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平成２５年１月２８日判決言渡
平成２４年（行ケ）第１００４９号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２４年１１月２７日
判決
原告栗田工業株式会社
訴訟代理人弁理士早川裕司
同村雨圭介
同大窪克之
被告オルガノ株式会社
訴訟代理人弁護士永島孝明
同安國忠彦
同明石幸二郎
同朝吹英太
同弁理士磯田志郎
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１１－８０００６３号事件について平成２３年１２月２６日に
した審決を取り消す。
第２前提となる事実
１特許庁における手続の経緯
原告は，発明の名称を「超純水製造装置」とする特許第４５５２３２７号（以下
「本件特許」という。）の特許権者である。
本件特許は，平成１３年１月１８日に出願（特願２００１－１０４３３号。以下
「本件特許出願」という。）され，平成２２年７月２３日に設定登録された。
被告は，平成２３年４月１８日に，本件特許の請求項１に係る発明の特許につき
無効審判を請求した。特許庁は，同請求を無効２０１１－８０００６３号事件とし
て審理した上，同年１２月２６日，「特許第４５５２３２７号の請求項１に係る発明
についての特許を無効とする。」との審決（以下「審決」という。）をし，平成２４
年１月１０日，原告に審決謄本が送達された。
２特許請求の範囲【請求項１】の記載
「１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫外線酸化装置と，
触媒式酸化性物質分解装置と，
脱気装置と，
混床式イオン交換装置と，
微粒子分離膜装置と
を有し，この順に通水可能とした超純水製造装置であって，
該触媒式酸化性物質分解装置の酸化性物質分解触媒が，二酸化チタン，アルミナ，
活性炭，ゼオライト，イオン交換樹脂に担持された，パラジウム触媒又は白金触媒
であることを特徴とする超純水製造装置。」（以下，「本件特許発明」といい，本件
特許の明細書及び図面を併せて「本件明細書」という。）
３審決の理由
別添審決書写しのとおりであり，その要旨は，次のとおりである。
(1)本件特許発明は，特開平１１－７７０９１号公報（甲１）記載の発明（以下
「甲１発明」という。）及び特開平９－１９２６５８号公報（甲２）記載の発明（以
下「甲２発明」という。）に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであ
るから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
(2)審決が，上記判断を導く過程において認定した甲１発明及び甲２発明並びに
本件特許発明と甲１発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
ア甲１発明
「１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫外線酸化装置２６と，
酸化性物質分解装置２７と，
膜式脱気装置５０と，
カートリッジポリッシャ（混床式イオン交換装置）２８と，
限外濾過膜分離装置３０と
を有し，この順に通水可能とした超純水製造装置であって，
該酸化性物質分解装置２７の吸着剤が，合成炭素系粒状吸着剤であり，
過酸化水素濃度とＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度が極めて低い超純水を得る，
超純水製造装置。」
イ甲２発明
「１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫外線酸化装置と，
酸素を発生させずに過酸化水素を完全に除去する，パラジウムを担持した触媒樹
脂が充填された触媒樹脂装置（「触媒式」酸化性物質分解装置）と，
ポリッシャー装置（混床式イオン交換装置）と，
微粒子分離装置と
を有する超純水製造装置であって，
該触媒樹脂装置の触媒（酸化性物質分解触媒）が，イオン交換樹脂に担持された
パラジウム触媒であり，
過酸化水素濃度とＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度が極めて低い超純水を得る，
超純水製造装置。」
ウ本件特許発明と甲１発明との一致点
「１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫外線酸化装置と，
酸化性物質分解装置と，
脱気装置と，
混床式イオン交換装置と，
微粒子分離膜装置と
を有し，この順に通水可能とした超純水製造装置。」という点。
エ本件特許発明と甲１発明との相違点
本件特許発明では，「酸化性物質分解触媒が，二酸化チタン，アルミナ，活性炭，
ゼオライト，イオン交換樹脂に担持された，パラジウム触媒又は白金触媒である」
「触媒式」酸化性物質分解装置であるのに対して，
甲１発明では，「吸着剤が，合成炭素系粒状吸着剤である」酸化性物質分解装置で
ある点。
第３当事者の主張
１取消事由に関する原告の主張
審決は，本件特許発明の要旨認定を誤り（取消事由１），甲１発明及び甲２発明の
認定を誤り（取消事由２），本件特許発明と甲１発明との一致点及び相違点の認定を
誤り（取消事由３），本件特許発明と甲１発明との相違点についての判断を誤った（取
消事由４）ものであり，審決の結論に影響を及ぼすから，違法として取り消される
べきである。
(1)取消事由１（本件特許発明の要旨認定の誤り）
ア本件特許発明の要旨は，１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫
外線酸化装置と，触媒式酸化性物質分解装置と，脱気装置と，混床式イオン交換装
置と，微粒子分離膜装置とを，この順に通水可能となるように超純水製造装置を構
成し，二酸化チタン，アルミナ，活性炭，ゼオライト，イオン交換樹脂に担持され
た，パラジウム触媒又は白金触媒を触媒式酸化性物質分解装置の酸化性物質分解触
媒として用いることにより，溶存酸素（ＤＯ），全有機態炭素（ＴＯＣ）及び過酸化
水素（Ｈ２Ｏ２）の濃度が著しく低い高純度の超純水を製造するという技術的思想で
ある。
従来技術においては，触媒式酸化性物質分解装置ではなくアニオン交換樹脂や活
性炭による酸化性物質分解装置によってＨ２Ｏ２を分解していたため，「２Ｈ２Ｏ２→
２Ｈ２Ｏ＋Ｏ２」という反応により酸素が発生してしまっていた。そのため，アニオ
ン交換樹脂や活性炭による酸化性物質分解装置で処理された水を膜式脱気装置に通
水してＤＯ濃度を再度低減させていた。
一方，本件特許発明の一構成要素となっている触媒式酸化性物質分解装置におい
ては，二酸化チタン，アルミナ，活性炭，ゼオライト，イオン交換樹脂に担持され
た，パラジウム触媒又は白金触媒といった酸化還元触媒を酸化性物質分解触媒とし
て用いているが，触媒式酸化性物質分解装置では「Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２＋Ｐｄ→２Ｈ２Ｏ＋
Ｐｄ」という酸化還元反応によってＨ２Ｏ２が分解されるため，Ｈ２Ｏ２の分解により
新たに酸素が発生することはなく，被処理水中のＤＯ濃度は上昇しない。このため，
従来は触媒式酸化性物質分解装置の後段に脱気装置を設けるという技術的思想は存
在していなかった。
つまり，本件特許発明は，触媒式酸化性物質分解装置を紫外線酸化装置の後段に
配し，酸化還元反応によってＨ２Ｏ２を分解するとともにＴＯＣ溶出の問題をも解決
し，加えて，触媒式酸化性物質分解装置におけるＨ２Ｏ２の分解により新たに酸素が
発生することはないにもかかわらず，触媒式酸化性物質分解装置の後段に脱気装置
を設けることにより従来よりも更にＤＯ濃度を低減させようという，これまでの技
術常識からすれば極めて斬新な技術的思想に基づくものである。
イ審決における本件特許発明の要旨認定の誤りの一つは，本件特許発明が，単
にＴＯＣ濃度及びＤＯ濃度を上昇させる要因となるＨ２Ｏ２を除去してＴＯＣ濃度
