戻る

平成１０年（ワ）第５７１５号Ａ事件　特許権侵害差止等請求事件
口頭弁論終結日　平成１３年１１月１９日
　　　　　　　　　　　　判　　　　　　　　決
　　　　　　原　　　　　　告　　　　　日亜化学工業株式会社
　　　　　　訴訟代理人弁護士　　　　　　　　品　　　川　　　澄　　　雄
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　山　　　上　　　和　　　則
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　吉　　　利　　　靖　　　雄
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　野　　　上　　　邦　五　郎
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　杉　　　本　　　進　　　介
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　冨　　　永　　　博　　　之
　　　　　　補佐人弁理士　　　　　　　　　　豊　　　栖　　　康　　　弘
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　青　　　山　　　　　　　葆
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　河　　　宮　　　　　　　治
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　石　　　井　　　久　　　夫
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　豊　　　栖　　　康　　　司
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　田　　　村　　　　　　　啓
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　北　　　原　　　康　　　廣
被　　　　　　告　　　　　豊田合成株式会社
　　　　　　訴訟代理人弁護士　　　　　　　　大　　　場　　　正　　　成
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　尾　　　崎　　　英　　　男
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　嶋　　　末　　　和　　　秀
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　黒　　　田　　　健　　　二
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　吉　　　村　　　　　　　誠
　　　　　　補佐人弁理士　　　　　　　　　　樋　　　口　　　武　　　尚
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　糟　　　谷　　　敬　　　彦
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　平　　　田　　　忠　　　雄
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　岡　　　本　　　芳　　　明
　　　　　　　　　　　　主　　　　　　　　文
　　　　　　　　１　原告の請求を棄却する。
　　　　　　　　２　訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　　　　　　　　　事実及び理由
第１　原告の請求
　　　被告は，原告に対し，金２億５０００万円及びこれに対する平成１３年１０
月１５日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２　事案の概要
　１　本件の審理の経過等
　　(1)　原告は，平成１０年（ワ）第５７１５号事件において，①窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子の特許権（特許番号第２７３５０５７号。以下「本件特許
権」という。）に係る明細書の【特許請求の範囲】請求項１記載の発明，②同請求
項１４記載の発明（後記の「本件特許発明」），及び，③窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の実用新案権（実用新案登録番号第２５６６２０７号。以下「本件実
用新案権」という。）に係る明細書の【実用新案登録請求の範囲】請求項１の考案
に基づき，被告が製造・販売する合計５種の発光ダイオードチップ及びこれらを組
み込んだＬＥＤ製品の製造・販売の差止等及び損害賠償を請求していた。
　　　　このうち，本件実用新案権の請求項１の考案（上記③）に基づく請求につ
いては，弁論を分離した上で，特許庁平成１０年異議第７４８５７号実用新案異議
事件の決定が確定するまで訴訟手続が中止された（平成１２年８月２８日付け決
定）。また，本件特許権の請求項１の発明（上記①）に基づく請求についても，弁
論を分離した上，特許庁平成１０年審判第３５４３３号無効審判事件の審決が確定
するまで訴訟手続が中止された（平成１３年６月１８日付け決定）。そして，同特
許権の請求項１４の発明（上記②）に基づく請求のうち，差止等請求に係る部分に
ついては原告の請求減縮（平成１３年１０月１５日付け請求の趣旨変更の申立書
等。第１６回弁論準備手続期日において被告が同意）により取り下げられた。この
結果，同特許権の請求項１４の発明（上記②）に基づく損害賠償請求に係る部分の
みが，審理されている状況にあった。
　　(2)　本件（標記平成１０年(ワ)第５７１５号Ａ事件）は，前記(1)記載の経過
が示すとおり，当初の平成１０年(ワ)第５７１５号事件から，弁論が分離された上
で中止決定のされた請求及びその後に請求減縮された請求に係る部分を控除した請
求に係る部分であり，その内容は，本件特許権の請求項１４の発明に基づく損害賠
償請求である。
　　　　本件において，原告は，被告の製造・販売する別紙物件目録１ないし５記
載の各発光ダイオードチップ（以下，これらをそれぞれの目録番号に従い「被告チ
ップ１」などといい，総称して「被告チップ」という。），及び，同目録５記載の
ＬＥＤ製品（以下「被告ＬＥＤ製品」という。）は，いずれも，原告が有する本件
特許権に係る明細書（以下「本件明細書」という。）の【特許請求の範囲】請求項
１４記載に係る発明（以下「本件特許発明」という。）の技術的範囲に属してお
り，その製造・販売は同特許権を侵害すると主張して，被告に対し，特許法１０２
条２項に基づく総額２４３億７９９５万９３５５円の損害のそれぞれ一部として，
被告チップ１ないし５につき各２５００万円，被告ＬＥＤにつき１億２５００万円
