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平成２８年６月１５日判決言渡同日原本交付裁判所書記官
平成２６年（ワ）第８９０５号特許権侵害差止等請求事件
口頭弁論終結日平成２８年４月２７日
判決
原告日亜化学工業株式会社
同訴訟代理人弁護士古城春実
同宮原正志
同牧野知彦
同加治梓子
同訴訟代理人弁理士鮫島睦
同山尾憲人
同田村啓
同玄番佐奈恵
被告Ｅ＆ＥＪａｐａｎ株式会社
（以下「被告Ｅ＆Ｅ」という。）
同訴訟代理人弁護士伊藤真
同平井佑希
被告株式会社立花エレテック
（以下「被告立花」という。）
同訴訟代理人弁護士井上裕史
同田上洋平
同佐合俊彦
主文
１被告Ｅ＆Ｅは，原告に対し，２５万５０００円及び
これに対する平成２６年４月２３日から支払済みま
で年５分の割合による金員を支払え。
２被告立花は，原告に対し，１５万２０００円及びこ
れに対する平成２６年４月２３日から支払済みまで
年５分の割合による金員を支払え。
３原告のその余の請求をいずれも棄却する。
４訴訟費用は，原告に生じた費用の４分の１と被告立
花に生じた費用の２分の１を被告立花の負担とし，
原告に生じた費用の４分の１と被告Ｅ＆Ｅに生じた
費用の２分の１を被告Ｅ＆Ｅの負担とし，その余を
原告の負担とする。
５この判決は，第１項及び第２項に限り，仮に執行す
ることができる。
事実及び理由
第１請求
１被告Ｅ＆Ｅは，別紙１物件目録記載の製品を譲渡し，輸入し又は譲渡の申
出をしてはならない。
２被告立花は，別紙１物件目録記載の製品を譲渡し又は譲渡の申出をしてはな
らない。
３被告Ｅ＆Ｅは，その占有に係る別紙１物件目録記載の製品を廃棄せよ。
４被告立花は，その占有に係る別紙１物件目録記載の製品を廃棄せよ。
５被告Ｅ＆Ｅは，原告に対し，１１０万５０００円及びこれに対する平成２６
年４月２３日から支払済みまで年５分の割合による金員（ただし，次項記載の金員
の限度で被告立花と連帯して）を支払え。
６被告立花は，原告に対し，被告Ｅ＆Ｅと連帯して１０３万５０００円及びこ
れに対する平成２６年４月２３日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払
え。
第２事案の概要
１原告は，発明の名称を「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」とする特許
第３９７２９４３号に係る特許権（以下「本件特許権１」といい，その特許を
「本件特許１」という。また，その願書に添付した明細書〔訂正審判事件（訂正
２０１４－３９０１８７）の平成２７年１月２１日付け審決（同月２９日確定）に
より訂正されたもの。別紙２（訂正明細書）参照〕及び図面〔別紙４（特許第３
９７２９４３号公報）参照〕を併せて「本件明細書１」という。）及び発明の名
称を「窒化物半導体素子」とする特許第３７８６１１４号に係る特許権（以下
「本件特許権２」といい，その特許を「本件特許２」という。また，その願書に
添付した明細書〔訂正審判事件（訂正２０１５－３９００８９）の平成２７年９
月２４日付け審決（同年１０月２日確定）により訂正されたもの。別紙５（訂正明
細書）参照〕及び図面〔別紙７（特許第３７８６１１４号公報）参照〕を併せて
「本件明細書２」という。）の特許権者である。
原告は，別紙１物件目録記載の青色ＬＥＤ（以下「被告ＬＥＤ」という。）に
搭載されている窒化物半導体素子（以下「被告製品」という。）が，本件特許１
の願書に添付した特許請求の範囲の請求項２記載の発明（訂正審判事件〔訂正２０
１４－３９０１８７〕の平成２７年１月２１日付け審決〔同月２９日確定〕により
訂正されたもの。別紙３〔特許請求の範囲〕参照。以下「本件発明１」といい，
本件特許１のうち本件発明１に係る特許を「本件発明１についての特許」という
ことがある。）及び本件特許２の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１記載
の発明（訂正審判事件〔訂正２０１５－３９００８９〕の平成２７年９月２４日付
け審決〔同年１０月２日確定〕により訂正されたもの。別紙６〔訂正特許請求の範
囲〕参照。以下「本件発明２」といい，本件特許２のうち本件発明２に係る特許
を「本件発明２についての特許」ということがある。）の各技術的範囲に属する
から，被告Ｅ＆Ｅが被告ＬＥＤを譲渡し，輸入し又は譲渡の申出をする行為及び被
告立花が被告ＬＥＤを譲渡し又は譲渡の申出をする行為（以下「譲渡等」という
ことがある。）は，いずれも本件特許権１及び同２を侵害する行為であると主張
して，被告らに対し，次のとおりの請求をしている。
①本件特許権２の侵害を原因として，特許法１００条１項に基づき，被告Ｅ＆Ｅ
に対しては被告ＬＥＤの譲渡，輸入及び譲渡の申出の差止めを，被告立花に対して
は被告ＬＥＤの譲渡及び譲渡の申出の差止め（前記第１の１，２）。
②本件特許権２の侵害を原因として，同条２項に基づき，被告らそれぞれに対し，
その占有に係る被告ＬＥＤの廃棄（前記第１の３，４）。
③本件特許権１及び同２の侵害を原因として，不法行為による損害賠償請求権
（不法行為の対象期間は，平成１９年６月２２日から平成２６年４月１０日までで
ある。）に基づき，被告らに対し，損害賠償金（弁護士費用）１００万円（内訳は，
被告Ｅ＆Ｅによる本件特許権１の侵害につき２５万円，被告Ｅ＆Ｅによる本件特許
権２の侵害につき２５万円，被告立花による本件特許権１の侵害につき２５万円，
被告立花による本件特許権２の侵害につき２５万円）及びこれに対する平成２６年
４月２３日（各被告への訴状送達の日の翌日）から支払済みまでの民法所定年５分
の割合による遅延損害金の連帯支払。
④本件特許権１及び同２の侵害を原因とする不法行為による損害賠償請求権又は
実施料を支払うことなく本件発明１及び同２を実施したことによる不当利得返還請
求権（本件特許権１に基づく請求と同２に基づく請求は，選択的併合の関係にある。
また，不法行為による損害賠償請求権に基づく請求と不当利得返還請求権に基づく
請求は，選択的併合の関係にある。）に基づき（不法行為又は不当利得の対象期間
は，平成１９年６月２２日から平成２６年４月１０日までである。），被告Ｅ＆Ｅ
に対しては損害賠償金又は不当利得金１０万５０００円及びこれに対する平成２６
年４月２３日（同被告への訴状送達の日の翌日）から支払済みまでの民法所定年５
分の割合による遅延損害金の支払を求め，被告立花に対しては損害賠償金又は不当
利得金３万５０００円及びこれに対する平成２６年４月２３日（同被告への訴状送
達の日の翌日）から支払済みまでの民法所定年５分の割合による遅延損害金の支払
（なお，原告は，被告Ｅ＆Ｅに対する請求と，被告立花に対する請求について，請
求額が重複する限りにおいて被告らの連帯支払を求めている。）。
２前提事実等（当事者間に争いがないか，後掲の証拠及び弁論の全趣旨により
容易に認められる事実等。なお，証拠の掲記に際し，枝番号の表記を省略すること
がある。）
(1)当事者
ア原告は，半導体及び関連材料，部品，応用製品の製造，販売並びに研究開発
などを業とする株式会社である。
イ被告Ｅ＆Ｅは，電子部品の輸出入及び販売等を業とする株式会社である。
ウ被告立花は，各種電気機械器具，照明機械器具，電子応用機械器具等の製
造・販売，半導体素子等の輸出入及び販売等を業とする株式会社である。
(2)本件特許権１及び同２
ア原告は，次の内容の本件特許権１の特許権者である（ただし，本件口頭弁論
終結時において，既に存続期間が満了している。）。
登録番号特許第３９７２９４３号
発明の名称窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
出願日平成１７年７月１９日（特願２００５－２０９２２７）
（特願平６－１５４７０８の分割である特願平１０－３２
６４０４の分割である特願２００２－１１８８５２の分割）
原出願日平成６年７月６日（特願平６－１５４７０８の出願日）
公開日平成１７年１１月１０日
登録日平成１９年６月２２日
特許請求の範囲別紙３（訂正特許請求の範囲）記載のとおり
本件特許１については，訂正審判事件（訂正２０１４－３９０１８７）の平成２
７年１月２１日付け審決（同月２９日確定）により訂正が認められており，同審決
の確定により，本件特許１の願書に添付した特許請求の範囲が別紙３（訂正特許請
求の範囲）に記載のとおりのものとして，特許がされたものとみなされた（甲１の
１・２，１２の１ないし３，１７）。
イ原告は，次の内容の本件特許権２の特許権者である。
登録番号特許第３７８６１１４号
発明の名称窒化物半導体素子
出願日平成１６年１月５日（特願２００４－５０２）
（特願２００１－１７４９０３の分割）
原出願日平成１３年６月８日
公開日平成１６年４月２日
優先日平成１２年１１月２１日
（優先権主張番号特願２０００－３５５０７８）
（優先権主張国日本国）
登録日平成１８年３月３１日
特許請求の範囲別紙６（訂正特許請求の範囲）記載のとおり
本件特許２については，訂正審判事件（訂正２０１５－３９００１９）の平成２
７年５月２９日付け審決（同年６月８日確定）及び再度の訂正審判事件（訂正２０
１５－３９００８９）の平成２７年９月２４日付け審決（同年１０月２日確定）に
より訂正が認められており，後者の審決の確定により，本件特許２の願書に添付し
た特許請求の範囲が別紙６（訂正特許請求の範囲）に記載のとおりのものとして，
特許がされたものとみなされた（甲２の１・２，１８の１ないし３，２９，３１の
１・２，３２）。
(3)本件発明１及び同２
ア本件発明１（本件特許１の特許請求の範囲の請求項２記載の発明）を構成要
件に分説すると，次のとおりである（以下，分説に係る各構成要件を符号に対応
して「構成要件１Ａ」などという。）。
１Ａ：基板上にｎ型層，活性層，ｐ型層が積層された構造を備え，該ｐ型層上と，
該ｎ型層が一部露出された表面に，それぞれ正電極と負電極が設けられた
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって，
１Ｂ：前記ｎ型層中に，第一のｎ型層と，第一のｎ型層に接して，第一のｎ型層
よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と，を有すると共に，
１Ｃ：前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型層領域において，前記
第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層と，該第一のｎ型層の
基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する
１Ｄ：窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
イ本件発明２（本件特許２の特許請求の範囲の請求項１記載の発明）を構成要
件に分説すると，次のとおりである（以下，分説に係る各構成要件を符号に対応
して「構成要件２Ａ」などという。なお，本件の審理中に訂正がされた関係上，
符号２Ｅと同２Ｆの順が入れ替わっている。）。
２Ａ：Ｉｎを含む窒化物半導体からなる井戸層と窒化物半導体からなる障壁層を
有する量子井戸構造の活性層を，ｐ型窒化物半導体層と，ｎ型窒化物半導
体層とで挟む構造を有する窒化物半導体素子において，
２Ｂ：前記活性層がＬ個（Ｌ≧２）の前記障壁層を有し，
２Ｃ：前記ｎ型窒化物半導体層に最も近い位置に配置された障壁層を障壁層Ｂ１，
該障壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えてｉ番目（ｉ＝
１，２，３，・・・Ｌ）の障壁層を障壁層Ｂｉ，とした時に，ｉ＝Ｌの障
壁層ＢＬが，前記ｐ型窒化物半導体層中に設けられ，前記活性層よりもバ
ンドギャップエネルギーの大きなＡｌを含む窒化物半導体の第１のｐ型窒
化物半導体層，と前記井戸層と，の間に設けられ，
２Ｄ：前記障壁層ＢＬの膜厚が，ｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜厚より大きく，
２Ｆ：前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層のｎ型不
純物濃度が１×１０17
／㎤以上２×１０18
／㎤以下であり，前記障壁層ＢＬ
を含む前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層のｎ型不純物濃度が５×
１０16
／㎤未満である，
２Ｅ：ことを特徴とする窒化物半導体素子。
(4)被告らの行為
被告ＬＥＤは，青色発光するＬＥＤであって，窒化物半導体素子である被告製品
を搭載している。
被告Ｅ＆Ｅは，平成２４年１２月頃，台湾法人であるEverlightElectronics社
（以下「エバー社」という。）から被告ＬＥＤ１０００個を輸入してこれを被告
立花に販売し，被告立花は，平成２５年１月頃，これを株式会社イガラシ（以下
「イガラシ」という。）に販売した。
なお，被告らは，被告製品が本件発明１の構成要件１Ａ及び１Ｄ，並びに本件発
明２の構成要件２Ａ，２Ｂ及び２Ｅを充足することにつき，争っていない。
（以上につき，甲６，乙２８ないし３５，丙１，２，５，７）
３争点
(1)被告製品は本件発明１の技術的範囲に属するか（争点１）
ア被告製品は構成要件１Ｂを充足するか（争点１－１）
イ被告製品は構成要件１Ｃを充足するか（争点１－２）
(2)本件発明１についての特許は特許無効審判により無効にされるべきものと認
められるか（争点２）
ア無効理由１（乙第６号証を主引例とする進歩性欠如）は認められるか（争点
２－１）
イ無効理由２（乙第１３号証を主引例とする進歩性欠如）は認められるか（争
点２－２）
ウ無効理由３（サポート要件違反）は認められるか（争点２－３）
エ無効理由４（実施可能要件違反）は認められるか（争点２－４）
オ無効理由５（乙第２７号証による新規性欠如）は認められるか（争点２－５）
(3)被告製品は本件発明２の技術的範囲に属するか（争点３）
ア被告製品は構成要件２Ｃを充足するか（争点３－１）
イ被告製品は構成要件２Ｄを充足するか（争点３－２）
ウ被告製品は構成要件２Ｆを充足するか（争点３－３）
(4)本件発明２についての特許は特許無効審判により無効とされるべきものと認
められるか（争点４）
ア無効理由１（サポート要件違反）は認められるか（争点４－１）
イ無効理由２（実施可能要件違反）は認められるか（争点４－２）
ウ無効理由３（訂正要件違反）は認められるか（争点４－３）
(5)被告ＬＥＤの譲渡等につき原告の承諾があったか（争点５）