及びＤＯ濃度の上昇を抑えることにとどまらず，Ｈ２Ｏ２を除去しつつＴＯＣ濃度及
びＤＯ濃度をも著しく低く抑えた超純水を製造しようとするものであるにもかかわ
らず，これをＨ２Ｏ２を除去することにより結果的にＴＯＣ濃度及びＤＯ濃度の上昇
を抑えることと同等に扱っていることにある。
また，審決のもう一つの誤りは，本件特許発明が，触媒式酸化性物質分解装置を
紫外線酸化装置の後段に配し，酸化還元反応によってＨ２Ｏ２を分解するとともにＴ
ＯＣ溶出の問題をも解決し，加えて，触媒式酸化性物質分解装置におけるＨ２Ｏ２の
分解により新たに酸素が発生することはないにもかかわらず，触媒式酸化性物質分
解装置の後段に脱気装置を設けることにより従来よりも更にＤＯ濃度を低減させよ
うという，これまでの技術常識からすれば極めて斬新な技術的思想に基づく点を正
当に評価していないことである。
(2)取消事由２（甲１発明及び甲２発明の認定の誤り）
ア甲１発明の認定の誤り
審決は，「甲第１号証（判決注：本件訴訟の甲１）には，「超純水におけるＴＯＣ
濃度を極めて少なくする（ＴＯＣ濃度が極めて少ない超純水を得る）」ことが記載さ
れているということができる」と認定したが，甲１には超純水におけるＴＯＣ濃度
を極めて少なくするというような記載は一切ない。
また，審決は，「上記（１）～（８）の記載事項および上記（９）（１０）の検討
事項より，甲第１号証には，「１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫外
線酸化装置２６と，酸化性物質分解装置２７と，膜式脱気装置５０と，カートリッ
ジポリッシャ（混床式イオン交換装置）２８と，限外濾過膜分離装置３０とを有し，
この順に通水可能とした超純水製造装置であって，該酸化性物質分解装置２７の吸
着剤が，合成炭素系粒状吸着剤であり，過酸化水素濃度とＴＯＣ濃度と溶存酸素（Ｄ
Ｏ）濃度が極めて低い超純水を得る，超純水製造装置。」の発明が開示されている」
と認定したが，甲１にはＴＯＣ濃度やＤＯ濃度が極めて低い超純水を得ることまで
は開示されていない。
甲１発明においては，ＴＯＣ濃度が２ｐｐｂ以下の一次純水に対して紫外線酸化
装置が紫外線を照射しているものの，その紫外線酸化装置よりも後段の構成におい
て再びＴＯＣ濃度の上昇要因となる装置があるのである。それにもかかわらず，甲
１には，その紫外線酸化装置よりも後段のＴＯＣ濃度については，何ら言及してい
ない。審決は，このＴＯＣに関する誤った判断に基づき，甲１発明及び甲２発明が，
「過酸化水素濃度とＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度が極めて低い超純水を得る，
超純水製造装置」である点で共通していると誤った認定をし，この誤った認定に基
づいて本件特許発明の進歩性を判断したことに誤りがある。
イ甲２発明の認定の誤り
審決は，「甲第２号証（判決注：本件訴訟の甲２）には，「超純水におけるＴＯＣ
濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度を極めて少なくする（ＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）
濃度が極めて少ない超純水を得る）」ことが記載されているということができる」（９
頁下から３行～末行）と認定したが，甲２には，超純水におけるＴＯＣ濃度及びＤ
Ｏ濃度を極めて少なくするというような記載は一切ない。
また，審決は，「甲第２号証には「微粒子分離装置を有する」ことが記載されてい
るということができる」（１１頁４行～５行）と認定したが，甲２には，このような
微粒子分離装置を超純水製造装置が有することは記載されていない。
さらに，審決は，「上記（１１）～（２７）の記載事項および上記（２８）～（３
０）の検討事項からして，甲第２号証（実施例３）には，「１８５ｎｍ付近の波長を
有する紫外線を照射する紫外線酸化装置と，酸素を発生させずに過酸化水素を完全
に除去する，パラジウムを担持した触媒樹脂が充填された触媒樹脂装置（「触媒式」
酸化性物質分解装置）と，ポリッシャー装置（混床式イオン交換装置）と，微粒子
分離装置とを有する超純水製造装置であって，該触媒樹脂装置の触媒（酸化性物質
分解触媒）が，イオン交換樹脂に担持されたパラジウム触媒であり，過酸化水素濃
度とＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度が極めて低い超純水を得る，超純水製造装
置。」の発明（判決注：甲２発明）……が開示されている」（１１頁６行～１８行）
と認定したが，甲２には，微粒子分離装置を有する超純水製造装置や，ＴＯＣ濃度
やＤＯ濃度が極めて低い超純水を得ることまでは開示されていない。
(3)取消事由３（本件特許発明と甲１発明との一致点及び相違点の認定の誤り）
ア一致点の認定の誤り
(ｱ)審決は，「甲第１号証記載の発明（判決注：甲１発明）の「紫外線酸化装置２
６」，「酸化性物質分解装置２７」，「膜式脱気装置５０」，「カートリッジポリッシャ
（混床式イオン交換装置）２８」，「微粒子分離膜装置」は，本件特許発明の「紫外
線酸化装置」，「酸化性物質分解装置」，「脱気装置」，「混床式イオン交換装置」，「微
粒子分離膜装置」にそれぞれ相当する」（１１頁２１行～２６行）と認定した。
しかしながら，甲１発明の「酸化性物質分解装置２７」は「合成炭素系粒状吸着
材を充填した酸化性物質分解装置」であり，本件特許発明の「酸化性物質分解装置」
は二酸化チタン，アルミナ，活性炭，ゼオライト，イオン交換樹脂に担持された，
パラジウム触媒又は白金触媒を用いた「触媒式酸化性物質分解装置」であるため，
両者は酸化性物質（過酸化水素）を分解するメカニズムが異なるものである。特に，
前者は過酸化水素を分解した結果酸素が発生し，後者は発生しないことからすると，
両者はその作用，機構が異なるということができ，同じ装置と捉えることは適切で
はない。その作用，機構を踏まえれば，甲１発明における「酸化性物質分解装置２
７」と「膜式脱気装置５０」との組合せが本件特許発明の「触媒式酸化性物質分解
装置」に相当すると認定することが妥当なのであって，甲１発明の「酸化性物質分
解装置２７」が本件特許発明の「酸化性物質分解装置」に相当するとの認定は誤り
である。
(ｲ)そして，審決は，「上記より，本件特許発明と甲第１号証記載の発明とは，「１
８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫外線酸化装置と，酸化性物質分解
装置と，脱気装置と，混床式イオン交換装置と，微粒子分離膜装置とを有し，この
順に通水可能とした超純水製造装置。」という点で一致」（１１頁２７行～３３行）
すると認定したが，上記のとおり，甲１発明の「酸化性物質分解装置２７」が本件
特許発明の「酸化性物質分解装置」に相当するとの認定は誤りであるから，上記一
致点の認定も誤りである。
イ相違点の認定の誤り
審決は，「本件特許発明では，「酸化性物質分解触媒が，二酸化チタン，アルミナ，
活性炭，ゼオライト，イオン交換樹脂に担持された，パラジウム触媒又は白金触媒
である」「触媒式」酸化性物質分解装置であるのに対して，甲第１号証記載の発明で
は，「吸着材が，合成炭素系粒状吸着材である」酸化性物質分解装置である点」を相
違点として認定した。
しかしながら，上記のとおり，本件特許発明の「触媒式酸化性物質分解装置」は
甲１発明においては「酸化性物質分解装置２７」と「膜式脱気装置５０」との組合
せに相当するのであり，本件特許発明では「触媒式酸化性物質分解装置」の後段に
更に「脱気装置」を設けているのであるから，上記相違点の認定は誤りである。
(4)取消事由４（本件特許発明と甲１発明との相違点についての判断の誤り）
ア甲１には，「ＤＯ」及び「Ｈ２Ｏ２」の低減についてしか開示されておらず，
また，甲２には，「ＴＯＣ」の低減については言及されているものの「ＤＯ」の低減
についてまでは開示されていないことは前述したとおりである。すなわち，甲１及
び甲２において，これら３つの成分全てを高度に低減されることについては検討さ
