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平成１８年（行ケ）第１０１４８号審決取消請求事件
平成１９年７月２５日判決言渡，平成１９年６月２５日口頭弁論終結
判決
原告セイコーエプソン株式会社
訴訟代理人弁護士森崎博之
訴訟代理人弁理士稲葉良幸，菅原俊樹，笹本真理子
被告特許庁長官肥塚雅博
指定代理人井口猶二，末政清滋，小池正彦，
大場義則
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２００４−７１２４号事件について平成１８年２月２１日にした審
決を取り消す。
第２当事者間に争いがない事実
１特許庁における手続の経緯
原告は，平成１０年２月１７日，発明の名称を「電流駆動型発光装置」とする発
明について特許出願（特願平１０−５３１３５９号，優先権主張・平成９年２月１
７日，同年３月１９日，以下，これらを併せて「本件優先日」という。）をしたが，
平成１６年３月１日付けで拒絶査定を受けたので，同年４月８日，拒絶査定不服審
判を請求し（不服２００４−７１２４号事件として係属），同年５月７日付け手続
補正書（甲２の８）により特許請求の範囲等について補正（以下「本件補正」とい
う。）をした。
特許庁は，平成１８年２月２１日，本件補正を却下した上，「本件審判の請求は，
成り立たない。」との審決をし，その謄本は，同年３月７日，原告に送達された。
２特許請求の範囲の記載
()本件補正前の，平成１５年１１月４日付け手続補正書により補正された明1
細書（甲２の１，４）の特許請求の範囲の請求項１の記載（以下，同請求項１に記
載された発明を「本願発明」という。請求項２∼６に関する部分は省略する。以下
同じ。）
【請求項１】走査線と，データ線と，画素とを備えた電流駆動型発光表示装置で
あって，
前記画素は，共通電極と，対向電極と，画素電極と，前記画素電極と前記対向電
極の間に介挿される発光素子と，前記走査線を介して走査信号が供給される第１薄
膜トランジスタと，前記データ線から前記第１薄膜トランジスタを介して供給され
る画像信号に応じて保持電位を保持する保持容量と，前記保持電位に応じて前記共
通電極と前記画素電極の間の導通を制御して前記発光素子に流れる電流を制御する
第２薄膜トランジスタと，を備え，
前記第２薄膜トランジスタはｎチャネル型であり，
前記画素が表示状態となる期間において，前記保持電位が前記対向電極の電位よ
り低く，前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低く，前記共通電極の電位
が前記画素電極の電位より低くなるように，前記画像信号の電位が設定されてなる
ことを特徴とする電流駆動型発光表示装置。
()本件補正後の明細書（甲２の１，４，８。以下「本件明細書」という。）2
の特許請求の範囲の請求項１の記載（以下，同請求項１に記載された発明を「本願
補正発明」という。）
【請求項１】走査線と，データ線と，画素とを備えた電流駆動型発光表示装置で
あって，
前記画素は，共通電極と，対向電極と，画素電極と，前記画素電極と前記対向電
極の間に介挿される発光素子と，前記走査線を介して走査信号が供給される第１薄
膜トランジスタと，前記データ線から前記第１薄膜トランジスタを介して供給され
る画像信号に応じて保持電位を保持する保持容量と，前記保持電位に応じて前記共
通電極と前記画素電極の間の導通を制御して前記発光素子に流れる電流を制御する
第２薄膜トランジスタと，を備え，
前記第２薄膜トランジスタはｎチャネル型であり，
前記画素が表示状態となる期間において，前記保持電位が前記対向電極の電位よ
り低く，前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低く，前記共通電極の電位
が前記画素電極の電位より低くなるように，前記画像信号の電位が設定されてなり，
前記画像信号の電位振幅は，前記共通電極と前記対向電極の間の電圧より小さい
ことを特徴とする電流駆動型発光表示装置。
３審決の理由
()審決は，別紙審決記載のとおり，本願補正発明が，特開平９−１６１２３1
号公報（甲３，以下「引用例」という。）に記載された発明（以下「引用発明」と
いう。）及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたもので
あり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，
本件補正は，同法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反する
ものとして，同法１５９条１項において準用する同法５３条１項の規定により，却
下した上，本願発明も，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明を
することができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けるこ
とができない，とした。
()審決が認定した引用発明の要旨2
画素を備えたエレクトロルミネセンス画像表示装置であって，
前記画素は，ＥＬ素子と，Ｙ座標選択信号が供給されるＳＥＬＥＣＴ−ＳＷ用Ｔ
ＦＴと，前記ＳＥＬＥＣＴ−ＳＷ用ＴＦＴがオンとなることによって供給される画
像データにより信号保持用のキャパシタＣに電荷を蓄積し，この信号保持用のキャ
パシタＣに蓄積された電圧により電流がＥＬ電源から前記ＳＥＬＥＣＴ−ＳＷ用Ｔ
ＦＴのドレイン・ソース間に流れ，前記ＥＬ素子が発光するように制御するＢＩＡ
ＳＴＦＴと，を備えてなるエレクトロルミネセンス画像表示装置。
()審決が認定した，本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，それぞ3
れ次のとおりである。
ア一致点
走査線と，データ線と，画素とを備えた電流駆動型発光表示装置であって，
前記画素は，共通電極と，対向電極と，画素電極と，前記画素電極と前記対向電
極の間に介挿される発光素子と，前記走査線を介して走査信号が供給される第１薄
膜トランジスタと，前記データ線から前記第１薄膜トランジスタを介して供給され
る画像信号に応じて保持電位を保持する保持容量と，前記保持電位に応じて前記共
通電極と前記画素電極の間の導通を制御して前記発光素子に流れる電流を制御する
第２薄膜トランジスタと，を備えてなる電流駆動型発光表示装置。
イ相違点
(ｱ)相違点１
第２薄膜トランジスタに関して，本願補正発明がｎチャネル型であるのに対して，
引用発明にはこのような限定がない点。
(ｲ)相違点２
本願補正発明が，画素が表示状態となる期間において，保持電位が対向電極の電
位より低く，画素電極の電位が前記対向電極の電位より低く，共通電極の電位が前
記画素電極の電位より低くなるように，画像信号の電位が設定されてなり，
前記画像信号の電位振幅は，前記共通電極と前記対向電極の間の電圧より小さい
のに対して，引用発明にはこのような限定がない点。