の合計２億５０００万円の損害賠償を求めている。
２　前提となる事実関係
(1)　原告は，下記の特許権（本件特許権）を有している。
　特許番号　　　　第２７３５０５７号
　発明の名称　　　　窒化物半導体発光素子
　出願日　　　　平成７年１２月１２日
　登録日　　　　平成１０年１月９日
　優先権主張番号　　特願平６－３２０１００
　優　先　日　　　　平成６年１２月２２日
　優先権主張国　　　日本
(2)　本件特許権に係る明細書の請求項１４の記載は，次のとおりである（以下，こ
の発明を「本件特許発明」という。本判決末尾添付の特許公報（甲４の４）参照。
なお，本件明細書の特許請求の範囲請求項１ないし１８（以下，それぞれ単に「請
求項１」などという。）記載に係る各発明については，特許異議手続において，平
成１２年１２月１８日に，訂正を認めて各発明の特許を維持する旨の決定（甲６
１）がされて，確定しているが，本件（Ａ事件）における請求の根拠である請求項
１４については，訂正の対象となっていないので，訂正前の記載が掲載された前記
特許公報（以下「本件公報」という。）をそのまま添付する。）。
　「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり，第１の面と第２の面と
を有する活性層を有し，この活性層の第１の面に接して，活性層よりもバンドギャ
ップが大きく，かつｎ型ＩｎｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラ
ッド層を備え，該活性層の第２の面に接して，ｐ型ＡｌｂＧａ１－ｂＮ（０＜ｂ＜
１）よりなるｐ型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
　　なお，前記(1)記載のとおり，本件特許発明については，国内優先権主張の基礎
となる平成６年１２月２２日付けの出願がなされているので，以下，この出願を
「本件優先権出願」といい，同出願時に添付された明細書（乙７）を「本件優先権
明細書」という。
(3)　本件特許発明の構成要件を分説すれば，次の①ないし④記載のとおりである
（以下，分説した各構成要件をその番号に従い「構成要件①」のように表記す
る。）。
①　インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり，第１の面と第２の面と
を有する活性層を有し，
②　この活性層の第１の面に接して，活性層よりもバンドギャップが大きく，かつ
ｎ型ＩｎｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え，
③　該活性層の第２の面に接して，ｐ型ＡｌｂＧａ１－ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなる
ｐ型クラッド層を備えることを特徴とする
④　窒化物半導体発光素子
(4)　本件特許発明は，従来技術との対比において，次のような作用効果を有する。
　　　　従来の窒化物半導体発光素子においては，ＩｎＧａＮからなる活性層をＡ
ｌＧａＮからなるクラッド層で挟んだ構造（いわゆるダブルヘテロ構造）が一般的
であったが，ＡｌＧａＮは結晶として硬い性質を有するため，発光特性を良くする
ために活性層を薄くすると，ＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活性層に多数のク
ラックが生じるという問題点があった。
　　　　本件特許発明においては，上記ＩｎＧａＮ活性層を，同層よりもバンドギ
ャップの大きいＩｎＧａＮ層で挟むことにより，発光出力が飛躍的に向上する。Ｉ
ｎＧａＮは結晶の性質として柔らかい性質を有しているので，ＡｌＧａＮクラッド
層とＩｎＧａＮ活性層との格子定数不整及び熱膨張係数差から生じる結晶欠陥を吸
収する働きがあると考えられ，この働きによって，ＩｎＧａＮ活性層の結晶性が飛
躍的に良くなって，発光出力が増大するものと考えられる。
(5)　被告は，平成１０年２月２０日から同１２年１月３１日までの間，被告チップ
１ないし４及びこれらを組み込んだ被告ＬＥＤ製品を製造・販売していた。また，
同年２月１日から平成１３年４月３０日までの間，被告チップ５及びこれを組み込
んだ被告ＬＥＤ製品を製造・販売していた。
　　被告チップは，いずれも，ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層を交互に重ねた多層膜構造
の層を，ｐ型ＡｌＧａＮ層とｎ型ＩｎＧａＮ層で挟んだ構成を有している。この多
層膜構造の層の両端にあるのは，いずれもＧａＮ層であり，これら２つの最外層の
ＧａＮ層が，それぞれ，上記ｐ型ＡｌＧａＮ層及びｎ型ＩｎＧａＮ層と接してい
る。また，正孔と電子の再結合により実際に発光するのは，上記多層膜構造中の各
ＩｎＧａＮ層である（別紙物件目録１ないし５の図面及び［構成の説明］欄の記載
参照。なお，同目録中の各発光ダイオード模式断面図における「活性層」「クラッ
ド層」の記載は，一応原告の主張に従って記載してあるが，各層の機能について
は，被告との間で争いがある。）。
３　争点
(1)　被告チップはいわゆる多重量子井戸構造（なお，ここでいう「多重量子井戸構
造」とは，半導体発光素子の活性層を形成する際に，ＩｎＧａＮを井戸層とし，Ｇ
ａＮ層を障壁層として，これら２つの層を何層か交互に重ね合わせた構造のことを
指すものとする。）の活性層を有するところ，構成要件①ないし③の「活性層」に
は，このような多重量子井戸構造からなるものも含まれるか（争点(1)）。
(2)　仮に，上記「活性層」に多重量子井戸構造のものも含まれる場合，被告チップ
のように最外層がＧａＮ層であるものが，これに含まれるか（争点(2)）。
(3)　本件特許発明には明白な無効理由があり，本件特許権に基づく原告の本訴請求
は，権利の濫用に当たるものとして許されないか（争点(3)）。
第３　当事者の主張
１　前記争点(1)（構成要件①ないし③の「活性層」には，多重量子井戸構造からな
るものも含まれるか）について
（原告の主張）
ア　本件明細書の【特許請求の範囲】欄の請求項１４には，「量子井戸構造」なる
文言そのものは存在しないが，量子井戸構造自体は本件優先権出願以前から周知で
あり，本件優先権明細書（乙７）には乙８（雑
誌「Appl.Phys.Lett.67,1868(1995)」登載のＡ外３名による論文）に記載された単
一量子井戸構造を有する発光素子に関する記載が含まれていた。請求項１４は，本
件優先権明細書における実施例４から本件特許発明の必須要件のみを抽出したもの
である。
　　　　したがって，請求項の下位概念である単一量子井戸構造及び多重量子井戸
構造がそこに含まれていることは，明らかである。
イ　被告は，本件優先権明細書（乙７）には発光素子を構成する特定の層を多層構