れておらず，このような３つの成分全てを高度に低減するという，甲１及び甲２に
おいては認識されていない新規な課題を解決し得る構成を採用した点に本件特許発
明の特許性がある。
イしかし，審決は，甲１は，「ＤＯ」，「ＴＯＣ」，「Ｈ２Ｏ２」の濃度が極めて低
い超純水を製造する超純水製造装置である点で本件特許発明と共通しているという
誤った認定をし，この誤った認定に基づいて甲２との組合せを容易であると判断し
たものであり，この前提が成り立たない以上，甲１と甲２とを組み合わせる合理的
理由は存在しない。
発明の進歩性判断において，当該発明の特徴点を的確に把握するために，発明が
目的とする課題を的確に把握することは重要であり，本件特許発明の解決しようと
する課題は甲１及び甲２においては認識されていない。本件特許発明の技術的課題
を内包していない従前の公知技術を組み合わせるのであれば，少なくとも引用例に
おいて，Ｈ２Ｏ２を分解するために「触媒（パラジウム）式の酸化性物質分解装置」
を採用した場合においても後段に「脱気装置」を設けることが示唆等されている必
要がある。引用例においてそのような示唆や組合せの動機づけとなる記載がない以
上，本件特許発明が甲１発明及び甲２発明に基づいて当業者が容易に想到できたと
結論づけるのは，事後分析的な思考によるものであるといわざるをえない。
２被告の反論
(1)取消事由１（本件特許発明の要旨認定の誤り）に対し
ア審決は，本件特許発明について「本件特許の請求項１に係る発明は，本件特
許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとお
りのものである」（３頁１０行～１１行）として，請求項１に記載された発明を正し
く認定したものであり，その認定に誤りはない。
イ原告は，本件特許発明について，従来よりも更にＤＯ濃度を低減させようと
いう，これまでの技術常識からすれば極めて斬新な技術的思想に基づくものである
と主張するが，誤りである。例えば，甲１の従来技術において，シリコンウエハー
表面を超純水で洗浄すると表面に自然酸化膜が形成される問題について，「その原因
が超純水中の溶存酸素であるとし，これを低減するために，少なくとも紫外線酸化
装置２６とイオン交換純水装置（ポリッシャ）２８とを有するサブシステムにおい
て，該イオン交換純水装置の後段に膜式脱気装置５０を配置した図３に示すような
超純水製造装置が提案されている（特開平９－２９２５１号公報）」（【０００５】）
と記載され，甲２にも，従来技術として，「電子工業においては，ＬＳＩの集積度の
増加に伴って超純水の純度に対する要求は益々厳しくなってきており，特に，超純
水中のΤＯＣおよび溶存酸素の低減が大きな課題である」（【０００２】）と記載され
ている。これらの記載から明らかなように，「超純水中の溶存酸素を低減させる」と
いう技術的思想は，従来から存在した周知のものである。
(2)取消事由２（甲１発明及び甲２発明の認定の誤り）に対し
ア甲１発明の認定について
(ｱ)甲１には，「例えば，ＴＯＣ濃度２ppb以下の一次純水は，二次系システム１
０の純水貯槽２４に供給される。純水貯槽２４に蓄えられる一次純水の抵抗率は，
通常，１０ＭΩ・ｃｍ以上である。純水貯槽２４を出た純水は，紫外線酸化装置２
６で処理される。紫外線酸化装置２６は，高い有機物分解能力がある１８５nm付近
の紫外線も強く照射可能な低圧水銀ランプを備えた紫外線酸化装置であり，水中の
有機物を炭酸や有機酸に分解するために設置されている」（【００１８】）という記載
があり，２ppb以下というＴＯＣ濃度が低い一次純水に対し，紫外線酸化装置によ
って，高い有機物分解能力がある１８５nm付近の紫外線を照射して水中の有機物を
炭酸や有機酸に分解することが開示されている。
また，甲２の従来技術の欄には，「特に，超純水中のΤＯＣおよび溶存酸素の低減
が大きな課題である」（【０００２】）という記載があり，甲３の従来技術の欄にも，
「紫外線照射工程を内包する純水製造プロセスによれば，１次処理水中に残存する
微量有機物質がイオン化され，この生じたイオン化物質が混合イオン交換樹脂床に
て除去されるので，それだけ有機物濃度の低い純水が製造される」（【０００６】）と
いう記載がある。これらの記載によれば，本件特許出願当時，超純水におけるＴＯ
Ｃ濃度を極めて少なくすること自体，通常一般に行われていた事項なのである。
よって，甲１には，超純水におけるＴＯＣ濃度を極めて少なくすることが開示さ
れている。
(ｲ)さらに，甲１の「【発明の効果】本発明によれば，紫外線酸化装置で生成した
過酸化水素は，後段の合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置及び膜
式脱気装置で除去して，過酸化水素濃度が極めて低い超純水を得ることができる。
また，溶存酸素は膜式脱気装置で除去されるため，過酸化水素濃度及び溶存酸素濃
度が共に極めて低い超純水を得ることができ，シリコンウエハ上の自然酸化膜の形
成を抑制できる」（【００３０】）という記載からすれば，甲１にはＴＯＣ濃度やＤＯ
（溶存酸素）濃度が極めて低い超純水を得ることが記載されていることが明らかで
ある。
イ甲２発明の認定について
(ｱ)甲２には，従来の技術において，「特に，超純水中のΤＯＣおよび溶存酸素の
低減が大きな課題である」（【０００２】）と記載され，発明の解決すべき課題として，
「本発明は，上記従来の問題を解決すべくなされたもので，超純水中のＴＯＣ濃度
および溶存酸素濃度の増加と機器の劣化とをほぼ防止する超純水製造装置を提供す
ることを目的とする」（【０００７】）と記載されている。さらに，甲２には，「本発
明においては，被処理水である一次純水は，アニオン交換樹脂，特に好ましくは強
塩基性アニオン交換樹脂を充填した単床式イオン交換装置に導入され，被処理水中
のアニオン成分が除去されるとともに，被処理水中のｐＨはアルカリサイドにシフ
トされる。次に，被処理水は，１８０～１９０ｎｍの波長を有する紫外線を発生す
る紫外線照射装置に導入され，被処理水中に溶存する有機物がほぼ完全に有機酸あ
るいは二酸化炭素にまで分解される。また同時に，ＯΗラジカル同士の反応により
生成した過酸化水素は，被処理水のｐΗがアルカリサイドにシフトしているために
自己分解し，酸素と水に変化する。次いで，被処理水は，気体透過膜を装備した膜
脱気装置に導入され，紫外線照射装置により発生した酸素と二酸化炭素が除去され
る。最後に，膜脱気装置において脱ガスされた被処理水は，ポリッシャー装置に導
入され，被処理水中のイオン成分が除去される」（【００１５】）と記載されているよ
うに，一次純水中の有機物を紫外線照射装置によってほぼ完全に分解した後，膜脱
気装置によって酸素と二酸化炭素を除去することが明確に記載されている。
よって，甲２には，超純水におけるＴＯＣ濃度やＤＯ濃度を極めて少なくするこ
とが開示されている。
(ｲ)さらに，甲２には，以下の記載がある。
「従来から，液晶や半導体素子（ＬＳＩ），あるいは医薬品の製造工程においては，
イオン状物質，微粒子，有機物，溶存ガスおよび生菌等の含有量の極めて少ない超
純水が用いられている。特に，電子工業においては，ＬＳＩの集積度の増加に伴っ
て超純水の純度に対する要求は益々厳しくなってきており，特に，超純水中のΤＯ
Ｃおよび溶存酸素の低減が大きな課題である。」（【０００２】）
「一般に，超純水の製造は，原水中の濁質成分を除去する前処理システム，イオン
状物質，微粒子，有機物，溶存ガスおよび生菌等を除去する一次系システムおよび
一次系システムより得られた一次純水の精密仕上げを目的とした二次系システムの
組み合わせにより行われている。」（【０００３】）
「本発明において処理の対象となる一次純水は，通常，電気伝導度１６ＭΩ・ｃｍ
以上，０．２μｍ以上の微粒子数１００個／ｍｌ以下，ＴＯＣ濃度５ｐｐｂ程度以
下のものが主流である。」（【００１８】）
これらの記載によれば，従来から微粒子の含有量の極めて少ない超純水が用いら
れていたが，更に純度を高めることが要求されていたものであり，微粒子数１００
個／ｍｌ以下の一次純水に対し，一次純水の精密仕上げを目的とした二次系システ
