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平成２１年９月１７日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２０年（行ケ）第１０４９０号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２１年８月１８日
判決
原告Ｘ
同訴訟代理人弁理士前直美
被告帝人化成株式会社
同訴訟代理人弁理士大島正孝
白石泰三
主文
１特許庁が無効２００８−８０００１５号事件につい
て平成２０年１１月２５日にした審決を取り消す。
２訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
主文１項同旨
第２事案の概要
本件は，原告が，下記１のとおりの手続において下記２の本件発明に係る特許に
対する特許無効審判の請求について特許庁が同請求は成り立たないとした別紙審決
書（写し）記載の本件審決（その理由の要旨は下記３のとおり）には，下記４の取
消事由があると主張して，その取消しを求める事案である。
１特許庁における手続の経緯
(1)被告は，発明の名称を「薄板収納搬送容器用ポリカーボネート樹脂」とす
る特許第３９９５３４６号（平成１０年８月２６日特許出願。平成１９年８月１０
日設定登録。請求項の数は全２項。以下「本件特許」という。）の特許権者である
（甲９）。
(2)原告は，平成２０年１月２９日，本件特許につき特許無効審判を請求し
（甲１５），無効２００８−８０００１５号事件として係属した。
(3)特許庁は，同年１１月２５日，「本件審判の請求は，成り立たない。」と
の本件審決をし，その謄本は，同年１２月４日，原告に送達された。
２本件発明の要旨
本件特許に係る発明の要旨は，次のとおりである。以下，請求項１及び２に係る
発明を「本件発明１」及び「本件発明２」という。
【請求項１】粘度平均分子量が１４０００∼３００００の芳香族ポリカーボネート
樹脂であって，該ポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下であ
り，炭素数が６∼１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下で
あり，ナトリウム，カリウム，亜鉛，アルミニウム，チタン，ニッケルおよび鉄原
子の含有量の合計が０７ｐｐｍ以下であり，且つナトリウムの含有量が０２ｐｐ..
ｍ未満である芳香族ポリカーボネート樹脂から成形されたことを特徴とする薄板収
納搬送容器。
【請求項２】薄板収納搬送容器が，半導体ウエーハ用収納搬送容器である請求項１
記載の薄板収納搬送容器。
３本件審決の理由の要旨
(1)本件審決の理由は，要するに，下記アないしカの各引用例及び参考文献の
開示内容を合わせて検討し，技術常識を考慮しても，下記(2)の相違点ｂ及びロに
係る本件発明１についての「塩素原子含有量」を導き出すことが当業者にとって容
易であるということはできず，したがって，主引例を下記アの引用例１又は下記イ
の引用例２のいずれとしても，本件発明１及び２が当該主引例又は下記ウないしオ
の各引用例に記載された発明（以下，主引例に係る発明を含め，順次，「引用発明
１」ないし「引用発明５」といい，引用発明１ないし５を併せて「各引用発明」と
いう。）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとする原告主張の無効
理由は認めることができない，というものである。
ア引用例１：特開平１０−２１１６８６号公報（甲２）
イ引用例２：特開平２−２７６０３７号公報（甲１）
ウ引用例３：特開平５−１４８３５５号公報（甲３）
エ引用例４：特開平６−１００６８３号公報（甲４）
オ引用例５：特開平３−１００５０１号公報（甲５）
カ参考文献：本間精一編「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」（平成４年８
月２８日・日刊工業新聞社発行）８１頁（甲６）
(2)なお，本件審決が上記判断に際して認定した本件発明１と引用発明１との
相違点及び引用発明２との相違点は，次のとおりである。
ア本件発明１と引用発明１との相違点
相違点ａ：芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量について，本件発明１では「粘
度平均分子量が１４０００∼３００００」と規定しているのに対して，引用発明１
では「平均分子量(Ｍv)が１０,０００∼１００,０００」と規定している点。
相違点ｂ：芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素に関した含有量について，本件
発明１では「塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下」と規定しているのに対して，引用
発明１では「吸水率が０.０５重量％以下になるまで乾燥したポリカーボネート樹
脂をガラス管に入れ，１mmＨg以下の圧力で封入した後，これを２８０℃で３０分
間加熱し，ついで２３℃まで冷却後，３日間常温(２３℃)放置する間に封入したガ
ラス管の気相部に揮発してくるＣlイオン量が３０ｐｐｂ以下」と規定している点。
相違点ｃ：芳香族ポリカーボネート樹脂中のフェノールに関した合計含有量につ
いて，本件発明１では「炭素数が６∼１８であるフェノール化合物の合計含有量が
１００ｐｐｍ以下」と規定しているのに対して，引用発明１では，そのような合計
含有量の規定が無い点。
相違点ｄ：芳香族ポリカーボネート樹脂中の特定金属種に関した合計含有量につ
いて，本件発明１では「ナトリウム，カリウム，亜鉛，アルミニウム，チタン，ニ
ッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下」と規定しているのに対し
て，引用発明１では，そのような合計含有量の規定が無い点。
相違点ｅ：芳香族ポリカーボネート樹脂中のナトリウムに関した含有量について，
本件発明１では「ナトリウムの含有量が０.２ｐｐｍ未満」と規定しているのに対
して，引用発明１では，そのような含有量の規定が無い点。
イ本件発明１と引用発明２との相違点
相違点イ：芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量について，本件発明１では「粘
度平均分子量が１４０００∼３００００」と規定しているのに対して，引用発明２
では「粘度平均分子量が１４,２００，１４,３００又は１４,４００」である点。
相違点ロ：芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素に関した含有量について，本件
発明１では「塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下」と規定しているのに対して，引用
発明２では「塩素系溶媒としてのＣＨＣl含有量が３ｐｐｍ，２ｐｐｍ又は１０22
ｐｐｍ」である点。
相違点ハ：芳香族ポリカーボネート樹脂中のフェノールに関した合計含有量につ
いて，本件発明１では「炭素数が６∼１８であるフェノール化合物の合計含有量が
１００ｐｐｍ以下」と規定しているのに対して，引用発明２では，そのような合計
含有量の規定が無い点。
相違点ニ：芳香族ポリカーボネート樹脂中の特定金属種に関した合計含有量につ
いて，本件発明１では「ナトリウム，カリウム，亜鉛，アルミニウム，チタン，ニ
ッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下」と規定しているのに対し
て，引用発明２では，そのような合計含有量の規定が無い点。
相違点ホ：芳香族ポリカーボネート樹脂中のナトリウムに関した含有量について，