第３原告主張の審決取消事由
審決は，周知事項の認定を誤り（取消事由１），本願補正発明と引用発明の相違
点２の判断を誤り（取消事由２，３），本願発明の要旨の認定を誤り，また，進歩
性判断を誤った（取消事由４）ものであって，違法であるから，取り消されるべき
である。
１取消事由１（周知事項の認定の誤り）
()審決は，「薄膜トランジスタの駆動電圧を低くするという課題は周知の事1
項である。そして，引用発明の第２薄膜トランジスタは保持電位により駆動される
から，保持電位を低くすることは格別のことではない。」（６頁第３段落）と認定
したが，誤りである。
()被告は，「薄膜トランジスタの駆動電圧を低くする」という課題が周知の2
事項であるとする根拠として，特開平６−２２４３９１号公報（甲４の１，以下
「甲４の１公報」といい，以下の公報についても同様に略称する。），特開平７−
７１５６号公報（甲４の２），特開平７−２４９７７８号公報（甲４の３），特開
平３−２３３４３１号公報（乙１）及び特開平６−２６０５０１号公報（乙２。こ
れらの公報を併せて「甲４の１公報等」ともいう。）の記載を挙げる。しかし，上
記各公報は，いずれも，駆動方法の観点から薄膜トランジスタのゲート電圧を低く
するという課題が周知であるということを示すものではなく，薄膜トランジスタの
駆動電圧を低くするという課題は周知の事項であるとの審決の認定は誤りである。
すなわち，甲４の１公報は，「従来のメモリセルは，より高い集積度を得るため
により小さいセル形状を確保する必要があり，このような微細寸法の下地シリコン
基板のトランジスタの特性劣化防止としては，低電圧動作仕様とされる傾向がある。
このとき，薄膜トランジスタには低電圧動作時の大きなオン電流の確保が望まれ，
パターン設計上ではより大きなゲート幅の実現が要求されていた。」（段落【００
１０】）との記載からも明らかなように，微細寸法のシリコン基板上に形成される
メモリセルのトランジスタの特性劣化を防止するために，駆動電圧を低くするとい
う技術思想を示しているのであって，一般的に薄膜トランジスタの駆動電圧は低く
するほうが望ましいという技術思想を示しているのではなく，その「低電圧動作」
は，オン電流との関連で説明されているが，オン電流は主としてソースの電圧及び
ゲート電圧，さらにはドレインの電圧にも関係するので，「低電圧動作」が直ちに
ゲート電圧を低くすることを意味することにはならないし，構造的に駆動電圧の低
電圧化を行っているのであって，駆動方法の観点から駆動電圧の低電圧化を行って
いるものではない。
甲４の２公報は，活性層を多結晶シリコン膜で構成したトランジスタについて，
その駆動電圧を低くするという技術思想を示しているのであって，一般的に薄膜ト
ランジスタの駆動電圧は低くするほうが望ましいという技術思想を示しているので
はない。また，甲４の２公報の「このように構成することによって，実効移動度μ
ｅｆｆがきわめて大きくかつしきい値電圧ＶＴおよび動作に要するゲート電圧が十
分小さい電界効果型薄膜トランジスタを提供することができる。」（段落【０００
７】）という記載は，製造方法によってトラップの数を低減することにより，構造
的に「ゲート電圧が十分小さい電界効果型薄膜トランジスタ」を得ることを述べて
いるものであり，駆動方法の観点から，低いゲート電圧で駆動することを述べるも
のではない。
甲４の３公報には，トップゲート型ＴＦＴがボトムゲート型ＴＦＴに比べて低ゲ
ート電圧で十分に動作を行うため，構造的あるいはプロセス上の観点から，トップ
ゲート型ＴＦＴにかかる電圧が小さい液晶表示素子の駆動装置を得ることが記載さ
れているのであり，駆動方法の観点から，一般的に薄膜トランジスタの駆動電圧は
低くするほうが望ましいということは示されていない。さらに，その段落【００５
０】で述べられている「大きな電圧」は，ゲートに印加される電圧なのかソースあ
るいはドレインに印加される電圧なのか判断できない。乙１公報には，液晶ディス
プレイパネルに用いる薄膜トランジスタにおいて，駆動能力を増大させるためにト
ランジスタのＷ／Ｌを増やそうとすると寄生容量Ｃｇｓも増大し，液晶ディスプレ
イの特性が劣化するという問題を解決するため（１頁右欄７行∼１５行），構造的
な工夫によって，薄膜トランジスタの駆動能力を向上させ，かつ寄生容量Ｃｇｓも
低減することが記載されている（２頁右上欄８行∼１８行）のであり，駆動方法の
観点から一般的に薄膜トランジスタのゲート電圧を低くするほうが望ましいという
技術思想を示しているのではない。乙２公報は，その段落【００７４】において，
ドレイン電圧の低減も考慮されており，低駆動電圧で駆動することが，ゲート電圧
を低くすることであるかを判断することができない。
()引用発明において，薄膜トランジスタには，ＥＬ素子の充分な発光強度を3
得るのに必要な電流を確保できる駆動電圧（ゲート電圧）を印加する必要があり，
当業者であれば，このような薄膜トランジスタに印加する駆動電圧は高い方が望ま
しいと考える。これに対し，引用例や甲４の１公報等には，ＥＬ素子に流れる電流
を制御する薄膜トランジスタのゲート電圧を低くすることについての記載はない。
２取消事由２（相違点２の判断の誤り１）
()審決は，相違点２の判断に当たり，「保持電位を対向電極の電位より低く1
なるようにすることは，単に保持電位を低くするという以上の技術的意義は認めら
れない。してみると，画素が表示状態となる期間において，保持電位が対向電極の
電位より低くなるように画像信号の電位が設定されてなることは，薄膜トランジス
タの駆動電圧を低くするという周知の課題を勘案すれば当業者が容易に想到し得た
事項である。」（６頁最終段落∼７頁第１段落）としたが，保持電位を対向電極の
電位より低くなるようにすることには，保持電位を低くするという以上の技術的意
義があり，誤った技術的意義の認定に基づき，保持電位が対向電極の電位より低く
なるように画像信号の電位が設定されてなることは当業者が容易に想到し得たとの
判断は誤りである。
(2)「画素が表示状態となる期間において，保持電位が対向電極の電位より低
く」なるように設定することには，以下のような技術的意義がある。
有機ＥＬ素子のような電流駆動型の発光素子では，電流により輝度や階調が制御
されるため，液晶素子等のいわゆる電圧駆動型電気光学素子に比べ，わずかな電流
の変動やバラツキ等が顕著に輝度や階調に反映され，電流を高い精度で制御するこ
とが求められる。そのため，基本的には，データ信号と発光素子の輝度を対応させ
るため，発光素子を流れる電流の電流量あるいは電流値を，第２薄膜トランジスタ
のゲート電圧あるいはゲート電圧とソース電圧との電位差のみの関数として変化さ
せることができる飽和領域で動作させることが好ましく，ドレインの電圧をゲート
電圧に対して所定の関係を満たすように設定しておく必要がある。
つまり，非飽和領域では電流ＩＤが，ドレイン電圧Ｖｄとゲート電圧Ｖｇからし
きい値電圧ＶＴを引いた値Ｖｐ（＝Ｖｇ−ＶＴ）によって変化するのに対し，飽和
領域ではＶｐのみを変数として電流ＩＤを制御することが可能であるため，飽和領