造とすることが開示されていながら，活性層を多重量子井戸構造とすることについ
ては記載も示唆もされていないから，そこでは多重量子井戸構造が意識的に排除さ
れている旨を主張する。
　　しかし，本件優先権明細書（乙７）に記載されているのは，発光素子の層内に
半導体層を積層した多層膜を光反射層として設けるという新規な構造であり，この
ような構成は窒化ガリウム系化合物半導体では全く知られていなかったため，本件
優先権明細書に記載されたのである。一方，多重量子井戸構造は周知の構成であっ
たのだから，このような構成を明細書に記載していなかったからといって，権利の
範囲から除外されるものではない。
ウ　また，被告は，多重量子井戸構造の活性層においては，井戸層のバンドギャッ
プエネルギー，障壁層のバンドギャップエネルギー，及び，いわゆる量子サイズ効
果によって形成されるエネルギー準位に基づき導き出されるバンドギャップエネル
ギーとが並存しており，バンドギャップの意義を一義的に決めることができず，構
成要件②の「活性層よりもバンドギャップが大きく」という文言の関係で構成要件
そのものが不明確になるから，その観点からも，「活性層」に多重量子井戸構造を
含むと解することはできない旨を主張する（後記（被告の主張）エ参照。）。
　　　　しかしながら，Ｂ教授作成の平成１３年３月１６日付け鑑定書（甲６４）
に記載されているとおり，発光素子の活性層が多重量子井戸構造である場合の活性
層のバンドギャップエネルギーとは，電子及び正孔が存在できる最も低いエネルギ
ー間隔であり，伝導帯側の量子準位と価電子帯側の量子準位の差のことと定義でき
る（甲６４の図１のｂ参照）。
　　　　したがって，被告の上記主張は当を得ていない。
　（被告の主張）
ア　本件優先権明細書（乙７）には，多重量子井戸構造で活性層を構成することに
ついての記載がない上に，本件優先権出願（平成６年１２月２２日）後，本件特許
権の出願（平成７年１２月１２日）前に，活性層を量子井戸構造でないものから同
構造のものに置換した発光素子に関する発明が公知になっている（前記乙８参
照）。
　　したがって，出願人である原告が，本権優先権出願に基づく優先権を主張する
以上，本件明細書中の特許請求の範囲の請求項１４に記載された発明（すなわち，
本件特許発明）の技術的範囲を画するにあたっては，多重量子井戸構造で活性層を
構成したものは，そこに含まれないと解すべきである。
イ　本件優先権出願当時，多層膜からなる光反射層を形成する技術は既に公知であ
り（乙４７～５０の各特許公開公報参照），また，ＩｎＧａＮからなる井戸層及び
障壁層を交互に積層し，２つの最外層を井戸層とする多層膜構造からなる多重量子
井戸構造の活性層も公知であった（乙１２の公開特許公報参照）。
　　しかるところ，本件明細書には，クラッド層とコンタクト層の間に多層膜構造
の光反射層を設けた発光素子の構成が具体的に記載されている（本件特許公報段落
【００２６】）一方で，多重量子井戸構造の活性層を有する発光素子に関する具体
的な記載はない。
　　したがって，そこでは，活性層を多重量子井戸構造とする技術的思想が積極的
に排除されていたとみるべきである。
ウ　本件特許発明における「活性層」は，「インジウムとガリウムとを含む窒化物
半導体よりな」る（構成要件①）ことが要件であるところ，被告チップにおける多
重量子井戸構造はＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とを交互に積層してなるもので
あり，このうちＧａＮ障壁層は，正孔と電子が再結合して実際に発光するＩｎＧａ
Ｎ井戸層において，いわゆる量子サイズ効果に基づく量子準位を形成するために必
要不可欠な層である。ところが，このように活性層にとって必須の層であり，活性
層の一部であるにもかかわらず，ＧａＮ層はインジウムを含んでいない。
　　よって，被告チップが上記「インジウムとガリウムとを含む」との要件を充た
さず，本件特許発明の技術的範囲に属さないことは明らかである。
エ　本権優先権明細書のみならず，本件明細書中にさえ，量子井戸構造からなる活
性層のバンドギャップの数値を具体的にどう確定すればよいのかを示唆する記載は
見当たらない。
　　そうである以上，「活性層」には多重量子井戸構造のものは含まれないと解す
べきである。そうでないと，構成要件充足性を判断するための要件である「バンド
ギャップ」（構成要件②）という文言の意味が不明確となり，本件特許発明に特許
法３６条違反の無効理由が存することになってしまう。
　２　前記争点(2)（仮に，構成要件にいう「活性層」に多重量子井戸構造のものも
含まれる場合，被告チップのように最外層がＧａＮ層であるものが，これに含まれ
るか）について
　（原告の主張）
　　ア　本件特許発明の本質は，ＩｎＧａＮ活性層をｎ型ＩｎＧａＮクラッド層と
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層で挟んだ構成を採ることにより，ＩｎＧａＮ活性層をｎ
型ＡｌＧａＮクラッド層とｐ型ＡｌＧａＮクラッド層で挟んだ従来の構造に比し
て，活性層の結晶性が良くなり，発光出力が格段に向上する点にある。すなわち，
上記従来の構造においては，ＡｌＧａＮクラッド層の結晶が硬いため，例えばＩｎ
ＧａＮ活性層の厚さを２００Å（オングストローム）未満にすると，ＡｌＧａＮク
ラッド層とＩｎＧａＮ活性層に多数のクラックが生じて発光出力が低下するという
問題点があった。これに対し，本件特許発明においては，結晶として柔らかい性質
を有するＩｎＧａＮ層をクラッド層として挿入しているので，同層が活性層と外側
の層とのバッファ層として機能し，そのことによって，量子井戸構造を含む膜厚の
薄い活性層を実現することができ，発光波長の半値幅が狭くなって，発光出力も増
大するのである（甲６１〔本件特許権に係る特許異議の申立についての決定〕参
照）。このような作用効果は，多重量子井戸構造の最外層を井戸層にしようが障壁
層にしようが変わるものではない。そのことは，原告が，ＩｎＧａＮ井戸層とＧａ
Ｎ障壁層を積層した多重量子井戸構造の活性層を有する発光素子について実施した
実験結果にも示されている（甲７１〔原告作成の実験報告書〕参照）。したがっ
て，構成要件にいう「活性層」に含まれる多重量子井戸構造とは，被告が主張する
ように最外層が井戸層のものに限定されるものではない。
　　　　被告は，本件明細書の【００１７】段落に，「多重量子井戸構造とは，井
戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多層膜構造において，両側
の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成される。」との記載があることをもっ
て，仮に構成要件にいう「活性層」に多重量子井戸構造のものが含まれるとして
も，それは，最外層が井戸層のものに限定されると主張する。