本件発明１では「０.２ｐｐｍ未満」と規定しているのに対して，引用発明２では
「０.３ｐｐｍ」又は「０.２ｐｐｍ」である点。
相違点ヘ：芳香族ポリカーボネート樹脂を成形して得た成形品の用途について，
本件発明１では「薄板収納搬送容器」と規定しているのに対して，引用発明２では
「光学式ディスク基板」である点。
４取消事由
(1)本件発明１に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由１）
(2)本件発明２に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由２）
第３当事者の主張
１取消事由１（本件発明１に係る容易想到性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
()本件発明１における「塩素原子含有量」と各引用発明における各種塩素量1
についての認定・判断の誤り
本件審決（１９頁４行∼２１頁３５行，２４頁２４行∼２５頁末行）は，本件発
明１の「塩素原子含有量」には，塩素系溶媒由来のもののほかに，ポリカーボネー
トポリマーの分子鎖末端に存在するクロロホーメート基由来のものが含まれるのに
対し，各引用発明における「Ｃｌイオン量」（引用発明１），「塩素系溶媒残留
量」（引用発明２），「塩素濃度」（引用発明３）及び「塩化メチレンの含有量」
（引用発明４）は，それぞれ，本件発明１の「塩素原子含有量」とは意味・内容が
異なり，本件発明１の「塩素原子含有量」と換算可能な関係があるわけでもないか
ら，これらから本件発明１の「塩素原子含有量」を導き出すことはできないとする。
しかしながら，本件発明１の「塩素原子含有量」には，塩素系溶媒由来のものの
ほか，ポリカーボネートポリマーの分子鎖末端に存在するクロロホーメート基由来
のものが含まれるとしても，ポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量はほとんど
がポリカーボネート樹脂中に残留した塩素系有機溶媒によるものであり，ポリマー
鎖に残った未反応のクロロホーメート基に由来するものは含まれるとしても微量で
あるとされており，ポリカーボネート樹脂中の塩素原子は，ほぼ残留した塩素系有
機溶媒由来の塩素と考えるべきである。
本件審決における上記認定・判断には，ポリカーボネート樹脂中に含まれる塩素
原子として，クロロホーメート基由来のものを過大に見積もり，塩素系溶媒由来の
ものを過少に見積もり，また，測定方法や表現上の外形的な相違にこだわった結果，
本件発明１及び各引用発明の本質を見誤った誤りがある。
以上を分説すると，下記のとおりである。
ア本件発明１における「塩素原子含有量」について
(ア)本件発明に係る明細書（甲９。以下「本件明細書」という。）の【００２
１】の記載によると，ポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量として測定される
塩素のうち，塩素系有機溶媒由来の塩素が「ほとんど」であるのに対し，クロロホ
ーメート基由来の塩素は「微量」であり，また，塩素系有機溶媒由来の塩素が直接
的に薄板汚染につながるのに対し，クロロホーメート基由来の塩素は「結果的に薄
板汚染につながる」とされている。
(イ)本件明細書の【００３２】や【００３５】などには，ポリカーボネート樹
脂中に残存する塩素系有機溶媒を少なくする方法が記載されているが，本件明細書
には，クロロホーメート基を少なくする方法は記載されておらず，ポリカーボネー
ト樹脂中の塩素原子含有量として本件発明１が実質的に着目しているのは，塩素系
有機溶剤由来の残留塩素の量である。
(ウ)以上のとおり，本件明細書全体の趣旨からみると，本件発明１において，
クロロホーメート基由来塩素は，微量なものであって，本件発明１における課題解
決に関する重要性も低く，塩素原子含有量の低減において無視できるものとして扱
われており，本件発明１が実質的に着目しているのは，塩素系有機溶媒由来の残留
塩素である。
イ引用例３における「塩素濃度」について
(ア)本件審決（２１頁６∼１５行，２５頁３１∼３４行）は，引用発明３の
「塩素濃度」は本件発明１の「塩素原子含有量」とは異なるものであって，引用例
３の「塩素濃度」から本件発明１の「塩素原子含有量」を導き出すことはできない
としたが，本件発明１の構成要素である「ポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有
量」とは，「ポリカーボネート樹脂に含まれる塩素原子の量」として一義的に明確
に理解することができ，また，引用例３における「ポリカーボネート中の塩素濃
度」についても，「ポリカーボネート樹脂に含まれる塩素原子の量」として一義的
に明確に理解することができるものであるから，本件発明１の「ポリカーボネート
樹脂中の塩素原子含有量」と引用例３における「ポリカーボネート中の塩素濃度」
とは同義である。
(イ)本件審決（２１頁６∼１０行）は，本件発明１の「塩素原子含有量」が燃
焼塩素法により測定されるのに対し，引用例３の「ポリカーボネート中の塩素濃
度」は「ポリカーボネート５０mgをSchoriger法によりガス化して水溶液にし，
イオンクロマトグラフィーを用いて測定された」ことを重視して，測定されるもの
が異なると認定するが，燃焼塩素法とSchoriger法は，いずれも，ポリカーボネー
ト樹脂をガス化することによって「ポリカーボネート樹脂に含まれる全塩素原子」
を取り出してその量を測定することを目的とした測定法であって，塩素の検出手段
以外は基本的に同様の原理に基づくものであるから，測定された量は実質的に同じ
と解される。
(ウ)したがって，引用例３における「ポリカーボネート中の…塩素濃度が１０
ｐｐｍ以下」は，本件発明１の「ポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量が１０
ｐｐｍ以下」と一致するものであって，測定方法の違いを考慮したとしても，その
数値範囲が重複する。
ウ引用例２における「塩素系溶媒残留量」について
(ア)本件発明１における塩素原子含有量は，「ほとんど」塩素系有機溶媒由来
の塩素によって占められ，基本的に塩素系有機溶媒由来の塩素の量とほぼ同等であ
る。
(イ)そして，引用例２の【表１】には，塩素系溶媒としての塩化メチレン
（ＣＨＣｌ）量が２，３又は１０ｐｐｍのポリカーボネート樹脂が記載されてい２２
るところ，塩化メチレン１ｐｐｍは塩素原子量０．８３５ｐｐｍに相当するから，
引用例２記載の「塩素系溶媒としてのＣＨＣｌ量」２，３又は１０ｐｐｍは，そ２２
れぞれ塩素原子量１．６７ｐｐｍ，２．５１ｐｐｍ，８．３５ｐｐｍに相当するか
ら，微量のクロロホーメート基由来の塩素原子をこれらに加えたとしても，少なく
とも前２者は，本件発明１における「塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下」の範囲内
に含まれると考えられる。
(ウ)なお，被告は，審査過程の平成１８年４月２８日に提出した意見書（甲１
２）において，ポリカーボネート樹脂の処理方法において，本件発明１と引用発明
２とで差異がないことを認めていたものであって，引用例２に記載の粒状ポリマー
にされた後の貧溶媒による洗浄と乾燥が十分に行われているポリカーボネート樹脂
は，ポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下のものであるとの
審査官の認定を容認していたものであった。
エ引用例４における「塩化メチレンの含有量」について
(ア)本件審決（２１頁１６∼２５行）は，引用発明４における「塩化メチレン
の含有量」は，ガスクロマトグラフ法で検出される塩化メチレンの含有量を意味し，