域の方が電流を制御しやすく，発光素子の輝度や階調も安定する。
そして，飽和領域では，ゲート電圧Ｖｇとドレイン電圧Ｖｄの差は，常にしきい
値電圧ＶＴ以下となって，Ｖｇ−ＶＴ≦Ｖｄとなり，一方，非飽和領域ではＶｇ−
ＶＴ＞Ｖｄとなる。
有機ＥＬ素子を発光させるのに必要な有機ＥＬ素子のしきい値電圧は，典型的に
はおよそ２Ｖかそれ以上である（本件明細書の８頁１５行目∼２０行目及び図５）。
したがって，表示状態においては，有機ＥＬ素子にかかる電圧Ｖｅ（対向電極の電
位）−Ｖｄは少なくとも２Ｖ以上である。一方，薄膜トランジスタのしきい値ＶＴ
は，一般に有機ＥＬ素子のしきい値よりも小さく，典型的には１Ｖ∼２Ｖ程度であ
る。なお，リーク電流や，ドレイン電圧，動作時間等の影響により，薄膜トランジ
スタを完全にオフ状態にするためには，ゲート電圧は一定程度の大きさの負の値に
なる場合があり（甲５のＦｉｇ２），−５Ｖ程度になる場合もある。これらのこと
から，いずれにしても表示状態においてはＶｅ−Ｖｄ≧ＶＴ，すなわちＶｅ≧Ｖｄ
＋ＶＴ（式１）となる。
そして，表示状態において，ゲート電圧Ｖｇが対向電極電位Ｖｅよりも高く，Ｖ
ｇ＞Ｖｅ（式２）であるとすると，（式１）及び（式２）により，Ｖｇ＞Ｖｄ＋Ｖ
Ｔ，すなわち，Ｖｇ−ＶＴ＞Ｖｄとなる。これは非飽和領域での関係式であり，Ｖ
ｇ＞Ｖｅとした場合，第２薄膜トランジスタは非飽和領域で動作することになる。
したがって，第２薄膜トランジスタを飽和領域で動作させるためには，最低限Ｖｇ
≦Ｖｅでなくてはならず，ゲート電圧Ｖｇは保持電位と等しいから，保持電位が対
向電極の電位より低くならなければならない。
このように，本願補正発明において，「画素が表示状態となる期間において，保
持電位が対向電極の電位より低く」なるように設定することは，第２薄膜トランジ
スタを飽和領域で動作させるために最低限必要な条件であり，第２薄膜トランジス
タを飽和領域で動作させることは，発光素子に流れる電流が安定し，発光素子の輝
度や階調が安定して，画質の精度の向上に繋がるという技術的意義がある。
なお，本件明細書（甲２の１）の「さらに，本実施例では，表示状態にする画素
に対する信号電位２１２は，対向電位２１６と比べて低電位である。上記のように，
画素が表示状態になる期間２２１において，ｎチャネル型カレント薄膜トランジス
タ１２２のオン電流は，保持電位２１３と共通電位２１４との電位差に依存し，保
持電位２１３と対向電位２１６との電位差には，直接には依存しない。」（１０頁
２６行目∼１１頁２行目）という記載は，信号電位２１２（保持電位）を対向電位
２１６と比べて低電位にすることで，ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２
２のオン電流を保持電位２１３と共通電位２１４との電位差（ゲート電圧）にのみ
依存する状態にすること，すなわち飽和領域で動作させることを表している。そし
て，このことにより，「スイッチング薄膜トランジスタ１２１や，ｎチャネル型カ
レント薄膜トランジスタ１２２において，画質の劣化や，動作の異常や，動作可能
な周波数の低下を招くことなく，駆動電圧の低減を実現できる。」（１１頁６行目
∼１１頁８行目）のであり，本願補正発明は，十分なオン電流を確保しつつ，本件
明細書の[背景技術]に記載された発明の目的である「薄膜トランジスタの経時劣化
を抑制する」（１頁１７行目）ことを可能とするものである。
３取消事由３（相違点２の判断の誤り２）
(1)審決は，「画素が表示状態となる期間において，画像信号の電位振幅は，
共通電極と対向電極の間の電圧より小さいことについて検討する。既述したように，
画素が表示状態となる期間において，保持電位が対向電極の電位より低くなるよう
に画像信号の電位が設定されてなることは，当業者が容易に想到し得た事項である。
そして，保持電位は画像信号の電位にほぼ等しいものと考えられるから，画素が表
示状態となる期間において，画像信号の電位振幅は，共通電極と対向電極の間の電
圧より小さくなるようにすることは，当業者が容易に想到し得た事項である。」
（７頁第３段落）と認定したが，誤りである。
()前記２のとおり，保持電位が対向電極の電位より低くなるように設定され2
ることに当業者が容易に想到し得るとの審決の判断は誤りであり，誤った判断に基
づき，「画素が表示状態となる期間において，画像信号の電位振幅は，共通電極と
対向電極の間の電圧より小さくなるようにすることは，当業者が容易に想到し得
た」とした審決の判断も誤りである。
()本願補正発明の「前記画像信号の電位振幅は，前記共通電極と前記対向電3
極の間の電圧より小さい」という構成要件には，「画素が表示状態となる期間にお
いて，」との限定はないにもかかわらず，審決は，画素が表示状態となる期間に関
しての進歩性判断しかしておらず，画素が非表示状態となる期間において画像信号
の電位振幅が共通電極と対向電極の間の電圧より小さいこと，すなわち，画素が非
表示状態となる期間において，画像信号電位を共通電極の電位より高くすることに
ついては検討していない。したがって，「画像信号の電位振幅は，共通電極と対向
電極の間の電圧より小さくなるようにすることは，当業者が容易に想到し得た事項
である。」との審決の判断は誤りである。
本願補正発明において，「前記画像信号の電位振幅は，前記共通電極と前記対向
電極の間の電圧より小さい」という構成要件は，画素が表示状態となる期間のみで
はなく，画素が「非表示状態となる期間」も含めて画像信号の電位振幅が共通電極
と対向電極の間の電圧より小さくなることを示していることは，その記載自体から
明らかであり，また，平成１６年５月７日付け手続補正書（甲２の９）の「一方，
画素が非表示状態となる期間においては，振幅が共通電極と対向電極の間の電圧よ
りも小さい画像信号における低電位側の画像信号電位に応じて低電位の保持電位が
得られ」との記載からも明らかである。
()被告は，画素が表示状態となる期間について検討したことは，実質的に画4
素が非表示状態となる期間についても検討したことになり，審決の判断に誤りはな
い旨主張し，それを根拠付けるために，非表示状態となる期間における保持電位Ｖ
ｃと共通電極の電位Ｖｆとの電位差はほぼ０ボルトであるという前提（Ｖｃ’−Ｖ
ｆ≒０）に基づく主張をする。
しかし，本件明細書に，「正置有機ＥＬ表示素子１３１に印加される電圧は，画
素電位２１５と対向電位２１６との電位差であるが，図５に示すように，あるしき
い値電圧以下では，オフ状態となり，電流が流れず，発光しない。すなわち，正置
有機ＥＬ表示素子１３１のしきい値電圧を利用することにより，信号電位２１２が，
共通電位２１４と比べて，わずかに高電位であり，ｎチャネル型カレント薄膜トラ
ンジスタ１２２が，完全にオフ状態にならなくとも，正値有機ＥＬ表示素子１３１
を発光させないことが可能である。」（１１頁１９行目∼２５行目）との記載があ
るように，本願補正発明においては，非表示状態において，画素電極電位と対向電