(6)被告ＬＥＤの譲渡等の差止め及び廃棄の必要性があるか（争点６）
(7)損害及び不当利得の額（争点７）
４争点に対する当事者の主張
(1)争点１（被告製品は本件発明１の技術的範囲に属するか）について
【原告の主張】
ア被告製品の構成
被告製品の構成を本件発明１の構成要件充足性の判断に必要な限りで模式図によ
り示すと，別紙８（被告製品構造説明書(1)）のとおりとなる（甲６）。（判決
注：以下，原告の主張に係る同別紙の模式図中の番号によって特定される層を「層
(1)」などと記載する。）
イ争点１－１（被告製品は構成要件１Ｂを充足するか）について
(ｱ)被告製品は，そのｎ型層(61)中に，ｎ型層(A)と，これに接し，これよりも
電子キャリア濃度が大きいｎ型層(B)を有するから，構成要件１Ｂ「前記ｎ型層中
に，第一のｎ型層と，第一のｎ型層に接して，第一のｎ型層よりも電子キャリア濃
度が大きい第二のｎ型層と，を有すると共に，」を充足する。
(ｲ)被告らの主張について
被告らは，被告製品のｎ型層(61)中に有する高Ｓｉ濃度領域（被告らが「Ｓｉス
パイク」と称する領域）について，ＳｉＨ４の流量を変化させて生じたものではな
いから，電子キャリア濃度が大きいとは即断できないと主張するが，窒化ガリウム
系化合物半導体中の電子キャリア濃度が，ドーピングの手法にかかわらずドーパン
トの濃度に比例することは技術常識である。
また，被告らは，本件発明１における「第二のｎ型層」は，①均一な面発光が得
られ，②発光出力が向上し，③Ｖｆ（順方向電圧）が「明らかに」低下するという
効果を奏するものでなくてはならないとして，被告製品における高Ｓｉ濃度領域は，
これが属するｎ型層の他の領域と比べて約３倍程度のＳｉ濃度しかなく，上記各効
果を奏しないから，「第二のｎ型層」に当たらないと主張するが，特許請求の範囲
の記載は，電子キャリア濃度の差について何らの限定をしていないし，被告製品が
本件発明１の作用効果を奏しないということもない（甲１１）。
ウ争点１－２（被告製品は構成要件１Ｃを充足するか）について
(ｱ)被告製品において，ｎ型層(A)とｎ型層(B)はｎ型層中の，基板とｎ型層露出
表面の間のｎ型層領域にあり，ｎ型層(B)はｎ型層(A)の基板側に設けられているか
ら，被告製品は構成要件１Ｃ「前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型
層領域において，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層と，該第
一のｎ型層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する」を充足する。
(ｲ)被告らの主張について
被告らは，被告製品のｎ型層(61)中に高Ｓｉ濃度領域が存在することを認めなが
ら，同領域は，ＳｉＨ４の流量を変化させずに，単にいったん低下させたＴＭＧａ
の流量を徐々に戻しながら形成されているから，ｎ型層(61A)と同(61B)とは単一の
層（被告の主張する層[61-2]）と認定されるべきと主張して，この場合には構成要
件１Ｃを充足しないと主張する。
しかしながら，そもそも，物の発明である本件発明１の充足性に関し，製造方法
に依拠した主張をすること自体失当であるし，被告らが依拠する分析結果（乙１）
によっても，被告製品は，ｎ型層中に，電子キャリア濃度の大きいｎ型層(61B)を
有していることが明らかである。
【被告らの主張】
ア被告製品の構成
被告製品の構成を本件発明１の構成要件充足性の判断に必要な限りで模式図によ
り示すと，別紙１０（被告製品全体模式図），別紙１１（被告製品層[61-1][61-
2][61-3]付近模式図）及び別紙１２（被告製品活性層（層[4～60]）模式図）のと
おりとなる。（判決注：以下，被告らの主張に係る上記各別紙の模式図中の番号に
よって特定される層を「層[1]」などと記載する。）
イ争点１－１（被告製品は構成要件１Ｂを充足するか）について
(ｱ)「電子キャリア濃度が大きい」との立証がないこと
被告製品における層[61-2]中の，層[61-3]との界面付近に相当する甲６号証の１
の図２（３）－１のＳＩＭＳチャートの深さ（Ｄｅｐｔｈ）３μｍ付近には，Ｓｉ
濃度の小さなピーク（以下「Ｓｉスパイク」という。）が観察されるが，このＳ
ｉスパイクは，ＳｉＨ４の流量を変化させて生じたものではない（ＳｉＨ４の流量
を変化させずに，Ｇａ源であるＴＭＧａの流量を変化させたものである。）から，
結晶成長の際にＳｉＨ４流量を変化させた場合に観察される「Ｓｉ濃度と電子キャ
リア濃度が相関する」という甲６号証の２に示される立論が当然に成り立つもので
はなく，Ｓｉスパイクに相当する部分の「電子キャリア濃度が大きい」と即断する
ことはできない。
(ｲ)「第二のｎ型層」に当たらないこと
本件明細書１の記載からして，本件発明１における「第二のｎ型層」は，これを
有することにより，他の発光素子と比べて，①均一な面発光が得られ，②発光出力
が向上し，③Ｖｆ（順方向電圧）が「明らかに」低下する，という効果を奏するも
のでなくてはならないところ，被告製品におけるＳｉスパイクは，これが属するｎ
型層の他の領域と比べて約３倍程度のＳｉ濃度しかなく，実験の結果（乙１ないし
３）からしても，被告製品は上記①ないし③の効果を奏するものではない。
したがって，被告製品は「第二のｎ型層」を有しないから，構成要件１Ｂを充足
しない。
ウ争点１－２（被告製品は構成要件１Ｃを充足するか）について
原告は，被告製品の構成を説明する中で，Ｓｉ源であるＳｉＨ４の流量や結晶成
長温度が異なる部分をも単一の層であると主張するが，このような説明が許される
のであれば，ＳｉＨ４の流量を変化させずに，単にいったん低下させたＴＭＧａの
流量を徐々に戻しながら形成された層[61-2]も，単一の層と認定されるべきである。
そうすると，仮に，層[61-2]中にＳｉスパイクが存することを理由に，単一の層
たる層[61-2]が「第二のｎ型層」に当たるとしても，層[61-2]よりも層[61-3]が基
板側に設けられていること，層[61-1]は「前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間
にあるｎ型層領域」にないことから「該第一のｎ型層」に当たらないことからして，
層[61-2]は，「該第一のｎ型層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層」とはいえ
ないこととなる。
したがって，被告製品は，構成要件１Ｃ「前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の
間にあるｎ型層領域において，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成され
た層と，該第一のｎ型層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する」を
充足しない。
(2)争点２（本件発明１についての特許は特許無効審判により無効にされるべき
ものと認められるか）について
ア争点２－１（無効理由１〔乙第６号証を主引例とする進歩性欠如〕は認めら
れるか）について
【被告らの主張】
(ｱ)本件特許１の原出願日より前に日本国内で頒布された特開平４－３２１２８
０号公報（以下「乙６公報」という。）には，青色発光ダイオードに係る発明
（以下「乙６発明」という。）が開示されているところ，本件発明１と乙６発明
とは，次の２点において相違するほかは，同一である。
①本件発明１のｎ型層は，相対的に高い電子キャリア濃度のｎ型層（第二のｎ
型層）が，相対的に低い電子キャリア濃度のｎ型層（第一のｎ型層）に接して，基
板側に設けられている構造であるのに対し，乙６発明のｎ型層の層構造は明示され
ていない点。
②本件発明１の第一のｎ型層と第二のｎ型層は，基板とｎ型層の露出表面との
間にあるｎ型層領域に設けられているのに対し，乙６発明のｎ型層の配置は明示さ
れていない点。
(ｲ)しかるところ，本件発明１と同一の技術分野に属する窒化ガリウム系化合物
半導体素子のｎ型層において，高キャリア濃度ｎ型層を低キャリア濃度ｎ型層に接
して基板側に配置するとの層構造は，本件特許１の原出願日当時における周知技術
（少なくとも公知技術）であったから（乙７ないし１２），乙６発明に同周知技術
又は公知技術を適用して，上記相違点①に係る本件発明１の層構造とすることは，
当業者が容易に想到できたものである。
また，そのような層構造を採用した際，具体的に各層がどのような配置となるか
については，ｎ型層をどの程度エッチングして露出させるかという単なる設計的事
項にすぎない（乙１３，２７），若しくは，乙１３号証には，ｎ型層の全てが基板
と露出表面の間にあるｎ型層領域である構成が開示されているから，当業者におい
て，乙６発明から適宜設計して，又は乙１３号証に開示された構成を組み合わせて，
上記相違点②に係る本件発明１のｎ型層の配置とすることは，容易に想到できたも
のである。
(ｳ)そうすると，本件発明１は，乙６発明に基づき，これに周知慣用技術を適用
して，又は周知慣用技術及び乙１３号証記載の構成を組み合わせて，当業者が容易
に発明することができたものであるから，本件発明１についての特許は，特許法２
９条２項に違反してされたものである。
したがって，本件発明１についての特許には，特許法１２３条１項２号の無効理
由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，原告は，被告ら
に対し，本件特許権１を行使することができない（同法１０４条の３第１項）。
【原告の主張】
(ｱ)乙６発明と本件発明１とは，次の２点において形式的に相違する。
①本件発明１が「前記ｎ型層中に，第一のｎ型層３’と，第一のｎ型層３’に
接して，第一のｎ側層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層３３と，を有
する」（構成要件１Ｂ）のに対して，乙６発明ではｎ型層中に第一のｎ型層３のみ
を有する点。
②本件発明１が「前記ｎ型層中の基板１と前記露出表面の間にあるｎ型層領域
において，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層３’と，該第一
のｎ型層３’の基板側に設けられた前記第二のｎ型層３３と，を有する」（構成要
件１Ｃ）のに対して，乙６発明では，ｎ型層中の基板１と露出面の間にあるｎ型層
領域において，第一のｎ型層３のみを有する点。
もっとも，上記２点の相違点は，技術的に密接に関連しており，乙６発明と本件
発明１の実質的な相違点は，露出表面を形成したｎ型層に加えて，その基板側に高
キャリア濃度のｎ型層を有するか否かという点に集約される。
(ｲ)被告らは，高キャリア濃度ｎ型層を低キャリア濃度ｎ型層に接して基板側に
配置するとの層構造は，本件特許１の原出願日当時における周知技術（少なくとも
公知技術）であったと主張するが，被告らが周知技術の根拠とする乙７号証ないし
乙１２号証には，負電極用の露出表面が形成された第一のｎ型層の基板側に接して，
第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度の高い第二のｎ型層を形成する構成は一切開
示されていないから，乙６発明に乙７号証ないし乙１２号証記載の構成を組み合わ
せたところで，上記実質的相違点に係る本件発明１の構成は導かれない。また，低
キャリア濃度ｎ型層に電極形成用の露出表面を形成すると，電極とｎ型層との接触
抵抗が極めて高くなり，電極から注入された電流の水平方向の広がりが不十分にな
ることから，乙６発明におけるｎ型層を，乙７号証ないし乙１２号証における高キ
ャリア濃度ｎ型層と低キャリア濃度ｎ型層で置換したとしても，当業者は，高キャ
リア濃度ｎ型層に電極形成用の露出表面を形成するのが当然であり，低キャリア濃
度ｎ型層に電極形成用の露出表面を形成する動機はなく，本件発明１の構成とする
ことには阻害要因がある。
また，乙２７号証は，単にｎ層の成長初期においてドーピング濃度を高くすれば
よいことを説明しているのではなく，オーム性電極形成を容易にするために当該ド
ーピング濃度の高い部分にオーム性電極を接触させることを開示しているのであり，
電極形成層の下に，これより高い電子キャリア濃度層を設ける構成は開示されてい
ないから，乙６発明に乙２７号証記載の構成を組み合わせても，上記実質的相違点
に係る本件発明１の構成は導かれない。
イ争点２－２（無効理由２〔乙第１３号証を主引例とする進歩性欠如〕は認め
られるか）について
【被告らの主張】
本件特許１の原出願日より前に日本国内で頒布された特開平６－２１５１１号公
報（以下「乙１３公報」という。）には，半導体発光素子に係る発明（以下「乙
１３発明」という。）が開示されているところ，本件発明１と乙１３発明とは，
「本件発明１のｎ型層は，相対的に高い電子キャリア濃度のｎ型層（第二のｎ型層）
が，相対的に低い電子キャリア濃度のｎ型層（第一のｎ型層）に接して，基板側に
設けられている構造であるのに対し，乙１３発明のｎ型層の層構造は明示されてい
ない点」において相違するほかは，同一である。
しかるところ，本件発明１と同一の技術分野に属する窒化ガリウム系化合物半導
体素子のｎ型層において，高キャリア濃度ｎ型層を低キャリア濃度ｎ型層に接して
基板側に配置するとの層構造は，本件特許１の原出願日当時における周知技術（少
なくとも公知技術）であったから（乙７ないし１２），乙１３発明に同周知技術又
は公知技術を適用して，又は乙２７号証記載の構成を組み合わせて，上記相違点に
係る本件発明１の層構造とすることは，当業者が容易に想到できたものである。
したがって，本件発明１は，乙１３発明に基づいて，当業者が容易に発明するこ
とができたものであり，本件発明１についての特許は，特許法１２３条１項２号の
無効理由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，原告は，
被告らに対し，本件特許権１を行使することができない（同法１０４条の３第１
項）。
【原告の主張】
上記争点２－１について主張したところと同様の理由により，乙１３発明に乙７
号証ないし乙１２号証記載の構成，さらには乙２７号証記載の構成を組み合わせて
も，本件発明１の構成は導かれないし，低キャリア濃度ｎ型層に電極形成用の露出
表面を形成する動機はなく，本件発明１の構成とすることには阻害要因があるから，
被告らの主張には理由がない。
ウ争点２－３（無効理由３〔サポート要件違反〕は認められるか）について
【被告らの主張】