本件発明１における「塩素原子含有量」とは異なり，この「塩素原子含有量」と換
算可能な関係があるわけでもないから，これらから本件発明１の「塩素原子含有
量」を導き出すことはできないとする。
(イ)しかしながら，当業者であれば，引用発明４における「塩化メチレンの含
有量」と引用発明２における「塩素系溶媒としてのＣＨＣｌ含有量」とが同等で２２
あり，また，引用例４の記載から算出される塩素量が，本件発明１における実質的
に塩素系有機溶媒由来の塩素量である「塩素原子含有量」と同様のものであること
が分かる。
(ウ)そして，本件発明１における「塩素原子含有量」は，クロロホーメート基
由来の塩素原子量をも含むものであったとしても，それが微量である以上，塩化メ
チレン由来の塩素量と実質的に同等である。
オ引用例１における「Ｃｌイオン量」について
(ア)本件審決は，「引用発明１で言う『Ｃｌイオン量』とは，…成形後，被収
納物を収納して，輸送，保管中等の環境下で放置する間に，常温下での光分解等に
よって徐々に揮発してくる『揮発性Ｃｌ』の量を意味する」（１９頁１４∼１９
行），引用例１には「四塩化炭素やクロロホーメート基に由来した残留塩素に関す
る記載が存在するものの，これらの残留塩素は，『成形品』すなわち『収納容器』
に対して純水洗浄を行っていることからわかるとおり，『成形品』における残留塩
素量に着目するものであって，成形前の樹脂自体における『塩素原子含有量』に関
するものではない。」（２０頁７∼１１行）とする。
(イ)しかしながら，引用例１には，その【０００７】において「成形品」から
放置中に徐々に揮発する塩素である「揮発性Ｃｌ」についての記載と，その【請求
項１】において「吸水率が０．０５重量％以下になるまで乾燥したポリカーボネー
ト樹脂」についての「Ｃｌイオン量」との記載があり，２種類の塩素量の記載がさ
れているところ，このうち「Ｃｌイオン量」は，本件発明１と同様に，ポリカーボ
ネート樹脂（ペレット）中の塩素量の一種であって，成形品についての塩素量では
ないにもかかわらず，本件審決の上記認定は，これらの２種類の塩素量を混同する
ものであって誤っている。
また，引用例１の実施例において，Ｃｌイオン量は，樹脂ペレットの状態と成形
後の状態との両方の状態で測定されている。樹脂ペレットのＣｌイオン量（引用発
明１の「Ｃｌイオン量」）は，「成形後の純水洗浄」より前に測定されているので
あるから，四塩化炭素，クロロホーメート基に由来する塩素が除去されておらず，
それらを含み得るものである。引用例１の【表１】及び【表２】を参照すると（こ
こでは，樹脂ペレットのＣｌイオン量は「加熱発生Ｃｌ量」，成形後の測定値につ
いては「容器のＣｌイオン量」と呼ばれている），いずれのサンプルについても樹
脂ペレットのＣｌイオン量が成形後の測定値を上回っていることからも，そのこと
が理解できる。
(ウ)以上のとおり，引用発明１における「Ｃｌイオン量」は，揮発性Ｃｌが生
じる状態を模した条件下で測定されるとしても，「ポリカーボネート樹脂」を測定
対象としているのものであって，引用発明１はポリカーボネート樹脂中の塩素量に
着目したものである点で，本件発明１と共通する。
(2)本件発明１の効果の自明性
本件審決（２１頁３６∼末行）は，相違点ｂ及びロに係る本件発明１の特定事項
によって奏される効果が格別であって，引用例１ないし５等から予測し得ないもの
であると判断するが，この判断は，以下のとおり誤っている。
アポリカーボネート樹脂中の残存塩素の影響との関係について
(ア)引用例１の【０００２】及び【０００３】，引用例４の【０００４】など
の記載のとおり，ポリカーボネート樹脂中の残存塩素が，ポリカーボネート樹脂を
材料として使用した成形品（製品）において種々の問題の原因となることは周知で
ある。そして，本件明細書の【０００６】に「理想は，揮発あるいは漏出の可能性
のある不純物成分が材料中に全く存在しないことである」と記載されるように，材
料であるポリカーボネート樹脂中の不純物の量が少ないほど，製品における種々の
問題の解決に有効であるという関係は，製品が何であるかにかかわらず，共通して
おり，ポリカーボネート樹脂においては，それから製造される成形品の性能との関
係において残存塩素等の不純物が低減されていることが望ましいものである。そし
て，容器に被収納物を保管している間に揮発又は漏出してくる不純物により被収納
物が悪影響を受ける場合，その不純物が容器から揮発又は漏出したものであるか，
被収納物自体から揮発又は漏出したものであるかを問わず，そのような不純物が少
ないことが望ましいことも当然である。特に，引用発明３は，透明性が高く，射出
成形品に適したポリカーボネート樹脂に関するものであるから，射出成形品に係る
本件発明１と関連するものである。
(イ)例えば，引用例１の【００３４】に「重縮合完結後は，残存するクロロホ
ーメート基が０．０１μｅｑ/g以下になるまで，ＮａＯＨのようなアルカリで洗
浄処理する。」と記載されているように，クロロホーメート基由来塩素原子が不純
物として望ましくないものであること及びそれを低減する方法は公知である上，本
件発明１は，クロロホーメート基由来塩素原子について単に「微量」としているの
みであって量的な検討もしておらず，クロロホーメート基由来塩素原子の量を含め
た量として塩素原子含有量を特定しても，塩素系有機溶媒由来塩素原子のみの量で
規定しても，その違いによって効果に有意差が生じるか示されていないのであるか
ら，本件発明１の進歩性を検討するにおいて，クロロホーメート基由来塩素原子に
依拠することはできない。
(ウ)以上のとおり，本件発明１の効果は，結局のところ，ポリカーボネート樹
脂における塩素等の不純物量を低減することにより，この樹脂を用いた成形品にお
ける塩素等の汚染物質の漏出が低減され，不純物による悪影響が抑えられるという
ものであって，当業者でさえなくとも容易に予測できる自明の効果である。
イ本件発明１の数値範囲等について
(ア)本件明細書には，接触角を測定することによる容器からの汚染の程度の測
定（【００３１】）及び透明性，耐衝撃性及び耐熱性に関する測定値（【００６
２】，【表２】）が記載されているが，ポリカーボネート樹脂中の塩素等の不純物
が少なければ成形品から漏出又は揮発する望ましくない成分の量が少なくなること
は周知であって，本件発明１において規定されているいずれの不純物も，一般にそ
の量は低いほどよいのであるから，その量についての数値範囲は，その上限の許容
限度にのみ意義があり得るところ，本件発明１における成形品（容器）からの塩素
等の不純物に起因する汚染の低減という効果は，ポリカーボネート樹脂中の不純物
量の低減について公知の効果と同質であるから，種々の成形品について，材料であ
るポリカーボネート樹脂中の不純物に起因する成形品への悪影響を低減できる不純
物量の上限値は公知である。
(イ)被告は，本件発明１は，いかなる不純物が薄板の汚染に影響を与え，それ
らの量及び組合せをどのようにすればよいかを決めたことを特徴とするものである
と主張するが，本件発明１においてその量が規定されている各種不純物は，いずれ
もポリカーボネート樹脂の不純物として公知であったものであるところ，本件明細
書には，薄板の汚染に影響を与える不純物の種類，量及び組合せを決めたといえる
根拠となり得るデータは記載されておらず，比較例とされているものも，比較例１
及び３の炭素数が６ないし１８であるフェノール化合物の合計含有量及び比較例１
ないし４の塩素原子含有量以外は，すべて本件発明１の構成要件の数値範囲を満た
しており，数値範囲外である量につき，それらがどのように影響するのかは不明で
ある。一方，本件明細書には，本件発明１の実施例としては「実施例１」（塩素原
子含有量７ｐｐｍ）が唯一のものであり，本件発明１の構成要件の各不純物の数値
