戻る

平成１７年（行ケ）第１０５５８号審決取消請求事件
平成１８年３月７日口頭弁論終結
判決
原告長瀬産業株式会社
原告株式会社平間理化研究所
原告ナガセケムテックス株式会社
原告ら訴訟代理人弁護士吉武賢次
同宮嶋学
同訴訟代理人弁理士永井浩之
同勝沼宏仁
同岡田淳平
被告株式会社ケミテック
訴訟代理人弁理士廣江武典
同武川隆宣
同高荒新一
同中村繁元
同西尾務
主文
原告らの請求を棄却する。
訴訟費用は原告らの負担とする。
事実及び理由
第１当事者の求めた裁判
１原告ら
(1)特許庁が無効２００４－８０１４７号事件について平成１７年５月３１日
にした審決を取り消す。
(2)訴訟費用は被告の負担とする。
２被告
主文同旨
第２当事者間に争いのない事実
１特許庁における手続の経緯
原告らは，昭和６２年２月１０日に特許出願された特願昭６２－３００３７
号（以下「原出願」という。）の一部を平成７年１月３０日に新たな特許出願
とした，発明の名称を「現像原液の希釈装置」とする特許第２７５１８４９号
の特許（平成１０年２月２７日設定登録。以下「本件特許」という。発明の数
は１である。）の特許権者である。
被告は，平成１６年９月７日，本件特許を無効とすることについて審判を請
求した。特許庁は，この請求を無効２００４－８０１４７号事件として審理し，
平成１７年５月３１日，「特許第２７５１８４９号の請求項１に係る発明につ
いての特許を無効とする。」との審決をし(以下「本件審決」という。)，同年
６月１０日，その謄本は原告らに送達された。
２特許請求の範囲
本件特許に係る明細書（以下「本件明細書」という。）の特許請求の範囲の
記載は，次のとおりである（以下，この発明を「本件発明」という。）。
「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度
の現像液を送給するための現像原液の希釈装置であって，
ホトレジスト用アルカリ系現像原液と純水とを受け入れて所定時間強制撹拌
する撹拌槽と，
前記撹拌槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち撹拌槽内
に戻す導電率測定手段と，
前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき前記撹拌槽に供給されるホト
レジスト用アルカリ系現像原液または純水のいずれか一方の流量を制御する
制御手段と，
前記撹拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に
受け入れ貯留する貯留槽と，
前記撹拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段と，
を備えたことを特徴とする現像原液の希釈装置。」
３本件審決の理由
別紙審決書の写しのとおりである。要するに，本件発明は，特開昭６２－１
１５２０号公報（甲３の１〔本件審決における「甲１」〕。以下「引用例」と
いう。），実公昭５９－２９９４０号公報（甲３の３〔本件審決における「甲
３」〕），特開昭６０－９８６２４号公報（甲３の４〔本件審決における「甲
４」〕），実願昭５９－１８２７０９号（実開昭６１－９８５２７号）のマイ
クロフィルム（甲３の６〔本件審決における「甲６」〕）に記載された発明に
基づいて当業者が容易に発明をすることができた，というものである。
本件審決は，上記結論を導くに当たり，本件発明と引用例記載の発明（以下
「引用発明」という。）の一致点及び相違点を，次のとおり認定した。
(1)一致点
「希釈装置であって，原液と純水とを受け入れる槽と，導電率測定手段と，
前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき槽に供給される原液または純
水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と，を備えたことを特徴とする
原液の希釈装置」である点。
(2)相違点
(イ)本件発明では，原液が「ホトレジスト用アルカリ系現像原液」であり，
希釈装置が「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介
して所望濃度の現像液を送給するための現像原液の希釈装置」であるのに
対して，引用発明では，原液が「半導体素子製造において極めて広く使わ
れているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の薬品原液」で
あり，希釈装置が「半導体素子製造において極めて広く使われているエッ
チングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の処理槽に管路を介して所定
濃度の薬液を送給するための薬液調合装置」である点（以下「相違点
(イ)」という。）。
(ロ)本件発明では，原液と純水を受け入れる槽が「所定時間強制撹拌する
撹拌槽」であるのに対して，引用発明では，「調合槽」である点（以下
「相違点(ロ)」という。）。
(ハ)本件発明では，導電率測定手段が「撹拌槽内の混合液の一部を抜き出
しその導電率を測定したのち撹拌槽内に戻す導電率測定手段」であるのに
対して，引用発明では，「薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液また
はその各成分の濃度をモニタする導電率濃度計」である点（以下「相違点
(ハ)」という。）。
(ニ)本件発明では，「撹拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を
介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽」を備えているのに対して，
引用発明では，その点が開示されていない点（以下「相違点(ニ)」とい
う。）。
(ホ)本件発明では，「撹拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガ
スシール手段」を備えているのに対して，引用発明では，「調合槽をＮガ２
スで加圧する手段」を備えている点（以下「相違点(ホ)」という。）。
第３原告ら主張の取消事由の要点
本件審決は，本件発明と引用発明の相違点についての進歩性の判断を誤り，
その結果，本件発明が引用発明及び甲３の３，甲３の４，甲３の６記載の各発
明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとの誤った結論に至ったも
のであるから，違法として取り消されるべきである。
１取消事由１（相違点(イ)の判断の誤り）
(1)本件審決は，相違点(イ)に関し，引用例に開示されている湿式処理工程に
おける技術思想を，本件発明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工
用設備」に転用することは極めて自然なことと云える旨判断した（以下「判
断１」という。）が，誤りである。
ア転用の困難性について
(ア)引用発明における湿式処理工程は，具体的には，半導体素子製造工
程におけるエッチングやウエハ表面洗浄であり，用いられるエッチング
液の薬液やウエハ洗浄液の成分の濃度の精度は小数点以下１桁の粗さし
か要求されない（例えば，ウエハ洗浄液として用いられるＳＣ－１（ア