　　　　しかし，本件明細書の上記記載は，多重量子井戸構造の好ましい実施形態
を記載したものにすぎず，その構成を限定したものではない。
　　イ　被告は，被告チップにおける多重量子井戸構造の最外層にあたるＧａＮ層
は，ＩｎＧａＮ層よりもバンドギャップが大きく，クラッド層として機能するもの
であって，活性層の一部ではない旨を主張する。
　　　　しかしながら，上記ＧａＮ層は４～１９ｎｍ（ナノメーター）の膜厚しか
有しないところ，正孔を例にとると，前記膜厚は正孔の拡散長よりはるかに薄いの
で，正孔は，活性層内においては，いわゆるトンネル効果により隣のＩｎＧａＮ井
戸層に達するが，ｎ型ＩｎＧａＮ層側の最外層であるＧａＮ層においては，隣にあ
る同ＩｎＧａＮ層の方がバンドギャップが大きく，エネルギー準位的にみて禁制帯
内にあってトンネルすることができないので，上記最外層にとどまることになる。
したがって，クラッド層として機能しているのは，あくまで上記ｎ型ＩｎＧａＮ層
である。原告が，被告チップと同じ構造を有するＬＥＤにつき，ｎ型クラッド層の
上に第２のＩｎＧａＮ井戸層を設けたものと，同クラッド層の下に第２のＩｎＧａ
Ｎ井戸層を設けたものとを作成し，それぞれについて電流を流して実験してみたと
ころ，前者については第２の井戸層の発光が明瞭に観測された一方で，後者につい
ては全く発光がなかった（甲８０〔原告の実験結果報告書〕参照）。この実験結果
は，被告チップにおいてｐ層から供給された正孔を実質的にせき止める機能を果た
しているのは，多重量子井戸構造の最外層であるＧａＮ層ではなく，その下側に隣
接してなるｎ型ＩｎＧａＮ層であることを示している。さらにいえば，被告自身の
出願に係る発明においても（甲６８の公開特許公報の段落【００２３】【００２
４】【００４７】等参照），井戸層をＩｎＧａＮ層とし障壁層をＧａＮとする多重
量子井戸構造が形成された後，形成されたＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮ層がクラッ
ド層と認識されていることがうかがわれる。
　　　　以上からすれば，被告の上記主張は誤りである。
　　ウ　また，被告は，被告チップにおける多重量子井戸構造の最外層をＩｎＧａ
Ｎ層にすると，最外層がＧａＮ層のものと比較して約６０％の発光出力しか得られ
なかった旨の結果を記載した乙１９（Ｃ教授作成の平成１３年２月２０日付け「見
解書」）を引用し，被告チップにおいて上記最外層をＧａＮ層にすることには積極
的な意義があり，本件特許発明とは別個の技術思想が用いられている旨を主張す
る。
　　　　しかし，乙１９に記載された実験を原告が再現し，被告チップの多重量子
井戸構造において最外層にＧａＮ層がある場合とない場合とのＬＥＤチップの各発
光出力を比較してみたところ，発光出力に差異はない旨の結果が示されており（甲
７１〔原告作成の実験報告書〕参照），被告による実験の結果は信用することがで
きない。
　　　　また，本件明細書の特許請求の範囲請求項１以下をみればわかるとおり，
そもそも，そこでなされた発明の本質は，ＩｎＧａＮクラッド層を活性層に接して
形成することによって薄い膜厚の活性層を実現し，単一量子井戸構造や多重量子井
戸構造を用いて発光出力を向上させることにある。そして，請求項１４記載の本件
特許発明においては，ｎ型クラッド層の上にＩｎＧａＮを含む活性層を積層し，さ
らにその上にｐ型ＡｌＧａＮクラッド層を積層することにより，活性層の発光出力
を増大させているのである。しかるところ，被告チップは，現に，ｎ型ＩｎＧａＮ
クラッド層を形成することによってＩｎＧａＮを含む活性層の結晶性を良くし，そ
の膜厚を薄くして量子井戸構造を採用することを可能にし，発光出力を向上させて
いるのであるから，仮に，前記最外層がＩｎＧａＮ層であるものに比べて発光出力
が６０％であったとしても，被告チップが本件特許発明の作用効果を利用している
ことに変わりはない。
　　エ　なお，被告の議論は，おしなべて，各層の膜厚を捨象してなされており，
その点においても不正確である。
　　　　例えば，被告チップ５についてみると，同チップの多重量子井戸構造にお
けるｎ型ＩｎＧａＮ層側の最外層であるＧａＮ層はわずか１００Åにも満たない厚
さである一方，その外側の上記ＩｎＧａＮ層は約１５００Åの厚さがある（甲６９
〔原告作成の分析結果報告書〕参照）。このｎ型ＩｎＧａＮ層こそが，全体として
活性層の結晶性を良くし，ＡｌＧａＮ層とＩｎＧａＮを含んでなる活性層との間の
格子不整合と熱膨張係数差から生じる歪みを緩和して，発光出力を向上させている
のだから，実際に発光するＩｎＧａＮ井戸層に，１００Åにも満たない上記ＧａＮ
層が直接に接しているからといって，被告チップが本件特許発明の本質を利用して
いないかのようにいう被告の主張は誤りである。
　（被告の主張）
　　ア　仮に構成要件にいう「活性層」に多重量子井戸構造を有するものが含まれ
ると解したとしても，本件特許発明における「活性層」には，「インジウムとガリ
ウムとを含む窒化物半導体よりな」る（構成要件①）という明確な限定があるのだ
から，「活性層」に含まれるのは，単一のＩｎＧａＮ層又はインジウムの組成比の
異なる複数のＩｎＧａＮ層を積層したものに限られ，被告チップのようにＩｎＧａ
Ｎ層とＧａＮ層を積層したものは含まれないと解すべきである。
　　　　また，たとえＩｎＧａＮ層とＧａＮ層を積層したものを含むと解したとし
ても，本件明細書の【００１７】段落には，「多重量子井戸構造とは，井戸層と障
壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多層膜構造において，両側の２つ最
外層は，それぞれ井戸層により構成される。」と明記されており，その一方で，井
戸層で始まり井戸層で終わる多層膜構造を有する活性層の両側に障壁層と同一組成
の層（ＧａＮ層）を形成することは，記載も示唆もされていないのだから，「活性
層」に含まれる多重量子井戸構造は，最外層がＩｎＧａＮ井戸層であるものに限定
されるというべきである。
　　イ　被告チップの多層膜構造部分において，原告が「活性層」の一部であると
主張している２つの最外層（ＧａＮ層）は，その内側のＩｎＧａＮ井戸層より明ら
かにバンドギャップが大きく，ｎ型ＩｎＧａＮ層側のＧａＮ層は正孔を，ｐ型Ａｌ
ＧａＮ層側のＧａＮ層は電子を，それぞれ内側のＩｎＧａＮ井戸層に閉じ込める機
能を有している。よって，これらのＧａＮ層は，構成要件中の用語でいえば「活性
層」ではなく，「クラッド層」に該当するものである（平成１３年２月２０日付け
被告第８準備書面添付の各［バンド図］参照）。
　　　　そうすると，原告が「第一のｎ型クラッド層」に該当すると主張する上記
ｎ型ＩｎＧａＮ層は，正孔を活性層に閉じ込める機能を果たしているものではない
から，「クラッド層」ではないことになり，同様に，原告が「ｐ型クラッド層」に