範囲全体にわたって本件発明１の効果が確認されているものでもなく，本件発明１
の数値範囲に臨界的意義を認めることもできない。
(ウ)本件発明１は，被告が主張するように「いかなる不純物が薄板の汚染に影
響を与え，それらの量及び組合せをどのようにすればよいか」を検討したものでは
なく，むしろ，ポリカーボネート樹脂の成形品において悪影響を及ぼすことが公知
であり，少ない方がよいことが明白な各種不純物について，単に測定し，最も不純
物量が少なかった例をカバーするように数値範囲を規定したものにすぎず，その効
果は，結局のところ，調べた各種不純物がいずれも最も低い量のときに成形品にお
ける不純物による汚染の程度が最も低いという，当業者であれば当然予測可能なも
のであって，効果の顕著性が認められるようなものではない。
ウしたがって，本件明細書に記載された本件発明１の効果は，いずれも何ら
「格別のもの」ではなく，各引用発明及び周知技術等から予測し得たものである。
(3)小括
以上のとおり，本件発明１の「塩素原子含有量」については各引用例に同一又は
同等の記載があり，また，「塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下」との数値範囲にも
格別の意義がなく，本件発明１は顕著な効果を奏するものではないことから，相違
点ｂ及びロに係る本件審決の認定・判断には誤りがあり，そのような誤った認定・
判断に基づいて，本件発明１につき各引用発明に基づいて当業者が容易に発明をす
ることができたものとはいえないとした本件審決の判断は誤りというべきである。
〔被告の主張〕
(1)本件発明１における「塩素原子含有量」と各引用発明における各種塩素量
原告は，本件発明１におけるポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量は，ほと
んどがポリカーボネート樹脂中に残留した塩素系有機溶媒によるものであり，ポリ
マー鎖に残った未反応のクロロホーメート基に由来するものは，これが含まれると
しても，微量であり，ポリカーボネート樹脂中の塩素原子は，ほぼ残留した塩素系
有機溶媒由来の塩素と考えるべきと主張するが，以下のとおり，クロロホーメート
基に由来する原子は，微量であっても，薄板汚染につながり，無視できない存在で
あって，原告の主張は理由がない。
ア本件発明１における「塩素原子含有量」について
(ア)本件明細書の【００２１】には，「塩素原子は，製造中に使用した前記の
塩素系有機溶媒がポリカーボネート樹脂中に残留したものがほとんどであり，これ
に加えて，ポリマー鎖に残った微量の未反応のクロロホーメート基に由来するもの
である。残存する塩素系有機溶媒が多くなると樹脂から漏出してウエーハなどの薄
板汚染につながり，ポリマー鎖に残った未反応のクロロホーメート基はそれ自体ポ
リマーより漏出することはないが，その量が多くなると成形加工においてポリマー
の分解を微妙に促進して低分子量分つまり揮発成分を増やし結果的に薄板汚染につ
ながる。」と記載されており，本件発明１において，クロロホーメート基に由来す
る塩素原子は微量であっても薄板汚染につながるものであると認識されていること
が理解できる。
そして，上記【００２１】によれば，クロロホーメート基由来の塩素原子と，塩
素系有機溶媒由来の塩素原子とでは，薄板を汚染する機構が相違することが記載さ
れており，クロロホーメート基由来の塩素原子は，少しずつ継続的に汚染源となる
ことが示唆されており，長期間にわたる薄板汚染を考慮すると，塩素系有機溶媒由
来の塩素原子よりも，クロロホーメート基由来の塩素原子の方が，薄板の表面汚染
への影響度が大きい場合もあり得るものであって，クロロホーメート基に由来する
塩素原子は，量的に微量であるから無視できるというものではない。
(イ)ポリカーボネートの重合反応は，ビスフェノールＡのナトリウム塩とホス
ゲンとが反応をしてクロロホーメート基（−ＣＯ−Ｃｌ）を形成した後，クロロホ
ーメート基の塩素がさらに他のビスフェノールＡのナトリウム塩と反応してポリマ
ー鎖が延長していくものであり，クロロホーメート基は反応が不十分でポリマー鎖
の延長が不十分な場合，その量が多くなる。したがって，クロロホーメート基の濃
度を減少させるには，反応促進のため触媒を用いたり，末端停止剤を用いたりする
ことが行われている。
原告は，本件明細書にはポリカーボネート樹脂中のクロロホーメート基を少なく
する方法が記載されていないと主張するが，本件明細書の【００１３】及び【００
１４】には，反応促進のため触媒を用いたり，末端停止剤を用いたりすることにつ
いての記載があるもので，本件明細書にはクロロホーメート基を低減する方法が記
載されており，原告の上記主張は理由がない。
(ウ)以上のとおり，クロロホーメート基に由来する塩素原子は，微量でも薄板
汚染につながり無視できないものであるところ，本件発明１の塩素原子含有量は，
塩素系有機溶媒由来の塩素原子及びクロロホーメート基に由来する塩素原子を包含
するものである。
イ引用発明３における「塩素濃度」について
(ア)原告は，引用発明３における「塩素濃度」は，本件発明１における「塩素
原子含有量」と同義であり，両者についての「１０ｐｐｍ以下」の数値範囲は一致
又は少なくとも重複すると主張する。
(イ)しかしながら，本件発明１の「塩素原子含有量」は，サンプルを全量気化
させ，気化したガスを硫酸に通して脱水後，塩素用の電解液（酢酸ナトリウム）に
吸着させ，吸着により生じた電位差を電位滴定により元の電位へ戻すのに必要なエ
ネルギーにより算出する（本件明細書【００４７】）のに対し，引用発明３におけ
る「塩素濃度」は，Schoriger法によりガス化して水溶液にし，イオンクロマトグ
ラフィーで測定する方法（甲３【００２６】）であって，両者の測定法は同じ方法
ということはできず，引用発明３における「塩素濃度」は，本件発明１における
「塩素原子含有量」と同義であるとする原告の主張は合理的ではない。
(ウ)仮に，窓ガラスの代替品についての引用発明３に記載のポリカーボネート
の塩素濃度が本件発明１の塩素原子含有量と同じであったとしても，引用例３には，
薄板汚染を示唆する記載は一切なく，本件特許出願前に，引用発明１において，引
用例３の記載を参酌する合理的な理由はなく，そもそも引用例３には，塩素がポリ
カーボネートのどのような物性を損なうことさえ記載されていない。
ウ引用例２における「塩素系溶媒残留量」について
(ア)原告は，引用例２の【表１】に記載の塩化メチレン（ＣＨＣｌ）の濃度２２
が「２ｐｐｍ」，「３ｐｐｍ」，「１０ｐｐｍ」と記載されているので，塩化メチ
レン中の塩素原子量を計算して，本件発明１の塩素原子量と数値範囲が重複すると
主張する。
(イ)しかしながら，引用例２における「塩素系溶媒」とは，塩化メチレンのみ
ならず四塩化炭素，ジクロルエタンなど種々のものを含む（甲１・３頁右下１６∼
１８行）ところ，引用例２の【表１】にはそのうち塩化メチレンの濃度のみが記載
され，他の溶媒の濃度についての記載はなく，単に塩化メチレンの塩素原子量を計
算しても意味がない。
被告が審査過程の平成１８年４月２８日に提出した意見書（甲１２）において認
めていたのは，本件発明１と引用発明２とで，ポリカーボネート樹脂の処理の方法
において差異がないことであって，処理の程度まで差異がないと認めたものでない
ところ，同じ処理方法でも，処理の程度によって塩素原子含有量は異なってくるも
のである。
(ウ)原告の主張は，本件発明１の塩素原子含有量が，塩素系有機溶媒のみなら
ず，クロロホーメート基に由来する塩素原子をも含み，かつ，クロロホーメート基
に由来する塩素原子は微量でも薄板汚染につながり無視できない存在であるという
ことを看過したもので妥当ではない。
なお，引用発明２における塩素原子含有量が，偶然，本件発明１の塩素原子含有
