認定に誤りはなく，原告主張の相違を看過したものということはできない。
第５当裁判所の判断
原告は，本願発明の絶縁基板は，熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする絶縁
基材上に該樹脂の接着性を利用して，接着層又は接着剤を用いることなく，直
接的に導体パターンを有するものであるのに対し，刊行物発明の補助配線板片
は，絶縁層であるポリイミドフィルム上に接着層又は接着剤を用いて備えられ
た引き回し導体を有するから，刊行物発明の補助配線板片は本願発明の絶縁基
板に相当するものではない旨主張する。しかし，以下のとおり，原告の主張は
失当である。
１本願発明について
（，，）【】，【】，原告が指摘する本願明細書甲２３４の段落０００６００１２
００２７及び００４５なお段落００１３は平成１５年６月３【】【】（，【】，
〔〕，。），日付け手続補正書甲３に基づく補正により削除されたの記載によれば
発明の詳細な説明において，絶縁基板に関し，熱可塑性ポリイミド樹脂を主体
とする絶縁基材上に，該樹脂の接着性を利用して，接着層又は接着剤を用いる
ことなく，直接的に導体パターンを形成することができる旨の説明がされてい
る。
しかし，本願明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載は，前記第２，２の
とおりであり，本願発明の絶縁基板は，導体パターン及び絶縁基材を構成要素
とし，半導体集積回路チップが固定されるよう，１５０∼２５０℃の範囲のガ
ラス転移温度を有する熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とするものであることが
認められるものの，請求項１には，導体パターンと絶縁基材との接続態様ない
し相互関係につき規定する請求項１８，２１，２２などとは異なり，この点に
関する特定ないし限定があるとはいえない。
したがって，本願発明の絶縁基板は，熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする
絶縁基材上に，該樹脂の接着性を利用して，接着層又は接着剤を用いることな
く，直接的に導体パターンを有するものに限られるということはできない。
原告の主張は，特許請求の範囲の記載に基づかないものであり，採用するこ
とができない。
２刊行物発明について
(1)本願発明の絶縁基板は上記１のとおり熱可塑性ポリイミド樹脂を主体，，
とする絶縁基材上に該樹脂の接着性を利用して，接着層又は接着剤を用いる
ことなく，直接的に導体パターンを有するものに限られないから，刊行物発
明の補助配線板片が，絶縁層であるポリイミドフィルム上に接着層又は接着
剤を用いて備えられた引き回し導体を有するものであるという原告主張の当
否を検討するまでもなく，原告主張の取消事由は理由がないというべきであ
るが，念のため，刊行物発明についても検討する。
(2)ア刊行物（甲１）には，次の記載がある。
(ア)請求項１……少なくとも上記半導体チップと補助配線板片と「【】
の間隙が，熱融着性ポリイミド樹脂層により封止されていることを特徴
とする半導体装置。
【請求項２】……上記熱融着性ポリイミド樹脂層が，補助配線板片と
接する請求項１記載の半導体装置」。
(イ)請求項１８半導体チップを搭載する補助配線板片でありそ「【】，
の内部に引回し導体が配設され，……上記半導体チップ搭載側の面に熱
融着性ポリイミドフィルムを備えた補助配線板片と，電極を備えた半導
体チップとを準備し……ことを特徴とする半導体装置の製法」。
「【】，，(ウ)００２０……この半導体装置はＣＳＰタイプのものであり
補助配線板片２の板面に，半導体チップ１が，その電極１１側（回路形
成面側）を上記補助配線板面に対面させた状態で搭載されている。上記
補助配線板片２は，絶縁層２４，２５を積層したものであり，この絶縁
層２４，２５には，ポリイミドフィルムを使用することが，耐熱性の観
点から好ましい。……」
「【】，，(エ)００２１……そしてこの半導体装置において注目すべき点は
半導体チップ１と補助配線板片２との間隙が熱融着性ポリイミド樹脂層
３により封止されている点である。……」
(オ)００７２この製法は補助配線板片としてその半導体チップ「【】，，
搭載面に熱融着ポリイミド樹脂層が形成されたものを使用する方法であ
る。……この補助配線板片は，絶縁層２４の上に，熱融着性ポリイミド
樹脂層３が形成されている。……」
(カ)００７５このようにこの第２の製法では半導体チップ搭載「【】，，
面に熱融着性ポリイミド樹脂層が形成された補助配線板片を用いること
が特徴であり，これを用いることにより，半導体装置の連続生産が可能
になる等の効果を得ることができる」。
イ上記アの各記載によれば，刊行物には，補助配線板片につき，絶縁層で
あるポリイミドフィルムを構成要素とする例（上記ア(ア)，(ウ)，(エ)）
と，絶縁層であるポリイミドフィルム及び熱融着性ポリイミド樹脂層を構
成要素とする例（上記ア(イ)，(ウ)，(オ)，(カ)）が開示されているとい
うことができ，審決は，このうちの後者を刊行物発明としたものと理解す
ることができる。
ウもっとも，審決では，刊行物発明における補助配線板片の構成要素であ
る，引き回し導体と，絶縁層であるポリイミドフィルム及び熱融着性ポリ
イミド樹脂層との具体的な接続態様（相互関係）については，認定してい
ない。
，，【】，そこで上記の点について検討するに刊行物の段落００３５には
「……この金属箔積層合成樹脂フィルムとしては，合成樹脂フィルムに銅
箔を融着あるいはワニス溶液を塗工することにより得た二層基材，銅箔を
熱可塑性または熱硬化性接着剤で合成樹脂フィルムに接着した三層基材等
があげられる。……例えば，合成樹脂フィルムとして，ポリイミドフィル
ム……等があげられる。……」との記載がある。
上記記載によれば，刊行物には，①合成樹脂フィルムに銅箔を融着し，
二層基材を得ることと，②銅箔を熱可塑性又は熱硬化性接着剤で合成樹脂
フィルムに接着し，三層基材を得ることが説明されているということがで
きる。そして，上記①の二層と上記②の三層との差は，接着剤の有無によ
るものと考えられるから，合成樹脂フィルムに銅箔を融着することにより
得られた二層基材は，接着剤を有さないものと解するのが相当である。
なお，融着という用語は，刊行物の段落【００３８【００４０】及び】，
【００８９】においても用いられている用語であり，上記段落の各記載を
も参酌すれば，被着面を加熱により溶融することにより，接着剤なしに固
着することを意味するものと理解することができる。
エ以上のとおり，刊行物には，補助配線板片（絶縁基板）に対する引き回
し導体（導体パターン）を接着層又は接着剤を用いずに形成する方法が記
載されているものと認められ，刊行物発明に関する原告主張は採用するこ
とができない。
３本願発明と刊行物発明の対比について
以上検討したところによれば，審決が，刊行物発明の補助配線板片が本願発
明の絶縁基板に相当するとし導体パターンを備え上記半導体集積回路チッ，「，
プが固定される熱可塑性ポリイミド樹脂を有し，上記熱可塑性ポリイミド樹脂
が１５０∼２５０℃の範囲のガラス転移点を有する絶縁基板」を有する点を両
発明の一致点と認定したことに誤りはなく，審決が両発明の相違点を看過した
ということはできない。
４結論
その他，原告は縷々主張するがいずれも理由がない。
以上のとおりであるから，原告主張の取消事由は理由がなく，審決にこれを
取り消すべき違法はない。原告の本訴請求は理由がないから，これを棄却する
こととし，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官三村量一
裁判官嶋末和秀
裁判官上田洋幸

戻る