ンモニア／過酸化水素水溶液）は，アンモニア１±０．１５％，過酸化
水素５±０．３０％，水９４±１．５％の組成であり，エッチング液と
して用いられるＢＨＦ（フッ酸／フッ化アンモニウム水溶液）は，フッ
化アンモニウム２５±０．３％，フッ酸３±０．３％，水７２±１％の
組成である。）。
これに対し，本件発明によりホトレジスト用アルカリ系現像原液を希
釈することにより製造されるホトレジスト用アルカリ系現像液（以下
「ホトレジスト現像液」という。）は，半導体素子製造工程におけるポ
ジレジスト現像に供されるものであるが，小数点以下３桁の極めて精密
な濃度管理が必要であり（例えば，ホトレジスト現像液として多用され
るテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液の
濃度は，２．３８０±０．００５％レベルの精度で管理することが要求
される。），許容範囲はウエハ洗浄液やエッチング液の１／１００（濃
度の管理幅の比は１：６０であり，小数点の桁数で見れば１：１００）
の小ささである。
上記のレベルでの濃度管理が要求されるのは，下記～の理由によⅰⅳ
り，ホトレジスト現像液の濃度が，半導体素子製品の良否にきわめて緊
密な関係を有するからである（甲４の１～４）。
ⅰ一般にパターン幅が小さいほど露光量を多く必要とし，大きいほど
露光量が少なくて済むので，細いパターンは露光不足のため所望のパ
ターンが得られなかったり，太いパターンは露光過剰のため必要以上
にパターンが除去されたりすることがある。この露光不足や露光過剰
は，ホトレジスト現像液の濃度に敏感に左右される。
ⅱホトレジストの膜厚が厚い部分は膜厚の薄い部分よりも形成したパ
ターンが太くなる傾向があるので，所定のホトレジストの膜厚に対し
て正確に予定のパターン幅を形成するためには，きわめて正確なホト
レジスト現像液の濃度が要求される。
ⅲ広く行われている縮小投影露光法では，露光部と未露光部の明暗の
コントラストが低くなるため，ホトレジスト現像液の濃度のきわめて
精密な管理が要求される。
ⅳレジストパターンは側面がほぼ垂直に切り立った形状のものが要求
され，そのためには，きわめて正確なホトレジスト現像液の濃度が要
求される。
(イ)本件特許の原出願の出願前（以下「本件出願前」という。）は，導
電率測定手段は，粗い濃度の測定にしか用いられておらず，濃度を小数
点以下３桁まで管理しなければならないホトレジスト現像液に適用する
には，下記①～④のとおり，十分な信頼性がないと考えられていた。こ
のため，本件出願前は，ホトレジスト現像液の濃度管理は，導電率測定
手段ではなく，時間と手間のかかる中和滴定により行われていた。
①目標の溶質以外に電離した溶質があれば，目標以外の溶質の濃度が
加わった濃度が測定されてしまい，逆に，目標の溶質が１００％電離
しなければ，実際の溶質の濃度より少なく測定されてしまうため，濃
度が小数点以下３桁の精度で測定されなければならないホトレジスト
現像液に対して，微少な不純物の影響により，導電率ではホトレジス
ト現像液の濃度を精確に測定することができないのではないかと考え
られていた。
②ホトレジスト現像液に加えられた界面活性剤などの添加剤が電離し，
その影響によって導電率ではホトレジスト現像液の濃度を精確に測定
することができないのではないかと考えられていた。
③ホトレジスト現像液の実用濃度領域の２．３８０±０．００５％の
帯域では，導電率と濃度が検出可能な傾きで線形的に対応するとは考
えられておらず，このため，導電率によってホトレジスト現像液の濃
度を精確に測定することは困難であると考えられていた。
④温度によって電離の程度が非線形に変化し，ホトレジスト現像液の
実用温度帯域では導電率によってホトレジスト現像液の濃度を精確に
測定することができないのではないかと考えられていた。
イ本件発明を実現した実験に基づく知見について
本件発明は，上記のような本件出願前の当業者の認識に反し，実験によ
って確認した下記①’～④’の点が組み合わされて，ホトレジスト現像液
の濃度管理に導電率測定手段を適用することができるという知見に基づき，
実現されたものである。
①’ホトレジスト現像液の溶媒（水）中には，溶液の導電率に影響を
与えるイオンがほとんど存在しない。
②’ホトレジスト現像液の濡れ性を向上させるために通常加えられる
添加剤は，溶液中では電離しない。
③’ホトレジスト現像液の実用の濃度帯域では，ホトレジスト現像液
の濃度と導電率の間に線形の関係があり，導電率から現像液の濃度を
容易に算出することができる。
④’ホトレジスト現像液の濃度測定の温度帯域では，現像液の濃度と
導電率の間に線形の関係があり，導電率から現像液の濃度を容易に算
出することができる。
上記の点は，実験してみなければ判明しなかったことであり，本件発明
は，発明者らの洞察に基づいて実験によって確認した上記事実によって実
現できたものである。
ウ本件発明の効果について
本件発明は，従来の技術からは予測することができない特有の効果を奏
する。
まず，本件発明によれば，煩雑な作業を要する従来の中和滴定の方法よ
りも，効率よくホトレジスト現像液の濃度を測定できる。
また，本件発明によれば，従来の中和滴定の方法よりも，正確にホトレ
ジスト現像液の濃度の有効成分の濃度を測定することができる。すなわち，
ＴＭＡＨ水溶液や水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液などは，空気中の炭酸
ガスを吸収すると，ホトレジスト現像液としては作用しない炭酸塩を生成
することから，従来の中和滴定の方法では，滴定に用いる標準液（塩酸）
と炭酸塩が反応してしまうため，ホトレジスト現像液として作用しない炭
酸塩の濃度を含む濃度を測定してしまい，ホトレジスト現像液の活性濃度
（現像液として実際に作用することができる成分の濃度）を測定すること
ができなかった。これに対し，導電率測定手段を用いる本件発明によれば，
炭酸塩は溶解してもほとんど電離しないので，ホトレジスト現像液として
作用しない炭酸塩の濃度を除いた活性濃度を測定することができるもので
ある。
エまとめ
以上のとおりであるから，引用例に開示されている湿式処理工程におけ
る技術思想を，本件発明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用
設備」に転用することには，阻害要因があり，また，本件発明は従来の中
和滴定の方法からは予測できない顕著な効果を奏するものであるから，本
件審決の判断１は誤りである。
(2)本件審決は，相違点(イ)に関し，ホトレジスト用現像原液は精度よく濃度
を調製するのが困難な上に空気中の炭酸ガスを吸収して濃度が変化するとい
う特有の課題を有しているとの原告ら主張に対し，原告らのいう「特有の課
題」は，使用側で希釈する場合であろうが，あるいは現像液メーカー（供給
側）で希釈する場合であろうが生じる課題であるから，使用側で希釈するこ
とが容易想到でないとまでは云うことができない旨判断した（以下「判断
２」という。）が，誤りである。
エッチング液やウエハ洗浄液が炭酸ガスと反応して濃度が変化することが
ないのに対して，ホトレジスト現像液は，炭酸ガスと反応して濃度が変化し
やすい性質を有する上，常にホトレジスト現像のための有効成分を正しく測