ムにおいて，更に微粒子を除去する微粒子分離装置を設けることが，甲２に実質的
に記載されている。
なお，以下に述べるとおり，二次系システムにおいて，微粒子分離装置（例えば
限外濾過装置や精密濾過装置）を設けることは普通に行われていたことである。
例えば，甲１には，従来の技術として，「紫外線酸化装置２６，カートリッジポリ
ッシャ（非再生式イオン交換樹脂装置）２８及び限外濾過膜分離装置３０を備える
二次純水システム１０では，水の純度を更に高め超純水にする」（【０００３】）と記
載され，甲３にも，従来の技術として，「純水中の残存有機物濃度を減少させる処理
方法として，イオン交換処理や逆浸透処理された１次処理水に紫外線を照射した後，
陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂からなる混合床にて仕上げ処理する方法が公
知である（例えば特公昭５４－１９２２７）。この仕上げ処理後，更にＵＦ（精密濾
過）又はＲＯ（逆浸透）膜による仕上げ処理を施すことも周知である(Semiconductor
World1982.7)」（【０００５】）と記載されている。
よって，微粒子を分離するための微粒子分離装置を設けることは，甲２に記載さ
れているに等しい事項である。
(3)取消事由３（本件特許発明と甲１発明との一致点及び相違点の認定の誤り）
に対し
ア分解のメカニズムは異なるものの，甲１発明の「酸化性物質分解装置２７」
と本件特許発明の「酸化性物質分解装置」とが，いずれも酸化性物質（過酸化水素）
を分解することについては原告も認めるところである。よって，甲１発明の「酸化
性物質分解装置２７」も，本件特許発明の「触媒式酸化性物質分解装置」も，酸化
性物質（過酸化水素）を分解する装置である点において共通しており，甲１発明の
「酸化性物質分解装置２７」が本件特許発明の「酸化性物質分解装置」に相当する
との審決の認定は正当である。
そして，審決は，相違点として，具体的な本件特許発明の「酸化性物質分解装置」
が「酸化性物質分解触媒が，二酸化チタン，アルミナ，活性炭，ゼオライト，イオ
ン交換樹脂に担持された，パラジウム触媒又は白金触媒である」「触媒式」酸化性物
質分解装置であることを明確に特定した上で，「吸着剤が，合成炭素系粒状吸着剤で
ある」酸化性物質分解装置である甲１発明の「酸化性物質分解装置」と相違すると
正確に認定している。
イ原告は，甲１発明の「酸化性物質分解装置２７」と「膜式脱気装置５０」と
の組合せが，本件特許発明の「触媒式酸化性物質分解装置」に相当すると認定する
ことが妥当であると主張するが，甲１発明の「膜式脱気装置５０」は，被処理水中
に含まれるガスを除去する装置（甲１の【００１６】）である。一方，本件明細書の
「この触媒式酸化性物質分解装置１４により，ＴＯＣの溶出の問題を生じることな
く，ＵＶ酸化装置１３で発生したＨ２Ｏ２，その他の酸化性物質が触媒により効率的
に分解除去される。そして，Ｈ２Ｏ２の分解により，水は生成するが，アニオン交換
樹脂や活性炭のように酸素を生成させることは殆どなく，ＤＯ増加の原因とならな
い」（【００２２】）との記載によれば，本件特許発明の「触媒式酸化性物質分解装置」
は，主としてＨ２Ｏ２，その他の酸化性物質を分解除去するものであり，被処理水中
に含まれるガスを除去するものではない。そして，本件明細書においても，「この脱
気装置１５により，水中のＤＯやＣＯ２が効率的に除去される」（【００２７】）と記
載されているように，水中のＤＯやＣＯ２を除去するものは「脱気装置」である。
よって，甲１発明の「酸化性物質分解装置２７」と「膜式脱気装置５０」との組
合せが，本件特許発明の「触媒式酸化性物質分解装置」に相当するとの原告の主張
は誤りであり，甲１発明の「膜式脱気装置５０」は本件特許発明の「脱気装置」に
相当する。
さらに，本件特許発明においては「触媒式酸化性物質分解装置」の後段に更に「脱
気装置」を設けている点において相違するとの原告の主張についても，前提を誤る
ものであり，理由がない。
(4)取消事由４（本件特許発明と甲１発明との相違点についての判断の誤り）に
対し
ア甲１発明の「酸化性物質分解装置」と甲２発明の「酸化性物質分解装置」と
は，酸化性物質（過酸化水素）を分解する装置である点において共通しており，審
決の認定は正当である。また，上記(2)イ(ｲ)のとおり，微粒子を分離するための微
粒子分離装置を設けることは，甲２に記載されているに等しい事項であるから，こ
の点においても共通するとした審決の認定に誤りはない。
イ甲２には，「パラジウム触媒樹脂を充填した触媒樹脂装置」を用いてＨ２Ｏ２
を分解した場合（実施例３）に，触媒樹脂装置から出てポリッシャー装置に送られ
る被処理水（【表３】における実施例３の「出口」）の溶存酸素濃度が0.8ppbであっ
たこと，「パラジウム触媒樹脂を充填した触媒樹脂装置」を用いずにＨ２Ｏ２を分解
し，膜脱気装置を設けた実施例２の場合に，膜脱気装置から出てポリッシャー装置
に送られる被処理水（【表２】における実施例２の「入口」）の溶存酸素濃度が0.5ppb
であったことが記載されている。
上記(1)イで述べたとおり，「超純水中の溶存酸素を低減させる」という技術的思
想は，従来から存在した周知のものであり，甲１の【０００５】に記載されている
ように，溶存酸素を低減させるために膜脱気装置は従来から採用されていたのであ
るから，当業者であれば，甲２の実施例３に記載された溶存酸素濃度0.8ppbの被処
理水について，実施例２の方法で得られた0.5ppbの溶存酸素濃度まで低減しようと
することは容易に想到し得る事項にすぎない。
ウそもそも甲２及び甲３によれば，純水製造装置において，酸化性物質分解触
媒としてパラジウムを坦持したイオン交換樹脂を用いた触媒式の酸化性物質分解装
置は，本件特許出願当時，周知技術であり，かかる触媒式の酸化性物質分解装置を
用いて過酸化水素を分解することも周知技術であった。例えば，甲３には，「前記紫
外線照射装置１における紫外線照射を過酸化水素存在下で行なった場合には，アニ
オン交換装置２には過酸化水素を分解し得る触媒樹脂を充填し，紫外線照射装置１
からの液を触媒樹脂と接触させ過酸化水素を除去するのが好ましい。この場合，触
媒樹脂としてはアニオン交換樹脂にパラジウムを坦持させたものが用いられ，その
坦持量はアニオン交換樹脂に対し０．１～１０％程度とするのが好ましい」（【００
２４】）との記載がある。
したがって，甲１発明における「合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分
解装置」に換えて，過酸化水素を分解するための酸化性物質分解装置として周知の
「酸化性物質分解触媒としてパラジウムを坦持したイオン交換樹脂を用いた触媒式
の酸化性物質分解装置」を採用することは，単なる周知技術を適用しただけであり，
当業者にとって単なる設計事項にすぎない。
さらに，甲２には，超純水製造装置において，１８４．９ｎｍに波長のピークを
有する紫外線を照射した場合に，過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）が生成し，後段のポリッシ
ャー装置（イオン交換装置）内部のイオン交換樹脂や膜脱気装置の脱気膜を酸化劣
化させ，ＴＯＣ濃度，溶存酸素濃度を上昇させる問題が生じ，かかる問題を解決す
るために，紫外線照射装置の後段に，過酸化水素を分解除去するために，アニオン
交換樹脂等の樹脂に触媒成分としてパラジウムを担持したパラジウム触媒樹脂装置
を設けることが開示されている。
甲１発明も甲２発明も，超純水を製造する装置である点において技術分野が同一
であり，甲１発明の「合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置」も甲
２発明の「パラジウム触媒樹脂装置」も，紫外線の照射により生じた過酸化水素を
除去するものである点において共通する。
したがって，甲１発明の超純水製造装置において，甲２発明を参酌して，「合成炭