量と重複していても，ディスク基板に関する引用例２の記載をもって，薄板汚染を
抑制することを目的とする本件発明１に参酌する理由とはならない。
エ引用例４における「塩化メチレンの含有量」について
(ア)原告は，引用発明４における「塩化メチレンの含有量」と，引用発明２に
おける「塩素系溶媒としてのＣＨＣｌ含有量」とは同等であると主張する。２２
(イ)しかしながら，塩素系有機溶媒由来の塩素原子のみならず，クロロホーメ
ート基の塩素原子を含む本件発明１の「塩素原子含有量」と引用発明４の「塩化メ
チレンの含有量」とは相違し，また，引用例４の【表１】には，塩化メチレン量が
１０ｐｐｍ以下（実施例１及び２），１０ｐｐｍ（実施例３）と記載されているの
みで，引用発明４のポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量は，ホスゲン中の四
塩化炭素などからの塩素原子，クロロホーメート基の塩素原子を合計すると，本件
発明１の「塩素原子含有量１０ｐｐｍ以下」の範囲に含まれるということもできな
い。
(ウ)仮に，引用発明４における「塩化メチレンの含有量」が本件発明１の「塩
素原子含有量」と同じであったとしても，ディスク基板の腐食防止に関する引用発
明４は本件発明１とは無関係であり，本件発明１の進歩性を判断する際に引用例４
を参酌する理由はない。
オ引用発明１における「Ｃｌイオン量」について
原告は，引用発明１における「Ｃ１イオン量」は，本件発明１と共通すると主張
するところ，確かに，引用発明１には，成形品から揮発する塩素と樹脂ペレットか
ら揮発する塩素との２種類の塩素が記載されているが，両者とも一定の条件下で揮
発する塩素であって，本件発明１の塩素含有量とは異なるものである。
(2)本件発明１の効果
アポリカーボネート樹脂中の残存塩素の影響について
(ア)原告は，ポリカーボネート樹脂中の残存塩素が，ポリカーボネート樹脂を
材料として用いた成形品において望ましくない成分であり，製品が何であるかにか
かわらず，その量は少ない方がよいことは明らかであるから，本件発明１の効果は
容易に予測できるものにすぎないと主張するが，同主張は，製品とその要求特性等
によって決まる発明の課題と，課題の達成手段となる対象塩素との関係を無視した
ものであって，妥当ではない。
(イ)本件明細書の【０００６】に「薄板収納搬送容器用材料の理想は，揮発あ
るいは漏出の可能性のある不純物成分が材料中に全く存在しないことである。しか
しながら，現実には，揮発あるいは漏出の可能性のあるすべての不純物成分を材料
からなくすことは技術的に不可能である。重要なのは，シリコンウエーハ等の薄板
に影響を与える不純物の種類や量及びその組み合わせを実害のない程度に抑制する
ことが肝要である。」と記載されているように，本件発明１は，薄板汚染に影響を
与える不純物としての塩素が，塩素系有機溶媒由来の塩素原子と，ポリマー鎖に残
ったクロロホーメート基に由来する塩素原子であると特定し，それらの含有量を実
害のない程度にしたことを特徴とするものである。原告の主張は，ポリマー鎖に残
ったクロロホーメート基由来の塩素原子は微量ではあっても薄板を汚染することを
見いだした本件発明１の要点を意図的に無視しようとするもので採用されるべきも
のではない。
(ウ)引用例２には，塩素系残留溶媒が光ディスク基板の長期信頼性を損なうこ
とが開示され，引用例１には揮発性の塩素が精密部材の誤作動の原因であることが
開示され，引用例４には塩化メチレンが記録膜の腐食に関与することが記載されて
いるが，引用例３には塩素がポリカーボネートのどのような物性を損なうかさえ記
載されておらず，引用例５には塩素についての言及はないところ，光ディスク基板
についての引用発明２及び４では塩化メチレン等の塩素系溶媒を問題とし，精密部
材用収納容器の引用例１では揮発性の塩素イオンを問題としており，製品の種類に
よって，許容できる塩素の種類，含有量が相違し，また，引用例３は射出成形品で
あっても着色の低減を目的とする点で本件発明１とは課題が相違しているのであっ
て，このように，原告が主張するように，製品が何であるかにかかわらず塩素の含
有量を低減させようとする考えは，現実とはかけ離れており，そのようなことは引
用例１ないし５のいずれにも記載されていない。そして，引用発明１ないし５のい
ずれにも，本件明細書の【００２１】に記載されているように，クロロホーメート
基由来の塩素が「薄板汚染」の原因となることは記載されていない。
イ本件発明１が達成した効果について
(ア)原告は，本件発明１の効果は当業者には予測可能なものであると主張する
が，本件発明１の効果である薄板汚染の抑制は，接触角により測定される薄板表面
のわずかな汚染を検知するものであるところ，引用発明１ないし５のいずれにも，
接触角により表面汚染を検知することは記載されておらず，また，光ディスクに関
する引用発明１，４及び５，ガラス代替品に関する引用発明３は，それぞれ薄板汚
染の抑制という課題とは無関係であり，さらに，精密部材用収納容器に関する引用
発明１においても，漏出した塩素イオン量を測定しているにすぎず，薄板表面の汚
染の評価をしているものではなく，本件発明１の効果は，引用発明１ないし５から
予測可能なものではない。
(イ)原告は，ポリカーボネート樹脂中の塩素等の不純物が少なければ成形品か
ら漏出又は揮発する望ましくない成分の量が少なくなることは周知であると主張す
るが，「漏出又は揮発する望ましくない成分」と「薄板汚染」との関係については
明らかではなく，実際に薄板汚染を抑制するには，この「望ましくない成分」の種
類，量及びそれらの組合せを具体的に特定する必要があったもので，「“ポリカー
ボネート樹脂あるいはこれを材料とした成形品から漏出する有機物や無機不純物の
種類”と“ウエーハ表面の汚染度”との関係については，明確な知見がなく，成形
材料について最適の選択をすることは極めて困難な状態にあ」（本件明細書【００
０７】）ったところ，本件発明１は，「薄板の汚染に影響を与える不純物」，「そ
れらの量」及び「それらの組合せを」特定し，現実に薄板の汚染を抑制するという
課題を達成した発明であって，単に不純物を減少させたというような発明ではない。
(ウ)原告は，本件発明１の効果は，調べた各種不純物がいずれも最も低い量の
ときに成形品における不純物による汚染の程度が最も低いという，当業者であれば
当然予測可能なものであると主張するが，本件発明１は，塩素原子含有量，炭素数
が６ないし１８であるフェノール化合物の合計含有量，ナトリウム，カリウム，亜
鉛，アルミニウム，チタン，ニッケル及び鉄原子の合計含有量，ナトリウムの含有
量の組合せが，薄板の表面汚染を低減するのに有効であることを見いだしたことを
特徴とするものであって，任意の不純物の含有量を低減させることを意図する発明
ではなく，薄板の汚染に影響を与える不純物をどの程度の含有量にするのが現実的
であるかを決める発明である。原告の主張は，本件発明１が薄板の表面汚染を低減
するのに有効な不純物及びその組合せを見いだしたことについての認識が欠けてい
る。
(3)小括
以上のとおり，本件発明１の「塩素原子含有量」は，引用例２ないし４における
それぞれの記載とは相違するものであり，また，本件発明１は，薄板の汚染を防止
する顕著な効果を奏するものである。
精密部材の誤作動を防止するには，その収納容器に用いられるポリカーボネート
樹脂中の揮発性の塩素を低減させる必要があるという知見のみが存在する状況下
（引用発明１）において，ポリカーボネート樹脂中の塩素系有機溶媒由来の塩素の
みならず，ポリマー鎖に残った未反応のクロロホーメート基に由来する塩素原子も
薄板汚染に関与することを見いだし，かつ，顕著な格別の効果を有する本件発明１