定調製することが要求される。したがって，エッチング液やウエハ洗浄液が
使用者側で調製されていたからといって，ホトレジスト現像液を使用者が調
製することが何ら困難性を伴わないということにはならない。
(3)本件審決は，相違点(イ)に関し，本件出願前，添加剤が導電率に影響を与
えると考えられていたため，導電率によってＴＭＡＨの濃度を測定するのが
困難だと考えられていたとの原告ら主張に対し，添加剤は特許請求の範囲に
記載されておらず，本件明細書には「必要に応じて添加される各種添加剤」
と記載されており，そうだとすると添加剤は必要に応じて添加される任意成
分であるから，原告らの主張は採用できない旨判断した（以下「判断３」と
いう。）が，誤りである。
本件発明は，現像原液の希釈装置であって，希釈装置の構成が明確である
限り，特許請求の範囲の中に添加剤を記載しなければならない理由はない。
そして，甲４の２，４の５などに記載されているように，一般に，ホトレ
ジスト現像液の濡れ性を改善させるために，種々の界面活性剤等を添加する
ことが広く行われており，導電率測定手段をホトレジスト現像液の濃度測定
に適用することに対して，当業者ならば当然に添加剤の影響により導電率測
定手段によってはホトレジスト現像液の濃度が不正確になると考えるという
べきである。
２取消事由２（相違点(ニ)の判断の誤り）
本件審決は，相違点(ニ)に関し，周知例として甲３の６を例示した上，薬液
を希釈した後，貯蔵しておく希釈薬液貯蔵タンクを設けることは，本件出願前
の周知事項である旨判断した（以下「判断４」という。）が，誤りである。
本件発明の貯留槽は，撹拌槽からホトレジスト加工設備に現像液が供給され
る間に現像液の濃度のばらつきを吸収して平準化するものである。例えば，ア
ルカリ系現像液として多用されるＴＭＡＨ現像液において，撹拌槽では，２．
３８０±０．０１０％程度のハンチング（濃度のばらつき）を示す場合がある
が，貯留槽によって，２．３８０±０．００３％程度の微小なハンチングに平
準化することができる。本件発明における貯留槽は，呼称が「貯留」槽になっ
ているが，単に使用前に薬液を貯蔵するものではなく，ホトレジスト現像液の
濃度の平準化を行うものである。
これに対し，甲３の６に記載されたものは，発電プラントの給水等の水質調
整を行う薬液希釈装置であり，ホトレジスト現像液の濃度管理に比して格段に
要求精度が低い。ホトレジスト用現像原液の希釈装置に，平準化を行う貯留槽
を付加する技術的思想は，甲３の１～８には開示も示唆もされておらず，周知
慣用のことでもない。
３取消事由３（相違点(ホ)の判断の誤り）
本件審決は，相違点(ホ)に関し，本件明細書には窒素ガスで加圧することが
記載されているから本件発明の「窒素ガスシール手段」は「Ｎガスで加圧する2
手段」を含んでおり，逆に引用例の「Ｎガスで加圧する手段」は加圧状態を維2
持するために密閉されているから引用例の「Ｎガスで加圧する手段」は窒素ガ2
スをシールしており，さらに，甲３の４にはポジレジストの現像液の劣化を防
止するために現像液の表面を窒素で覆うことが知られていたから，相違点(ホ)
は当業者が容易に想到できたものである旨判断した（以下「判断５」とい
う。）が，誤りである。
本件発明の窒素ガスシール手段は，撹拌槽と貯留槽の双方をシールする手段
であるのに対し，甲３の４は希釈後のタンクのみの窒素パージであるから，現
像原液を希釈する全行程について現像液の濃度を維持するために，撹拌槽と貯
留槽の双方を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段が容易に想到できると
はいえない。
甲３の４の現像液供給タンクは，現像液供給側でホトレジスト現像液の濃度
を調整した後に，ホトレジスト現像液を貯留しておく容器であり，希釈工程後
の，希釈工程に含まれない容器の窒素ガスシールを示しているのにすぎない。
これに対して，本件発明は，現像原液を希釈する処理に関し，現像原液希釈
中に撹拌槽を窒素ガスでシールし，現像原液希釈後に貯留槽を窒素ガスでシー
ルすることにより，現像原液を希釈する全工程について現像液の濃度を維持す
るという特徴を有する。
「ポジレジストの現像液の劣化を防止するために現像液の表面を窒素で覆
う」ことが知られていたからといって，現像原液を希釈する全工程について現
像液の濃度を維持するために撹拌槽と貯留槽の双方を窒素ガスシールでシール
する窒素ガスシール手段が容易に想到できるとはいえない。
第４被告の反論の要点
本件審決の認定判断に誤りはなく，原告ら主張の取消事由は理由がない。
１取消事由１（相違点(イ)の判断の誤り）について
(1)判断１について
本件審決の判断１は相当であり，原告らの主張の誤りはない。
ア転用の困難性について
(ア)原告は，ホトレジスト現像液の濃度の許容誤差範囲が非常に厳しい
ものであるとし，エッチング液などとホトレジスト現像液との濃度の許
容誤差の相違は，１対１００程度である旨主張する。
しかし，ホトレジスト現像液の濃度管理への要求の厳しさは，エッチ
ング液などと比較して，たかだか１対６程度であり，化学分析一般にお
いては有意の差とはいえない。エッチング液などの濃度測定に導電率測
定手段が適用可能であれば，ホトレジスト現像液の濃度測定に導電率測
定手段を適用することも，当業者が容易に着想できることである。
(イ)原告らは，前記①～④の点を挙げ，本件出願前，導電率測定手段は，
ホトレジスト現像液に適用するには十分な信頼性がないと考えられてい
た旨主張する。
しかし，本件出願前，導電率によるホトレジスト現像液の濃度測定が
工業的に用いられていることは公知の事実であり，「十分な信頼性がな
い」とは何をさすのか理解できない。
乙１の「図９・１濃度と導電率の関係」（１４８頁）の記載によれ
ば，導電率測定手段によって，アルカリ系現像液として用いられる水酸
化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液や水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液な
どの濃度測定が可能であること，濃度の小さい部分では，導電率と濃度
との間に直線関係があり，導電率から希望する現像液の濃度が正確に測
定できることを理解することができ，また，乙１には，「温度補償が必
要である」こと（１４９頁）も記載されている。
甲３の８には，「一般に電解質溶液は希薄な濃度においては，濃度が
増しても電解質のイオンへの解離度がかわらないので，したがってイオ
ンの数も濃度に比例して増加するから，導電率は直線的に増加する。」
（４９頁下から１１行～下から９行）との記載があり，これと，甲３の
８の「図３．３溶液の濃度と導電率の関係（ただしＮａＯＨは１５℃
における値を示す）」（５０頁）及び「表３．１各種溶液の導電率と
その温度係数（％／℃）」（５０～５１頁）の記載によれば，導電率測
定手段によって，本件明細書にホトレジスト現像液として用いることが
できる旨記載されている水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ），水酸化カリウ
ム（ＫＯＨ）の工業的な濃度測定が可能であったことが理解できる。
イ本件発明を実現した実験に基づく知見について