素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置」に換えて，紫外線の照射により生
じた過酸化水素による後段のポリッシャー装置（イオン交換装置）内部のイオン交
換樹脂や膜脱気装置の脱気膜を酸化劣化させ，ＴＯＣ濃度，溶存酸素濃度を上昇さ
せる問題を解決するために，甲２発明における「パラジウム触媒樹脂装置」を採用
することは，当業者が容易に想到し得る事項にすぎない。
よって，本件特許発明と甲１発明との間の相違点に係る構成は，甲１発明及び周
知技術に基づいて，又は甲１発明及び甲２発明に基づいて，当業者が容易に想到で
きた事項である。
第４当裁判所の判断
１取消事由１（本件特許発明の要旨認定の誤り）について
(1)特許に係る発明の要旨認定は，特許請求の範囲の記載の技術的意義が一義的
に明確に理解することができないとか，一見してその記載が誤記であることが明細
書の発明の詳細な説明の記載に照らして明らかであるなどの特段の事情のない限
り，特許請求の範囲の記載に基づいてされるべきである（最高裁昭和６２年（行ツ）
第３号平成３年３月８日第二小法廷判決・民集４５巻３号１２３頁参照）ところ，
本件特許の特許請求の範囲の記載は，前記第２の２記載のとおりであり，上記特段
の事情があるとは認められない。
そして，審決は，本件特許発明について，特許請求の範囲【請求項１】に記載さ
れたとおりのものとして認定しているのであるから，その認定に誤りがあるという
ことはできない。
(2)原告は，本件特許発明は，単にＴＯＣ濃度及びＤＯ濃度を上昇させる要因と
なるＨ２Ｏ２を除去してＴＯＣ濃度及びＤＯ濃度の上昇を抑えることにとどまらず，
Ｈ２Ｏ２を除去しつつＴＯＣ濃度及びＤＯ濃度をも著しく低く抑えた超純水を製造
しようとするものであるとか，触媒式酸化性物質分解装置の後段に脱気装置を設け
ることにより従来よりも更にＤＯ濃度を低減させようというこれまでの技術常識か
らすれば極めて斬新な技術的思想に基づくものであるなどと主張する。
しかしながら，原告の主張する点は，発明の解決すべき課題やその解決手段に関
するものであり，発明の要旨認定に関するものではない。したがって，原告の主張
は採用することができない。
(3)以上のとおり，取消事由１は理由がない。
２取消事由２（甲１発明及び甲２発明の認定の誤り）について
(1)甲１発明の認定につき
ア審決は，甲１発明を前記第２の３(2)ア記載のとおり認定したものであるとこ
ろ，原告は，甲１には超純水におけるＴＯＣ濃度を極めて少なくするというような
記載は一切なく，甲１にはＴＯＣ濃度やＤＯ濃度が極めて低い超純水を得ることま
では開示されていないから，甲１発明を「……ＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度
が極めて低い超純水を得る，超純水製造装置」とした審決の認定は誤りであると主
張するので，以下，検討する。
イ甲１には，図面（別紙参照）とともに，以下の記載がある（下線は判決にお
いて付加。以下同様）。
「【請求項１】一次純水を，少なくとも１８５nm付近の波長を照射可能な紫外線酸
化装置，合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置，膜式脱気装置，非
再生型イオン交換装置の順に通水して超純水を得るように設置したことを特徴とす
る超純水製造装置。」
「【００１８】次に，本発明の超純水製造装置を用いて超純水を製造する手順を図１
を参照して説明する。図１は本発明に実施の形態における超純水製造装置を示す系
統図である。各種前処理工程により得られた，例えば，ＴＯＣ濃度２ppb以下の一
次純水は，二次系システム１０の純水貯槽２４に供給される。純水貯槽２４に蓄え
られる一次純水の抵抗率は，通常，１０ＭΩ・ｃｍ以上である。純水貯槽２４を出
た純水は，紫外線酸化装置２６で処理される。紫外線酸化装置２６は，高い有機物
分解能力がある１８５nm付近の紫外線も強く照射可能な低圧水銀ランプを備えた
紫外線酸化装置であり，水中の有機物を炭酸や有機酸に分解するために設置されて
いる。紫外線酸化装置２６の前後の溶存酸素濃度を測定したところ，該溶存酸素濃
度が２２ppbから６ppbへと激変する現象が認められる。この現象は，紫外線酸化装
置２６の被処理水中の溶存酸素が有機物の酸化のための酸素源として消費されたり，
紫外線と水との相互作用によるラジカル，オゾン及び過酸化水素等の生成によって
消費されたりするためと考えられる。従って，紫外線酸化装置２６の前後の過酸化
水素濃度は数ppbから５０ppbへと増加する。」
「【００１９】次に，紫外線酸化装置２６で処理された水を，酸化性物質分解装置２
７に通水し，該装置に充填された合成炭素系粒状吸着剤に接触させることにより，
処理水中の過酸化水素を分解する。この場合，合成炭素系粒状吸着剤への被処理水
の接触は充填方式で行うことが過酸化水素の除去効率の点で好ましい。このような
充填方式で被処理水を合成炭素系粒状吸着剤に接触させる場合，通水条件は線流速
１００m/h以下，特に２０～５０m/hとすることが好ましい。線流速が１００m/hを
超えると過酸化水素が十分に除去されないことがある。」
「【００２０】次に，酸化性物質分解装置２７で処理された水を膜式脱気装置５０に
通水して，処理水中の溶存酸素を１ppb以下，全溶存ガス濃度を３０００ppb以下
に低減する。」
「【００２１】次に，この処理水を非再生型イオン交換装置であるカートリッジポリ
ッシャ２８に通水して，前記膜式脱気装置５０から発生する溶出イオンを含む一次
純水中のイオンを更に除去する。このように，処理水を酸化性物質分解装置２７→
膜式脱気装置５０→カートリッジポリッシャ２８の順に通水することにより，膜式
脱気装置５０からの溶出イオンを有効に除去できるが，処理水を酸化性物質分解装
置２７→カートリッジポリッシャ２８→膜式脱気装置５０の順に通水したのでは，
膜式脱気装置５０からの溶出イオンを除去できないばかりか溶存酸素や過酸化水素
によるカートリッジポリッシャ２８の酸化劣化を有効に防止できない。」
「【００２２】また，限外濾過膜分離装置３０は，水中の残存微粒子等を除去して超
純水を製造し，この超純水は使用場所３２に供給される。該超純水は使用している
時及び使用していない時のいずれの場合でも二次純水循環配管３４を通って純水貯
槽２４に戻り，純水貯槽２４→紫外線酸化装置２６→酸化性物質分解装置２７→膜
式脱気装置５０→カートリッジポリッシャ２８→限外濾過膜分離装置３０→純水貯
槽２４からなる閉ループを常時循環している。」
「【００２７】（各装置の仕様等）
紫外線酸化装置；低圧型ＴＤＦＬ－４（千代田工販社製）紫外線照射量０．３kW・
h/m３
酸化性物質分解装置；合成炭化系粒状吸着剤（アンバーソーブ５７２，ローム＆ハ
ース社製）を充填した円筒状の充填塔（高さ９０cm，内径３０cm）
膜式脱気装置；ＭＪ－５２０ｐ（大日本インキ化学工業社製）真空度１８Torr
カートリッジポリッシャ；カチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂とを混合充填した
混床式イオン交換装置，ＳＶ７０～８０h－１
限外濾過膜分離装置；ＦＩＴ－３０１６型（旭化成工業社製）」
「【００３０】
【発明の効果】本発明によれば，紫外線酸化装置で生成した過酸化水素は，後段の
合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置及び膜式脱気装置で除去して，
過酸化水素濃度が極めて低い超純水を得ることができる。また，溶存酸素は膜式脱
気装置で除去されるため，過酸化水素濃度及び溶存酸素濃度が共に極めて低い超純
水を得ることができ，シリコンウエハ上の自然酸化膜の形成を抑制できる。」
ウ上記記載（特に【００３０】）の記載によれば，甲１には，ＤＯ（溶存酸素）
濃度が極めて低い超純水を得ることが記載されていると認めることができる。
エまた，甲２には，【従来の技術】として，「特に，超純水中のΤＯＣおよび溶
存酸素の低減が大きな課題である」（【０００２】）との記載が，甲３にも，【従来の