該当すると主張している上記ＡｌＧａＮ層も，電子を活性層に閉じ込める機能を果
たしているものではないから，やはり「クラッド層」ではないことになる。また，
Ｉｎ（インジウム）を含む上記ｎ型ＩｎＧａＮ層は，多層膜中のＧａＮ層よりバン
ドギャップエネルギーが小さいことが明らかであるから，「活性層よりバンドギャ
ップが大き」い（構成要件②）とはいえず，いずれにしても，被告チップは構成要
件を充足しないことになる。
　　ウ　原告は，被告チップにおけるｎ型ＩｎＧａＮ層と隣接する最外層のＧａＮ
層の関係につき，ｐ型ＡｌＧａＮ層側から注入された正孔は，トンネル効果により
上記ＧａＮ層まで達するものの，上記ＩｎＧａＮ層の方がバンドギャップが大き
く，エネルギー準位的にみて禁制帯内にあってトンネルすることができず，そこに
とどまることになるから，クラッド層として機能しているのはｎ型ＩｎＧａＮ層で
ある旨を主張している。
　　　　しかしながら，仮にトンネル効果により正孔が上記最外層のＧａＮ層に達
し，そこにとどまったとしても，正孔は最外層のＧａＮ層をトンネルしておらず
（そのことは，原告も争わない。），したがって，正孔を直接に井戸層に閉じ込め
ているのは，あくまで同ＧａＮ層ということになる。したがって，最外層のＧａＮ
層がクラッド層であることは明らかである。仮に，ｎ型ＩｎＧａＮ層がクラッド層
の役割を果たすことがあったとしても，最外層のＧａＮ層が直接正孔（又は電子）
を井戸層に閉じ込めている第１のクラッド層であることに変わりはなく，ｎ型Ｉｎ
ＧａＮ層はいわば第２のクラッド層として機能しているにすぎない。
　　　　なお，原告は，上記最外層のＧａＮ層の膜厚が６～１８ｎｍであり，ｎ型
ＩｎＧａＮ層よりかなり薄いことをもって，同層は障壁層であり，クラッド層では
ないと主張するかのようである。
　　　　しかし，原告自身の出願にかかる複数の発明の明細書において，膜厚が１
ｎｍ以上（乙６３），５０Å（５ｎｍ。乙５３，乙５４），あるいは，特に限定し
ない（乙５２）ＧａＮ層をｎ型クラッド層とする発光素子が開示されている。この
ことからわかるとおり，ある層がクラッド層であるか否かは，正孔又は電子を井戸
層に閉じ込める機能を有するか否かで決まるのであり，膜厚によって決まるもので
はない。したがって，被告チップにおける最外層のＧａＮ層が，膜厚６～１８ｎｍ
という薄い層であっても，正孔又は電子を井戸層に閉じ込めている以上クラッド層
なのであり，原告の上記主張は意味をなさない。
　　エ　本件優先権出願（平成６年１２月２２日）から本件特許出願（平成７年１
２月１２日）までの間の平成７年１１月２４日に出願された，原告自身の特許出願
にかかる明細書（乙３２の公開特許公報参照）には，「ＩｎＧａＮからなる井戸層
と，井戸層よりもバンドギャップの大きいＩｎＧａＮよりなる障壁層を積層した多
重量子井戸構造」を活性層とする半導体発光素子につき，「本発明の発光素子では
活性層に接して少なくともＡｌを含むｐ型の窒化物半導体，好ましくは三元混晶若
しくは二元混晶のＡｌＺＧａ１－ＺＮ（０＜Ｚ≦１）よりなるｐ型クラッド層が形成
されていることが望ましい。」，「このｐ型クラッド層を活性層に接して形成する
ことにより，素子の出力が格段に向上する。逆に活性層に接するクラッド層をＧａ
Ｎとすると素子の出力が約１／３に低下してしまう。これはＡｌＧａＮがＧａＮに
比べてｐ型になりやすく，またｐ型クラッド層成長時に，ＩｎＧａＮが分解するの
を抑える作用があるためと推察されるが，詳しいことは不明である。」との各記載
があり，原告が，ＩｎＧａＮの分解を抑止するためには，ｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層とＩｎＧａＮ活性層とが接することが必要である旨を認識していたことが示され
ている。
　　　　そして，原告は，このような認識に立った上で，本件特許権に係る無効審
判申立事件（特許庁平成１０年審判第３５４３３号）の答弁書（乙３０）において
も，「本件明細書には記載していないが，ｐ型のＡｌＧａＮは，活性層に接して形
成することにより，活性層の分解防止層として作用して，ＩｎＧａＮ活性層のＩｎ
Ｎの分解を防止して，結晶性を維持できる。請求項１４に係る発明においてはＩｎ
ＧａＮクラッド層，ＩｎＧａＮ活性層，ｐ型ＡｌＧａＮ層を積層した構造におい
て，活性層にＩｎＧａＮ以外の窒化ガリウム系化合物半導体層，この場合ＡｌＧａ
Ｎ層が必ず一か所ヘテロ接合している。」と述べ，本件特許発明においては，ｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活性層が接していることが必要である旨を主張
して，本件特許権の維持を図った。
　　　　以上の経緯に照らし，原告が，本件訴訟において，ＩｎＧａＮ活性層に直
接に接するのがｐ型ＡｌＧａＮクラッド層ではなく，ＧａＮ層である被告チップに
つき，このような層構成のものも本件特許発明の技術的範囲に属すると主張するこ
とは，著しく信義則に反し，許されないというべきである（禁反言の法理）。
　３　前記争点(3)（本件特許発明には明白な無効理由があり，本件特許権に基づく
原告の本訴請求は，権利の濫用に当たるものとして許されないか）について
　（被告の主張）
　　　本件特許発明には，下記のとおり明白な無効理由があり，本件特許権に基づ
く原告の本訴請求は，権利の濫用に当たるものとして許されない（平成１３年１０
月１２日付け被告第２０準備書面末尾添付の「無効理由一覧表」参照。以下，争
点(3)についての当事者双方の主張は，必ずしも十分に整理されているとはいえない
点もあるが，双方の主張内容をそのまま摘示する。）。
　　ア　新規事項の追加（無効理由①）
　　　　本件特許権は平成７年の出願であり，補正が厳格に制限されるいわゆる平
成６年改正特許法が適用されるところ，同法の下では，補正が許されるのは，当初
明細書及び図面に記載された事項そのものか，あるいは，その記載事項から当業者
が直接的かつ一義的に導き出せる事項に限られる（乙１７参照）。
　　　　しかるに，請求項１４記載に係る発光素子，すなわち，インジウムとガリ
ウムとを含む活性層の第１の面に接してｎ型ＩｎＧａＮクラッド層を備え，活性層
の第２の面に接してｐ型ＡｌＧａＮクラッド層を備える構成のみからなる発光素子
は，本件優先権明細書（乙７）には全く記載されておらず，かつ，同明細書の記載
から当業者が直接的かつ一義的に導き出せる事項でもない。
　　　　したがって，上記請求項１４に記載された事項（すなわち，本件特許発明
の内容）は，手続補正書（乙１６）により追加された新規事項というべきである
（特許法１７条の２第２項違反）。
　　イ　明細書にサポートなし（無効理由②）
　　　　本件特許発明の本質は，ＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活性層の間に