極電位との電位差が有機ＥＬ素子のしきい値電圧以下であれば，第２薄膜トランジ
スタを完全にオフ状態にしなくても，また，Ｖｃ’−Ｖｆが第２薄膜トランジスタ
のゲート電圧のしきい値以上であってもよい。すなわち，本願補正発明は，非表示
状態において，一定の条件化で，Ｖｃ’−Ｖｆ＞０としていることが特徴であり，
Ｖｃ’−Ｖｆ≒０を含むものではない。非表示状態においてＶｃ’−Ｖｆ≒０を前
提とする被告の主張は，本願補正発明の上記の特徴を検討しないものであり，誤り
である。
４取消事由４（本願発明の要旨認定の誤り，進歩性判断の誤り）
審決は，本件補正を却下し，「本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」
という。）は，平成１５年１１月４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１
に記載された次のとおりのものと認める。」（８頁第１段落）とした上で，「本願
発明も，同様の理由により，引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて，
当業者が容易に発明をすることができたものである。」（同頁第４段落）と認定判
断したが，本願補正発明を当業者が容易に発明することができたとして，本件補正
を却下したことは誤っているから，誤った結論に基づく上記認定判断も誤りである。
また，本願発明についての審決の進歩性判断は，本願補正発明についての進歩性
判断と同様の理由により，誤りである。
第４被告の反論
審決の認定判断に誤りはなく，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。
１取消事由１（周知事項の認定の誤り）に対して
()原告は，薄膜トランジスタの駆動電圧を低くするという課題は周知の事項1
であるとした審決の認定が誤っている旨主張するが，失当である。
()甲４の１公報には，「薄膜トランジスタには低電圧動作時の大きなオン電2
流が望まれ」（段落【００１０】）との記載があり，薄膜トランジスタの駆動電圧
を低くすること（ゲート電圧を十分小さくすること）が開示されている。甲４の２
公報には，「しきい値電圧Ｖおよび動作に要するゲート電圧が十分小さい電界効Ｔ
果型薄膜トランジスタを提供することができる。」（段落【０００７】）との記載
があり，薄膜トランジスタの駆動電圧を低くすること（ゲート電圧を十分小さくす
ること）が開示されている。甲４の３公報には，「低ゲート電圧で十分に動作を行
う」（段落【００５０】）との記載があり，薄膜トランジスタの駆動電圧を低くす
ること（ゲート電圧を十分小さくすること）が開示されている。乙１公報には，
「また，一方で駆動能力の増大は駆動ゲートパルス振幅の低減をも可能にする。上
記実施例では駆動ゲートパルス電圧の振幅を半分程度に低くすることができる。」
（３頁左下欄１６行目∼２０行目）との記載があり，薄膜トランジスタの駆動電圧
を低くすること（ゲート電圧を十分小さくすること）が開示されている。乙２公報
には，「ゲート電圧の低電圧化」（段落【００７４】）との記載があり，薄膜トラ
ンジスタの駆動電圧を低くすること（ゲート電圧を十分小さくすること）が開示さ
れている。
したがって，甲４の１公報等には，薄膜トランジスタの駆動電圧を低くすること
（ゲート電圧を十分小さくすること）が開示されている。
そして，薄膜トランジスタをオンするためには，薄膜トランジスタの駆動電圧
（ゲート電圧）をゲート電圧のしきい値よりも低くすることはできないので，駆動
方法において薄膜トランジスタの駆動電圧を低くする（ゲート電圧を十分小さくす
る）ためには，薄膜トランジスタのゲート電圧のしきい値を低くすることが必要で
ある。つまり，構造的に薄膜トランジスタの駆動電圧を低くすること（ゲート電圧
を十分小さくすること）は，駆動方法において薄膜トランジスタの駆動電圧を低く
すること（ゲート電圧を十分小さくすること）を目的としたものであり，構造的に
薄膜トランジスタの駆動電圧を低くすること（ゲート電圧を十分小さくすること）
によって，駆動方法において薄膜トランジスタの駆動電圧を低くすること（ゲート
電圧を十分小さくすること）が可能となるのであり，駆動方法において薄膜トラン
ジスタの駆動電圧を低くすることは周知の課題であったといえる。
()原告は，当業者であれば，薄膜トランジスタに印加する駆動電圧は高い方3
が望ましいと考えるの対し，引用例，甲４の１公報等には，ＥＬ素子に流れる電流
を制御する薄膜トランジスタのゲート電圧を低くすることについての記載はない旨
主張する。
しかし，引用発明において，画素が表示状態となる期間，発光素子は発光してい
るのであるから，第２薄膜トランジスタはオンしており，第２薄膜トランジスタが
オンするようなゲート電圧が印加されているのであり，画素が発光状態になる期間
においては，第２薄膜トランジスタがオンするようにゲート電圧を設定すればよい
ことは明らかである。原告は，当業者であれば，このような薄膜トランジスタに印
加する駆動電圧は高い方が望ましいと考える旨主張するが，画素が発光状態になる
期間においては，第２薄膜トランジスタがオンするようにゲート電圧を設定すれば
よいのであるから，失当である。
２取消事由２（相違点２の判断の誤り１）に対して
()原告は，本件発明において「画素が表示状態となる期間において，保持電1
位が対向電極の電位より低く」なるように設定することは，第２薄膜トランジスタ
を飽和領域で動作させるために最低限必要な条件であり，技術的意義がある旨主張
する。
()第２薄膜トランジスタのゲート電圧，ドレイン電圧（発光素子１３１に接2
続した電極の電圧）は，それぞれ保持電位Ｖｃ，画素電極の電位Ｖｄである。また，
第２薄膜トランジスタのしきい値電圧をＶＴすると，第２薄膜トランジスタの飽和
領域では，Ｖｃ−ＶＴ≦Ｖｄ（式ａ）となる。
ここで，発光素子１３１の電位差をＶｅｌ，対向電極の電位をＶｅとすると，Ｖ
ｅｌ＝Ｖｅ−Ｖｄであるから，Ｖｃ−ＶＴ≦Ｖｅ−Ｖｅｌ（式ｂ）となる。
一方，本願補正発明においては，保持電位Ｖｃが対向電極の電位Ｖｅより低く設
定されているので，Ｖｃ＜Ｖｅ（式ｃ）となる。
式ｂと式ｃとの対比からも，Ｖｃ−ＶＴとＶｅ−Ｖｅｌとの大小関係は，Ｖｃと
Ｖｅの値だけでなくＶＴとＶｅｌの値にも依存する。しかし，本願補正発明におい
ては，第２薄膜トランジスタのしきい値電圧の記載も発光素子の電位差の記載もな
い。したがって，本願補正発明において，保持電位が対向電極の電位より低くなる
ように設定すると第２薄膜トランジスタを飽和領域で動作するという主張は，特許
請求の範囲の記載に基づく主張ということはできない。
()本願補正発明において，第２薄膜トランジスタを飽和領域で動作させるこ3
とは，特許請求の範囲に記載されたものでない。本件明細書（甲２の１）をみても，
本件明細書には，「画素が表示状態となる期間２２１において，ｎチャネル型カレ
ント薄膜トランジスタ１２２のオン電流は，保持電位２１３と共通電位２１４との
電位差に依存し，保持電位２１３と対向電位２１６との電位差には，直接には依存