本件発明１の作用効果である①均一な面発光が得られ，②発光出力が向上し，③
Ｖｆ（順方向電圧）が「明らかに」低下するという作用効果を奏しない領域が，形
式的に「第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい」ことを理由に「第二のｎ
型層」に当たるというのであれば，特許請求の範囲には，発明の詳細な説明に記載
された課題解決手段が反映されていないというべきであるし，発明の詳細な説明に
開示された内容を過度に拡張ないし一般化するものであるから，本件発明１は，発
明の詳細な説明に記載したものでなく，本件発明１についての特許は，特許法３６
条６項１号の規定に違反してされたものである。
したがって，本件発明１についての特許には，特許法１２３条１項４号の無効理
由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，原告は，被告ら
に対し，本件特許権１を行使することができない（特許法１０４条の３第１項）。
【原告の主張】
被告らの主張は，被告製品における高Ｓｉ濃度領域が，本件発明１の作用効果を
奏しないことを前提とするものであるが，第二のｎ型層の電子キャリア濃度と第一
ｎ型層の電子キャリア濃度の差がそれほど大きくない場合であっても，本件発明１
の効果が得られることに変わりはないから，被告らの主張は前提を誤っている。
エ争点２－４（無効理由４〔実施可能要件違反〕は認められるか）について
【被告らの主張】
(ｱ)本件明細書１の記載をみても，どのような構成とすれば，被告製品のような
濃度差の小さいＳｉスパイクでもなお本件発明１の作用効果を奏することができる
のか，当業者において理解することができない。
(ｲ)また，甲９号証に電子キャリア濃度が「５×１０16
から２×１０18
cm-3
まで自
由に制御できた。」との記載があるとおり，本件明細書１に実施例として記載され
ている「1E+20atom/cm3
」や「5E+20atom/cm3
」など極めて高い電子キャリアを有
する第二のｎ型層を得るための具体的な製造方法は，本件明細書１には記載されて
おらず，当業者において理解することができない。
(ｳ)以上の２点において，本件明細書１の発明の詳細な説明は，経済産業省令で
定めるところにより，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に
記載したものとはいえないから，本件発明１についての特許は，特許法（平成１４
年法律第２４号による改正前のもの。）３６条４項の規定に違反してされたもので
ある。
したがって，本件発明１についての特許には，特許法１２３条１項４号の無効理
由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，原告は，被告ら
に対し，本件特許権１を行使することができない（特許法１０４条の３第１項）。
【原告の主張】
被告らの主張のうち(ｱ)については，被告製品における高Ｓｉ濃度領域が，本件
発明１の作用効果を奏しないことを前提とする主張であるが，その前提が誤ってい
ることは，すでに争点２－３について主張したとおりである。
被告らの主張のうち(ｲ)については，甲９号証の理解を誤るものである。甲９号
証は，同記載の範囲外の濃度を実施できないことを何ら含意するものではない。
オ争点２－５（無効理由５〔乙第２７号証による新規性欠如〕は認められるか）
について
【被告らの主張】
本件特許１の原出願日より前に日本国内で頒布された特開平４－２４２９８５号
公報（以下「乙２７公報」という。）には，窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
ダイオードに係る発明（以下「乙２７発明」という。）が開示されているところ，
本件発明１と乙２７発明とは，次のとおり，同一の発明である。
ａ乙２７発明は，基板上にＧａＡｌＮ層(3)，ＧａＮ層(4)，ＧａＡｌＮ層(5)
が積層され，ＧａＡｌＮ層(5)とＧａＡｌＮ層(3)の露出表面に，それぞれ金属電極
(6A)及び(6B)を形成した構造を備える（乙２７公報の段落【００４０】【００４１】
【００４３】【００４５】【図１】）。ここで，乙２７発明の「ＧａＡｌＮ層(3)」
が本件発明１の「ｎ型層」に，乙２７発明の「ＧａＮ層(4)」が本件発明１の「活
性層」に，乙２７発明の「ＧａＡｌＮ層(5)」が本件発明１の「ｐ型層」に，乙２
７発明の「金属電極(6A)及び(6B)」が本件発明１の「正電極」及び「負電極」に，
それぞれ相当するから，乙２７発明の上記構造は，本件発明１の構成要件１Ａに相
当する。
ｂ乙２７発明のＧａＡｌＮ層(3)に関して，乙２７公報の段落【００２５】
【００３８】には，ｎ層成長初期に高濃度にドーピングし，ｐｎ接合付近ではドー
ピングしないかあるいは低濃度にドーピングしてもよい旨が記載されているから，
ＧａＡｌＮ層(3)をかかる態様でドーピングすると，基板側に高濃度にドーピング
された（電子キャリア濃度が大きい）層が，電極面側にドーピングしないか低濃度
にドーピングされた層に接して形成される。この構造は，本件発明１の構成要件１
Ｂに相当する。
ｃ乙２７発明のＧａＡｌＮ層(3)は，電極(6B)用の露出表面と基板との間に設
けられており，この構造は，上記ｂの構造と併せると，本件発明１の構成要件１Ｃ
に相当する。
ｄ乙２７発明は，窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であるから，本件発明
の構成要件１Ｄに相当する。
以上のとおり，本件発明１は，本件特許の原出願前に日本国内で頒布された刊行
物に記載された発明であるから，本件発明１についての特許は，特許法２９条１項
３号の規定に違反してされたものである。
したがって，本件発明１についての特許には，特許法１２３条１項２号の無効理
由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，原告は，被告ら
に対し，本件特許権１を行使することができない（特許法１０４条の３第１項）。
【原告の主張】
乙２７公報の段落【００２５】には，「ｎ層のオーム性電極形成を容易にするた
めにｎ層成長初期に高濃度にドーピングし，ｐｎ接合付近ではドーピングしないか
或いは低濃度にドーピングしても良い。」との記載があるが，これは，段落【００
３２】からも明らかなように，同一組成の結晶によるｐｎ接合構造（ホモ接合構造）
の半導体レーザダイオードの作成方法に関する記載である。他方，乙２７公報の段
落【図１】は，段落【００３８】からも明らかなように，異種組成の結晶による接
合が二つ形成されている構造（ダブルへテロ接合構造）に関する記載である。
乙２７公報は，ダブルへテロ接合構造のレーザダイオードにおいて，オーム性電
極形成を容易にするために，高濃度ドーピング層（高濃度キャリア層）を，電極と
接触する電極形成層としてｎ層に設けることを開示するにとどまり，高濃度ドーピ
ング層を電極形成層の下に形成する構成を開示するものではない。
したがって，乙２７発明は，構成要件１Ｃを備えない点において，本件発明１と
は相違するから，本件発明１についての特許が特許法２９条１項に違反してされた
ということはない。
(3)争点３（被告製品は本件発明２の技術的範囲に属するか）について
【原告の主張】
ア被告製品の構成
被告製品の構成を本件発明２の構成要件充足性の判断に必要な限りで模式図によ
り示すと，別紙９（被告製品構造説明書(2)）のとおりとなる（甲７）。
イ争点３－１（被告製品は構成要件２Ｃを充足するか）について
被告製品において，ｎ型窒化物半導体層に最も近い位置に配置された障壁層(39)
を障壁層Ｂ１としたときに，該障壁層からｐ型窒化物半導体層(1)及び(2)に向かっ
て数えて１９番目の障壁層Ｂ19に当たる障壁層(3)は，ｐ型窒化物半導体層中に設
けられ，活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きなＡｌを含む窒化物半導体
のｐ型層(2)と，井戸層(4)との間に設けられているから，被告製品は構成要件２Ｃ
「前記ｎ型窒化物半導体層に最も近い位置に配置された障壁層を障壁層Ｂ１，該障
壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えてｉ番目（ｉ＝１，２，
３，・・・Ｌ）の障壁層を障壁層Ｂｉ，とした時に，ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬが，前記
ｐ型窒化物半導体層中に設けられ，前記活性層よりもバンドギャップエネルギーの
大きなＡｌを含む窒化物半導体の第１のｐ型窒化物半導体層，と前記井戸層と，の
間に設けられ，」を充足する。
ウ争点３－２（被告製品は構成要件２Ｄを充足するか）について
(ｱ)障壁層(3)の膜圧（３４０Å）は，障壁層(5)，(7)，(9)，(11)，(13)，(15)，
(17)，(19)，(21)，(23)，(25)，(27)，(29)，(31)，(33)，(35)，(37)及び(39)の
いずれの膜圧（１５０ないし１６０Å）よりも大きいから，被告製品は構成要件２
Ｄ「前記障壁層ＢＬの膜圧が，ｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜圧より大きく，」を充足す
る。
(ｲ)被告らの主張について
被告らは，層(40)ないし層(60)も「活性層」と認定すべきであると主張するが，
本件発明２の「活性層」のうち，「Ｉｎを含む窒化物半導体からなる井戸層」に当
たるためには，単に「Ｉｎを含む窒化物半導体」であるのみでは足りず，キャリア
の発光再結合による発光を可能とする層でなくてはならないところ，被告製品にお
いて，層(4)，(6)・・・(38)と比してバンドギャップが狭くなく，Ｉｎ混晶比も相
対的に低い層(40)，(42)・・・(60)は，「井戸層」に当たらないから，層(40)ない
し層(60)が「活性層」に含まれるということはない。また，被告製品と構造が異な
る製品が問題とされた他の訴訟における原告の主張は，被告製品における「活性層」
の認定の根拠とはなり得ないというべきである。
被告らは，層(3)は「活性層」と認定されるべきではないと主張するが，被告製
品における層(3)の組成及び構造は，本件明細書２において障壁層として好ましい
とされた組成及び構造に合致しているし，活性層がＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸
層の繰り返しである場合には，ＩｎＧａＮ井戸層と第１のｐ型窒化物半導体層との
間に，障壁層としてのＧａＮを形成すれば足り，障壁層ではないバッファ層などを
あえて形成する必要はないから，層(3)は「活性層」に含まれるというべきである。
エ争点３－３（被告製品は構成要件２Ｆを充足するか）について
(ｱ)エバーライトエレクトロニクス株式会社作成の分析結果報告書（乙１）にお
ける被告製品のＳＩＭＳ分析の結果のうち，活性層近傍を拡大し，被告製品におけ
る各層に対応させて示すと，次図のとおりとなる（なお，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉの各プ
ロファイルを太線で示した。）。
ここで，活性層の最もｎ側にある障壁層Ｂ１（層(39)）を含む，活性層のｎ側の
約半分の領域（上記図の①，②）に含まれる複数の障壁層のＳｉ濃度は，１×１０
／㎤以上２×１０18
／㎤以下である。
次に，Ｓｉ濃度は，障壁層Ｂ11（層(19)）付近において５×１０16
／㎤まで落ち
GaN(3)
Si
AlGaN(2)InGaN(4)～(38)の偶数
GaN(5)～(39)の奇数
InGaN(40)～(60)の偶数
GaN(41)～(59)の奇数
BLB1
In
Al
N
①②③
5E+16
半導体層
表面側基板側
ている。ＳＩＭＳチャート上では，その後，ｐ側に行くに連れてＳｉプロファイル
の上昇が観察されるが，これは，試料の表面汚染の影響を受けたものである（この
ことは，ＳＩＭＳチャート上のＣ，Ｈ，Ｏの各プロファイルが同様に上昇している
ことからも分かる。）。この表面汚染の影響は，障壁層Ｂ11（層(19)）の位置にお
いて相応に残っているから，障壁層Ｂ11（層(19)）のＳｉ濃度は５×１０16
／㎤未
満になっているものと認められる。そして，活性層中でｎ型層側において高かった
Ｓｉ濃度が一度大きく下げた後に，意図的にＳｉ濃度を増加させることは考え難い
から，結局，活性層の最もｐ型にある障壁層ＢＬ（層(3)）を含む，活性層のｐ側
の約半分の領域（上記図の③）に含まれる複数の障壁層のＳｉ濃度は，５×１０16
／㎤未満であると認められる。
したがって，被告製品は，構成要件２Ｆ「前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型窒化物
半導体層側の複数の障壁層のｎ型不純物濃度が１×１０17
／㎤以上２×１０18
／㎤
以下であり，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層のｎ
型不純物濃度が５×１０16
／㎤未満である，」を充足する。
(ｲ)被告らの主張について
被告らは，ｎ型不純物には酸素（Ｏ）も含まれると主張して，ＳＩＭＳチャート
上のＯプロファイルだけを考えても構成要件２Ｆを充足しないと主張するが，ＳＩ
ＭＳにおける酸素の検出限界は１０17
／㎤程度であるから，ＳＩＭＳチャートの結
果を見ても被告製品に酸素が含まれているとはいえないし，そもそも，被告らは，
被告製品において酸素をｎ型ドーパントとして添加しているとも主張してないので
あるから，ＳＩＭＳチャート上のＯプロファイルは，ドーパントではなく単なる異
物にすぎないというべきである。
【被告らの主張】
ア被告製品の構成
被告製品の構成を本件発明２の構成要件充足性の判断に必要な限りで模式図によ
り示すと，別紙１０（被告製品全体模式図），別紙１１（被告製品層[61-1][61-
2][61-3]付近模式図）及び別紙１２（被告製品活性層（層[4～60]）模式図）のと
おりとなる。
イ争点３－１（被告製品は構成要件２Ｃを充足するか）について
争点３－２において主張するとおり，被告製品において障壁層ＢＬに相当するの
は障壁層[5]であり，原告の主張する層(3)ではない。
ウ争点３－２（被告製品は構成要件２Ｄを充足するか）について
被告製品における「活性層」は，層[3-1]ないし層[39]ではなく，層[4]ないし層
[60]と把握されるべきである。なぜなら，層[40]ないし層[60]も，「Ｉｎを含む窒