挿入されたＩｎＧａＮクラッド層が，これら２つの層のバッファ層として機能する
ことにある。実際に，本件明細書記載の実施例１ないし６をみても，ｐ型ないしｎ
型の少なくとも１つのＩｎＧａＮクラッド層の外側にＡｌＧａＮクラッド層を設け
た構成が開示されている。
　　　　しかるに，請求項１４の記載そのものに対応した実施例，すなわち，Ｉｎ
ＧａＮ活性層を挟んでｐ型ＡｌＧａＮクラッド層とｎ型ＩｎＧａＮクラッド層が存
在するのみで，ＩｎＧａＮクラッド層の外側にＡｌＧａＮクラッド層が存在しない
構成の発光素子は記載されていない。
　　　　そうすると，請求項１４記載に係る本件特許発明には，いわゆる明細書に
サポートなしの無効理由が存することになる（特許法３６条違反）。
　　ウ　記載不備ないし実施不能（無効理由③）
　　　　多重量子井戸構造の活性層においては，井戸層のバンドギャップエネルギ
ー，障壁層のバンドギャップエネルギー，及び，いわゆる量子サイズ効果によって
形成されるエネルギー準位に基づき導き出されるバンドギャップエネルギーとが並
存しており，バンドギャップの意義を一義的に決めることができない。
　　　　したがって，仮に，構成要件にいう「活性層」に多重量子井戸構造のもの
も含むと解した場合には，構成要件②の「バンドギャップ」の意義が技術的に不明
瞭ないし実施不能となり，無効理由が存することになる（特許法３６条違反）。
　　エ　進歩性欠如その１（無効理由④）
　　　　本件特許発明より先願の技術（乙３３〔特開平４－６８５７９号公報〕）
においては，ｎ型ＩｎＧａＮを含んだ活性層をｐ型ＧａＮ層及びｎ型ＩｎＧａＮク
ラッド層で挟んだ構成の発光素子が開示されており，ここに記載された発明が本件
特許発明と実質的に相違するのは，ｐ型クラッド層がＧａＮ層であるかＡｌＧａＮ
層であるかという点のみである。ところが，ｎ型ＩｎＧａＮ活性層上のｐ型ＧａＮ
クラッド層をｐ型ＡｌＧａＮクラッド層に置換することは，本権優先権出願当時，
既に周知の技術であった（乙４１ないし４３の公開特許公報参照）。
　　　　したがって，上記乙３３記載の発明におけるｐ型ＧａＮクラッド層をｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層に置換することは，当業者にとって容易想到であったという
ことができる（特許法２９条２項違反）。
　　オ　進歩性欠如その２（無効理由⑤）
　　　　本件特許発明より先願の技術においては，本件で問題になっている窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子についてのものではないにせよ，(ア)電子と正孔の
オーバーフローを抑えるため，ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層を異なった材料で
構成する技術（乙４４〔特開平１－２１７９８６号公報〕）や，(イ)電子のオーバ
ーフローを抑えるため，ｐ型クラッド層をｎ型クラッド層よりバンドギャップエネ
ルギーの大きな材料で構成することにより，電子に対するヘテロバリアの増大を図
る技術（乙４５〔特開平４－８７３７８号公報〕）が開示されている。そして，平
成６年（１９９４年）に発行された文献（乙４６〔Ｄ編著「Ⅲ－Ⅴ族化合物半導
体」〕）には，窒化ガリウム系化合物半導体発光素子にも，他の材料系で開発され
た技術が応用されていく旨記載されている。
　　　　そうすると，同発光素子においても，電子のオーバーフローを抑えるた
め，上記乙３３記載の発明におけるｐ型ＧａＮクラッド層を，よりバンドギャップ
の大きなＡｌＧａＮクラッド層で置換して本件特許発明に想到することは，当業者
にとって容易だったというべきである（特許法２９条２項違反）。
　　カ　新規性欠如または進歩性欠如その３（無効理由⑥）
　　　　既に述べたとおり（前記１（被告の主張）ア），本件優先権出願（平成６
年１２月１２日）後，本件特許権の出願（平成７年１２月１２日）の前に，請求項
１４の「活性層」を単一量子井戸構造の活性層で置換した発明（乙８〔雑
誌「Appl.Phys.Lett.67,1868(1995)」登載のＡ外３名による論文〕）が公知になっ
ている。この発明と乙１１（雑誌「J.Appl.Phys.74,3911(1993)」登載のＡ外４名に
よる論文）または乙１２（特開平６－２６８２５７号公報）記載の発明とを組み合
わせれば，上記単一量子井戸構造の活性層を，組成比を異にするＩｎＧａＮ層を重
ねた多層膜で置換して多重量子井戸構造にすることは当業者にとって容易だったと
いうべきである（特許法２９条１項３号違反）。
　　　　また，上記乙８記載の発明と本件特許権出願日前に公知であった別の発明
（乙６〔無効審判請求書添付の特開平５－２３５６２２号公報〕）とを組み合せれ
ば，上記単一量子井戸構造の活性層を，ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層を重ねた多層膜で
置換して多重量子井戸構造にすることも当業者にとって容易だったというべきであ
る（同法２９条２項違反）。
　　キ　進歩性欠如その４（無効理由⑦）
　　　　本件優先権出願当時，乙３３（特開平４－６８５７９号公報），乙６（無
効審判請求書添付の特開平５－２９１６１８号公報及び特開平５－２３５６２２号
公報）等に示されるように，発光素子の隣接する層同士を同一の材料または格子定
数の近い材料で構成し，格子定数をできるだけ整合させ，結晶欠陥を減少させて発
光効率を向上させる技術は周知であった。また，乙３３の第３図，乙６〔無効審判
請求書添付の特開平５－２３５６２２号公報〕の図４等が示すとおり，ダブルヘテ
ロ構造を用いた発光素子も周知であった。すなわち，乙３３等記載の各発光素子に
おいては，発光効率向上のために，格子整合化技術にさらにダブルヘテロ構造とい
う技術が重畳的に用いられていたのである。
　　　　他方，本件特許発明の本質は，(ア)ＩｎＧａＮ活性層とＡｌＧａＮクラッ
ド層との間に新たにＩｎＧａＮ層を挿入することにより，ＩｎＧａＮ活性層とＡｌ
ＧａＮクラッド層との格子定数不整及び熱膨張係数差から生じる結晶欠陥を吸収
し，活性層の結晶性を良くして発光出力を向上させるとともに，(イ)ダブルヘテロ
構造を形成することにより，電子や正孔を活性層内に閉じ込めて発光効率を向上さ
せることにある。
　　　　しかるに，上記(ア)は，格子整合化と思想的に共通する技術であるから，
結局，本件特許発明は，本件優先権出願当時にいずれも周知であった格子整合化技
術及びダブルヘテロ構造をそのまま利用したにすぎない（特許法２９条２項違
反）。
　　ク　進歩性欠如その５（無効理由⑧）
　　　　前記エで述べたとおり，本件特許発明より先願の乙３３（特開平４－６８
５７９号公報）に記載された発明は，ｐ型クラッド層がＧａＮ層であるか，あるい
はＡｌＧａＮ層であるかという点のみにおいて，本件特許発明と実質的に相違す