原告らが当業者の予想に反して実験によって確認したという前記①’～
④’の点は，本件出願前，周知の事実であり，ホトレジスト現像液の濃度
管理に導電率測定手段を用いることは，当業者であれば容易に着想可能で
ある。
①’の点は，純水の導電率のことと思われるが，本件出願前における周
知の事実である。
②’の点を，原告らは実験により初めて確認したと主張するが，そのよ
うなことは，本件明細書に記載されていないのみならず，本件明細書中の
公知技術（希釈状態で提供される希釈現像液）についての記載，すなわち
「純水の導電率は周知のようにきわめて小さく，また必要に応じて添加さ
れる各種添加剤の量も現像原液の量に比べて無視できる程度に少ないので，
現像液の濃度と導電率との関係は，純水の性状や添加剤の種類，添加量に
は実用上無関係に一義的に定まる。」（甲２，３頁６欄４１行～４６行）
との記載と整合しない。なお，界面活性剤等の添加剤には，電離するもの
もある。
③’及び④’の点は，いずれも本件出願前における周知の事実である
（乙１，甲３の８）。
ウ本件発明の効果について
そもそも，本件明細書には中和滴定に関する記載は一切ないから，中和
滴定と比較した本件発明の効果に関する原告らの主張は許されるべきでは
ない。
原告らが主張する本件発明の効果のうち，中和滴定に比べた効率の良さ
は，導電率測定手段を用いたことによる当然の効果である。
また，従来の中和滴定では，ホトレジスト現像液として作用しない炭酸
塩の濃度を含む濃度を測定してしまい，ホトレジスト現像液の活性濃度
（現像液として実際に作用することができる成分の濃度）を測定すること
ができなかったとの原告ら主張は誤りである。乙２には，ＮａＯＨ水溶液
に含まれるＮａＯＨ及びＮａＣＯ（炭酸塩）を中和滴定で定量する方法２３
が記載されている（８５頁）。そもそも，本件発明においては，希釈装置
全般にわたって窒素ガスシールが施され，装置内での大気に含まれた炭酸
ガスとの反応によって生じる炭酸塩の問題は生じないはずであるから，こ
の点を問題にすること自体，誤りである。
エまとめ
以上のとおりであるから，引用例に，管路を介して半導体処理工程の一
部であるエッチング工程に導電率測定手段を用いて希釈された溶液を供給
する希釈装置が記載されている以上，これを同じ半導体処理工程の一部で
あり，その濃度精度に有意の差がないポジレジスト現像工程に用いる現像
液の希釈装置に転用することは極めて自然であり，本件審決の判断１に原
告ら主張の誤りはない。
(2)判断２について
原告らのいう「特有の課題」とは，要するに，ホトレジスト現像液がもつ
炭酸塩の生成という問題であるが，上記(1)ウで乙２について指摘したところ
から明らかなように，この問題は中和滴定でも解決し得るものであり，また，
窒素ガスシールが施され炭酸塩の問題は生じないはずの本件発明の希釈装置
では重要性の少ないものである。
また，原告らのいう「特有の課題」があるとしても，従前，供給側で解決
されていたものであれば，同様に使用側でも解決することに，格別の困難性
はないものである。
したがって，本件審決の判断２に原告ら主張の誤りはない。
(3)判断３について
原告らは，特許請求の範囲の中に添加剤を記載しなければならない理由は
ないと主張する。しかし，原告らが主張するように，本件発明がホトレジス
ト現像液の濃度を導電率測定手段によって正確に測定することを特徴とする
ものであり，添加剤がこの測定精度に影響を与えるというのであれば，添加
剤について特許請求の範囲に記載するべきである。しかるに，本件特許の特
許請求の範囲にそのような記載がないのであるから，本件審決が添加剤の影
響についての原告らの主張を採用できないとしたことに誤りはない。
原告らは，また，当業者ならば，添加剤の影響により導電率測定手段によ
ってはホトレジスト現像液の濃度が不正確になると考える旨主張する。しか
し，原告らの主張は，本件明細書中の公知技術（希釈状態で提供される希釈
現像液）についての記載，すなわち「純水の導電率は周知のようにきわめて
小さく，また必要に応じて添加される各種添加剤の量も現像原液の量に比べ
て無視できる程度に少ないので，現像液の濃度と導電率との関係は，純水の
性状や添加剤の種類，添加量には実用上無関係に一義的に定まる。」（甲２，
３頁６欄４１行～４６行）との記載と矛盾するものであり，そもそも原告ら
のいう添加剤の問題は存在しなかったというべきである。
したがって，本件審決の判断３に原告ら主張の誤りはない。
２取消事由２（相違点(ニ)の判断の誤り）について
原告らは，本件発明における貯留槽は，単に薬液を貯蔵するものではなく，
ホトレジスト現像液の濃度の平準化を行うものであると主張する。
しかし，甲３の１～８に示されるように，薬液の希釈装置において，使用側
に希釈液を送給する前に，希釈混合部分である撹拌槽の後に，希釈液を貯留し
ておく貯留槽を設ける点は，周知慣用の技術である。そして，貯留槽は希釈液
を一定量貯留しておくものであることから，ここに希釈液を貯留すれば平準化
の機能を発揮することも，周知慣用のことである。
原告らは，貯留槽の役割について，例えば，アルカリ系現像液として多用さ
れるＴＭＡＨ現像液において，撹拌槽では，２．３８０±０．０１０％程度の
ハンチング（濃度のばらつき）を示す場合があるが，貯留槽によって，２．３
８０±０．００３％程度の微小なハンチングに平準化することができると主張
するが，そのような記載は，本件明細書にはない。本件明細書には，貯留槽に
ついては，「この現像液タンク内で一旦，貯留されたのち，管路６２から半導
体製造工程などの使用側に送給される。」（甲２，３頁５欄１３行～１５行），
「この濃度を一定にした混合液は現像液タンク２２に貯留されたのち，現像液
として使用される。」（甲２，３頁６欄１５行～１７行）という記載があるの
みであり，これらの記載からは，貯留槽はすでに撹拌槽で精度よく所定濃度に
希釈された希釈現像液を貯留するものとしか把握することができない。（仮に，
上記のような平準化の問題が，一般に自明の範囲であってその記載をする必要
がないというなら，この点を本件発明の特徴とすることはできないし，一般に
自明の範囲ではなかったというならば，その点を出願当初の明細書に記載すべ
きであった。）
したがって，本件審決の判断４に原告ら主張の誤りはない。
３取消事由３（相違点(ホ)の判断の誤り）について
原告らは，窒素ガスシールについて，甲３の４に記載のものは希釈後のタン
クのみについてのものであって，本件発明のように撹拌槽と貯留槽の双方に適
用するものではないので，本件発明の窒素ガスシール手段は容易想到ではない
と主張する。
しかし，甲３の４によって，窒素ガスシール手段の目的，作用効果が公知の
場合，その適用範囲を，希釈後のタンクのみとするか，撹拌槽と貯留槽の双方
とするかは，当業者の選択の範囲に属するものである。
したがって，本件審決の判断５に原告ら主張の誤りはない。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（相違点(イ)の判断の誤り）について
(1)判断１について
ア転用の困難性について
(ア)原告らは，本件発明に用いられるホトレジスト現像液は，エッチン
グ液や洗浄液と異なり，小数点以下３桁の精度が要求される旨主張する。
Ａ本件明細書の特許請求の範囲には，「ホトレジスト用アルカリ系現