技術】として，「紫外線照射工程を内包する純水製造プロセスによれば，１次処理水
中に残存する微量有機物質がイオン化され，この生じたイオン化物質が混合イオン
交換樹脂床にて除去されるので，それだけ有機物濃度の低い純水が製造される」（【０
００６】）との記載があり，これらの記載によれば，本件特許出願当時，当純水製造
装置において，ＴＯＣ（全有機態酸素）を極めて少なくすること自体は，当業者に
一般的に知られている技術事項であったと認められる。
そうすると，上記一般的な技術事項を技術常識として認識している当業者であれ
ば，甲１の上記記載（特に【００１８】）から，超純水のＴＯＣ濃度を極めて少なく
することが開示されていると理解するから，超純水におけるＴＯＣ濃度を極めて少
なくすることは，甲１に記載されているに等しい事項であると認められる。
オしたがって，甲１発明を「……ＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度が極めて
低い超純水を得る，超純水製造装置」とした審決の認定に，誤りはない。
(2)甲２発明の認定につき
ア審決は，甲２発明を前記第２の３(2)イ記載のとおり認定したものであるとこ
ろ，原告は，甲２には超純水におけるＴＯＣ濃度及びＤＯ濃度を極めて少なくする
というような記載は一切なく，また，「微粒子分離装置を有する超純水装置」や，Ｔ
ＯＣ濃度やＤＯ濃度が極めて低い超純水を得ることまでは開示されていないから，
甲２発明を「……微粒子分離装置とを有する超純水製造装置であって，……ＴＯＣ
濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度が極めて低い超純水を得る，超純水製造装置」とした
審決の認定は誤りであると主張する。
イ甲２には，図面（別紙参照）とともに，以下の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】従来から，液晶や半導体素子（ＬＳＩ），あるいは医薬品の製造工程
においては，イオン状物質，微粒子，有機物，溶存ガスおよび生菌等の含有量の極
めて少ない超純水が用いられている。特に，電子工業においては，ＬＳＩの集積度
の増加に伴って超純水の純度に対する要求は益々厳しくなってきており，特に，超
純水中のΤＯＣおよび溶存酸素の低減が大きな課題である。」
「【０００３】一般に，超純水の製造は，原水中の濁質成分を除去する前処理システ
ム，イオン状物質，微粒子，有機物，溶存ガスおよび生菌等を除去する一次系シス
テムおよび一次系システムより得られた一次純水の精密仕上げを目的とした二次系
システムの組み合わせにより行われている。」
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，上記従来の問題を解決すべくなされた
もので，超純水中のＴＯＣ濃度および溶存酸素濃度の増加と機器の劣化とをほぼ防
止する超純水製造装置を提供することを目的とする。」
「【０００９】これらの問題について，本発明者らが鋭意研究した結果，有機物濃度
を極めて低濃度にまで減少させた一次純水に対し，１８０～１９０ｎｍの波長を有
する紫外線，特に，１８４．９ｎｍに波長のピークを有する紫外線を紫外線照射装
置により照射した場合，当該紫外線照射装置出口において微量の過酸化水素（Ｈ２
Ｏ２）がリークすることを見いだした。微量の過酸化水素が生成する機構としては
次式に示すように，水の紫外線分解により生成したＯΗラジカル（ヒドロキシラジ
カル）が一次純水中の微量な有機物と反応できず，ＯＨラジカル同士が反応して生
成する機構が提示される。」
「【００１０】Ｈ２Ｏ＋ｈν→・ＯＨ
・ＯＨ＋・ＯＨ→Ｈ２Ｏ２
そして，リークした過酸化水素が後段に設置されたポリッシャー装置（イオン交換
装置）内部のイオン交換樹脂を酸化劣化させることによりイオン交換樹脂から微細
な樹脂の破片や有機物等が発生し，ポリッシャー装置（イオン交換装置）を通過し
た被処理水中のＴＯＣ濃度が，二次系システムにおいて処理する以前の一次純水に
比べて上昇したと推測することができるのである。また，リークした過酸化水素が
ポリッシャー装置（イオン交換装置）内部のイオン交換樹脂を酸化劣化させる際，
一部の過酸化水素が酸素と水とに分解されることにより，ポリッシャー装置（イオ
ン交換装置）を通過した被処理水中の溶存酸素濃度が，二次系システムにおいて処
理する以前の一次純水に比べて上昇したと推測される。さらに，１８０～１９０ｎ
ｍの波長を有する紫外線を発生する紫外線照射装置の後段に膜脱気装置を配置した
場合には，リークした過酸化水素により膜脱気装置の脱気膜が急速に酸化劣化した
と推測することができるのである。」
「【００１５】また，本発明においては，被処理水である一次純水は，アニオン交換
樹脂，特に好ましくは強塩基性アニオン交換樹脂を充填した単床式イオン交換装置
に導入され，被処理水中のアニオン成分が除去されるとともに，被処理水中のｐＨ
はアルカリサイドにシフトされる。次に，被処理水は，１８０～１９０ｎｍの波長
を有する紫外線を発生する紫外線照射装置に導入され，被処理水中に溶存する有機
物がほぼ完全に有機酸あるいは二酸化炭素にまで分解される。また同時に，ＯΗラ
ジカル同士の反応により生成した過酸化水素は，被処理水のｐΗがアルカリサイド
にシフトしているために自己分解し，酸素と水に変化する。次いで，被処理水は，
気体透過膜を装備した膜脱気装置に導入され，紫外線照射装置により発生した酸素
と二酸化炭素が除去される。最後に，膜脱気装置において脱ガスされた被処理水は，
ポリッシャー装置に導入され，被処理水中のイオン成分が除去される。」
「【００１６】さらに，本発明においては，被処理水である一次純水は，１８０～１
９０ｎｍの波長を有する紫外線を発生する紫外線照射装置に導入され，被処理水中
に溶存する有機物がほぼ完全に有機酸あるいは二酸化炭素にまで分解される。次に，
被処理水はパラジウムを担持した触媒樹脂が充填された触媒樹脂装置に導入され，
被処理水中の過酸化水素がパラジウムを担持した触媒樹脂媒表面上で紫外線照射装
置において生成した水素と反応して水に変化する。」
「【００１７】Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２＋Ｐｄ→２Ｈ２Ｏ＋Ｐｄ
最後に，被処理水はポリッシャー装置に導入され，被処理水中のイオン成分が除去
される。」
「【００１８】本発明において処理の対象となる一次純水は，通常，電気伝導度１６
ＭΩ・ｃｍ以上，０．２μｍ以上の微粒子数１００個／ｍｌ以下，ＴＯＣ濃度５ｐ
ｐｂ程度以下のものが主流である。」
「【００２２】（５）Ｈ２Ｏ２＋ｈν→Ｏ２＋Ｈ２Ｏ
また，紫外線照射装置により紫外線を照射した後に，被処理水中からイオン成分を
除去する場合，通常，ポリッシャー装置に被処理水を導入する。このとき使用され
るポリッシャー装置としては，被処理水中の二酸化炭素，有機酸あるいは他のイオ
ン成分を除去するために強塩基性アニオン交換樹脂及びカチオン交換樹脂を充填し
た非再生型の混床式イオン交換装置を好ましく用いることができる。イオン交換装
置に用いるイオン交換樹脂としては，新品もしくはそれに類する破砕が無く，イオ
ン交換性能が高く，また溶出のないものが望ましい。イオン交換樹脂に要求される
性能は，本発明で用いられる再生型あるいは非再生型の単床式イオン交換装置に充
填して用いられる強塩基性アニオン交換樹脂についても同様である。」
「【００２５】触媒樹脂装置に充填される触媒樹脂としては，アニオン交換樹脂等の
樹脂に触媒成分としてパラジウムを担持したものが用いられるが，触媒活性を高め
る目的から，より微細な細孔を有し表面積の大きな触媒樹脂を用いることが好まし
い。また，本発明により得られた超純水は，ユースポイントに供給されて利用され
ることになるが，超純水の水質は，電気伝導度１８ＭΩ・ｃｍ以上，ＴＯＣ濃度お
よび溶存酸素濃度は１ｐｐｂ以下にまで高められる。」
「【００３８】図２において，符号１３は，単床式イオン交換装置であり，アニオン
交換樹脂として強塩基性アニオン交換樹脂デュオライトＡ－１１３ｐｌｕｓ（ロー