る。しかるに，乙２３（特開平２－２２９４７５号公報）の第１３図等が示すとお
り，半導体発光素子の形成に通常使用されるＡｌＧａＮの格子定数は，ＧａＮの格
子定数とほとんど変わらないということができる。
　　　　したがって，ｎ型ＩｎＧａＮ活性層上のｐ型ＧａＮクラッド層をｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層に置換することは，乙３３記載の発明の技術思想の範囲内にあっ
たというべきであり，本件特許発明は，この観点からも，当業者にとって容易想到
であったということができる（特許法２９条２項違反）。
　　ケ　新規性欠如または進歩性欠如その６（無効理由⑨）
　　　　本件特許発明より先願の乙５８（特開平６－２１５１１号公報）記載にか
かる発明においては，活性層と成長基板との間に特定の構造の層を設けることや，
バンドギャップの大小関係が規定された特定の構造の層を接して設けることなどを
要件として，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＡｌＮ及びＩｎＡｌＧａＮの４種類の
窒化化合物の層を重ねて構成した半導体発光素子が開示されているところ，上記各
要件を充たしつつ，ＩｎＧａＮ活性層の上にｐ型ＡｌＧａＮクラッド層を，下にｎ
型ＩｎＧａＮクラッド層をそれぞれ設けて，請求項１４記載にかかる構造と全く同
一の構造の発光素子を構成することが可能であるから，本件特許発明は，乙５８記
載の発明と同一である（特許法２９条１項３号違反）。
　　　　仮に，乙５８において，活性層の両側のクラッド層の組成を非対称に（す
なわち，片方をｐ型に，もう片方をｎ型にして，伝導型が異なるように）選択する
ことが記載されていないと解したとしても，前記オで述べたとおり，乙４４，乙４
５及び乙６１（Ｅ雄「工学選書４・半導体レーザと応用技術」）各記載の技術思想
に乙４６の記載内容を総合して考えれば，本件優先権出願当時，窒化ガリウム系の
半導体発光素子においても，活性層を挟むクラッド層を非対称にすること，とりわ
けｐ型クラッド層をｎ型クラッド層よりバンドギャップが大きくなるようにＡｌＧ
ａＮを材料に選択して構成することは，当業者にとって容易想到であったといえる
（同法２９条２項違反）。
　　コ　新規性欠如または進歩性欠如その７（無効理由⑩）
　　　　本件特許発明より先願の乙６２（特開平４－２４２９８５号公報）の請求
項４記載に係る発明においては，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎの組成比を一定の要件の下で
定めた窒化化合物で各層を形成することを前提とした上，このようにして形成され
た活性層の両側を，ｐ型の層とｎ型の層とで挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウ
ム系化合物半導体レーザーダイオードが開示されている。しかるところ，上記組成
比に関する要件の範囲内で，ＩｎＧａＮ活性層の上にｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
を，下にｎ型ＩｎＧａＮクラッド層を設けた発光素子を構成することができる。し
たがって，本件特許発明は，上記乙６２記載にかかる発明と同一というべきである
（特許法２９条１項３号違反）。
　　　　仮に，乙６２において，活性層の両側のクラッド層の組成を非対称に選択
することが記載されていないとしても，前記ケで述べたのと同じ理由により，本件
優先権出願当時，窒化ガリウム系の半導体発光素子においても，活性層を挟むクラ
ッド層を非対称にすることは，当業者にとって容易に想到し得たというべきである
（同法２９条２項違反）。
　（原告の主張）
　ア　無効理由①に対する反論
平成１３年６月５日に特許庁がした無効不成立の審決（甲７８）において
は，本件明細書の【特許請求の範囲】の【請求項１】及び段落【０００５】には，
本件優先権明細書の【特許請求の範囲】の【請求項１】及び段落【０００５】と同
様の記載があり，同明細書の段落【０００３】【００１１】の各記載にも照らす
と，そこには，活性層を挟むクラッド層のうち片方のみをＩｎＧａＮ層とし，もう
片方を従来用いられていたのと同じＡｌＧａＮ層にしてもよいことが開示されてい
るから，ＩｎＧａＮ活性層をｎ型ＩｎＧａＮ層とｐ型ＡｌＧａＮ層で挟んだ請求項
１４の構成も開示されているというべきであり，また，本件特許発明が第２のｎ型
及びｐ型クラッド層を必須の要件としていないことは，明細書の記載から明らかで
あるから，結局，請求項１４記載にかかる本件特許発明の構成要件は，明細書にお
いて開示されていた旨の判断が示されている。
　　　本件特許発明が本件優先権明細書にも本件明細書にも記載されておらず，手
続補正書において新規に追加された事項である旨の被告の主張が誤りであること
は，上記特許庁の判断が示すとおりである。
　イ　無効理由②に対する反論
　　　既に述べたとおり（前記２（原告の主張）ア），本件特許発明の本質は，従
来のＡｌＧａＮクラッド層に代えて，結晶として柔らかい性質を有するＩｎＧａＮ
からなるｎ型クラッド層を構成することにより，ＩｎＧａＮ活性層の結晶性を良く
し，発光出力を向上させることにある。他方，上記アの特許庁の判断においても触
れられているとおり，第２のｎ型及びｐ型クラッド層の存在は本件特許発明の必須
の要件ではない。
　　　したがって，本件特許発明の本質が，ＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活
性層の間に挿入されたＩｎＧａＮクラッド層が，これら２つの層のバッファ層とし
て機能することにある旨の被告の理解は誤りであり，この点に関する被告の無効主
張は前提を欠いている。
　ウ　無効理由③に対する反論
　　　既に述べたとおり（前記１（原告の主張）ウ），多重量子井戸構造の活性層
においても，そのバンドギャップエネルギーとは，電子及び正孔が存在できる最も
低いエネルギー間隔であり，伝導体側の量子準位と価電子帯側の量子準位の差のこ
とであると定義することができる（甲６４〔Ｂ教授作成の鑑定書〕参照）。
　　　したがって，構成要件の「バンドギャップ」の意義が技術的に不明瞭ないし
実施不能である旨の被告の主張には理由がない。
　エ　無効理由④に対する反論
　　　被告は，乙３３（特開平４－６８５７９号公報）においては，ｎ型ＩｎＧａ
Ｎを含んだ活性層をｐ型ＧａＮ層及びｎ型ＩｎＧａＮクラッド層で挟んだ構成の発
光素子が開示されていると主張するが，被告の議論は，格子を完全に整合させたタ
イプの発光素子の一部を構成する３層のみを取り上げて，しかも，明細書に記載さ
れていない「クラッド層」，「活性層」という用語を用いてなすものであり，前提
において不正確である。その上，乙３３の第５図記載の発光素子につき，各層の組