しない。」（１０頁２８行目∼１１頁２行目）との記載があり，飽和領域となるか
非飽和領域となるかは，ＶｃとＶｅのみならずＶＴとＶｅｌにも依存するので，薄
膜トランジスタのオン電流は，保持電位２１３と対向電位２１６との電位差には，
直接には依存せず，本件明細書の上記記載が，第２薄膜トランジスタを飽和領域で
動作させることを意味しているとはいえない。また，本件明細書においては，第２
薄膜トランジスタのしきい値電圧ＶＴの具体的な記載はなく，第２薄膜トランジス
タを飽和領域で動作させることが記載されているとはいえない。
()薄膜トランジスタを飽和領域で動作させることは，従来周知の技術事項で4
あり，また，引用例の【００１３】にも記載されているから，引用発明は，薄膜ト
ランジスタを飽和領域で動作させるという観点からも，本願補正発明と大きく異な
っているとはいえない。そして，薄膜トランジスタの駆動電圧を低くするという課
題は周知の事項であるから，飽和領域で動作させるため，ドレイン電圧を高くしす
ぎて薄膜トランジスタの経時劣化を招くことのないように，ゲート電圧（保持電
位）を低くすることは，当業者が当然考慮すべき事項である。
したがって，引用発明においても，ゲート電圧（保持電位）を低くすることによ
って，Ｖｃ＜Ｖｅとすることは当業者が容易に想到し得た事項であり，薄膜トラン
ジスタを飽和領域で動作させるという観点からも，画素が表示状態となる期間にお
いて，保持電位が対向電極の電位より低くなるように画像信号の電位が設定されて
なることは，薄膜トランジスタの駆動電圧を低くするという周知の課題を勘案すれ
ば当業者が容易に想到し得た事項である。
３取消事由３（相違点２の判断の誤り２）に対して
()原告は，本願補正発明の「前記画像信号の電位振幅は，前記共通電極と前1
記対向電極の間の電圧より小さい」という構成要件には，「画素が表示状態となる
期間において，」との限定はないにもかかわらず，審決は，画素が表示状態となる
期間に関しての進歩性判断しかしていないとして，審決の判断を争うが，失当であ
る。
()ＥＬ素子が発光する表示状態となる期間について，表示状態となる期間に2
おける保持電位Ｖｃは表示状態となる期間，データ線の画像信号の電位Ｖｂとほぼ
等しくなる（Ｖｂ≒Ｖｃ（式①））。そして，画素が表示状態となる期間において，
保持電位Ｖｃが対向電極の電位Ｖｅより低くなるように設定されている（Ｖｃ＜Ｖ
ｅ（式②））。そして，式①，②により，画素が表示状態となる期間において，画
像信号の電位と共通電極の電位Ｖｆとの電位差Ｖｂ−Ｖｆは，共通電極と対向電極
の間の電圧Ｖｅ−Ｖｆより小さいことが示される（Ｖｂ−Ｖｆ＜Ｖｅ−Ｖｆ（式
③））。
ＥＬ素子が非発光となる非表示状態になる期間について，保持電位Ｖｃ’は非表
示状態となる期間データ線の画像信号の電位Ｖｂ’とほぼ等しくなる（Ｖｂ’≒Ｖ
ｃ’（式④））。そして，対向電極の電位Ｖｅと画素電極の電位Ｖｄとの間にＥＬ
素子に電流が流れないよう電位差が小さいことが必要であり，画素電極の電位Ｖｄ
を対向電極の電位Ｖｅに近くすることで，対向電極の電位Ｖｅと画素電極の電位Ｖ
ｄとの電位差を小さくする。そのためには，第２薄膜トランジスタのドレイン・ソ
ース間に電流が流れないように，保持電位Ｖｃ’と共通電極の電位Ｖｆとの電位差
を第２薄膜トランジスタのゲート電圧のしきい値より小さくすればよい。通常，ゲ
ート電圧をほぼ０ボルトとするのが一般的であるので，保持電位Ｖｃ’と共通電極
の電位Ｖｆとの電位差はほぼ０ボルト（Ｖｃ’−Ｖｆ≒０（式⑤））となり，Ｖｂ
’≒Ｖｆ（式⑥）となる。そして，画像信号の電位振幅と，共通電極と対向電極の
間の電圧の関係式は，Ｖｂ−Ｖｂ’＜Ｖｅ−Ｖｆ（式⑦）となる。すなわち，画素
が表示状態となる期間において，保持電位が対向電極の電位より低くなるように設
定されている（式①，②）ならば，画素が表示状態となる期間において，画像信号
の電位と共通電極の電位との電位差は，共通電極と対向電極の間の電圧より小さく
なり（式③），画像信号の電位振幅は，共通電極と対向電極の間の電圧より小さく
なる（式⑦）。
画素が表示状態となる期間における画像信号の電位と共通電極の電位との電位差
Ｖｂ−Ｖｆは，画像信号の電位振幅Ｖｂ−Ｖｂ’にほぼ等しいものであり，画素が
表示状態となる期間における画像信号の電位と共通電極の電位との電位差Ｖｂ−Ｖ
ｆを検討すれば，画素が表示状態となる期間における画像信号の電位と画素が非表
示状態となる期間における画像信号の電位の電位振幅が明らかとなる。
そして，画素が表示状態となる期間において，保持電位が対向電極の電位より低
くなるように設定されることは，当業者が容易に想到し得た事項であるから，画素
が表示状態となる期間において，画像信号の電位と共通電極の電位との電位差は共
通電極と対向電極の間の電圧より小さくなるようにすることも当業者が容易に想到
し得た事項であり，また，画像信号の電位振幅は共通電極と対向電極の間の電圧よ
り小さくなるようにすることも当業者が容易に想到し得た事項である。
()原告は，本願補正発明は，非表示状態において，一定の条件化でＶｃ’−3
Ｖｆ＞０としていることが特徴であり，Ｖｃ’−Ｖｆ≒０との状態は含まれない旨
主張するが，これは，特許請求の範囲の記載に基づくものではなく，画素が非表示
状態となる期間において，画像信号の電位は，通常，共通電極の電位とほぼ等しい。
４取消事由４（本願発明の要旨認定の誤り，進歩性判断の誤り）に対して
原告は，本件補正を却下したことが誤りであることを前提として，本願発明の要
旨認定の誤りを主張するが，本願補正発明は当業者が容易に想到し得たものであり
本件補正を却下すべきであるとした審決の結論に誤りはなく，失当である。また，
原告は，本願補正発明と同様，本願発明に進歩性が認められる旨主張するが，本願
発明も，引用発明及び周知の事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることがで
きたものであるから，失当である。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（周知事項の認定の誤り）について
()審決が，「薄膜トランジスタの駆動電圧を低くするという課題は周知の事1
項である。そして，引用発明の第２薄膜トランジスタは保持電位により駆動される
から，保持電位を低くすることは格別のことではない。」（６頁第３段落）とした
のに対し，原告は，「薄膜トランジスタの駆動電圧を低くする」という課題が周知
の事項であるとの認定を争う。
()薄膜トランジスタの駆動電圧について，本件優先日当時の技術水準につい2
て検討する。
甲４の１公報には，「【発明が解決しようとする課題】この従来のメモリセルは，
より高い集積度を得るためにより小さいセル形状を確保する必要があり，このよう
な微細寸法の下地シリコン基板のトランジスタの特性劣化防止としては，低電圧動
作仕様とされる傾向がある。このとき，薄膜トランジスタには低電圧動作時の大き