像原液」の記載があるが，その具体的な成分や濃度について，限定は
ない。
本件明細書の発明の詳細な説明には，「従来の技術」の欄に，「…
…ポジレジストの現像液材料としてはリン酸ソーダ，カ性ソーダ（判
決注：水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）），ケイ酸ソーダ，またはその
他の無機アルカリ等との混合物から成る無機アルカリ水溶液や，アル
カリメタルの汚染が心配される場合にはメタルを含まないアミン系の
有機アルカリ水溶液，テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
（ＴＭＡＨ）（判決注：以下「ＴＭＡＨ」という。）水溶液，トリメ
チルモノエタノールアンモニウムハイドロオキサイド（コリン）（判
決注：以下「ＴＨＡＨ」という。）水溶液等が用いられる。これらの
現像液は使用するポジレジストに合わせ，最高の解像力，画像のきれ，
安定性を得るためにその組成及び濃度を厳密に管理しなければならな
い。」（甲２，段落【０００２】）との記載，「発明が解決しようと
する課題」の欄に，「半導体製造工場などの使用側（以下，使用側と
いう。）……現像液メーカー（以下，供給側という。）……供給側で
は所定の組成に調合した現像原液を純水で希釈し，所望の濃度に調整
した現像液を容器に充填し，使用側に供給する。」（甲２，段落【０
００５】）との記載があるが，ホトレジスト現像液の濃度について，
小数点以下３桁の精度が要求される旨の記載は存在しない。
Ｂそこで，原告らが主張の根拠として挙げる甲４の１～５について，
検討する。
ａ甲４の１（特開昭５９－２１９７４３号公報）には，次の記載が
ある。
「(1)テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド，トリアルキル
（ヒドロキシアルキル）アンモニウムヒドロキシド及び水とを含有
するポジ型レジスト現像液」（甲４の１，１頁左下欄５行～８行）
「(2)テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド（判決注：ＴＭＡ
Ｈ）及びトリアルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウムヒドロ
キシドがそれぞれテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリ
メチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（判決注：
ＴＨＡＨ）であり，現像液中にテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シドが０．５～３．０重量％，トリメチル（ヒドロキシエチル）ア
ンモニウムヒドロキシドが１．０～４．０重量％含有されている特
許請求の範囲第(1)項記載のポジ型レジスト現像液」（甲４の１，１
頁左下欄９行～１８行）
「本発明の現像液は，現像液として特性の異なったＴＭＡＨ水溶
液とＴＨＡＨ水溶液とを混合することによって，全く新しい特性，
すなわちレジスト感度及び未露光部分に対する溶解量の現像液温度
依存性をなくしたポジ型レジスト現像液である。」（甲４の１，２
頁右下欄１７行～３頁左上欄２行）
「実施例１テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（判決注：
ＴＭＡＨ）１．４重量％，トリメチル（ヒドロキシエチル）アンモ
ニウムヒドロキシド（判決注：ＴＨＡＨ）２．１重量％を含有する
水溶液を調製し，現像液とした。」（甲４の１，３頁右下欄１４行
～１８行）
ｂ甲４の２（特開昭６１－２３２４５３号公報）には，次の記載が
ある。
「１()金属イオンを含まないアルカリ，()第四級アンモニAB
ウム塩型陽イオン性界面活性剤及び()一価アルコールを含有してC
成るポジ型ホトレジスト用現像液」（甲４の２，１頁左下欄５行～
８行）
「２金属イオンを含まないアルカリ化合物がテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）及びトリメチル（２－
ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（判決注：ＴＨＡ
Ｈ）の中から選ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第１項
記載の現像液。」（甲４の２，１頁左下欄９行～１３行）
「()成分の金属イオンを含まないアルカリを溶質として水媒体A
中に１～１０重量％……となるように溶解」（甲４の２，４頁右上
欄１行～４行）
「本発明の現像液は，……露光部と非露光部に対する溶解選択性
が著しく優れており，……薄膜残りやスカム残りを抑制する特性を
有している。」（甲４の２，４頁右上欄２０行～左下欄１３行）
また，実施例について，「ＴＭＡＨ２．８」，「ＴＭＡＨ２．
６５」，「ＴＨＡＨ５．０」，「ＴＭＡＨ２．０＋ＴＨＡＨ
２．５」，「ＴＨＡＨ２．８０」，「ＴＭＡＨ３．００」（い
ずれも重量％）との記載がある。（甲４の２，５頁下欄～６頁上欄
の表）
ｃ甲４の３（特開昭６２－３５３４９号公報，昭和６０年８月９日
出願，昭和６２年２月１６日公開）には，次の記載がある。
「現像液，例えば２～５重量％のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）やコリン（判決注：ＴＨＡＨ）の水
溶液を用いて現像する」（甲４の３，４頁左上欄１５行～１８行）
「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）
２．３８重量％水溶液により２３℃で３０秒間現像した。」（甲４
の３，４頁左下欄１４行～１６行）
ｄ甲４の４（特開昭６２－３２４５１号公報，昭和６０年８月６日
出願，昭和６２年２月１２日公開）には，次の記載がある。
「(1)金属イオンを含まない有機塩基を主剤とするポジ型ホトレジ
スト用現像液に，非イオン性のフッ素系界面活性剤を５０～５００
０ｐｐｍ添加することを特徴とするポジ型ホトレジスト用現像液」
（甲４の４，１頁左下欄５行～８行）
「(3)金属イオンを含まない有機塩基がテトラアルキルアンモニウ
ムヒドロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）およびコリン（判決注：ＴＨ
ＡＨ）から選ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第(1)項～
第(2)項記載のポジ型ホトレジスト用現像液」（甲４の４，１頁右下
欄５行～９行）
「実施例１～７……金属イオンを含まない有機塩基としてテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％およびコ
リン４．２％をそれぞれ水に溶解してポジ型ホトレジスト用現像液
とし，このそれぞれに第１表に示す非イオン性フッ素系界面活性剤
を添加して本発明のポジ型ホトレジスト用現像液とした。」（甲４
の４，４頁左下欄１８行～右下欄５行，５頁下欄の第１表）
「実施例８金属イオンを含まない有機塩基としてテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％を水に溶解して