ム＆ハース社）５６ｌを予め再生し，ＯＨ型に変換した後に充填したものである。
符号９，１１および１２は，それぞれ低圧紫外線ランプ酸化装置，膜脱気装置およ
びポリッシャー装置であり，図１と全く同一のものである。」
「【００４２】表２に，本実施例および本比較例における，ポリッシャー装置１２の
入口および出口での被処理水の水質測定結果を示す。」
「【００４３】
【表２】
」
「【００４４】表２から明らかなように，実施例２においては，ポリッシャー装置１
２の入口および出口での被処理水中の過酸化水素濃度は０．００ｐｐｍであり，一
方，比較例１においては，ポリッシャー装置１２の入口での被処理水中の過酸化水
素濃度は，低圧紫外線ランプ酸化装置９の出口における被処理水中の過酸化水素濃
度０．０２ｐｐｍと同値であった。これは，実施例２では，単床式イオン交換装置
１３に被処理水を通過させたために被処理水のｐＨがアルカリ側にシフト（本実施
例におけるｐＨは８．７，ｐＨの測定は純水用ｐＨ計，東亜電波工業（株），ＦＡＲ
－１０１による）することから，低圧紫外線ランプ酸化装置９で発生した過酸化水
素が自己分解したのに対し，比較例２では単床式イオン交換装置１３をバイパスし
たために，低圧紫外線ランプ酸化装置９に供給される被処理水のｐＨが中性付近で
あり，このため低圧紫外練ランプ酸化装置９内で発生した過酸化水素が自己分解し
ないために低圧紫外線ランプ酸化装置９より過酸化水素がリークしてポリッシャー
装置１２の入口まで到達したものと推測される。」
「【００４７】（実施例３および比較例３）図３は，本発明の他の実施例である超純
水製造装置（二次系システム）の構成を示した図である。」
「【００５３】
【表３】
」
「【００５４】表３から明らかなように，実施例３においては，ポリッシャー装置１
２の入口および出口での被処理水中の過酸化水素濃度は０．００ｐｐｍであり，一
方，比較例３においては，ポリッシャー装置１２の入口での被処理水中の過酸化水
素濃度は，低圧紫外線ランプ酸化装置９の出口における被処理水中の過酸化水素濃
度０．０２ｐｐｍと同値であった。これは，実施例３では，パラジウム触媒樹脂装
置１４に被処理水を通過させたために低圧紫外線ランプ酸化装置９内で発生した過
酸化水素が分解されたのに対し，比較例３では，パラジウム触媒樹脂装置１４をバ
イパスしたために低圧紫外線ランプ酸化装置９内で発生した過酸化水素が分解され
ず，低圧紫外線ランプ酸化装置９よりリークした過酸化水素がポリッシャー装置１
２の入口まで到達したものと推測される。」
ウ以上のとおり，甲２には，「超純水中のΤＯＣおよび溶存酸素の低減が大きな
課題である」（【０００２】），「本発明は……超純水中のＴＯＣ濃度および溶存酸素濃
度の増加と機器の劣化とをほぼ防止する超純水製造装置を提供することを目的とす
る」（【０００７】），「本発明により得られた超純水は，ユースポイントに供給されて
利用されることになるが，超純水の水質は……ＴＯＣ濃度および溶存酸素濃度は１
ｐｐｂ以下にまで高められる」（【００２５】）と記載され，また，パラジウム触媒樹
脂装置を用いた実施例３【表３】においては，ポリッシャー装置の出口での被処理
水中のＴＯＣ濃度が０．７ppbであり，同溶存酸素が０．８ppbであることが示され
ている。
これらの記載によれば，甲２には，超純水におけるＴＯＣ濃度やＤＯ濃度が極め
て低い超純水を得ることが開示されていると認めることができる。
エまた，甲１には，【従来の技術】として，「紫外線酸化装置２６，カートリッ
ジポリッシャ（非再生式イオン交換樹脂装置）２８及び限外濾過膜分離装置３０を
備える二次純水システム１０では，水の純度を更に高め超純水にする」（【０００３】）
との記載が，甲３にも，【従来の技術】として，「純水中の残存有機物濃度を減少さ
せる処理方法として，イオン交換処理や逆浸透処理された１次処理水に紫外線を照
射した後，陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂からなる混合床にて仕上げ処理す
る方法が公知である（例えば特公昭５４－１９２２７）。この仕上げ処理後，更にＵ
Ｆ（精密濾過）又はＲＯ（逆浸透）膜による仕上げ処理を施すことも周知である
(SemiconductorWorld1982.7)」（【０００５】）との記載があり，これらの記載によ
れば，本件特許出願当時，当純水製造装置において，微粒子を除去（分離）する装
置を設けること自体は，当業者に一般的に知られている技術事項であったと認めら
れる。
そうすると，上記一般的な技術事項を技術常識として認識している当業者であれ
ば，上記甲２【０００２】の「……従来から……微粒子……の含有量の極めて少な
い超純水が用いられている。特に，電子工業においては，ＬＳＩの集積度の増加に
伴って超純水の純度に対する要求は益々厳しくなってきており……」の記載，【００
０３】の「一般に，超純水の製造は……微粒子……を除去する一次系システムおよ
び一次系システムより得られた一次純水の精密仕上げを目的とした二次系システム
の組み合わせにより行われている」，【００１８】の「本発明において処理の対象と
なる一次純水は，通常……０．２μｍ以上の微粒子数１００個／ｍｌ以下……のも
のが主流である」との記載から，甲２の超純水製造装置においても，「微粒子分離装
置」を設けることより微粒子を除去（分離）しているものと理解するから，「微粒子
分離装置を有する超純水装置」は，甲２に記載されているに等しい事項であると認
められる。
オ以上検討したところによれば，甲２発明を「……微粒子分離装置とを有する
超純水製造装置であって，……ＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度が極めて低い超
純水を得る，超純水製造装置」とした審決の認定に，誤りはない。
(3)以上のとおり，取消事由２は理由がない。
３取消事由３（本件特許発明と甲１発明との一致点及び相違点の認定の誤り）
について
(1)一致点の認定につき
ア審決は，甲１発明の「酸化性物質分解装置２７」は，本件特許発明の「酸化
性物質分解装置」に相当するとした上，「上記より，本件特許発明と甲第１号証記載
の発明とは，「１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫外線酸化装置と，
酸化性物質分解装置と，脱気装置と，混床式イオン交換装置と，微粒子分離膜装置
とを有し，この順に通水可能とした超純水製造装置。」という点で一致」（１１頁２
７行～３３行）すると認定したものであるところ，原告は，その作用，機構を踏ま
えれば，甲１発明における「酸化性物質分解装置２７」と「膜式脱気装置５０」と
の組合せが本件特許発明の「触媒式酸化性物質分解装置」に相当し，甲１発明の「酸
化性物質分解装置２７」が本件特許発明の「酸化性物質分解装置」に相当するとの
認定は誤りであるから，誤った相当関係を前提とした上記一致点の認定も誤りであ
ると主張する。
イ確かに，原告が主張するとおり，甲１には，「紫外線酸化装置で生成した過酸
化水素は，後段の合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置及び膜式脱
気装置で除去して」（【００３０】）と記載されているから，「過酸化水素分解除去手
段」という点からみれば，甲１発明における「酸化性物質分解装置２７」と「膜式
脱気装置５０」とを組み合わせたものが，本件発明の「触媒式酸化性物質分解装置」
に相当するものと認められる。したがって，甲１発明の「酸化性物質分解装置２７」
が本件特許発明の「酸化性物質分解装置」に相当することを前提とした，審決の一
致点の認定には誤りがあるといわざるを得ない。
(2)相違点の認定につき
審決は，上記誤った相当関係を前提として，「本件特許発明では，「酸化性物質分
解触媒が，二酸化チタン，アルミナ，活性炭，ゼオライト，イオン交換樹脂に担持
された，パラジウム触媒又は白金触媒である」「触媒式」酸化性物質分解装置である
のに対して，甲第１号証記載の発明では，「吸着材が，合成炭素系粒状吸着材である」