なオン電流の確保が望まれ，パターン設計上ではより大きなゲート幅の実現が要求
されていた。従来例のような配置では，セル形状の短辺寸法と薄膜トランジスタの
ゲート幅の設計が関連しているために配置が制約されるという問題点があった。」
（段落【００１０】，【００１１】）との記載がある。
甲４の２公報には，「【発明の目的】本発明は，上述の問題にかんがみ，実効移
動度μｅｆｆがきわめて大きくかつしきい値電圧Ｖおよび動作に要するゲート電Ｔ
圧が十分小さいＭＯＳＴＦＴなどの電界効果型薄膜トランジスタを提供すること
を目的とする。」（段落【０００５】）との記載がある。
甲４の３公報には，「次に上記トップゲート型ＴＦＴ３をｎチャネルおよびｐチ
ャネルトップゲート型ＴＦＴとし形成したもののドレイン電流とゲート電圧の関係
を，図２のドレイン電流−ゲート電圧特性図によって説明する。なお，ｎチャネル
およびｐチャネルトップゲート型ＴＦＴともに，半導体層１２はキセノンクロライ
ド（ＸｅＣｌ）エキシマレーザ光を照射するレーザ結晶化法によって多結晶化した
ものであり，また第２絶縁膜３１はリモートプラズマＣＶＤ法によって形成したも
のである。図に示すように，ｎチャネルおよびｐチャネルトップゲート型ＴＦＴと
もに，シャープな立ち上がり特性を示した。この特性から，キャリア移動度は，ｎ
チャネルトップゲート型ＴＦＴが５７０ｃｍ／Ｖｓ，ｐチャネルトップゲート型２
ＴＦＴが４００ｃｍ／Ｖｓになり，しきい値電圧は，ｎチャネルトップゲート型２
ＴＦＴが１．２Ｖ，ｐチャネルトップゲート型ＴＦＴが−１．５Ｖになった。この
結果，トップゲート型ＴＦＴ３はｎチャネルのものおよびｐチャネルのもの共に低
電圧で高速動作することがわかった。」（段落【００３６】，【００３７】），
「液晶の偏向特性を変化させるには，通常５Ｖ程度の電圧が必要になる。またＴＦ
Ｔの動作電圧は，通常１０Ｖ∼１５Ｖである。ところが，上記説明したトップゲー
ト型ＴＦＴは，前記図２に示したように，低ゲート電圧で十分に動作を行う。この
ようなトップゲート型ＴＦＴに大きな電圧を印加すると過剰な電流が流れてＴＦＴ
の特性を劣化させることになる。」（段落【００５０】）との記載がある。
乙１公報には，「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はＴＦＴの構造
の変更によってＣｇｓの低減を実現することにあり，ディスプレイパネル上の直流
電圧成分の発生を抑えることである。本発明の別の目的はＴＦＴの相互コンダクタ
ンスの実効的増大であり，駆動ゲート電圧の振幅低減である。［課題を解決するた
めの手段］上記目的を達成するために，薄膜トランジスタのドレイン電極（ソース
電極）をソース電極（ドレイン電極）に対向してＵ型もしくはＬ型に配置したもの
である。」（２頁左上欄１４行目∼右上欄６行目），「【発明の効果】本発明によ
れば薄膜トランジスタのＣｇｓをＷ／Ｌを減らすことなく低減できる。このためこ
のトランジスタを液晶ディスプレイパネルに用いたとき，画素液晶の駆動能力を増
大させるとともにＣｇｓによる直流電圧成分の発生を低く抑えることができるとい
う効果を持つ。このことは液晶パネルの特性劣化を防ぐのに大きな効果を有する。
Ｃｇｓを一定としたときトランジスタの駆動能力は大幅に改善される。これは電圧
書込率の改善を可能にするものである。また，一方で駆動能力の増大は駆動ゲート
パルス振幅の低減をも可能にする。上記実施例では駆動ゲートパルス電圧の振幅を
半分程度に低くすることができる。直流電圧成分の大きさはゲート電圧振幅に比例
するので，Ｃｇｓが小さいこととゲート電圧が低いことが二重効果となって働き，
パネルの特性劣化を防止する効果を持つ。すなわち液晶の信頼性の向上や焼付きの
低減等の効果を持つものである。」（３頁左下欄６行目∼右下欄５行目）との記載
がある。
()上記()によれば，本件優先日当時，ゲート電圧を小さくし，駆動電圧を32
小さくした電界効果型薄膜トランジスタが知られていたこと，そのようなトランジ
スタにおいて，トランジスタの特性の劣化を防止でき（甲４の１公報），高速動作
が可能になること（甲４の３公報）が知られていたと認めることができる。
そして，表示装置を含めた駆動回路においては，可能であれば，消費電力を少な
くすることは当然の技術的課題であるというべきであることも併せ考えると，駆動
電圧を小さくした電界効果型薄膜トランジスタが知られ，そのようなトランジスタ
において，トランジスタの特性の劣化を防止でき，高速動作が可能になることが知
られていたとき，電界効果型薄膜トランジスタを用いた回路において，ゲート電圧
を低くすることが可能な薄膜トランジスタを採用して，電界効果型薄膜トランジス
タの駆動電圧を小さなものとすることは，当業者が当然なし得る程度の設計的事項
というべきものである。
したがって，引用発明の第２薄膜トランジスタにおいて，ゲート電圧を低くする
ことが可能な薄膜トランジスタを採用して，駆動電圧である保持電位を十分小さい
電圧となるようにすることは，当業者が通常なし得る程度のことであると認められ
るから，「引用発明の第２薄膜トランジスタは保持電位により駆動されるから，保
持電位を低くすることは格別のことではない。」（６頁第３段落）とした審決の結
論に，原告主張の誤りはない。
()原告は，被告が周知技術として掲げる甲４の１公報等は，いずれも，駆動4
方法の観点から薄膜トランジスタのゲート電圧を低くするという課題が周知である
ということを示しているものではない旨主張している。
しかし，前記()のとおり，本件優先日当時，ゲート電圧を小さくし，駆動電圧3
を小さくした電界効果型薄膜トランジスタが知られていたことなどに，表示装置を
含めた駆動回路における技術課題を併せ考慮すると，引用発明において，ゲート電
圧を低くすることが可能な薄膜トランジスタを採用して，保持電位を低くするよう
にすることは当業者が通常なし得る程度のことといえ，このことは，甲４の１公報
等に駆動方法の観点から薄膜トランジスタのゲート電圧を低くするという課題その
ものが記載されているか否かに左右されるものではないから，原告の主張は，採用
の限りではない。
また，原告は，トランジスタには，ＥＬ素子の充分な発光強度を得るのに必要な
電流を確保できる駆動電圧（ゲート電圧）を印加する必要があり，当業者であれば，
薄膜トランジスタに印加する駆動電圧は高い方が望ましいと考える旨主張する。し
かし，画像表示装置において，必要な駆動電流を得ることが望まれているとしても，
必要な範囲において駆動電流を得ることができればよいのであり，消費電力との関
係に照らしても，当業者が薄膜トランジスタに印加する駆動電圧を高い方が望まし
いと考えるものであると認めることはできない。
()したがって，原告主張の取消事由１は理由がない。5
２取消事由２（相違点２の判断の誤り１）について
(1)審決が，相違点２の容易想到性判断に当たり，「保持電位を対向電極の電
位より低くなるようにすることは，単に保持電位を低くするという以上の技術的意
義は認められない。してみると，画素が表示状態となる期間において，保持電位が