ポジ型ホトレジスト用現像液とし，これに非イオン性のフッ素系界
面活性剤……を５００ｐｐｍ添加した。」（甲４の４，６頁左上欄
１行～９行）
「本発明の現像液はポジ型ホトレジスト膜の現像の均一性が良好
であり，……現像時間も非イオン性のフッ素系界面活性剤を添加し
ない従来のものに比べて半分の時間……でも良好なレジスト画像が
得られた。さらに現像液の温度依存性は，特にテトラアルキルアン
モニウムヒドロキシド水溶液の場合には界面活性剤を添加しない従
来のものに比べて著しく減少し……た。」（甲４の４，６頁左上欄
１８行～右上欄９行）
ｅ甲４の５（特開昭６２－３５４５２号公報，昭和６０年８月６日
出願，昭和６２年２月１２日公開）には，次の記載がある。
「(1)金属イオンを含まない有機塩基を主剤とするポジ型ホトレ
ジスト用現像液に陰イオン性のフッ素系界面活性剤を５０～５００
０ｐｐｍ添加することを特徴とするポジ型ホトレジスト用現像液」
（甲４の５，１頁左下欄５行～８行）
「(3)金属イオンを含まない有機塩基がテトラアルキルアンモニ
ウムヒドロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）およびコリン（判決注：Ｔ
ＨＡＨ）から選ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第(1)～
第(2)項記載のポジ型ホトレジスト用現像液」（甲４の５，１頁左下
欄２０行～右下欄４行）
「実施例１～１２……金属イオンを含まない有機塩基としてテト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％および
コリン４．２％をそれぞれ水に溶解してポジ型ホトレジスト用現像
液とし，このそれぞれに第１表に示す陰イオン性フッ素系界面活性
剤を添加して本発明のポジ型ホトレジスト用現像液とした。」（甲
４の５，４頁左下欄８行～１５行，５頁上欄の第１表）」
「実施例１３金属イオンを含まない有機塩基としてテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％を水に溶解し
てポジ型ホトレジスト用現像液とし，これに陰イオン性フッ素系界
面活性剤……を……添加した。」（甲４の５，５頁下左欄１行～７
行）
「本発明の現像液はポジ型ホトレジスト膜の現像の均一性が良好
であり，……現像時間も陰イオン性フッ素系界面活性剤を添加しな
い従来のものに比べて半分の時間……でも良好なレジスト画像が得
られた。さらに現像液の温度依存性は特にテトラアルキルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液の場合には界面活性剤を添加しない従来の
ものに比べて著しく減少し……た。」（甲４の５，５頁左下欄１５
行～右上欄６行）
ｆ以上のほか，甲３の４には，次の記載がある。
「一般にポジ型レジストの現像は中和反応であるために現像液の
濃度が反応速度に大きく影響を及ぼしてきた。……現像液の濃度制
御が寸法制御にとって欠かせないことは言うまでもないであろ
う。」（１頁右下欄５行～１３行）
ｇ上記甲４の１～５及び甲３の４（なお，甲４の３～５は，公知刊行
物ではないが，本件出願前に出願された特許出願が本件出願後に公
開された公開特許公報であり，本件出願前の技術水準を認定するた
めの資料として参酌することはできる。）の記載によれば，ホトレ
ジスト現像液としてＴＭＡＨ水溶液やＴＨＡＨ水溶液などが周知で
あり，濃度管理が必要なことが認められるが，濃度精度の要求水準
について格別の記載はない。そして，甲４の１，２，４，５に「実
施例」として具体的に記載されているものには，ＴＭＡＨやＴＨＡ
Ｈの濃度が小数点以下１桁までの表示がされているものがあり，こ
のようなものについて小数点以下３桁の濃度管理が必要であったと
は認められない。
Ｃ以上によれば，本件発明に用いられるホトレジスト現像液について
小数点以下３桁の精度が要求されるという原告ら主張は，その根拠を
欠くものというべきであって，採用することができない。
(イ)原告らは，導電率測定手段は，濃度％が小数点以下３桁まで管理し
なければならないホトレジスト現像液に適用するには十分な信頼性がな
いと考えられていたと主張し，具体的な事情として，前記第１(1)(イ)①
～④のとおり主張する。
しかし，原告らの主張は，ホトレジスト現像液がその濃度を小数点以
下３桁まで管理しなければならないものであるという，その前提におい
て誤っていることは，上記(ア)において説示したとおりであるから，採
用することができない。
なお，念のため，原告らの前記①～④の主張について検討してみても，
次のとおり，いずれも失当である。
Ａ原告らは，目標の溶質以外に電離した溶質があれば，目標以外の溶
質の濃度が加わった濃度が測定されてしまい，逆に，目標の溶質が１
００％電離しなければ，実際の溶質の濃度より少なく測定されてしま
うため，濃度が小数点以下３桁の精度で測定されなければならないホ
トレジスト現像液に対して，微少な不純物の影響により，導電率では
ホトレジスト現像液の濃度を精確に測定することができないのではな
いかと考えられていた旨主張する（前記①）。
しかし，ホトレジスト現像液は，半導体素子製造工程におけるポジ
レジスト現像に供されるものであって，ポジレジストを用いて微細加
工を行う際に，ポジレジストの露光部分を選択的に溶解除去するため
に用いるアルカリ性水溶液である（甲４の１～５，弁論の全趣旨）。
上記事実，並びに，本件明細書の「ポジレジスト用の現像液を必要と
する半導体製造工場などにおいては多量の純水を必要とするので，純
水製造装置は必置とされる。従って，本発明において必要な希釈用の
純水は，比較的容易に入手できる。」との記載（甲２，段落【００１
８】）及び弁論の全趣旨によれば，ホトレジスト現像液の溶媒として
の水には，極力，不純物やイオンを含まない純水を用いることは，当
業者が当然に考慮する事項であるというべきであり，本件記録中これ
に反する証拠は認められない。
また，前記ア(ア)Ａで検討した本件明細書の記載によれば，本件発
明により調製されるホトレジスト現像液は，ＴＭＡＨ水溶液や水酸化
ナトリウム水溶液であってもよいところ，「ＴＭＡＨは『強アルカ
リ』であるため，ほぼ１００％電離すると予想できる」ものと認めら
れ（審決書１４頁２５行，同１５頁１１行～１２行，弁論の全趣旨），
また，水酸化ナトリウムが強アルカリであり，ほぼ完全に電離するこ
とは公知の事実である。
したがって，原告らの前記①の主張は採用することができない。
Ｂ原告らは，添加剤の影響により，導電率ではホトレジスト現像液の
濃度を精確に測定することができないと考えられていた旨主張する
（前記②）。
しかし，本件明細書によれば，特許請求の範囲には添加剤の記載は
ないから，本件発明は添加剤を用いない場合をも含むというべきであ
り，詳細な説明には，「必要に応じて添加される各種添加剤」（甲２，
段落【００１８】）との記載があり，これによれば，添加剤がホトレ
ジスト現像液の必須成分ではないことも明らかである。
さらに，甲４の２，４の４～５によれば，ホトレジスト現像液に界
面活性剤などの添加剤を加えている例があることが認められるが，他