は，引用発明１ないし５に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
したがって，本件審決の認定・判断に誤りはない。
２取消事由２（本件発明２に係る容易想到性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)本件審決（２２頁９∼１３行，２６頁１２∼１６行）は，本件発明２につ
き，本件発明１を引用してさらに限定するものであるから，本件発明１が引用発明
１ないし５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上，
本件発明２もまた，引用発明１ないし５に基づいて，当業者が容易に発明をするこ
とができたものであるということができないと判断した。
(2)しかしながら，上記１の取消事由１についての〔原告の主張〕のとおり，
本件発明１の「塩素原子含有量」は引用例１，３及び４に同一又は同等の記載があ
り，また，「塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下」の数値範囲には格別の技術的意義
もなく，本件発明１は顕著な効果を奏するものではないから，本件発明１は，引用
発明１ないし５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。そ
して，本件発明２における「半導体ウエーハ用」なる限定事項は，引用発明１に記
載されている。
(3)したがって，本件発明２も，引用発明１ないし５に基づいて当業者が容易
に発明をすることができたものであって，これを否定した本件審決の判断は誤りと
いうべきである。
〔被告の主張〕
取消事由１についての〔被告の主張〕のとおり，本件発明１は，引用発明１ない
し５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件発
明１を引用する本件発明２も，引用発明１ないし５に基づいて当業者が容易に発明
をすることができたものではなく，本件審決の認定・判断に誤りはない。
第４当裁判所の判断
１取消事由１（本件発明１に係る容易想到性の判断の誤り）について
(1)本件発明１における「塩素原子含有量」
ア本件発明１の要旨は，前記第２の２のとおりであるところ，原告は，本件発
明１において，ポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量は，ほとんどがポリカー
ボネート樹脂中に残留した塩素系有機溶媒によるものであり，クロロホーメート基
由来塩素は，含まれるとしても，微量であって，塩素原子含有量の低減において無
視できるものとして扱われており，本件発明１が実質的に着目しているのは，塩素
系有機溶媒由来の残留塩素であると主張する。
イ本件明細書の記載
本件明細書の発明の詳細な説明には，次の記載がある。
【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，磁気ディスクあるいは集積回路
チップへと加工されるウエーハなどを収納あるいは運搬するために使用される薄板
収納搬送容器用のポリカーボネート樹脂に関するものである。さらに詳しくは，半
導体ウエーハや磁気ディスクの表面汚れとして支障を及ばさない程度まで金属原子
および揮発性ガスの発生を抑制した薄板収納搬送容器用のポリカーボネート樹脂に
関するものである。
【０００５】最近の半導体ウエーハの大口径化と共に容器からのウエーハ表面への
汚染に対する要求がより厳しくなり，同時により高強度の材料が求められるように
なった。そして，ウエーハだけでなく磁気ディスク収納搬送容器に関しても同様の
要求がある。この要求に適した成形材料としてポリカーボネート樹脂あるいはこれ
を主成分とする樹脂組成物を用いる試みがなされるようになった。
【０００６】これら薄板収納搬送容器用材料の理想は，揮発あるいは漏出の可能性
のある不純物成分が材料中に全く存在しないことである。しかしながら，現実には，
揮発あるいは漏出の可能性のあるすべての不純物成分を材料からなくすことは技術
的に不可能である。重要なのは，シリコンウエーハ等の薄板に影響を与える不純物
の種類や量およびその組み合わせを実害のない程度に抑制することが肝要である。
さらに，例えば加熱時における揮発分測定の際に検出されるもの中で注意すべき成
分は何か，そして，それに関し目的材料として揮発量はどのくらい減らせばよいか
を知ることである。
【０００８】【発明が解決しようとする課題】本発明は，表面汚染に敏感とされる
半導体ウエーハや磁気ディスク等の薄板の表面汚染を低減できるポリカーボネート
樹脂から成形された薄板収納搬送容器を提供することを目的とする。本発明者は鋭
意検討の結果，ポリカーボネート樹脂において，粘度平均分子量，特定成分の含有
量を規制し，さらに特定の加熱試験における特定成分の揮発量を規制することによ
って上記目的を達成できることを見出し，本発明に到達した。
【００１９】本発明のポリカーボネート樹脂の分子量は，粘度平均分子量（Ｍ）で
１４，０００∼３０，０００が好ましく，１４，５００∼２５，０００がより好ま
しく，１５，０００∼２３，０００がさらに好ましい。かかる粘度平均分子量を有
する芳香族ポリカーボネート樹脂は，一定の機械的強度を有し成形時の流動性も良
好であり好ましい。分子量が１４，０００未満の場合は，成形品に強度がでないた
め実用的な材料が得られず，分子量が３０，０００を超える場合は，成形流動性が
劣るという問題が生じる。さらにこの場合，シリコンウエーハ等の薄板汚染の原因
となるフェノール化合物や塩素系有機溶媒が，押出加工中に樹脂中から揮発しにく
くなる問題が生じ，それを解消しようと押出温度を上げると，塩素系有機溶媒は低
減されるが，樹脂の分解が進みフェノール化合物量が増える結果となる。
【００２１】本発明におけるポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量は，ポリカ
ーボネート樹脂に対して１０ｐｐｍ以下であり，特に好ましいのは８ｐｐｍ以下で
ある。塩素原子は，製造中に使用した前記の塩素系有機溶媒がポリカーボネート樹
脂中に残留したものがほとんどであり，これに加えて，ポリマー鎖に残った微量の
未反応のクロロホーメート基に由来するものである。残存する塩素系有機溶媒が多
くなると樹脂から漏出してウエーハなどの薄板汚染につながり，ポリマー鎖に残っ
た未反応のクロロホーメート基はそれ自体ポリマーより漏出することはないが，そ
の量が多くなると成形加工においてポリマーの分解を微妙に促進して低分子量分つ
まり揮発成分をふやし結果的に薄板汚染につながる。
【００２８】本発明のポリカーボネート樹脂において，これを１５０℃で１時間加
熱した場合，揮発する塩素系有機溶媒量の合計量は，測定に使用したポリカーボネ
ート樹脂に対して０．０５ｐｐｍ以下であり，且つ揮発する炭素数が６∼１８であ
るフェノール化合物の合計量が，測定に使用したポリカーボネート樹脂に対して０．
２ｐｐｍ以下であることが好ましい。揮発する塩素系有機溶媒量の合計量が０．０
５ｐｐｍを超えるか，あるいは揮発する炭素数が６∼１８であるフェノール化合物
の合計量が０．２ｐｐｍを超えるポリカーボネート樹脂を使用すると，ウエーハ等
の薄板を汚染することとなる。
【００２９】本発明におけるポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量は，燃焼塩
素法により測定される…。
【００３０】本発明のポリカーボネート樹脂を１５０℃で１時間加熱した場合にお
いて揮発する塩素系有機溶媒の量，揮発する炭素数が６∼１８であるフェノール化
合物の量は，ヘッドスペース・ガスクロマトグラフィー法で測定される。
【００３２】本発明において，ポリカーボネート樹脂中に残存する塩素系有機溶媒