化物半導体からなる井戸層と窒化物半導体からなる障壁層を有する量子井戸構造」
を有し（本件明細書２の【請求項１】，段落【０００８】参照），具体的な組成と
しても一般式ＩｎαＧａ1-αＮ（０＜α≦１）を充足する（本件明細書２の段落【０
０３６】参照）上，原告自身，他の訴訟において「活性層」について「井戸層に始
まり井戸層に終わる」と主張していることからすれば，層[40]ないし層[60]も「活
性層」と認定すべきであるし，層[3-1]及び層[3-2]は，活性層の上に直接ＡｌＧａ
Ｎ層[2]を成長させることによる活性層の結晶性悪化を防止するために設けられた
キャップ層[3-2]及びバッファ層[3-1]であるから，「活性層」と認定されるべきで
はない。
そうすると，被告製品における「障壁層ＢＬ」に相当するのは層[5]であって，
他の障壁層の膜圧より大きいわけではないから，被告製品は，構成要件２Ｄ「前記
障壁層ＢＬの膜圧が，ｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜圧より大きく，」を充足しない。
仮に，層[3-1]及び層[3-2]までも「活性層」と認定されるとすれば，層[61-1]も
「活性層」と認定されるべきであり，その場合には，層[61-1]の膜圧は，層[3-1]
及び層[3-2]の膜圧よりもはるかに大きいから，やはり被告製品は，構成要件２Ｄ
「前記障壁層ＢＬの膜圧が，ｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜圧より大きく，」を充足しな
い。
エ争点３－３（被告製品は構成要件２Ｆを充足するか）について
(ｱ)構成要件２Ｆは，障壁層にｎ型不純物をドープするか否かという製法ではな
く，障壁層に含まれるｎ型不純物の濃度により発明の構成を特定するものであるか
ら，構成要件２Ｆの充足性を判断するには，意図的にドープされたか否かにかかわ
らず，障壁層に含まれる全てのｎ型不純物の濃度を検討すべきである。
そして，本件明細書２の記載によれば，ｎ型不純物はＳｉに限られるものではな
く，例えば酸素（Ｏ）が含まれるところ，ＳＩＭＳチャートによれば，被告製品の
障壁層には，酸素が７×１０16
／㎤程度検出されている。そうすると，酸素の濃度
だけを見ても，被告製品の障壁層には５×１０16
／㎤を超えるｎ型不純物が含まれ
ているのであるから，被告製品は構成要件２Ｆを充足しない。
(ｲ)また，Ｓｉ濃度についても，被告製品の層[5]ないし層[39]の奇数の層は，
全てＳｉをドープして形成しており，例えば層[5]及び層[7]のドーピングの濃度は
６×１０16
／㎤である。したがって，Ｓｉ濃度について見ても，被告製品は構成要
件２Ｆを充足しない。
(4)争点４（本件発明２についての特許は特許無効審判により無効とされるべき
ものと認められるか）について
ア争点４－１（無効理由１〔サポート要件違反〕は認められるか）について
【被告らの主張】
(ｱ)本件発明２の特許請求の範囲において，最もｐ型窒化物半導体側に設けられ
た最後の障壁層ＢＬの組成は特に限定されておらず，ノンドープの障壁層も含まれ
るところ，最後の障壁層の膜圧が厚くなればなるほど，発光効率は減少するから
（乙５），「閾値電流密度などの素子特性に優れ，且つ長寿命，高出力の窒化物半
導体素子を得る」という本件発明２の作用効果を得ることができなくなる。このよ
うな構成をも含む特許請求の範囲の記載は，発明の詳細な説明に記載された課題解
決手段が反映されていない。
(ｲ)本件発明２の構成要件２Ｆは，障壁層Ｂ１を含むｎ型窒化物半導体層側の複
数の障壁層のｎ型不純物濃度について「１×１０17
／㎤以上２×１０18
／㎤以下」
と特定するものであるが，本件明細書２において，Ｂ１を含む複数の障壁層をドー
プで，ＢＬを含む複数の障壁層をアンドープで成長させた実施例は実施例１２のみ
であるところ，同実施例からは，「１×１０17
／㎤以上２×１０18
／㎤以下」とい
う数値を特定する技術的意義を理解することができない。そうすると，特許請求の
範囲に記載された数値範囲全体にわたる十分な数の具体例が示されておらず，技術
常識に照らしても，同数値範囲全体について発明の詳細な説明に記載があるという
ことはできない。
(ｳ)以上の２点において，本件発明２についての特許は，特許法３６条６項１号
の規定に違反して特許されたものである。
したがって，本件発明２についての特許には，特許法１２３条１項４号の無効理
由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，原告は，被告ら
に対し，本件特許権２を行使することができない（特許法１０４条の３第１項）。
【原告の主張】
(ｱ)被告らの主張のうち(ｱ)について，乙５号証記載の計算結果が正しいかは，
現実の素子を用いて検証されなければ不明というほかないし，仮に，これが正しい
ことを前提としても，通常の定格駆動電流を用いた場合にまで，最後の障壁層の膜
圧により出力が変化することを読み取ることはできない。そもそも，本件発明２に
より解決すべき課題は，第１のｐ型窒化物半導体層の熱による井戸層への悪影響や，
ｐ型キャリアにとって十分広い空間を確保できないことによる素子寿命の低下であ
り，同課題を本件発明２の構成により解決できることは当業者にとって明らかであ
る。
(ｲ)被告らの主張のうち(ｲ)について，本件明細書２の段落【００４１】には，
障壁層Ｂ１を含むｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層のｎ型不純物濃度を５×１
０16
／㎤以上２×１０18
／㎤以下とすることが，段落【０１２５】には，ｎ型不純
物の濃度の下限値が１×１０17
／㎤となることが，それぞれ開示されているから，
本件発明２が発明の詳細な説明に記載されていないということはない。
イ争点４－２（無効理由２〔実施可能要件違反〕は認められるか）について
【被告らの主張】
本件発明２は，最もｐ型窒化物半導体側に設けられた最後の障壁層ＢＬの膜圧が，
他の障壁層Ｂｉの膜圧よりも大きいとするが（構成要件２Ｄ），単に障壁層ＢＬの
厚さを厚くすることを超えて，「他の障壁層よりも厚い」ことの技術的意義は，本
件明細書２の発明の詳細な記載や技術常識を考慮しても理解することができない。
よって，本件発明２についての特許は，特許法（平成１４年法律第２４号による改
正前のもの。）３６条４項の規定に違反してされたものである。
したがって，本件発明２についての特許には，特許法１２３条１項４号の無効理
由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，原告は，被告ら
に対し，本件特許権２を行使することができない（特許法１０４条の３第１項）。
【原告の主張】
本件明細書２の段落【００５１】の記載を当業者が参照すれば，ｉ≠Ｌの障壁層
Ｂｉよりも障壁層ＢＬ膜圧が大きいことの意義が，ｐ型のキャリアが多く存在する
空間を広くし，素子寿命を向上しながら，ｎ型層側から活性層内の各井戸層までの
距離を近づけて，各井戸層へのｎ型層側からのキャリアの注入を促進する点にある
ことを理解できるから，本件発明２についての特許が特許法（平成１４年法律第２
４号による改正前のもの。）３６条４項の規定に違反してされたということはない。
ウ争点４－３（無効理由３〔訂正要件違反〕は認められるか）について
【被告らの主張】
(ｱ)本件発明２についての特許に関し，原告は，訂正審判事件（訂正２０１５－
３９００１９）において，訂正前の請求項に「前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型窒化
物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をドープして成長させたものであり，前
記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化物半導体側の複数の障壁層がｎ型不純物をアンド
ープで成長させたものである」という特定事項を追加する訂正を行い（以下「第
１次訂正」という。），さらに，再度の訂正審判事件（訂正２０１５－３９００
８９）において，上記特定事項を「前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型窒化物半導体層
側の複数の障壁層のｎ型不純物濃度が１×１０17
／㎤以上２×１０18
／㎤以下であ
り，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層のｎ型不純物
濃度が５×１０16
／㎤未満である，」とする訂正を行ったが（以下「第２次訂正」
という。），いずれの訂正の訂正事項も，訂正前の本件明細書２の段落【００５
２】，【０１１８】ないし【０１３０】には記載されていない事項であるから，第
１次訂正，第２次訂正は，いずれも特許法１２６条５項の規定に違反してされたも
のである。
(ｲ)また，第１次訂正により追加された特定事項は，物の発明について特許請求
の範囲にその物の製造方法が記載されたものであるが，当該特許請求の範囲の記載
を，第２次訂正のように，物の構造，特性により特定する記載に改める訂正をする
には，当該製造方法により製造された物が，客観的にいかなる構造，特性を有する
かを立証した上，訂正後の発明特定事項にかかる物の構造，特性が，上記範囲を拡
張又は変更するものでないことを立証しなくてはならないというべきである。
しかるところ，「前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁
層がｎ型不純物をドープして成長させたものであり，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ
型窒化物半導体側の複数の障壁層がｎ型不純物をアンドープで成長させたものであ
る」との製造方法により製造された物が，客観的にいかなる構造，特性を有するか
については，本件明細書２の記載によっても明らかではない。
そうすると，第２次訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものであ
って，特許法１２６条６項の規定に違反してされたものである。
(ｳ)以上の２点において，本件発明２についての特許には特許法１２３条１項８
号の無効理由があり，特許無効審判により無効にされるべきものであるから，原告
は，被告らに対し，本件特許権２を行使することができない（特許法１０４条の３
第１項）。
【原告の主張】
(ｱ)被告らの主張のうち(ｱ)について，第１次訂正については，訂正前の本件明
細書２の段落【００５２】ないし【００５４】の記載を根拠とするものであり，第
２次訂正については，訂正前の本件明細書の段落【００４１】の記載を根拠とする
ものである。争点４－１において主張したとおり，本件明細書２には，障壁層Ｂ１
を含むｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層のｎ型不純物濃度を５×１０16
／㎤以
上２×１０18
／㎤以下とすること及びｎ型不純物の濃度の下限値が１×１０17
／㎤
となることが，それぞれ記載されているのであるから，第１次訂正，第２次訂正と
も，訂正前の明細書に記載された事項の範囲内のものであって，特許法１２６条５
項の規定に違反してされたものではない。
(ｲ)被告らの主張のうち(ｲ)について，訂正前の本件明細書２の段落【００４５】
には，「本発明において，アンドープとは意図的にドープしないことであり，窒化
物半導体成長時に，ｎ型若しくはｐ型不純物をドープしないで成長させるものであ
る。この時，不純物濃度は，５×１０16
／㎤未満となる。」として，「アンドープ
で成長させ」との構成と「ｎ型不純物濃度が５×１０16
／㎤未満」とが同義である
ことを明示しているのであるから，第２次訂正が特許請求の範囲の実質的な拡張に
当たるということはない。
(5)争点５（被告ＬＥＤの譲渡等につき原告の承諾があったか）について
【被告らの主張】
本件は，原告が，被告らに対して訴訟を提起することを目的に，イガラシを介し
て，被告ＬＥＤを被告らから購入したものである（いわば「おとり購入」というべ
きものである。）。被告らは，イガラシに販売した被告ＬＥＤ１０００個の他に，
被告ＬＥＤを譲渡，輸入又は譲渡の申出をしていない。
そうすると，被告らによる全ての被告ＬＥＤの譲渡，輸入又は譲渡の申出は，原
告自身の意思に基づく「おとり購入」により生じたものであり，特許権者である原
告の承諾に基づくものであるから，本件特許権の侵害には当たらない。
【原告の主張】
イガラシは，被告立花に対し，「砲弾型ＬＥＤ球」の購入を申し込んだにすぎず，
エバー社製のＬＥＤの購入を申し込んだものではないし，まして，型番等を指定し
て被告ＬＥＤの購入を申し込んだものでもないから，イガラシへの被告ＬＥＤの販
売が原告による「おとり購入」によるものなどということはできない。当然のこと
ながら，原告は，被告ＬＥＤの譲渡，輸入又は譲渡の申出を承諾したものではない。
(6)争点６（被告ＬＥＤの譲渡等の差止め及び廃棄の必要性があるか）について
【原告の主張】
被告らは，イガラシに対する譲渡以外に被告ＬＥＤを譲渡等していない旨主張す
るが，同主張は，信用できない。また，被告立花は，原告から特許権侵害の警告を
受けた後も，自社ウェブサイトにおいて，被告ＬＥＤを含むエバー社製のＬＥＤを
取り扱っている旨を依然として宣明している。これらの事情に鑑みると，いまだ被
告Ｅ＆Ｅがエバー社から被告ＬＥＤを輸入して，これを譲渡等するおそれがあり，
また，被告立花が被告ＬＥＤを譲渡等するおそれがあるというべきである。
【被告らの主張】
前記のとおり，本件は，原告がイガラシを介して被告ＬＥＤを購入した「おとり
購入」の事案であり，被告らはイガラシに対する譲渡以外に被告ＬＥＤを譲渡等し
ていないし，被告ＬＥＤの在庫を保有しているわけでもない。
したがって，被告らが将来被告ＬＥＤを輸入や譲渡等をする可能性はなく，差止
め及び廃棄の必要性は存在しないというべきである。
(7)争点７（損害又は不当利得の額）について
【原告の主張】
ア逸失利益又は実施料相当額
(ｱ)特許法１０２条２項により推定される損害の額
被告らが平成１９年６月２２日から平成２６年４月１０日までの間に被告ＬＥＤ
を販売したことにより得た利益は，被告Ｅ＆Ｅについて１０万５０００円（売上高
１０５万円の１０パーセント），被告立花について３万５０００円（売上高３５万
円の１０パーセント）である。特許法１０２条２項により，これらの利益額は，本
件特許権１又は同２が侵害されたことにより原告が受けた損害の額と推定される。