対向電極の電位より低くなるように画像信号の電位が設定されてなることは，薄膜
トランジスタの駆動電圧を低くするという周知の課題を勘案すれば当業者が容易に
想到し得た事項である。」（６頁最終段落∼７頁第１段落）としたのに対し，原告
は，その認定を争い，本願補正発明において「画素が表示状態となる期間において，
保持電位が対向電極の電位より低く」なるように設定することは，単に保持電位を
低くする以上の技術的意義がある旨主張する。
()本願補正発明は，特許請求の範囲の記載に照らし，保持電位を対向電極の2
電位よりも低くするものである。
この技術的意義についてみると，本件明細書（甲２の１）には，「さらに，本実
施例では，表示状態にする画素に対する信号電位２１２は，対向電位２１６と比べ
て低電位である。上記のように，画素が表示状態になる期間２２１において，ｎチ
ャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２のオン電流は，保持電位２１３と共通電
位２１４との電位差に依存し，保持電位２１３と対向電位２１６との電位差には，
直接には依存しない。そこで，ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２にお
いて十分大きなオン電流を確保しながら，保持電位２１３，すなわち，表示状態に
する画素に対する信号電位２１２を，対向電位２１６よりも低電位にすることが可
能となり，ひいては，信号電位２１２の振幅や，走査電位２１１の振幅を低減する
ことが可能となる。すなわち，スイッチング薄膜トランジスタ１２１や，ｎチャネ
ル型カレント薄膜トランジスタ１２２において，画質の劣化や，動作の異常や，動
作可能な周波数の低下を招くことなく，駆動電圧の低減を実現できる。」（１０頁
２６行目∼１１頁８行目）との記載がある。
これによれば，本件明細書には，ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２
のオン電流は，保持電位２１３と対向電位２１６との電位差に直接には依存しない
ため，保持電位を低くすることができるとされている。そして，ここで，対向電位
に比し保持電位を低くすることにより奏するとされる，「画質の劣化や，動作の異
常や，動作可能な周波数の低下を招くことなく」という効果は，「保持電位２１３
をより低電位にすることが可能となり，信号電位２１２の振幅，ひいては，走査電
位２１１の振幅を低減することが可能となる。」（本件明細書の１０頁２０行目∼
２２行目）ことによる，「スイッチング薄膜トランジスタ１２１や，ｎチャネル型
カレント薄膜トランジスタ１２２において，画質の劣化や，動作の異常や，動作可
能な周波数の低下を招くことなく，駆動電圧の低減を実現できる。」との効果（同
頁２２行目∼２５行目）と同様のものであると記載され，他に本件明細書において，
技術的意義についての記載がないことからも，その技術的意義は，保持電位を低く
することに尽きるものと認められる。
したがって，「保持電位を対向電極の電位より低くなるようにすることは，単に
保持電位を低くするという以上の技術的意義は認められない。」（６頁最終段落∼
７頁第１段落）とした審決に原告主張の誤りは認められない。
そして，前記１のとおり，薄膜トランジスタの駆動電圧が十分小さい電圧となる
ようにすることは，当業者が通常なし得る程度のことと認められるから，「画素が
表示状態となる期間において，保持電位が対向電極の電位より低くなるように画像
信号の電位が設定されてなることは，薄膜トランジスタの駆動電圧を低くするとい
う周知の課題を勘案すれば当業者が容易に想到し得た事項である。」（７頁第１段
落）とした審決に，誤りは認められない。
()原告は，本願補正発明の「画素が表示状態となる期間において，保持電位3
が対向電極の電位より低くなる」ように設定することは，第２薄膜トランジスタを
飽和領域で動作させるための条件であるという技術的意義がある旨主張する。すな
わち，原告は，ドレイン電圧（画素電極電位）をＶｄ，ゲート電圧をＶｇ，薄膜ト
ランジスタのしきい値電圧をＶＴとした場合において，Ｖｇ−ＶＴ≦Ｖｄであり，
対向電極の電位をＶｅとすると，本願補正発明においては，有機ＥＬ素子のしきい
値電圧は，少なくとも２Ｖ以上であって，Ｖｅ−Ｖｄは，表示状態においては少な
くとも２Ｖ以上であること，薄膜トランジスタのしきい値ＶＴは，１∼２Ｖ程度で
あることであることから，本願補正発明は，表示状態において，Ｖｅ−Ｖｄ≧ＶＴ
となるから，Ｖｅ≧Ｖｄ＋ＶＴとなり，Ｖｇ＞Ｖｅとなると，Ｖｇ＞Ｖｄ＋ＶＴ，
Ｖｇ−ＶＴ＞Ｖｄとなって，第２薄膜トランジスタが非飽和領域で動作することと
なってしまうから，それが飽和領域で動作するためには，最低限Ｖｇ≦Ｖｅである
ことが必要である，と主張するのである。
ここで，保持電位を対向電極の電位よりも低く設定することが，第２薄膜トラン
ジスタが飽和領域で動作するために最低限必要な条件であるとの技術的意義を有す
るとの記載は本件明細書にないだけでなく，原告の上記主張は，本願補正発明の
「発光素子」が「有機ＥＬ素子」であり，しきい値電圧が少なくとも２Ｖ以上であ
ることを前提とするものである。しかし，本願補正発明の特許請求の範囲の記載は，
前記第２の２()のとおりであり，その発光素子は，電流駆動型のものであるとい2
う以上の特定がされていないこと，発光素子のしきい値が規定されていないことは
明らかである。また，本件明細書（甲２の１）においても，「また上述の実施例は，
発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明したが，有機ＥＬ表示素子に限らず，無
機ＥＬ素子あるいはその他の電流駆動型発光素子にも適用可能であることは言うま
でもない。」（１６頁１３行目∼１５行目），「〔産業上の利用分野〕本発明に係
わる表示装置は，有機ＥＬ表示素子，無機ＥＬ素子等の各種の電流駆動型発光素子
とこれを駆動する薄膜トランジスタ等のスイッチング素子とを備えた表示装置とし
て利用可能である。」（同頁１６行目∼１９行目）との記載があり，本願補正発明
の「発光素子」は，「有機ＥＬ素子」に限定されない電流発光素子であるとされて
いて，本願補正発明の「発光素子」は，「有機ＥＬ素子」以外の電流駆動型の発光
素子を含むものと認められる。そして，そのようなすべての電流駆動型の発光素子
について，そのしきい値電圧の値が２Ｖ以上であると認めるに足りる証拠はないし，
本願補正発明において，発光素子のしきい値が特定されているとは認められない。
そうすると，原告の上記主張は，前提を欠くというほかなく，採用の限りではない。
()したがって，原告主張の取消事由２は理由がない。4
３取消事由３（相違点２の判断の誤り２）について
(1)審決が，「画素が表示状態となる期間において，保持電位が対向電極の電
位より低くするように画像信号の電位が設定されてなることは，当業者が容易に想
到し得た事項である。そして，保持電位は画像信号の電位にほぼ等しいものと考え