や炭素数６∼１８のフェノール化合物を少なくする方法としては，例えば，ポリカ
ーボネート樹脂の乾燥を強化する方法，表面積を大きくしたポリカーボネート樹脂
を乾燥する方法，そして，貧溶媒でポリカーボネート樹脂粉粒体の洗浄を行なう方
法などが挙げられる。
【００３５】貧溶媒でポリカーボネート樹脂，殊に樹脂パウダーの洗浄を行なう方
法を採用することにより，ポリカーボネート樹脂中のフェノール化合物が貧溶媒へ
抽出される。さらに，この方法はかかる貧溶媒がポリカーボネート樹脂中の塩素系
有機溶媒と置換され塩素系有機溶媒を少なくする効果もある。貧溶媒としては，ア
セトン，メタノール，ヘプタン等が挙げられ，なかでもアセトンが好ましく用いら
れる。
【００４７】(2)塩素原子含有量
三菱化学（株）製の塩素イオウ分析装置ＴＳＸ１０型を用いて燃焼塩素法により
測定した。具体的には，サンプルを電気炉（９２０℃）で加熱し，全量気化させ，
気化したガスを硫酸に通して脱水後，塩素用の電解液（酢酸ナトリウム）に吸着さ
せる。吸着により生じた電位差を電位滴定により元の電位へ戻す。元の電位に戻す
のに必要なエネルギーによりＣｌ量を算出した。
【００４９】(4)ポリカーボネート樹脂を１５０℃で１時間加熱した場合の揮発す
る塩素系有機溶媒量および揮発するフェノール化合物の量
ヘッドスペース法（１５０℃，１ｈｒ）により，ガスクロマトグラフィーを用いて
求めた。
【００５３】［製造例１］温度計，撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換
水２１９４部，４８％水酸化ナトリウム水溶液４０２部を仕込み，これに２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７５部（２．５２モル）およびハイド
ロサルファイト１．２部を溶解した後，塩化メチレン１８１０部を加え，撹拌下１
５∼２５℃でホスゲン２８３部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後，
４８％水酸化ナトリウム水溶液７２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１９．
６部を加え，撹拌を始め，乳化後トリエチルアミン０．６部を加え，さらに２８∼
３３℃で１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈
して水洗した後塩酸酸性にして水洗し，水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じに
なったところで，ポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を分液した。この塩化
メチレン溶液にトリス（ノニルフェニル）ホスファイトをポリカーボネート樹脂に
対して２５ｐｐｍとなる量添加した。
【００５４】得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を６０℃の温水
（ニーダー内部空間容量の１０％程度を占める量）が仕込まれたニーダーに攪拌下
に投入し，スチームを吹き込みながら塩化メチレンを蒸発除去させてポリカーボネ
ート樹脂の造粒を行なった。１時間かけてかかる塩化メチレン溶液を投入し，投入
終了後もそのまま攪拌を１０分間継続して行い，ポリカーボネート粉粒体の水スラ
リーを得た。得られた水スラリーは，ポリカーボネート粉粒体の量が水スラリーの
量に対して２５重量％であり，塩化メチレン量が水スラリーの量に対して２５重量
％であった。かかる水スラリーを粉砕機に通してスラリー中のポリカーボネート粉
粒体を粉砕し，さらに遠心脱水を行ないポリカーボネート粉体を得た。このポリカ
ーボネート粉体を乾燥機に入れて１２０℃で７時間乾燥し，次いで２８０℃で溶融
押出を行ない，粘度平均分子量１８，５００のポリカーボネート樹脂ペレットを得
た。このペレット中に残存するｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの量は３０ｐｐｍ
であり，ビスフェノールＡの量は１９ｐｐｍであり，塩素原子含有量は７ｐｐｍで
あり，金属としてＦｅの量が０．１１ｐｐｍであった。
【００５７】［実施例１］製造例１で得られたペレットを使用して，半導体ウエー
ハ用収納搬送容器を成形した。この半導体ウエーハ用収納搬送容器に所定枚数の半
導体ウエーハを挿入し，密閉容器内で１週間常温保持した後，半導体ウエーハをと
りだし表面５カ所で，水とウエーハ表面との接触角を測定した。測定した接触角の
平均，および挿入前ブランクの接触角の平均を表１に示した。また，製造例１で得
られたペレットを１５０℃，１時間処理した時の揮発量を表１に示した。
ウ以上の記載によると，本件発明１は，表面汚染に敏感とされる半導体ウェー
ハや磁気ディスク等の薄板の表面汚染を低減できるポリカーボネート樹脂から成形
される薄板収納搬送容器を提供しようとするものということができるところ，薄板
収納搬送容器用材料の理想は，揮発あるいは漏出の可能性のある不純物成分が材料
中に全く存在しないことであるが，現実には，揮発あるいは漏出の可能性のあるす
べての不純物成分を材料からなくすことは技術的に不可能であるとして，ポリカー
ボネート樹脂中の塩素原子含有量を１０ｐｐｍ以下，好ましくは８ｐｐｍ以下とし，
また，塩素原子含有量が７ｐｐｍであるポリカーボネート樹脂ペレットを使用して
成形された半導体ウェーハ用収納搬送容器につき，半導体ウェーハを挿入し，密閉
容器内で１週間常温保存した後，その半導体ウェーハにつき水とウェーハ表面との
接触角を測定している（実施例１）。しかし，本件明細書には，本件発明１におけ
る数値範囲の臨界的意義についての具体的な記載はされておらず，また，塩素原子
含有量は，上限値である１０ｐｐｍ以下だけが記載され，下限値が特定されていな
いものであって，これらによれば，本件発明１における塩素原子含有量の数値限定
の意義は，塩素原子がポリカーボネート樹脂中に少なければ少ないほど，塩素原子
の影響による半導体ウエーハの汚染を低減でき，本件発明１の目的達成に適してい
るというものにすぎないといわざるを得ない。
そして，本件明細書の【００１９】にはポリカーボネート樹脂の分子量，押出温
度と塩素系有機溶媒の揮発との関係，【００２８】にはポリカーボネート樹脂を加
熱した場合に揮発する塩素系有機溶媒量と薄板汚染との関係，【００３０】にはポ
リカーボネート樹脂から揮発する塩素系有機溶媒の量の測定手段，【００３２】及
び【００３５】には塩素系有機溶媒を低減する方法並びに【００４９】には実施例
における塩素系有機溶媒量の測定という，いずれも塩素系有機溶媒に着目した記載
がされているのに対し，クロロホーメート基については，【００２１】に，「塩素
原子は，製造中に使用した塩素系有機溶媒がポリカーボネート樹脂中に残留したも
のがほとんどであり，これに加えて，ポリマー鎖に残った微量の未反応のクロロホ
ーメート基に由来する」，「残存する塩素系有機溶媒が多くなると樹脂から漏出し
てウエーハなどの薄板汚染につながり，ポリマー鎖に残った未反応のクロロホーメ
ート基はそれ自体ポリマーより漏出することはないが，その量が多くなると成形加
工においてポリマーの分解を微妙に促進して低分子量分つまり揮発成分をふやし結
果的に薄板汚染につながる」と記載されるのみであって，ポリカーボネート樹脂中
の塩素原子含有量につき，クロロホーメート基に由来するものが低減の対象とされ
ていたとは解されず，この低減が解決課題とされていたということはできない。原
告の主張は，以上説示した意味において，これを首肯することができる。
この点について，被告は，本件明細書の【００１３】及び【００１４】の記載を
もって，クロロホーメート基についても，これを低減する方法が記載されていると