(ｲ)特許法１０２条３項により算定される損害の額
上記(ｱ)のとおり，被告らは，平成１９年６月２２日から平成２６年４月１０日
までの間に，本件発明１及び同２の実施品である被告ＬＥＤを販売して，被告Ｅ＆
Ｅについて１０５万円の，被告立花について３５万円の各売上げをあげたところ，
本件発明１及び同２の実施に対し特許権者である原告が受けるべき金銭の額は，そ
れぞれ，同売上高の１０パーセント（被告Ｅ＆Ｅについて１０万５０００円，被告
立花について３万５０００円）を下回ることはない。特許法１０２条３項により，
原告は，これらの額を原告が受けた損害の額として請求することができる。
(ｳ)連帯支払義務
被告立花が被告Ｅ＆Ｅから被告ＬＥＤを仕入れてこれを販売していることからす
れば，被告立花による被告ＬＥＤの販売によって原告が被った損害については，被
告らが連帯してこれを賠償する責任を負うというべきである。
(ｴ)不当利得の額
上記(ｲ)のとおり，本件発明１及び同２の実施に対し特許権者である原告が受け
るべき金銭の額は，被告ＬＥＤの売上高の１０パーセントであるところ，被告は，
原告に実施料を支払うことなく被告ＬＥＤを販売して売上げをあげたのであるから，
被告Ｅ＆Ｅについて１０万５０００円，被告立花について３万５０００円を利得し，
同額の損失が原告に発生している。
(ｵ)逸失利益額又は実施料相当額の小括
原告は，不法行為による損害賠償（ただし，上記(ｱ)と上記(ｲ)とを選択的に主張
する。）と不当利得返還（上記(ｴ)）とを選択的に請求するものであり，また，本
件発明１の実施による損害賠償（又は不当利得返還）と本件発明２の実施による損
害賠償（又は不当利得返還）とを選択的に請求するものである。
イ弁護士費用
原告が本件訴訟追行のために要した弁護士費用のうち，被告らによる特許権侵害
の不法行為と相当因果関係にある額は，本件特許権１の侵害について５０万円（被
告らそれぞれにつき２５万円），本件特許権２の侵害について５０万円（被告らそ
れぞれにつき２５万円）の合計１００万円である（前記ア(ｳ)のとおり，被告立花
が被告Ｅ＆Ｅから被告ＬＥＤを仕入れてこれを販売していることからすれば，被告
立花による被告ＬＥＤの販売によって原告が被った損害については，被告らが連帯
してこれを賠償する責任を負うというべきである。）。
【被告らの主張】
ア逸失利益について
(ｱ)損害の不発生
前記のとおり，被告らが被告ＬＥＤを譲渡等したのは，イガラシに対する１００
０個のみであり，当該１０００個の被告ＬＥＤは，原告が訴訟の証拠とするために
全て受け取っている（また，その一部は，被告立花がイガラシから回収した。）。
そして，当該１０００個以外に，被告ＬＥＤは市場に出回っていない。したがって，
そもそも，被告ＬＥＤが譲渡等されなければ，原告の製品が販売されていたであろ
うとの条件関係が存在しないので，原告に逸失利益の損害は生じておらず，特許法
１０２条２項を適用する前提を欠くというべきである。
被告立花は，被告ＬＥＤを販売した売上代金（２万円）を全額イガラシに返金し
ているので，そもそも被告立花が受けた利益は零であるが，上記返金前の被告立花
の利益が被告ＬＥＤの売上高（上記のとおり，２万円である。）の１０パーセント
であることは争わない。
被告Ｅ＆Ｅは，被告ＬＥＤを販売したことによる同被告の利益の額が１０万５０
００円であることは争わない。
(ｲ)本件特許権１及び同２の寄与率を考慮した損害額の推定の覆滅
仮に，原告に何らかの逸失利益の損害が生じているとしても，原告は，被告ＬＥ
Ｄについて原告が保有する９件の特許権を侵害するなどと主張していること，被告
ＬＥＤは，本件発明１の作用効果を奏しないか，奏したとしても極めてわずかな効
果しか奏しないこと，被告ＬＥＤは，被告製品（窒化物半導体素子）にさらなる部
材を付加していること，有色ＬＥＤ市場における原告のシェアなどからすれば，本
件発明１が被告らの得た利益に寄与した割合は，５パーセントを上回ることはない。
よって，特許法１０２条２項により被告らが得た利益の額が，原告が受けた損害の
額と推定されるとしても，その９５パーセント相当額については，同推定が覆滅さ
れるべきである。
イ実施料率について
本件発明１及び同２の実施に対し特許権者である原告が受けるべき金銭の額が売
上高の１０パーセントを下回ることはないとの原告の主張は否認し，争う。
ウ弁護士費用について
本件と相当因果関係のある弁護士費用の損害額が，本件特許権１の侵害につき５
０万円，本件特許権２の侵害につき５０万円であるとの原告の主張は否認し，争う。
第３当裁判所の判断
１争点１（被告製品は本件発明１の技術的範囲に属するか）について
(1)被告製品の構成について
証拠（甲６，乙１）及び弁論の全趣旨によれば，被告製品は，基板上にｎ型層，
活性層，ｐ型層が積層された構造を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子で
あり，ｐ型層と，ｎ型層（別紙８〔被告製品構造説明書（１）〕にいう層(61)，別
紙１１〔被告製品層[61-1][61-2][61-3]付近模式図〕にいう層[61-1]ないし層[61-
3]）が一部露出された表面に，それぞれ正電極と負電極が形成されており，前記ｎ
型層中には，前記ｎ型層が一部露出された表面よりも基板側に（別紙８にいう層
(61B)，別紙１１にいう層[61-2]と層[61-3]の境界付近），Ｓｉ濃度が高い領域
（以下「高Ｓｉ濃度領域」という。）が存在していることが認められる。
(2)争点１－１（被告製品は構成要件１Ｂを充足するか）及び争点１－２（被告
製品は構成要件１Ｃを充足するか）について
ア前記のとおり，被告製品のｎ型層中には，高Ｓｉ濃度領域が存在するところ，
電気情報通信学会技術研究報告に掲載された加藤久喜ほか「ＳｉドープＧａＮを用
いた青色ＬＥＤの特性」（甲９）には，ＳｉドープＧａＮの電気的特性について，
「図－４にＳｉＨ４流量に対する室温における自由電子濃度Ｎ及びＳｉ濃度の関係
を示す。図から明らかなように，ＧａＮ中に取り込まれるＳｉは，ＳｉＨ４流量に
比例しており線型制御が可能であることがわかった。そしてＳｉＨ４流量すなわち
Ｓｉ濃度に比例して室温での自由電子濃度は増加し，５×１０16
から２×１０18
ｃ
ｍ-3
まで自由に制御できた。」との記載があり，これによれば，被告製品における
高Ｓｉ濃度領域の電子キャリア濃度は，ｎ型層中の他の領域よりも高いものと推認
でき，同推認を覆すに足りる証拠はない。
この点について，被告らは，被告製品中の高Ｓｉ濃度領域は，ＳｉＨ４の流量を
変化させて生じたものではないから，「Ｓｉ濃度と電子キャリア濃度が相関する」
という立論が当然に成り立つものではないと主張するが，前記文献には，ＧａＮ中
に取り込まれるＳｉがＳｉＨ４流量に比例することと，Ｓｉ濃度に比例して室温で
の自由電子濃度が増加することとを区別して記載しているのであるから，仮に，被
告製品の高Ｓｉ濃度領域が，ＳｉＨ４の流量を変化させて生じたものではないとし
ても，そのことをもって上記認定が左右されるものではない。
イ次に，被告製品中の高Ｓｉ濃度領域は，下図（原告作成の分析結果報告書
〔甲６の１〕の図２（３）－１のＳＩＭＳチャート。ただし赤色の点線，矢印及び
黒字による吹き出しを付した。）の深さ（Ｄｅｐｔｈ）３μｍ付近から明らかなと
おり，その上下に存する領域（Ｓｉの濃度がほぼ一定している領域）とは異なり，
不純物たるＳｉ濃度が，次第に増大した後に減少していることが認められ，証拠
（甲２３ないし２５）によれば，半導体の分野において，このように濃度が変化し
ている領域を「一つの層」と観念することがあるものと認められるから，被告製品
中の高Ｓｉ濃度領域も，「一つの層」と観念して差し支えないというべきである。
ウ以上によれば，被告製品（別紙８〔被告製品構造説明書(1)〕を用いてその
構造を説明する。）は，そのｎ型層(61)中に，ｎ型層(61A)と，これに接して，こ
れよりも電子キャリア濃度が大きいｎ型層(61B)を有し，ｎ型層(61)中，基板と露
出表面の間にあるｎ型層領域において，露出表面が形成されたｎ型層(61A)と，ｎ
型層(61A)の基板側に設けられたｎ型層(61B)を有すると認められる。
そして，被告製品の「ｎ型層(61A)」が本件発明１の「第一のｎ型層」に，被告
製品の「ｎ型層(61B)」が本件発明１の「第二のｎ型層」に，それぞれ当たるとい
えるから，被告製品は，構成要件１Ｂ「前記ｎ型層中に，第一のｎ型層と，第一の
ｎ型層に接して，第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と，
を有すると共に，」，同１Ｃ「前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型
層領域において，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層と，該第
一のｎ型層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する」をいずれも充足
高濃度Ｓｉ領域
Ｓｉ濃度一定領域
Ｓｉ濃度一定領域
する。
エなお，被告は，被告製品における高Ｓｉ濃度領域は，これが属するｎ型層の
他の領域と比べて約３倍程度のＳｉ濃度しかなく，本件発明１の作用効果である①
均一な面発光が得られ，②発光出力が向上し，③Ｖｆが明らかに低下する，という
効果を奏しないから，「第二のｎ型層」に当たらないと主張する。
しかしながら，そもそも，特許請求の範囲には，第一のｎ型層と第二のｎ型層と
の電子キャリア濃度の差を限定する記載はない上，証拠（甲１１）によれば，第二
のｎ型層のＳｉ濃度が第一のｎ型層のＳｉ濃度の３倍程度にとどまる発光素子であ
っても，第二のｎ型層が存在しない発光素子と比して，少なくともＶｆ値の低下が
見られたというのであるから，被告製品の高Ｓｉ濃度領域が，本件発明１の「第二
のｎ型層」に当たるとの認定は妨げられないというべきである。
(3)争点１の小括
前記前提事実及び上記認定説示によれば，被告製品は，本件発明１の構成要件を
全て充足するから，本件発明１の技術的範囲に属するものと認められる。
２争点２（本件発明１についての特許は特許無効審判により無効にされるべき
ものと認められるか）について
(1)争点２－１（無効理由１〔乙第６号証を主引例とする進歩性欠如〕は認めら
れるか）について
ア本件特許１の原出願日より前に日本国内で頒布された乙６公報には，次の記
載がある（引用に際し，乙６公報中の段落番号等を【】で示す。）。
「【請求項１】ＧａＸＡｌ１－ＸＮ（但しＸは０＜Ｘ≦１の範囲にある。）よりな
るバッファ層と，Ｚｎがドープされた発光する活性層と，Ｓｉがドープされたｎ型
のクラッド層と，さらに，Ｍｇがドープされたｐ型のクラッド層とを具備している
ことを特徴とする青色発光ダイオード。」
「【産業上の利用分野】本発明は，一般式がＧａＸＡｌ１－ＸＮ（０≦Ｘ≦１）で
表される窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色発光ダイオードに係り，特に発
光効率が高く，高輝度，かつ色純度の良い，青色発光ダイオードに関するものであ
る。」【０００１】
「・・・本発明は上記事情を鑑みて成されたものであり，上記ｉ型層をｐ型層と
ｎ型層ではさむ構造の青色発光ダイオードを実現することにより，高効率で，高輝
度かつ色純度等の発光特性に優れた青色発光ダイオードを提供することを目的とす
る。」【０００８】
「【課題を解決するための手段】本発明は，サファイア基板上に，一般式がＧａ
ＸＡｌ１－ＸＮ（０≦Ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体が積層された
構造を有する青色発光ダイオードにおいて，ＧａＸＡｌ１－ＸＮ（但しＸは０＜Ｘ≦
１の範囲にある。）よりなるバッファ層と，Ｚｎがドープされた発光する活性層と，
Ｓｉがドープされたｎ型のクラッド層と，さらに，Ｍｇがドープされたｐ型のクラ
ッド層とを具備していることを特徴とするものである。」【０００９】
「その構造の一例を図１にしめす。本発明の青色発光ダイオードは，サファイア
基板１上に，ＧａＸＡｌ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）よりなるバッファ層１２，Ｓｉがド
ープされたｎ型のクラッド層であるＳｉドープｎ型ＧａＸＡｌ１－ＸＮ層３（以下ｎ
型クラッド層という。），Ｚｎがドープされた発光する活性層であるＺｎドープＧ
ａＸＡｌ１－ＸＮ層１４（以下活性層とい
う。），Ｍｇがドープされたｐ型のクラッ
ド層であるＭｇドープｐ型ＧａＸＡｌ１－Ｘ
Ｎ層５（以下ｐ型クラッド層という。）が
順に積層され，さらに，３および５から電
極が取り出された構造となっている。」
【００１０】
イ乙６公報の上記アの記載によれば，乙６公報には次の発明（乙６発明）が記
載されているものと認められる。
「サファイア基板上にｎ型クラッド層，活性層，ｐ型クラッド層が積層された構
造を備え，該ｐ型クラッド層上と，該ｎ型クラッド層が一部露出された表面に，そ
れぞれ電極が設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
ウ乙６発明の「サファイア基板」は本件発明１の「基板」に，乙６発明の「ｎ
型クラッド層」は本件発明１の「ｎ型層」に，乙６発明の「ｐ型クラッド層」は本
件発明１の「ｐ型層」に，乙６発明の「電極」は本件発明１の「正電極と負電極」
に，それぞれ該当するといえるから，本件発明１と乙６発明とは，次の点で相違し，
その余の点において一致するものと認められる。
(ｱ)本件発明１は「前記ｎ型層中に，第一のｎ型層と，第一のｎ型層に接して，
第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と，を有する」のに対
し，乙６発明の「ｎ型クラッド層」がかかる層構造を有するかが明記されていない
点（以下「相違点６－１」という。）。
(ｲ)本件発明１は「前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型層領域に
おいて，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層と，該第一のｎ型
層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する」のに対し，乙６発明の
「ｎ型クラッド層」がかかる層構造を有するかが明記されていない点（以下「相
違点６－２」という。）
エ相違点に係る容易想到性について