方，甲４の１，４の３によれば，添加剤を加えない例もあり，本件出
願前に，ホトレジスト現像液には必ず添加剤を加えるという認識が当
業者の間に存在したものでないことが認められる。
そうすると，添加剤が導電率の測定に影響を与えるか否かは，直ち
に，導電率測定手段をホトレジスト現像液の濃度管理に適用すること
を妨げる理由とはならないものというべきである（本件記録を検討し
ても，本件出願前，添加剤の影響により導電率ではホトレジスト現像
液の濃度を精確に測定することができないと認識されていたことを裏
付ける証拠は見いだせない。）。
したがって，原告らの前記②の主張は採用することができない。
Ｃ原告らは，ホトレジスト現像液の実用濃度領域では，導電率と濃度
が検出可能な傾きで線形的に対応するとは考えられていなかった旨主
張する（前記③）。
乙１（「工業電子計測」株式会社コロナ社，昭和４１年６月３０日
再版発行）には，次の記載がある。
「特定の溶液については濃度と導電率の間に一定の関係がある。図
９・１にその例を示す。したがって液を一定の容器に入れて電気抵抗
を測定すれば濃度を求めることができる。」（乙１，１４８頁３行～
５行）
「温度補償溶液の抵抗は０．０２／度程度の大きな温度係数を持
っているので濃度で目盛るためには温度補償が必要である．図９・４
はその補償回路の例である。」（乙１，１４９頁１５～１８行）
「図９・１濃度と導電率の関係」（乙１，１４８頁）には，塩化
カリウム（ＫＣｌ），水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ），水酸化カリウ
ム（ＫＯＨ），塩酸（ＨＣｌ），硫酸（ＨＳＯ），硝酸（ＨＮＯ）２４３
について，横軸に濃度〔％〕，縦軸に導電率〔Ω／ｃｍ〕（判決注：
ΩはΩの誤記と認める。）をとったグラフが示され，水酸化ナトリ－１
ウム（ＮａＯＨ）は，濃度５～１０％では，濃度と導電率がほぼ比例
することが示されている。
甲３の８（「工業分析（下）」日刊工業新聞社，昭和４１年１月３
０日初版発行）には，次の記載がある。
「現在もっとも広い応用分野としては，溶液の濃度と導電率の関係
が，温度が一定であれば精密に対応することを利用した工業的溶液濃
度の測定，あるいは成分の検出方法として用いられている。たとえば
化学工業におけるＨＳＯ，ＨＣｌ，ＮａＯＨなどの濃度の測定，発２４
電所，工場におけるボイラの給水，復水の水質測定，純水製造装置の
純水の純度測定などのように導電率測定は現在ｐＨ測定と同様に広く
普及し，プロセスの計装上必要欠くべからざるものとなっている。」
（甲３の８，４５頁下から３行～４６頁３行）
「一般に電解質溶液は希薄な濃度においては，濃度が増しても電解
質のイオンへの解離度がかわらないので，したがってイオンの数も濃
度に比例して増加するから，導電率は直線的に増加する。」（甲３の
８，４９頁下から１１行～下から９行）
「図３．３は工業的に導電率測定が行われている代表的な溶液の１
８℃における濃度と導電率の関係を示したものである。低濃度におい
てはいずれも導電率が濃度に対し比例して増加している」（甲３の８，
５０頁１行～４行）
「導電率は溶液の濃度が一定であっても，その温度の上昇に伴って，
一般に約２％の温度係数をもって増加する。」（甲３の８，５１頁下
から８行～下から７行）
「同じ種類の電解質であっても，その濃度によって温度係数は多少
異なり，表３．１に示したような値となっている。」（甲３の８，５
１頁下から６行～下から４行）
「図３．３溶液の濃度と導電率の関係（ただしＮａＯＨは１５℃
における値を示す）」（甲３の８，５０頁）には，炭酸ナトリウム
（ＮａＣＯ），塩化ナトリウム（ＮａＣｌ），水酸化ナトリウム２３
（ＮａＯＨ），塩酸（ＨＣｌ），硫酸（ＨＳＯ），硝酸（ＨＮＯ）２４３
について，横軸に溶液濃度（重量％），縦軸に導電率（Ω／ｃｍ）－１
（判決注：甲３の８に用いられている逆Ωのかわりに，同義のΩで－１
表示した。）をとったグラフが示され，水酸化ナトリウム（ＮａＯ
Ｈ）は，濃度０～１０％では，濃度と導電率がほぼ比例することが示
されている。
「表３．１各種溶液の導電率とその温度係数（％／℃）」（甲３
の８，５０～５１頁）には，Δκ（判決注：温度係数）が，水酸化ナ
トリウム（ＮａＯＨ）（１５℃）では，濃度５％で２．０１％／℃，
濃度１０％で２．１７％／℃であることが示されている。
前記ア(ア)Ａで検討した本件明細書の記載によれば，本件発明によ
り調製されるホトレジスト現像液は，水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）
水溶液であってもよいところ，乙１，甲３の８の上記記載によれば，
水酸化ナトリウム水溶液は，室温，濃度０～１０％において，濃度と
導電率にほぼ線形の対応関係があることが認められる。
そうすると，本件出願前に，ホトレジスト現像液の実用濃度領域に
おいて，導電率と濃度が検出可能な傾きで線形的に対応している例が，
知られていたというべきである。
なお，本件記録を検討しても，本件出願前，ホトレジスト現像液の
実用濃度領域では，導電率と濃度が検出可能な傾きで線形的に対応す
るとは考えられていなかったことを裏付ける証拠は見いだせない。
したがって，原告らの前記③の主張は採用することができない。
Ｄ原告らは，ホトレジスト現像液の実用温度帯域では導電率によって
ホトレジスト現像液の濃度を精確に測定することができない旨主張す
る（前記④）。
上記Ｃのとおり，本件発明により調製されるホトレジスト現像液は，
水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液であってもよいところ，乙１，
甲３の８の上記記載によれば，水酸化ナトリウム水溶液は，水溶液で
は，室温，濃度０～１０％において，濃度と導電率にほぼ線形の対応
関係があり，導電率の温度係数が約２％／℃であることが認められる。
そして，ホトレジスト現像液の調製を室温から相当に離れた高温ま
たは低温で行うものとは考えられないから，ホトレジスト現像液の実
用温度帯域において，導電率によって濃度測定をすることができなか
ったということはできない。
なお，本件記録を検討しても，本件出願前，ホトレジスト現像液の
実用温度帯域では導電率によってホトレジスト現像液の濃度を精確に
測定することができないと認識されていたことを裏付ける証拠は見い
だせない。
したがって，原告らの前記④の主張は採用することができない。
イ本件発明を実現した実験に基づく知見について
原告らは，本件発明は，当業者の予想に反して実験によって前記第１
(1)イ①’～④’を確認することにより，発明されたものであると主張する
が，上記(イ)の認定に照らせば，前記①’～④’が当業者の予測に反する
新たな知見ということはできない。
ウ本件発明の効果について
原告らは，本件発明によれば，煩雑な作業を要する従来の中和滴定の方
法よりも，効率よくホトレジスト現像液の濃度を測定できると主張する。
しかし，導電率測定手段をホトレジスト現像液の濃度管理に適用すること
が容易であることはすでに説示したとおりであり，中和滴定の方法と比較
した効率のよさは，導電率測定手段を用いたことによる当然の効果にすぎ
ず，格別顕著なものとは認められない。
原告らは，また，本件発明によれば，従来の中和滴定の方法よりも，正