られるから，画素が表示状態となる期間において，画像信号の電位振幅は，共通電
極と対向電極の間の電圧より小さくなるようにすることは，当業者が容易に想到し
得た事項である。」（７頁第３段落）としたのに対し，原告は，保持電位が対向電
極の電位より低くするように設定されることに当業者が容易に想到し得るとの審決
の判断は誤りであるから，「画素が表示状態となる期間において，画像信号の電位
振幅は，共通電極と対向電極の間の電圧より小さくなるようにすることは，当業者
が容易に想到し得た事項である。」との審決の判断も誤りである旨主張する。
しかし，前記２のとおり，保持電位が対向電極の電位より低くするように設定さ
れることに当業者が容易に想到し得るとの審決の判断に誤りはなく，原告の主張は
失当である。
()原告は，本願補正発明の「前記画像信号の電位振幅は，前記共通電極と前2
記対向電極の間の電圧より小さい」という構成要件には，「画素が表示状態となる
期間において，」との限定はないにもかかわらず，審決は，画素が表示状態となる
期間に関しての進歩性判断しか行っておらず，審決の認定が誤りである旨主張する。
前記第２の２()の本願補正発明の特許請求の範囲の記載によれば，本願補正発2
明は，「前記画像信号の電位振幅は，前記共通電極と前記対向電極の間の電圧より
小さい」というものであるところ，その「前記画像信号の電位振幅」とは，表示状
態の画像信号の電位と非表示状態の画像信号の電位の電位差の大きさであると解さ
れ，「前記共通電極と前記対向電極の間の電圧」は，共通電極と対向電極との間の
電位差のことであると解される。
ここで，上記()のとおり，引用発明において，画素の表示期間についてみると，1
保持電位が対向電極の電位よりも低くなるものとすることは，容易になし得ること
であるといえる。そして，画素の表示期間においては，画像信号の電位は，保持電
位とほぼ等しいものと認められることからすると，画像信号の電位は対向電極の電
位より低いと認められる。次に，画素の非表示期間についてみると，発光素子に電
流を流さないようにするためには，薄膜トランジスタをオフ状態とする必要がある
ところ，薄膜トランジスタをオフ状態とするには，通常，ゲート，ソース間電圧を
等しくすればよく，ゲート電圧と等しい保持電位をソース電圧と等しい共通電極の
電位と同程度とすることにより，薄膜トランジスタがオフ状態となる（乙３，４。
なお，本件明細書の図４参照）。
そして，このような場合の表示状態の画像信号の電位と非表示状態の画像信号の
電位差についてみると，表示期間においては，対向電極の電位よりも小さな電位で
あり，非表示期間においては，共通電極とほぼ同じ電位といえるから，画像信号の
電位振幅は，対向電極と共通電極の間の電圧より小さくなるものであるといえる。
そうすると，画像表示状態において，引用発明の保持電位を対向電極の電位より
も小さくすることで，当業者が通常，試みるような条件において，画像信号の電位
振幅は，前記共通電極と前記対向電極の間の電圧より小さくなるのであるから，相
違点２に係る本願補正発明の構成につき，当業者は容易に想到することができたと
認めることが相当であり，この点についての審決は結論において誤りがない。
()原告は，本願補正発明は，非表示状態において，画素電極の電位と対向電3
極の電位との電位差が有機ＥＬ素子のしきい値電圧以下であれば，第２薄膜トラン
ジスタを完全にオフ状態にしなくてもよいし，また，保持電位Ｖｃ’と共通電極の
電位について，Ｖｃ’−Ｖｆが第２薄膜トランジスタのゲート電圧のしきい値以上
であってもよく，本件補正発明は，非表示状態において，一定の条件下でＶｃ’−
Ｖｆ＞０としていることが特徴である旨主張する。
しかし，特許請求の範囲の記載に照らし，本願補正発明において，そのようなし
きい値電圧に係る構成が規定されているものではないことは明らかであり，また，
有機ＥＬ素子についてしきい値が認められるとしても，前記２のとおり，本願補正
発明は有機ＥＬ素子を前提としたものとは認められない。原告は，本件明細書に，
「正置有機ＥＬ表示素子１３１に印加される電圧は，画素電位２１５と対向電位２
１６との電位差であるが，図５に示すように，あるしきい値電圧以下では，オフ状
態となり，電流が流れず，発光しない。すなわち，正置有機ＥＬ表示素子１３１の
しきい値電圧を利用することにより，信号電位２１２が，共通電位２１４と比べて，
わずかに高電位であり，ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２が，完全に
オフ状態にならなくとも，正値有機ＥＬ表示素子１３１を発光させないことが可能
である。」（１１頁１９行目∼２５行目）との記載があることを主張の根拠として
掲げる。しかし，上記は，一実施例についての説明であり，前記２()のとおり，本3
願補正発明の発光素子は有機ＥＬ素子に限定されるものではなく，「しきい値電圧
を利用」することに係る構成は，特許請求の範囲には記載はないから，本願補正発
明が，「しきい値電圧を利用」するものであるとの構成を前提とする主張は，特許
請求の範囲には記載されておらず，明細書の実施例に初めて登場する構成を特許出
願に係る発明の構成として取り込もうとするものにほかならず，採用することがで
きない。
()したがって，原告主張の取消事由３は理由がない。4
４取消事由４（本願発明の要旨認定の誤り，進歩性判断の誤り）について
審決は，本件補正を却下し，「本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」
という。）は，平成１５年１１月４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１
に記載された次のとおりのものと認める。」（８頁第１段落）とした上で，「本願
発明も，同様の理由により，引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて，
当業者が容易に発明をすることができたものである。」（同頁第４段落）と認定判
断したが，原告は，本願補正発明を当業者が容易に発明することができたとして本
件補正を却下したことが誤っているとして，審決の認定判断が誤りである旨主張し，
また，審決の本願発明についての進歩性判断は，本願補正発明についての進歩性判
断と同様の理由により，誤りである旨主張する。
しかし，前記１ないし３のとおり，本願補正発明について，引用発明及び周知の
事項に基づいて当業者が容易に想到することができたとの審決の認定判断に誤りは
ないから，原告の主張は前提を欠くものである。
したがって，原告主張の取消事由４は理由がない。
５以上によれば，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，原告の請求は理由
がないから棄却することとする。
知的財産高等裁判所第１部
裁判長裁判官塚原朋一
裁判官柴田義明
裁判官澁谷勝海

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