被告らは，窒化ガリウム系化合物半導体素子のｎ型層において，高キャリア濃度
ｎ型層を低キャリア濃度ｎ型層に接して基板側に配置するとの層構造は，本件特許
１の原出願日当時における周知技術（少なくとも公知技術）であったとして，乙６
発明に同周知技術又は公知技術を適用して，相違点６－１に係る本件発明１の層構
造とすることは，当業者が容易に想到できた，また，そのような層構造を採用した
際に，具体的に各層がどのような配置となるかは，ｎ型層をどの程度エッチングし
て露出させるかという設計的事項にすぎないから，相違点６－２に係る本件発明１
の層構造とすることも，当業者が容易に想到できたなどと主張する。
確かに，本件特許１の原出願日前に日本国内で頒布されたと認められる乙７号証
ないし乙１２号証には，窒化ガリウム系化合物半導体素子のｎ型層中において，電
子キャリア濃度の小さいｎ型層（以下「ｎ－
層」という。）に接して，電子キャリ
ア濃度の大きいｎ型層（以下「ｎ＋
層」という。）が形成されている構成が開示さ
れているものと認められる。しかしながら，乙７号証ないし乙１２号証に開示され
た構成は，いずれも，ｎ－
層ではなくｎ＋
層に負電極用の露出表面が形成され，か
つ，同露出表面が形成されたｎ＋
層に接して，当該ｎ＋
層の上側に設けられたｎ－
層
が形成された構成が開示されているにとどまり，「電子キャリア濃度が小さくかつ
露出表面が形成されたｎ－
層と，これに接してこれよりも基板側に電子キャリア濃
度が大きいｎ＋
層が設けられている」という，相違点６－２に係る本件発明１の構
成は開示されていないのであるから，乙６発明に乙７号証ないし乙１２号証に開示
された構成を適用しても，相違点６－２に係る本件発明１の構成が導かれることは
ない。
この点について，被告らは，高キャリア濃度ｎ型層と低キャリア濃度ｎ型層とを
どのような配置とするかは，ｎ型層をどの程度エッチングして露出させるかという
設計的事項にすぎないなどと主張するが，前記のとおり，乙７号証ないし乙１２号
証に開示された構成においては，いずれもｎ＋
層に負電極用の露出表面が形成され
ているのであって，これらの証拠をもって，ｎ＋
層ではなくｎ－
層に電極形成用の
露出表面を形成することまでもが設計的事項にすぎないなどということはできない。
なお，乙２７公報の段落【００２５】には，「ドナー不純物をドーピングする場合，
その濃度に関してはｎ層に均一にドーピングしても良い。又，ｎ層のオーム電極形
成を容易にするためにｎ型層成長初期に高濃度にドーピングし，ｐｎ接合付近では
ドーピングしないか或いは低濃度にドーピングしても良い。」との記載があるが，
「ｎ層のオーム電極形成を容易にするために」との記載があることから明らかなと
おり，同記載は，高濃度にドーピングした層に電極を形成することが含意されてい
るのであり，乙２７公報をもっても，低濃度にドーピングした層に電極用の露出表
面を形成し，その下に接して高濃度にドーピングした層を設ける配置とすることが
設計的事項にすぎないと認めることはできないというべきである。
以上によれば，本件発明１が，乙６発明に被告ら主張の周知技術又は公知技術を
適用することにより，当業者が容易に発明をすることができたものであったとは認
められない（なお，被告らは，乙６発明に乙１３公報記載の構成を組み合わせるか
のような主張もするが，乙６発明に乙１３公報記載の構成を組み合わせても，上記
各相違点に係る本件発明１の構成に至らないことは明らかである。）。
オ争点２－１の小括
したがって，本件発明１についての特許が，被告らの主張する無効理由１によっ
て，特許無効審判により無効にされるべきものとは認められない。
(2)争点２－２（無効理由２〔乙第１３号証を主引例とする進歩性欠如〕は認め
られるか）について
ア本件特許１の原出願日より前に日本国内で頒布された乙１３公報には，次の
記載がある（引用に際し，乙１３公報中の段落番号等を【】で示す。）。
「【請求項１】発光層中に【化１】
層を少なくとも一層含む半導体発光素子において，発光層と成長基板との間に【化
２】層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】前記発光層中の【化１】層に接して，これよりバンドギャップエネ
ルギが大きい【化３】層を有すること
を特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。」
「【産業上の利用分野】本発明は，可視から紫外で発光する化合物半導体発光素
子用構造に関する。」【０００１】
「【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の問題点を解決するために提案
されたもので，その目的は，可視から紫外にわたる広い波長域における高効率半導
体発光素子を提供することにある。さらに詳述すれば，本発明は，発光層内へ電子
及び正孔を閉じ込めることが可能である上，発光層に用いた【化１】層の結晶性が
自動的に向上する半導体発光素子を提供することにある。」【０００５】
「【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子は，発光層中に【化１】
層を少なくとも一層含む半導体発光素子において，発光層と成長基板との間に【化
２】層を設けたことを最も主要な特徴とする。また，本発明の第２の主要な特徴は，
前記発光層中の【化１】層に接してこれと格子定数の異なる【化３】層を設けたこ
とにある。従来のＧａＮホモ接合ダイオード及びＧａＡｌＮ／ＧａＮヘテロ接合ダ
イオードとは，発光層中にＩｎを含
む層を少なくとも一層含む点が異な
る。さらに，従来のホモ接合ダイオ
ードとは，発光層中にヘテロ接合界
面を有する点が異なる。従来のＩｎ
ＧａＡｌＮ／ＩｎＧａＮヘテロ接合
ダイオードとは，格子不整合条件下
で素子を作製する点が異なるもので
ある。」【０００６】
「〔実施例１〕（格子不整合ダブルヘテロ構造及び単一量子井戸構造）
図１は，本発明の第１の実施例の構造を示す図であって，６１はサファイア（００
０１）基板，６２は膜厚５μｍ及び電子濃度１０19
ｃｍ-3
のＳｉドープｎ型ＧａＮ
電流注入層，６３は膜厚０．５μｍのアンドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ発光層，６４は膜
厚２μｍ及びホール濃度１０18
ｃｍ-3
のＭｇドープｐ型ＧａＮ電流注入層，６５は
ｎ側電極，６６はｐ側電極である。電極６５に対して正の電圧を６６に加えること
により，電子及び正孔を発光層６３に注入した。その結果，立ち上がり電圧４Ｖの
電流対電圧特性が得られ，波長３８０ｎｍ帯にのみ発光ピークを持つ発光を観測で
きた。最大光出力は１．６ｍＷであり，外部量子効率は２％であった。また，Ｉｎ
ＧａＮ発光層６３の組成を変化することによって，発光波長を６００ｎｍまで長波
長化することができた。」【００１０】
イ乙１３公報の上記アの記載によれば，乙１３公報には次の発明（乙１３発明）
が記載されているものと認められる。
「サファイア基板６１上にＳｉドープｎ型ＧａＮ電流注入層６２，アンドープＩ
ｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ発光層６３，Ｍｇドープｐ型ＧａＮ電流注入層６４が積層された構造
を備え，該Ｍｇドープｐ型ＧａＮ電流注入層６４上と，該Ｓｉドープｎ型ＧａＮ電
流注入層６２が一部露出された表面に，それぞれｐ側電極６６とｎ側電極６５が設
けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
ウ乙１３発明の「サファイア基板６１」は本件発明１の「基板」に，乙１３発
明の「Ｓｉドープｎ型ＧａＮ電流注入層６２」は本件発明１の「ｎ型層」に，乙１
３発明の「アンドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ発光層６３」は本件発明１の「活性層」に，
乙１３発明の「Ｍｇドープｐ型ＧａＮ電流注入層６４」は本件発明１の「ｐ型層」
に，乙１３発明の「ｐ側電極６６」は本件発明１の「正電極」に，乙１３発明の
「ｎ側電極６５」は本件発明１の「負電極」に，それぞれ該当するといえるから，
本件発明１と乙１３発明とは，次の点において相違し，その余の点において一致す
るものと認められる。
(ｱ)本件発明１は「前記ｎ型層中に，第一のｎ型層と，第一のｎ型層に接して，
第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と，を有する」のに対
し，乙１３発明の「Ｓｉドープｎ型ＧａＮ電流注入層６２」がかかる層構造を有す
るかが明記されていない点（以下「相違点１３－１」という。）。
(ｲ)本件発明１は「前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型層領域に
おいて，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層と，該第一のｎ型
層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する」のに対し，乙１３発明の
「Ｓｉドープｎ型ＧａＮ電流注入層６２」がかかる層構造を有するかが明記されて
いない点（以下「相違点１３－２」という。）
エ相違点に係る容易想到性について
上記相違点１３－１及び同１３－２は，争点２－１において検討した相違点６－
１及び同６－２と実質的に異なるところがないところ，既に認定説示したとおり，
乙７号証ないし乙１２号証には，「電子キャリア濃度が小さくかつ露出表面が形成
されたｎ－
層と，これに接してこれよりも基板側に電子キャリア濃度が大きいｎ＋
層が設けられている」という，相違点１３－２（相違点６－２と実質的に同一であ
る。）に係る構成は開示されていないのであるから，乙１３発明に乙７号証ないし
乙１２号証に開示された構成を適用しても，相違点１３－２に係る本件発明１の構
成が導かれることはない。また，乙７号証ないし乙１２号証及び乙２７公報をもっ
ても，低濃度にドーピングした層に電極用の露出表面を形成し，その下に接して高
濃度にドーピングした層を設ける配置とすることが設計的事項にすぎないと認める
ことはできない。したがって，本件発明１が，乙１３発明に周知技術又は公知技術
を適用することにより，当業者が容易に発明をすることができたものであったとは
認められない。
オ争点２－２の小括
したがって，本件発明１についての特許が，被告らの主張する無効理由２によっ
て，特許無効審判により無効にされるべきものとは認められない。
(3)争点２－３（無効理由３〔サポート要件違反〕は認められるか）について
ア被告らは，本件発明１の作用効果である①均一な面発光が得られ，②発光出
力が向上し，③Ｖｆ（順方向電圧）が「明らかに」低下するという作用効果を奏し
ない領域が，形式的に「第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい」ことを理
由に「第二のｎ型層」に当たるというのであれば，特許請求の範囲には，発明の詳
細な説明に記載された課題解決手段が反映されていないというべきであるし，発明
の詳細な説明に開示された内容を過度に拡張ないし一般化するものであるから，本
件発明１は，発明の詳細な説明に記載したものでないと主張する。
イそこで検討するに，本件明細書１には，次の記載がある（引用に際し，本件
明細書１の段落番号等を【】で示す。）。
「本発明はレーザダイオード（ＬＤ），発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子
に使用される窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１－ａ－ｂＮ，０≦a，０
≦b，a＋b≦１）よりなる発光素子に関する。」【０００１】
「従って本発明はこのような事情を鑑みてなされてものであり，その目的とする
ところは，ダブルへテロ，シングルへテロ等，少なくともｎ型層が活性層と基板と
の間に形成された構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において，ま
ず第一に活性層より均一な発光を得て，素子の光度，出力を向上させることにあり，
第二にＶｆをさらに低下させて，発光効率を向上させることにある。」【０００６】
「【課題を解決するための手段】我々はｎ型層にさらにキャリア濃度の高い層を
介在させることにより，上記問題が解決できることを見いだした。即ち，本発明の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は，基板上にｎ型層，活性層，ｐ型層が積層
された構造備え，ｐ型層上と，ｎ型層が一部露出された表面に，それぞれ電極が設
けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって，前記ｎ型層中に，第一の
ｎ型層と，第一のｎ型層に接して，第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい
第二のｎ型層と，を有すると共に，前記露出されたｎ型層表面に形成された電極か
ら供給された電子が，前記第二のｎ型層中で平行に供給若しくは移動する窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子。」【０００７】
「第二のｎ型層３３の電子キャリア濃度は１×１０１８
／cm３
～１×１０２２
／cm３
の範囲に調整することが好ましく，また第二のｎ型層３３よりも電子キャリア濃度
の小さい第一のｎ型層は１×１０１６
／cm３
～１×１０１９
／cm３
の範囲に調整するこ
とが好ましい。これらの電子キャリア濃度は，前記のように第二のｎ型層にＳｉ，
Ｇｅ，Ｓｎ，Ｃ等のｎ型ドーパントをドープすることにより調整可能である。第二
のｎ型層３３の電子キャリア濃度が１×１０１８
／cm３
よりも小さいと，電子を広げ
る作用が得られにくくなり均一な活性層の発光が得られにくく，１×１０２２
／cm３
よりも大きいと結晶性が悪くなり，発光素子の性能に悪影響を及ぼす恐れがある。
また第一のｎ型層についても電子キャリア濃度が１×１０１６
／cm３
よりも小さいと
活性層自体の発光が得られにくく，また１×１０１９
／cm３
よりも大きいと１μｍ以
上の厚膜を形成した際に結晶性が悪くなる傾向にあり，素子の出力を低下させる恐
れがあるからである。」【００１６】
「・・・図５は本発明の他の実施例の発光素子の構造を示す模式断面図である。
これは第一のｎ型層３に形成された負電極８と基板１との間に，第二のｎ型層３３