主張するところ，本件明細書の【００１３】には，二価フェノールとホスゲンとの
重合反応において，反応促進のために例えば第三級アミンや第四級アンモニウム塩
等の触媒を用いることができることなど，同【００１４】には，このような重合反
応において，末端停止剤として単官能フェノール類を使用することができ，その使
用によって得られたポリカーボネート樹脂は，末端が単官能フェノール類に基づく
基によって封鎖されているので，そうではないものと比べて熱安定性に優れている
ことなどの記載があるが，触媒あるいは末端停止剤の使用の結果としてクロロホー
メート基が低減されることになるからといって，これらがクロロホーメート基を低
減させるために用いられていると解することはできず，被告の主張は，採用するこ
とができない。
なお，本件明細書の別紙【表１】によると，実施例１（塩素原子含有量７ｐｐ
ｍ）と比較例１（同４０），２（同６０），３（同４０５）及び４（同８０）とを
比べると，塩化メチレン，クロロベンゼン，ジクロロベンゼンという塩素系有機溶
媒の１５０℃１時間加熱時の揮発量につき，実施例１は検出限界（０．０１又は０．
０２）未満であったのに対し，比較例１ないし４はそのいずれかが０．０６ないし
０．８７であったというものにすぎず，塩素原子含有量の数値範囲の内外で作用効
果につき顕著な差異があったというものでもない。
(2)本件発明１と引用発明１について
ア引用発明１
引用例１の発明の詳細な説明によると，引用発明１は，被収納物である半導体用
各種ウェハーやディスク基板などの電子機器部材等の汚染を低減できるポリカーボ
ネート樹脂から成形された収納容器を提供するとの目的を達成するもの（【０００
１】，【０００９】）であって，成型後，特に常温に放置している間に徐々に塩素
が揮発する現象について着目し，常温における揮発性Ｃｌとポリカーボネート樹脂
製造に原料として用いられたホスゲン中に不純物として含有される塩素との間に相
関関係があること（【０００４】，【０００５】）を明らかにした上で，ポリカー
ボネート樹脂の製造原料として，活性炭通液処理することで，不純物塩素含有量を
低減させたホスゲンを用いることにより，ポリカーボネート樹脂中においてなんら
かの形で塩素化される部位の発生を低減すること（【００１０】，【００１１】，
【００４０】，【００４１】），ホスゲン中の不純物である四塩化炭素のポリカー
ボネート樹脂中の残留量を低くすること及びポリカーボネート樹脂の製造工程で生
成するクロロホーメート基の残留量を低減することにより，成形加工時の塩酸（Ｈ
Ｃｌ）の発生を抑制すること（【０００６】，【０００７】），これらによって，
ポリカーボネート樹脂中に残存する塩素原子含有量を低く抑え，上記の目的を達成
しようとするものと認めることができる。
イ本件発明１と引用発明１との関係
以上によると，本件発明１及び引用発明１のいずれも，被収納物である半導体ウ
ェーハ等の薄板の汚染を低減することができるポリカーボネート樹脂から成形され
た収納容器を提供することを目的とするものであるところ，その解決手段として，
ポリカーボネート樹脂中に残存する塩素原子含有量を低く抑えることで，成型後の
収納容器に収納される半導体ウェーハ等への揮発成分からの汚染を防止しようとす
るものであって，その解決課題及び解決手段は同様のものであるということができ
る。そして，本件発明１におけるポリカーボネート樹脂中の塩素原子中には，塩素
系有機溶媒のほかにポリマー鎖に残った微量の未反応のクロロホーメート基に由来
するものが含まれるとしても，上記(1)のとおり，本件発明１はこのクロロホーメ
ート基に特に着目しているわけではない。
しかるところ，相違点ｂに係る本件発明１における「塩素原子含有量が１０ｐｐ
ｍ」との構成については，塩素原子含有量がポリカーボネート樹脂中に少なければ
少ないほどよいとの引用発明１と同様の技術思想を，専ら塩素系有機溶媒の残留量
に着目して，かつ，上記のとおり臨界的意義が認められない最小値０を含む具体的
な数値範囲でもって，単に規定したにすぎないものと解される。
したがって，当業者において，相違点ｂの本件発明１に係る「塩素原子含有量が
１０ｐｐｍ以下」との構成を想到することは，引用発明１から容易であるというこ
とができる。
(3)被告の主張等について
被告は，実際に薄板汚染を抑制するには，「漏出又は揮発する望ましくない成
分」の種類，量及びそれらの組合せを具体的に特定する必要があったもので，本件
発明１は，「薄板の汚染に影響を与える不純物」，「それらの量」及び「それらの
組合せを」特定し，現実に薄板の汚染を抑制するという課題を達成した発明であっ
て，単に不純物を減少させたというような発明ではないと主張するが，上記のとお
り，本件発明１における塩素原子含有量の数値限定の意義は，塩素原子がポリカー
ボネート樹脂中に少なければ少ないほど，塩素原子を含む有機溶媒の漏出や塩素原
子を構成要素とするクロロホーメート基による揮発成分の発生が抑制され，本件発
明１の目的達成に適していることをいうものにすぎず，また，その塩素原子含有量
の数値範囲の内外で作用効果につき顕著な差異も認められないものであることから
すると，被告の主張は採り得ない。
仮に，本件発明１における塩素原子含有量の検出方法である「燃焼塩素法」によ
る数値が，引用発明１における塩素の検出方法による数値と何らかの換算関係がな
いものであったとしても，本件発明１につき，そのような測定法を用いて数値範囲
を特定したことに技術的意義を見いだすことができないのであるから，この検出方
法を採用していることをもって，以上の認定が覆されるものではない。
(4)小括
以上によると，本件発明１と引用発明１との相違点ｂに係る構成は，引用発明１
に基づいて当業者が容易に発明できたものであるといわなければならない。
（なお，引用発明２は，高い信頼性を長期間にわたって維持できるポリカーボネ
ート樹脂から成る光学式ディスク基板等を提供するという目的のために，ポリカー
ボネート樹脂中に含まれる残留微量金属とともに，ポリカーボネート樹脂中に含ま
れる塩素系溶媒残留量を低減することによってそのポリカーボネート樹脂自体の加
水分解による劣化を有効に抑制しようとする発明であり，収納容器に収納される半
導体ウェーハー等への揮発成分からの汚染を防止しようとする本件発明１とはその
解決課題が異なるものということができるから，本件発明１と引用発明２との相違
点ロに係る構成については，相違点ｂに係る上記の判断が直ちに妥当するものでは
ない。）
２取消事由２（本件発明２に係る容易想到性の判断の誤り）について
本件発明２は，本件発明１を引用して更に限定するものであるところ，本件審決
は，本件発明１に係る主引例を引用例１又は２とする複数の相違点のうち，相違点
ｂ又はロという１つの相違点に係る構成が引用発明１に基づいて当業者が容易に発
明をすることができたものでないと判断したことから，本件発明１が各引用発明に
基いて当業者が容易に発明をすることができたものということができないとし，そ
のことを理由として，本件発明２もまた，各引用発明に基いて当業者が容易に発明
をすることができたものということができないとしたものである。
そうであるから，本件発明１と引用発明１との相違点ｂについての本件審決の判
断を是認できず，本件発明１について更に審判における審理を要する本件において
は，本件発明２についても更に審判における審理を要するということができる。
３結論
以上の次第であるから，本件審決は取り消されるべきものである。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官滝澤孝臣
裁判官高部眞規子
裁判官本多知成

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