酸化性物質分解装置である点」を相違点として認定したが，上記(1)イのとおり，甲
１発明における「酸化性物質分解装置２７」と「膜式脱気装置５０」とを組み合わ
せたものが本件発明の「触媒式酸化性物質分解装置」に相当するから，上記相違点
の認定にも誤りがあるといわざるを得ない。
(3)以上のことから，上記(1)イのとおり，甲１発明における「酸化性物質分解装
置２７」と「膜式脱気装置５０」とを組み合わせたものが，本件発明の「触媒式酸
化性物質分解装置」に相当するから，本件特許発明と甲１発明との一致点及び相違
点は，正しくは以下のように認定すべきものである。
ア一致点
「１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する紫外線酸化装置と，過酸化水素
分解除去手段と，混床式イオン交換装置と，微粒子分離膜装置とを有し，この順に
通水可能とした超純水製造装置。」
イ相違点
(ｱ)上記過酸化水素分解除去手段が，本件特許発明では，「酸化性物質分解触媒が，
二酸化チタン，アルミナ，活性炭，ゼオライト，イオン交換樹脂に担持された，パ
ラジウム触媒又は白金触媒である」「触媒式酸化性物質分解装置」であるのに対して，
甲１発明では，「合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置２７と，膜式
脱気装置５０」である点（以下「相違点１」という。）。
(ｲ)本件特許発明は，上記過酸化水素分解除去手段の後段に「脱気装置」を有す
るのに対して，甲１発明は，上記過酸化水素分解除去手段の後段に「脱気装置」を
有しない点（以下「相違点２」という。）。
(4)以上のとおり，審決の一致点及び相違点の認定には誤りがあるといわざるを
得ないが，後記４において検討するように，審決は，本判決が認定した相違点１及
び相違点２について実質的な判断を示しており，また，相違点１及び相違点２はい
ずれも容易想到といえるものであるから，上記認定誤りは，審決の結論に影響を及
ぼすものとは認められない。
よって，取消事由３は理由がない。
４取消事由４（本件特許発明と甲１発明との相違点についての判断の誤り）に
ついて
(1)以下においては，本判決が認定した相違点１及び相違点２についての容易想
到性を検討する。
ア相違点１につき
審決の甲１発明及び甲２発明の認定に誤りがないことは，上記２に説示したとお
りであるところ，甲１発明は，紫外線酸化装置と，その後段に，合成炭素系粒状吸
着剤を充填した酸化性物質分解装置及び膜式脱気装置を設けた超純水製造装置に関
するものであり，一方，甲２発明は，紫外線酸化装置と，その後段に，パラジウム
触媒樹脂が充填された触媒樹脂装置を設けた超純水製造装置に関するものである。
そして，甲１発明と甲２発明は，いずれも超純水製造装置に関するもので，紫外
線酸化装置で生成された過酸化水素を，その後段に設けた過酸化水素分解除去手段
により分解除去する点で共通するものである。技術分野が共通する発明において，
機能が共通する手段の置換を試みることは当業者が通常行うことであるから，甲１
発明において，過酸化水素分解除去手段として，合成炭素系粒状吸着剤を充填した
酸化性物質分解装置及び膜式脱気装置に換えて，甲２発明におけるパラジウム触媒
樹脂が充填された触媒樹脂装置を用い，相違点１に係る構成とすることは，当業者
が容易に想到することである。
イ相違点２につき
超純水製造装置で処理される水に一定程度のＤＯが存在すること，また，超純水
製造装置においてＤＯ濃度を低減すべきことは，当業者にとって自明の事項であり，
甲１発明においても同様と認められる（甲１の【０００５】，【００１８】，【００２
０】，実施例１，甲２の【０００２】，【００２５】，【００３１】，実施例３）。そうで
ある以上，甲１発明において，ＤＯ濃度をより低減するために，周知の脱気装置を
更に設けることは，当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。また，その設
置位置は設計的事項であり，過酸化水素分解除去手段の後段とすることも，当業者
が目的に応じて適宜決定し得ることである。
したがって，相違点２も，当業者に容易想到と認められる。
(2)審決は，甲１発明の「酸化性物質分解装置２７と，膜式脱気装置（脱気装置）
５０」及び「酸化性物質分解装置２７の吸着材が，合成炭素系粒状吸着材であ」る
ことについて，甲２発明の「酸素を発生させずに過酸化水素を完全に除去する，パ
ラジウムを担持した触媒樹脂が充填された触媒樹脂装置（「触媒式」酸化性物質分解
装置）１４」及び「触媒樹脂装置１４の触媒（酸化性物質分解触媒）が，イオン交
換樹脂に担持されたパラジウム触媒であ」ることを適用してこれに換えることは容
易想到であると判断した上（１２頁２４行～３１行），甲１発明も甲２発明も，「過
酸化水素濃度とＴＯＣ濃度と溶存酸素（ＤＯ）濃度が極めて低い超純水を得る，超
純水製造装置」である以上，過酸化水素濃度とＴＯＣ濃度とＤＯ濃度を更に低くし
たいとの技術的思想を内包するものであるとして，「触媒式」酸化性物質分解装置の
すぐ下流に「脱気装置」を配置し，「脱気装置」から出た被処理水をカートリッジポ
リッシャ２８（ポリッシャー装置１２）に送ることは，当業者であれば適宜決定す
る設計的事項であると判断している（１３頁４行～２３行）から，相違点１及び相
違点２について実質的に判断しているものと認められる。
(3)原告の主張について
ア原告は，甲１には「ＤＯ」及び「Ｈ２Ｏ２」の低減についてしか開示されてお
らず，甲２には「ＤＯ」の低減についてまでは開示されていないから，甲１及び甲
２において「ＤＯ」，「ＴＯＣ」及び「Ｈ２Ｏ２」の３つの成分全てを高度に低減され
ることについては検討されておらず，このような３つの成分全てを高度に低減する
という新規な課題を解決し得る構成を採用した点に本件特許発明の特許性があると
主張する。
しかしながら，甲１，甲２には，超純水のＤＯ（溶存酸素）濃度及びＴＯＣ濃度
を極めて少なくすることが開示されていると認められることは，上記２(1)，(2)の
とおりであるから，原告の主張は前提において誤りである。
イまた，原告は，引用例にはＨ２Ｏ２を分解するために「触媒（パラジウム）式
の酸化性物質分解装置」を採用した場合においても後段に「脱気装置」を設けるこ
とについて，示唆や組合せの動機づけとなる記載がないから，甲１と甲２を組み合
わせる合理的な理由がないと主張する。
しかしながら，超純水製造装置で処理される水に一定程度のＤＯが存在し，これ
を低減すべきことは当業者にとって自明の事項であることは上記(1)イのとおりで
あり，そうである以上，甲１発明において，ＤＯ濃度をより低減するために周知の
脱気装置を更に設けることは，当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。パ
ラジウム触媒樹脂が充填された触媒樹脂装置を用いる場合には，Ｈ２Ｏ２の分解に伴
い新たに酸素が発生することがないから，その酸素を除去するための脱気装置を設
ける必要がないというにとどまり，超純水製造装置において処理される水に一定程
度存在するＤＯを除去するために脱気装置を設けることを妨げるものではなく，原
告の主張は採用することができない。
(4)よって，取消事由４は理由がない。
５結論
以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，他に審決にはこれを
取り消すべき違法はない。よって，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官
芝田俊文
裁判官
岡本岳
裁判官
武宮英子
（別紙）
本件明細書の図面
【図１】本件特許発明の実施例の系統図
甲１の図面
【図１】甲１発明の実施例のフロー図
【図３】従来の超純水製造装置の一例を示すフロー図
甲２の図面
【図１】甲２発明の一実施例の構成を示した図
【図２】甲２発明の他の実施例の構成を示した図
【図３】甲２発明の他の実施例の構成を示した図

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