が形成され，第二のｎ型層３３と負電極８との距離が接近していることを示してい
る。本来であれば，電極８をキャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３の表面に形成
できれば，例えば図４と比較して，電子がキャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３
を通って流れるので，発光素子のＶｆを低下させることができる。しかしながら，
サファイアのような絶縁性基板を用いた場合，エッチングを第二のｎ型層３３で止
めることが生産技術上困難であるため，図５のように第二のｎ型層３３と負電極８
との距離を短くして，電極８から注入された電子がキャリア濃度の大きい第二のｎ
型層３３を通ることにより，Ｖｆを低下させることが可能となる。」【００１９】
「さらに，・・・第二のｎ型層３３を，ｎ型層の電極形成面と基板との間に形成
することにより効果的にＶｆを低下させることができる。なぜなら，ＳｉＣ，Ｚｎ
Ｏ，Ｓｉ等の導電性基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長した構造の発
光素子であれば，ｎ型層の電極は基板側に形成でき，ｎ層側の電子は活性層に対し
垂直に供給される。それに対し前記のようにサファイア基板を有する素子は，活性
層に対し平行に供給される。垂直に供給される電子がｎ型層を移動する距離はせい
ぜい数μｍであるのに対し，平行に供給される電子の移動距離は数十μｍ～数百μ
ｍもある。従って電子が平行に供給される素子において，電子が平行に供給される
第二のｎ型層のキャリア濃度を大きくすることにより，電子が移動しやすくなるの
でＶｆを低下させることができる。」【００２０】
ウ以上によれば，本件明細書１には，ｎ型層が活性層と基板との間に形成され
た構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において，ｎ型層中に更にキ
ャリア濃度の高い層（第二のｎ型層）を介在させること，さらに，第二のｎ型層を
ｎ型層の電極形成面と基板との間に形成することにより，エッチングを第二のｎ型
層上で止めることの技術上の困難性を補いつつ，電極から注入された電子が第二の
ｎ型層を通ることにより，また，電子の垂直方向と水平方向の移動距離を調整する
ことにより，Ｖｆを低下させることができるという技術的思想が明確に記載されて
いるし，本件明細書１の他の記載（例えば段落【００１４】）も斟酌すれば，電子
が第二のｎ型層中に均一に広がることにより，活性層から均一な発光を得るという
技術的思想も記載されているということができる。さらに，段落【００１６】には，
第一のｎ型層及び第二のｎ型層について好ましい電子キャリア濃度についても記載
されている。
そうすると，特許請求の範囲に記載された本件発明１は，これら本件明細書１の
記載により実質的に裏付けられているといえ，「第二のｎ型層」の電子キャリア濃
度について特許請求の範囲に限定がない点についても，上記段落【００１６】の記
載や当業者の技術常識からその意義を把握することが可能というべきであるから，
本件発明１が，発明の詳細な説明に記載したものでないということはできない。
エ争点２－３の小括
したがって，本件発明１についての特許が，被告らの主張する無効理由３によっ
て，特許無効審判により無効にされるべきものとは認められない。
(4)争点２－４（無効理由４〔実施可能要件違反〕は認められるか）について
被告らは，①本件明細書１の記載をみても，どのような構成とすれば，被告製品
のような濃度差の小さいＳｉスパイクでもなお本件発明１の作用効果を奏すること
ができるのか，当業者において理解することができない，②本件明細書１に実施例
として記載されている「1E+20atom/cm3
」や「5E+20atom/cm3
」など極めて高い電
子キャリアを有する第二のｎ型層を得るための具体的な製造方法は，本件明細書１
には記載されておらず，当業者において理解することができないなどとして，本件
明細書１の発明の詳細な説明は，当業者がその実施をすることができる程度に明確
かつ十分に記載したものとはいえないと主張する。
しかしながら，上記(3)において認定説示したところによれば，当業者は，本件
明細書１の記載と技術常識に基づいて本件発明１の意義を把握することができ，本
件発明１に係る半導体発光素子を適宜製造し，使用することができるものと認める
のが相当である（なお，実施例に記載された「1E+20atom/cm3
」や「5E+20
atom/cm3
」という電子キャリア濃度を得る製造方法が具体的に記載されていないこ
とのみをもって，直ちに，本件発明１自体を実施することができないとはいえな
い。）。
したがって，本件発明１についての特許が，被告らの主張する無効理由４によっ
て，特許無効審判により無効にされるべきものとは認められない。
(5)争点２－５（無効理由５〔乙第２７号証による新規性欠如〕は認められるか）
について
ア本件特許１の原出願日より前に日本国内で頒布された乙２７公報には，次の
記載がある（引用に際し，乙２７公報中の段落番号等を【】で示す。）。
「【産業上の利用分野】本発明は，可視単波長，特に，青色領域から紫色領域ま
で，及び紫外光領域で発光可能な半導体レーザダイオードに関する。」【０００１】
「【課題を解決するための手段】本第１発明は，ｎ型伝導性を示す窒化ガリウム
系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から
成るｎ層と，ｐ型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１－ｘ’）
ｙ’Ｉｎ１－ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１）（ｘ＝ｘ’またはｘ≠ｘ’，ｙ＝
ｙ’またはｙ≠ｙ’）から成るｐ層とが接合された少なくとも１つのｐｎ接合を設
けたことを特徴としている。」【０００８】
「まず，同一組成同士の結晶によるｐｎ接合構造を作製する場合につき述べ
る。・・・」【００２２】
「ドナー不純物をドーピングする場合，その濃度に関してはｎ層に均一にドーピ
ングしても良い。又，ｎ層のオーム性電極形成を容易にするためにｎ層成長初期に
高濃度にドーピングし，ｐｎ接合付近ではドーピングしないか或いは低濃度にドー
ピングしても良い。」【００２５】
「以上が同一組成の結晶によるｐｎ接合構造の半導体レーザダイオードを作製す
る場合の基本的方法である。異種混晶組成の結晶の接合，いわゆるヘテロ接合を利
用した素子を作製する場合にも，ｐｎ接合を形成するという点では上記同一混晶組
成の結晶の接合を利用する場合と同様である。」【００３２】
「ヘテロ接合を利用する場合も，同一組成の結晶によるｐｎ接合の場合と同様に，
オーム性電極組成を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃度は高濃
度にしても良い。」【００３８】
「【実施例】以下，本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。（（ＡｌｘＧ
ａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体レーザダイオード用単結
晶の作製には横型有機金属化合物気相成長装置を用いた。以下基板としてサファイ
ア，Ｓｉ，６Ｈ－ＳｉＣ及びＧａＮを用いた場合各々について成長手順を示す。」
【００４０】
「（１）サファイア基板の場合図１は，
サファイア基板を用いた半導体レーザダイオー
ドの構造を示した断面図である。図１において，
（０００１）面を結晶成長面とするサファイア
基板１を有機洗浄の後，結晶成長装置の結晶成
長部に設置する。・・・」【００４１】
「次に，・・・サファイア基板１上に５０ｎ
ｍ程度の膜厚を持つＡｌＮ層２を形成する。次
に，・・・Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）を成長する。」【００４２】
「・・・ＧａＡｌＮ層３の表面の一部をＳｉＯ２でマスクした後，・・・ＳｉＯ２
でマスクされていない部分に厚さ０．５μｍのＧａＮ層４を成長させる。次
に，・・・ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）を０．５μｍ成長する。」【００４３】
「次に，ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）の窓８の部分と，Ｓｉドープｎ型ＧａＡ
ｌＮ層３（ｎ層）に，それぞれ，金属電極を形成する。・・・」【００４５】
イ乙２７公報の上記アの記載によれば，乙２７公報には次の発明（乙２７発明）
が記載されているものと認められる。
「サファイア基板上にＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３，ＧａＮ層４，ドープＧａ
ＡｌＮ層５が積層された構造を備え，該Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３上と，該ド
ープＧａＡｌＮ層５が一部露出された表面に，それぞれ金属電極が設けられた窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子。」
ウ乙２７発明の「サファイア基板」は本件発明１の「基板」に，乙２７発明の
「Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３」は本件発明１の「ｎ型層」に，乙２７発明の
「ＧａＮ層４」は本件発明１の「活性層」に，乙２７発明の「ドープＧａＡｌＮ層
５」は本件発明１の「ｐ型層」に，乙２７発明の「金属電極」は本件発明１の「正
電極と負電極」に，それぞれ該当するといえるから，本件発明１と乙２７発明は，
「サファイア基板上にｎ型層，活性層，ｐ型層が堆積された構造を備え，該ｎ型層
上と，該ｐ型層が一部露出された表面に，それぞれ正電極と負電極が設けられた窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子」である点において一致し，次の点において相
違していると認められる。
(ｱ)本件発明１は「前記ｎ型層中に，第一のｎ型層と，第一のｎ型層に接して，
第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と，を有する」のに対
し，乙２７発明の「Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３」がかかる層構造を有するかが
明記されていない点（以下「相違点２７－１」という。）。
(ｲ)本件発明１は「前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型層領域に
おいて，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層と，該第一のｎ型
層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する」のに対し，乙２７発明の
「Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３」がかかる層構造を有するかが明記されていない
点（以下「相違点２７－２」という。）
エ上記相違点について，被告らは，乙２７公報の段落【００２５】【００３８】
に記載された態様でＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３をドーピングすれば，基板側に
高濃度にドーピングされた層が，ドーピングしないか低濃度にドーピングされた層
に接して形成されるから，乙２７発明は本件発明１と同一であると主張する。
しかしながら，乙２７公報の段落【００２５】の「ｎ層のオーム性電極形成を容
易にするためにｎ層成長初期に高濃度にドーピングし，ｐｎ接合付近ではドーピン
グしないか或いは低濃度にドーピングしても良い。」との記載は，段落【００３２】
の記載からも明らかなように，「同一組成の結晶によるｐｎ接合構造の半導体レー
ザダイオードを作製する場合」に関するものであって，「サファイア基板上にＳｉ
ドープｎ型ＧａＡｌＮ層３，ＧａＮ層４，ドープＧａＡｌＮ層５が積層された構造
を備え」た窒化ガリウム系化合物半導体発光素子についての記載ではない。
また，上記の点を措いて，段落【００２５】の上記記載や，段落【００３８】の
「ヘテロ接合を利用する場合も，同一組成の結晶によるｐｎ接合の場合と同様に，
オーム性電極組成を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃度は高濃
度にしても良い。」との記載を参酌するとしても，いずれの段落も，ｎ型層のキャ
リア濃度を高濃度とする目的について，電極の形成を容易にするためと明確に記載
しているのであるから，高キャリア濃度層上に電極を形成することが前提とされて
いるものと解するのが相当であり，相違点２７－２に係る本件発明１の構成のよう
に，基板と露出表面の間にあるｎ型層領域において，露出表面が設けられた低キャ
リア濃度層の基板側に高キャリア濃度層を設けることは，想定されていないという
べきである。
以上によれば，相違点２７－２に係る本件発明１の構成が，乙２７公報に記載さ
れているとか，記載されているに等しいということはできないから，乙２７公報に
開示された乙２７発明が，本件発明１と同一であるということはできない。
オ争点２－５の小括
したがって，本件発明１についての特許が，被告らの主張する無効理由５によっ
て，特許無効審判により無効にされるべきものとは認められない。
(6)争点２の小括
以上の検討によれば，本件発明１についての特許は，被告らの主張する理由によ
って，特許無効審判により無効にされるべきものとは認められないから，原告によ
る本件特許権１の行使が特許法１０４条の３第１項により封じられるものではない。
３争点３（被告製品は本件発明２の技術的範囲に属するか）について
(1)争点３－３（被告製品は構成要件２Ｆを充足するか）について
事案に鑑み，争点３－３から判断する。
原告は，エバーライトエレクトロニクス株式会社作成の分析結果報告書（乙１）
に示される被告製品のＳＩＭＳ分析結果を検討すれば，同製品において，活性層の
最もｎ型窒化物半導体層側にある障壁層Ｂ１（層(39)）を含む，活性層のｎ型窒化
物半導体層側の約半分の領域に含まれる複数の障壁層のＳｉ濃度は，１×１０17
／
㎤以上２×１０18