確にホトレジスト現像液の濃度の有効成分の濃度を測定することができる
旨主張するが，その趣旨は，要するに，ホトレジスト現像液としてＴＭＡ
Ｈ水溶液や水酸化カリウム水溶液を用いる場合に，空気中の炭酸ガスを吸
収してホトレジスト現像液として作用しない炭酸塩が生成するところ，こ
の炭酸塩は溶解してもほとんど電離しないから，ホトレジスト現像液とし
て作用しない炭酸塩を除いた活性濃度を測定することができるというもの
である。しかし，そもそも本件発明におけるホトレジスト用アルカリ系現
像原液が水溶液や水酸化カリウム水溶液に限定されているわけではないし，
この点をひとまず措くとしても，導電率測定手段を用いる場合に，電離し
ない成分の濃度が測定されないことは，当業者にとって自明の事項である
から，結局，原告らの主張する効果は，導電率測定手段を用いたことによ
る当然の効果にすぎず，格別顕著なものとは認められない。
エまとめ
引用発明と本件発明は，半導体ウエハに液体で働きかけ，また半導体素
子製造工程のうちの一工程であるという点で共通していることは明らかで
あり，引用例に開示されている湿式処理工程における技術思想を，本件発
明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備」に転用すること
は，これを妨げる特段の事情がない限り，当業者であれば容易になし得た
ものというべきであるところ，以上検討したところによれば，転用を妨げ
るべき事情として原告らが主張するところはいずれも失当であり，原告ら
が実験により確認したという点も当業者の予測に反する新たな知見という
ことはできず，本件発明の効果が格別顕著なものということもできない。
したがって，本件審決の判断１に原告ら主張の誤りがあるとはいえない。
(2)判断２について
原告らは，ホトレジスト用アルカリ系現像原液は，精度よく濃度を調製す
るのが困難な上に空気中の炭酸ガスを吸収して濃度が変化するという特有の
課題を有しているとした上，エッチング液やウエハ洗浄液が使用者側で調製
されていたからといって，ホトレジスト現像液を使用者が調製することに困
難性を伴わないということにはならない旨主張する。
しかし，原告らがいう「特有の課題」は，本件出願前すでに供給側で解決
されていたものなのであるから，それを使用者側で解決することに，格別の
技術的な困難性があるということができないことは，明らかである。
したがって，本件審決の判断２に原告ら主張の誤りがあるとはいえない。
(3)判断３について
前記(1)ア(イ)Ｂにおいて説示したとおり，本件明細書によれば，特許請求
の範囲には添加剤の記載はないから，本件発明は添加剤を用いない場合をも
含むというべきであり，詳細な説明の「必要に応じて添加される各種添加
剤」（段落【００１８】）との記載によれば，添加剤がホトレジスト現像液
の必須成分ではないことも明らかである上，本件出願前に，ホトレジスト現
像液には必ず添加剤を加えるという認識が当業者の間に存在したものでない
ことが認められる（甲４の２，４の４～５）。そうすると，添加剤が導電率
の測定に影響を与えるか否かは，直ちに，導電率測定手段をホトレジスト現
像液の濃度管理に適用することを妨げる理由とはならない。
したがって，添加剤は必要に応じて添加される任意成分であるから，原告
らの主張を採用できないとした本件審決の判断３に原告ら主張の誤りがある
とはいえない。
(4)小括
以上検討したところによれば，原告ら主張の取消事由１は理由がない。
２取消事由２（相違点(ニ)の判断の誤り）について
原告らは，本件発明の貯留槽は，単に使用前に薬液を貯蔵するものではなく，
ホトレジスト現像液の濃度の平準化を行うものであり，この点の技術思想は甲
３の１～８に開示・示唆されておらず，周知慣用のものでもないと主張する。
本件明細書（甲２）には，貯留槽に関し，次の記載がある。
「前記撹拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前
に受け入れ貯留する貯留槽」（特許請求の範囲，段落【０００８】）
「現像液タンク内で一旦，貯留されたのち，管路６２から半導体製造工程な
どの使用側に送給される。」（段落【００１３】）
「混合液の導電率を一定（目標値）に維持することによって，混合液の濃度
を一定にすることができる。この濃度を一定にした混合液は現像液タンク２２
に貯留されたのち，現像液として使用される。」（段落【００１５】）
しかしながら，本件明細書を検討しても，貯留槽がホトレジスト現像液の濃
度の平準化を行う旨の記載はない。
原告らの主張は，本件明細書の記載に基づかないものというべきであり，採
用することができない。
そして，使用前に希釈した薬液を貯留する貯留槽を設けることは，甲３の６
にも示されるとおり，周知の事項と認めるのが相当である。
したがって，本件審決の判断４に原告ら主張の誤りがあるということはでき
ず，原告ら主張の取消事由２は理由がない。
３取消事由３（相違点(ホ)の判断の誤り）について
原告らは，希釈工程に含まれない容器の窒素ガスシールが知られ，ポジレジ
ストの現像液の劣化を防止するために現像液の表面を窒素で覆うことが知られ
ていたとしても，本件発明は，撹拌槽と貯留槽の双方を窒素ガスでシールして
現像原液を希釈する全工程について現像液の濃度を維持するものであって，容
易に想到できるとはいえないと主張する。
しかし，甲３の４には，「現像液供給タンクには窒素配管１０１と排気配管
２０２が接続され，窒素パージにより現像液２０３の劣化を妨げている」（甲
３の４，１頁右下欄１６行～１８行）との記載があり，窒素ガスシールが，現
像液の劣化防止に有用であることは明らかであるから，劣化防止をさらに徹底
するために，これを現像液が存在する他のタンクである撹拌槽にも施すことは，
当業者が適宜選択しうる程度のことと認めるのが相当である。
したがって，本件審決の判断５に原告ら主張の誤りがあるということはでき
ず，原告ら主張の取消事由３は理由がない。
４結論
以上によれば，原告ら主張の取消事由はいずれも理由がなく，その他，本件
審決にこれを取り消すべき誤りは認められない。
したがって，原告らの本訴請求は理由がないから，これを棄却することとし，
主文のとおり判決する。
なお，原告らは，本訴提起の日から９０日以内である平成１７年９月２０日，
本件特許の特許請求の範囲の記載における「ホトレジスト用アルカリ系現像原
液」及び「現像原液」を「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像
原液」と，「現像液」を「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像
液」と，それぞれ訂正すること等を要旨とする訂正審判を請求し，同年１１月
１５日，当裁判所に対し，事件を審判官に差し戻すため，特許法１８１条２項
の規定により，本件審決を取り消すよう求めた。当裁判所は，被告の意見を聴
いた上，上記訂正審判請求の内容を検討したが，前記説示したところに照らせ
ば，本件特許を無効とすることについて特許無効審判においてさらに審理させ
ることが相当であるとは認められない。
知的財産高等裁判所第３部
三村量一裁判長裁判官
嶋末和秀裁判官
裁判官沖中康人は，転任のため，署名押印することができない。
三村量一裁判長裁判官

戻る