／㎤以下であり，活性層の最もｐ型窒化物半導体層側にある障壁
層ＢＬ（層(3)）を含む，活性層のｐ型窒化物半導体層側の約半分の領域に含まれ
る複数の障壁層のＳｉ濃度は，５×１０16
／㎤未満であると合理的に推認される旨
主張する。
しかし，原告の主張によっても，同分析結果報告書記載のＳＩＭＳチャートでは，
Ｓｉ濃度は，ｎ型窒化物半導体層側から数えて１１番目の障壁層Ｂ１１付近で約５
×１０16
／㎤まで落ちた後，半導体層の表面（ｐ型窒化物半導体層側）に向かって
Ｓｉプロファイルの上昇が観察される（半導体層の表面から深さ約２００ｎｍ程度
までは，Ｓｉ濃度が５×１０16
／㎤を超えている）というのであるから，同チャー
トに基づいて，直ちに「活性層の最もｐ型にある障壁層ＢＬ（層(3)）を含む，活
性層のｐ型窒化物半導体層側の約半分の領域に含まれる複数の障壁層のＳｉ濃度は，
５×１０16
／㎤未満である」旨推認することは，困難である。
この点について，原告は，Ｓｉプロファイルの上昇は試料の表面汚染の影響を受
けたものであり，この表面汚染の影響は，障壁層Ｂ11（層(19)）の位置において相
応に残っており，障壁層Ｂ11（層(19)）付近でいったん５×１０16
／㎤未満までＳ
ｉ濃度が下げた後に，意図的にＳｉ濃度を増加させることは考え難いから，活性層
の最もｐ型窒化物半導体層側にある障壁層ＢＬ（層(3)）を含む，活性層のｐ型窒
化物半導体層側の約半分の領域に含まれる複数の障壁層のＳｉ濃度が５×１０16
／
㎤未満と認められる旨主張するものの，試料の表面汚染についての定量的な主張立
証や，被告製品の製造方法に関する具体的な主張立証は，何ら行っていない。
したがって，被告製品が構成要件２Ｆのうち「前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒
化物半導体層側の複数の障壁層のｎ型不純物濃度が５×１０16
／㎤未満」との点を
充足することは，立証されていないというべきである。
(2)したがって，その余の構成要件充足性について判断するまでもなく，被告製
品は，本件発明２の技術的範囲に属するものとは認められない。
４争点５（被告ＬＥＤの譲渡等につき原告の承諾があったか）について
被告らは，原告が，訴訟提起を目的として，イガラシを介して被告ＬＥＤを被告
らから購入したもので，被告らはこれ以外に被告ＬＥＤを譲渡等していないから，
被告らによる全ての被告ＬＥＤの譲渡等は，原告自身の意思に基づく「おとり購入」
により生じたものであって，特許権者である原告の承諾に基づくものであるなどと
主張する。
しかしながら，証拠（丙１）によれば，イガラシは，被告立花に対し，「弊社希
望内容下記に改めて記します。・砲弾型ＬＥＤ球大／小（５ｍｍと３ｍｍ？）
・色は提灯の色に合わせ，青／赤／黄を希望・数量はミニマムにて（小は１００
０個とのことでしたが，少なければベターです）」などと記載したメールを送付し
てＬＥＤの購入方を申し込んだにとどまり，型番や構成等により，特に本件各発明
の技術的範囲に含まれる製品を特定するなどして被告ＬＥＤを注文したものではな
いから，確かにその後，イガラシに販売した被告ＬＥＤが開封されることもなく原
告の手に渡っていたとしても（甲６，７），そのことをもって，特許権者である原
告が，被告らに対し，被告ＬＥＤの輸入，譲渡及び譲渡の申出について承諾してい
たと評価することは困難というほかない。
したがって，被告らの上記主張は採用することができない。
５争点７（損害又は不当利得の額）について
(1)前記前提事実及びこれまで認定説示してきたところによれば，被告ＬＥＤに
搭載された被告製品は，本件発明１の技術的範囲に属するところ，被告Ｅ＆Ｅは，
平成２４年１２月頃，エバー社から被告ＬＥＤ１０００個を輸入してこれを被告立
花に販売し，被告立花は，平成２５年１月頃，これをイガラシに販売したのである
から，被告らによる上記各行為は，いずれも本件特許権１を侵害するというべきで
あるが，原告は，被告立花が被告Ｅ＆Ｅから被告ＬＥＤを仕入れてこれを販売して
いることを主張するにとどまり，被告らが共謀の上で被告ＬＥＤを販売したとか，
被告らの間に極めて密接な関係があるなど，共同不法行為の成立に必要な事実関係
を主張立証していないから，被告らの各行為について，個別に不法行為が成立する
にとどまるというべきである。
(2)そこで，被告らの行為により原告が受けた損害の額について検討する。
ア(ｱ)原告は，特許法１０２条２項の適用を主張するところ，前記前提事実及び
弁論の全趣旨によれば，原告は，被告ＬＥＤと競合するＬＥＤを販売等していると
認められるから，原告には，被告らによる本件特許権１の侵害行為がなかったなら
ば利益が得られたであろう事情が認められるといえ，同条項の適用が認められるべ
きである（知財高裁平成２４年（ネ）第１００１５号同２５年２月１日特別部判
決・判時２１７９号３６頁）。この点について，被告らは，被告ＬＥＤが譲渡等さ
れなければ，原告の製品が販売されていたであろうとの条件関係が存在しないから，
原告には逸失利益の損害は生じていないと主張するが，上記のとおり原告が被告Ｌ
ＥＤの競合品を販売等していることからして，なお原告に逸失利益の損害が生じた
と認定するに差し支えないというべきである。
(ｲ)本件特許権１の侵害により被告らがそれぞれ得た利益の額について，被告Ｅ
＆Ｅが１０万５０００円の利益を得たことについては，原告と同被告との間で争い
がない。また，被告立花が被告ＬＥＤの販売により得る利益が，売上高の１０パー
セントであることは，原告と同被告との間で争いがないところ，被告立花は，イガ
ラシに対して被告ＬＥＤを２万円で販売し，それ以上に被告ＬＥＤの販売等により
売上をあげた事実は認められないから，被告立花が得た利益の額は，２０００円と
認めるのが相当である（なお，被告立花は，上記売上代金を全てイガラシに返金し
ているとの事情を主張するが，同事実によっても，一度発生した損害が発生しなか
ったことになるわけではないし，これにより原告に生じた損害が塡補されたと認め
ることもできない。）。したがって，これらの額は，特許法１０２条２項により，
原告が受けた損害の額と推定される。
(ｳ)被告らは，①原告が被告ＬＥＤについて原告が保有する９件の特許権を侵害
すると主張していること，②被告ＬＥＤは，本件発明１の作用効果を奏しないか，
奏したとしても極めてわずかな効果しか奏しないこと，③被告ＬＥＤは，被告製品
（窒化物半導体素子）にさらなる部材を付加していること，④有色ＬＥＤ市場にお
ける原告のシェアなどからすれば，本件発明１が被告らの得た利益に寄与した割合
は５パーセントを上回ることはなく，推定された損害額のうち９５パーセント相当
額について，同推定が覆滅されるべきである旨主張する。
しかしながら，①について，被告ＬＥＤが，原告の他の特許権に係る発明の技術
的範囲に含まれるか，含まれるとして，他の特許権に係る発明が被告ＬＥＤの売上
にいかに寄与したかについては，本件証拠によっても，判然としないというほかな
い。②について，被告ＬＥＤが本件発明１の作用効果を奏しないか，極めてわずか
しか奏しないなどといった事実は認められない。③については，被告ＬＥＤが被告
製品に部材を付加しているとしても，その価値の源泉の大半は被告製品にあるもの
と合理的に推認できる。④については，有色ＬＥＤ市場における原告のシェアを一
般的に示すのみでは，本件において，なお原告の受けた損害の額についての推認を
覆すには十分とはいえない。
以上のとおり，損害の額の推定が一部覆滅されるべきであるとする被告らの主張
は，採用することができない。
(ｴ)以上の検討によれば，被告Ｅ＆Ｅによる本件特許権１の侵害行為により原告
が受けた損害（逸失利益）の額は１０万５０００円と認められ，被告立花による本
件特許権１の侵害行為により原告が受けた損害（逸失利益）の額は２０００円と認
められる。
イ特許法１０２条３項にいう本件発明１の実施に対し受けるべき金銭の額及び
本件発明１の無償実施による不当利得の額が，ア(ｴ)に認定した額を上回ることを
認めるに足りる証拠はない。
ウ弁護士費用について
被告らそれぞれによる本件特許権１の侵害行為と相当因果関係のある弁護士費用
相当損害金としては，本件特許権１の内容や本件訴訟の審理経過等に鑑み，各１５
万円をもって相当と認める。
(3)損害額についての小括
以上の検討によれば，原告は，本件特許権１の侵害を原因として，被告Ｅ＆Ｅに
対し，逸失利益に対応する損害賠償金１０万５０００円及び弁護士費用に対応する
損害賠償金１５万円の合計額である２５万５０００円並びにこれに対する遅延損害
金の支払を，被告立花に対し，逸失利益に対応する損害賠償金２０００円及び弁護
士費用に対応する損害賠償金１５万円の合計額である１５万２０００円並びにこれ
に対する遅延損害金の支払を求めることができる。
なお，原告は，逸失利益の損害については，被告立花による被告ＬＥＤの譲渡に
より原告が受けた逸失利益の額の限度において被告らに連帯支払を求める一方で，
弁護士費用の損害については，被告らの各行為により原告が受けた弁護士費用の損
害の合計額について被告らに連帯支払を求めている。まず，弁護士費用の損害につ
いては，被告らに共同不法行為が成立すると認められないことは前記(1)のとおり
であるから，原告は，被告らに対し各１５万円及び遅延損害金の支払を求めること
ができるにとどまり，被告らの支払義務が不真正連帯債務となるものではない。次
に，逸失利益の損害については，被告Ｅ＆Ｅの譲渡により原告が受けた逸失利益の
損害と，被告立花の譲渡により原告が受けた逸失利益の損害とは，別個の損害であ
って重複するものではないから，原告は，これらの損害の賠償をそれぞれ求めるこ
とができ，被告らの支払義務が不真正連帯債務となるものではない（このように解
したとしても，原告が各被告からそれぞれ受領できる損害賠償金及び遅延損害金の
額並びに両被告から受領できる損害賠償金及び遅延損害金の総額のいずれも，原告
の請求額〔前記第１の５項及び６項参照〕を上回ることはないから，本件について
処分権主義違反の問題が生じることはないし，原告の上記連帯支払を求める主張を
もって，原告が，原告が受けた逸失利益の損害額は１０万５０００円に限定される
と主張しているとまでは解されないから，本件について弁論主義違反の問題が生じ
ることもない。）。
６結論
以上によれば，原告の請求のうち，本件特許権１の侵害を原因とする請求につい
ては，被告Ｅ＆Ｅに対して２５万５０００円及びこれに対する不法行為後の日であ
る平成２６年４月２３日から支払済みまでの民法所定年５分の割合による遅延損害
金の支払を，被告立花に対して１５万２０００円及びこれに対する不法行為後の日
である平成２６年４月２３日から支払済みまでの民法所定年５分の割合による遅延
損害金の支払をそれぞれ求める限度において理由があるが，その余は理由がない。
また，原告の請求のうち，本件特許権２の侵害を原因とする請求はいずれも理由が
ない。
よって，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第２９部
裁判長裁判官
嶋末和秀
裁判官
鈴木千帆
裁判官
天野研司
（別紙１）
物件目録
下記の青色ＬＥＤ。
記
１２５４－１５ＡＳＵＢＣ／ＸＸＸＸ－ＸＸ－Ｘ（ＸＸＸ）
（ただし，上記のＸには，任意の英数字が入る。）
以上
（別紙８）
被告製品構造説明書（１）
１被告製品構造模式図
被告製品のＬＥＤチップ構造の模式図を以下に示す。
図１ＬＥＤチップ構造模式図
Al0.23Ga0.77N
[25Å]62
MgdopedGaN
[2940Å]1
3.54μm61　
GaN[3.86μm]64
Al0.14Ga0.86N
[200Å]63
負電極
サファイア基板
正電極
Al0.10Ga0.90N
[175Å]2GaN/InGaN積層3乃至60
SidopedGaN(Si濃度:低)A
SidopedGaN(Si濃度:高)B
SidopedGaN(Si濃度:低)C
約6.83μm
約1.46μm
GaND
図２半導体積層構造の模式図
図２では，半導体正電極側から基板側に向かい，各層に順に番号を振った。
また，図１では層（６１）の中をさらに４層に分け，半導体正電極側から基板
側に向かい，層（Ｄ），（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）と記号を振った。以下，各番
号及び記号を用いて，当該層の組成及び機能を説明する。
２被告製品の構造
被告製品の構造は次のとおりである。
①被告製品は，基板上にｎ型層である層（４０）ないし（６１），活性層である
層（３）ないし（３９），ｐ型層である層（１）及び（２）が積層された構造
を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である。
②被告製品は，ｐ型層上と，ｎ型層が一部露出された表面に，それぞれ正電極と
負電極が設けられている。
③被告製品は，そのｎ型層中に，ｎ型層（Ａ）と，これに接し，これよりも電子
キャリア濃度が大きいｎ型層（Ｂ）を有する。
④ｎ型層（Ａ）とｎ型層（Ｂ）はｎ型層中の，基板とｎ型層露出表面の間のｎ型
層領域にあり，ｎ型層（Ｂ）はｎ型層（Ａ）の基板側にある。
以上
GaN[340Å]3
In0.08Ga0.92N[28Å]
4乃至38の偶数
GaN[150～160Å]
5乃至39の奇数
In0.02Ga0.98N[17Å]
40乃至60の偶数
GaN[180Å]
41乃至59の奇数
GaN
（別紙10）
被告製品全体模式図
GaN2702Å[1]
2nd-MQW[4～39]
InGaN/GaNLoop=18
1st-MQW[40～60]
InGan/GaNLoop=11
Cap層GaN100Å[3-2]
Buffer層HT-GaN216Å[3-1]
AlGaN143Å[2]
GaN1000Å[61-1]
GaN31359Å
[61-2&3]
AlGaN212Å[63]
GaN37061Å[64]
AlGaN13Å[62]
活性層
p-層
n-層
サファイア基板
（別紙11）
被告製品層[61-1][61-2][61-3]付近模式図
GaN(Si-Dope)
約12000Å[61-3]
GaN(Si-Dope)
約19000Å[61-2]
GaN
1000Å[61-1]
（別紙12）
被告製品活性層（層[4～60]）模式図
loop18
InGaN30Å
[4ないし38の偶数]
GaN150Å
[5ないし39の奇数]
InGaN13Å
[40ないし60の偶数]
GaN180Å
[41ないし59の奇数]
loop11

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