成に照らして，被告が「クラッド層」とする層のバンドギャップエネルギーが「活
性層」とされる層のそれより小さいという矛盾が存在する。
　　　そもそも，乙３３記載の発明は，格子不整合をできる限り避け，格子を完全
に整合させたタイプの素子を実現することに技術思想の本質があるところ，ＧａＮ
よりも格子不整合性が大きくなることが明らかなＡｌＧａＮを，わざわざＧａＮに
代えて使用するようなことは当業者であれば行わない。したがって，ＩｎＧａＮ活
性層上のｐ型ＧａＮクラッド層をｐ型ＡｌＧａＮクラッド層に置換することは，当
業者にとって容易想到であった旨の被告の主張は誤りであり，被告が主張するよう
な無効理由は存在しない。
　オ　無効理由⑤に対する反論
　　　被告は，また，電子のオーバーフローを抑えるため，乙３３の第５図におけ
るｐ型クラッド層をバンドギャップエネルギーの大きいＡｌＧａＮクラッド層に置
換することも容易想到であったと主張する。
　　　しかしながら，上記エで述べたとおり，そもそも，乙３３記載の発明は，格
子整合型の発光素子の実現を目的としているのであり，電子のオーバーフローを抑
えることを目的にしているのではないから，この発明に被告が主張するような技術
思想を適用する契機が存在しない。また，同発明においては，その発明の目的に沿
うべく，格子不整合をできる限り避けるように各層が積層されているのであるか
ら，ＧａＮ層に代えて，同層よりも格子不整合が大きくなることが明らかなＡｌＧ
ａＮ層を使用することなど，当業者にとって考えられない。
　　　よって，この点に関する被告の無効主張にも理由がない。
　カ　無効理由⑥に対する反論
　　　被告は，本件優先権明細書には量子井戸構造の活性層をもつ発光素子が開示
されていないことを前提に，本件優先権出願（平成６年１２月１２日）後，本件特
許権出願（平成７年１２月１２日）の前に，請求項１４の「活性層」を単一量子井
戸構造の活性層で置換した発明（乙８〔雑誌「Appl.Phys.Lett.67,1868(1995)」登
載のＡ外３名による論文〕）が公知になっていると主張した上，この発明と他の幾
つかの技術とを組み合せて，容易想到等の無効論を展開している。
　　　しかしながら，量子井戸構造は，本件優先権出願当時には，活性層の膜厚が
一般に１００Å以下であると認識されていた既に周知の構造であり，量子井戸構造
で構成したＩｎＧａＮ活性層も周知であった（乙１１，乙１２）。したがって，当
時の技術水準からすれば，２００Å以下のＩｎＧａＮ活性層及びそれに含まれる量
子井戸構造の活性層は，優先権明細書に記載されていたに等しく，乙８記載の発明
は，本件特許発明を検討する上で先行技術になり得ない。被告の上記主張はその前
提において誤っている。
　キ　無効理由⑦に対する反論
　　　被告は，本件優先権出願当時，格子整合化技術とダブルヘテロ化技術はとも
に周知であって，乙３３（特開平４－６８５７９号公報）において重畳的に採用さ
れており，本件特許発明はこれらの技術をそのまま利用したにすぎない旨主張す
る。
　　　しかし，本件特許発明は，結晶として柔らかい性質を有するＩｎＧａＮでク
ラッド層を形成することにより，格子不整からくる歪みを緩和し，ＩｎＧａＮ活性
層の結晶欠陥を少なくして，発光出力を飛躍的に向上させるものであり，ＩｎＧａ
Ｎでクラッド層を形成する点に本質的な特徴がある。他方，乙３３に開示された技
術思想は，基板から順次積層される各層間すべてについて格子整合化を図ることに
より，結晶性のよい層を形成し，発光効率を高めようとするものであって，本件特
許発明がこのような技術を利用していないことは明らかである。
　　　なお，被告がダブルヘテロ構造が採用されている例として引用する乙３３の
当該部分は，ＩｎＧａＮ活性層をＺｎＯ層とＧａＮ層で挟んだ層構成をもつ実施例
に関する記載であり，ＩｎＧａＮ活性層を挟む層としてのＩｎＧａＮ層は全く開示
されていない。したがって，上記実施例の発光素子につき，格子整合化技術とダブ
ルヘテロ化技術が重畳的に採用された素子であるとする被告の理解は誤りである。
　ク　無効理由⑧に対する反論
　　　被告は，通常使用されるＡｌＧａＮは格子定数がＧａＮとほとんど変わらな
いのだから，当業者にとって，格子整合型である乙３３の第５図記載の発光素子に
おけるｐ型ＧａＮをｐ型ＡｌＧａＮで置換することは容易である旨主張する。
　　　しかしながら，前記エ等で既に述べたとおり，乙３３記載の発明は，格子整
合型素子の実現を目的とするものであり，乙３３の図５記載の素子において被告が
「クラッド層」とする層は「ｎ型伝導層」と記載されていて，クラッド層であるこ
との記載も示唆もないばかりか，そのバンドギャップエネルギーは隣接する発光層
よりも小さく，「活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型ＩｎＧａＮ
層」を構成要素とする本件特許発明とは相容れない構成を採っている。また，同図
のｐ型ＧａＮ層をｐ型ＡｌＧａＮクラッド層に置換することは記載も示唆もされて
いないばかりか，格子不整合性が大きくなる方向に作用するこのような置換は，そ
もそも，乙３３記載の発明の本質に反する。さらに，乙３３及び本件明細書の各記
載からすると，本件特許発明を実施した発光素子は，乙３３記載の発光素子の約６
０倍の光度を有すると認められるところ，あえて前記のような置換を行ったと仮定
しても，光度が約６０倍も向上するような顕著な効果が，乙３３から予想できるは
ずもない。
　　　以上によれば，被告の上記容易想到の主張は誤りというべきである。
　ケ　無効理由⑨に対する反論
　　　被告は，乙５８（特開平６－２１５１１号公報）の請求項２の記載に基づ
き，そこにはＩｎＧａＮ活性層をｎ型ＩｎＧａＮクラッド層とｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層で挟んだ構成の層が開示されているから，本件特許発明は乙５８記載の発明
と同一である旨主張する。
　　　しかしながら，本件特許発明は，ＩｎＧａＮ活性層に接してｎ型ＩｎＧａＮ
クラッド層（及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層）を設けることによって活性層の結晶
性を良くし，発光出力を向上させるものである。一方，乙５８記載の発明は，発光
層と成長基板との間にＧａＮ，ＡｌＧａＮ又はＡｌＮのいずれかの層を設けること
によって発光層の結晶性を向上させ，発光特性を良くしようとするものである。し
たがって，発光層に接してｎ型ＩｎＧａＮクラッド層を設けることにより発光出力
を向上させるという本件特許発明の技術思想は，乙５８には全く記載されておら
ず，これらが同一の発明でないことは明らかといわなければならない。
　　　また，被告は，仮に乙５８において発光層の両側のクラッド層の組成を非対
称に選択することが記載されていないとしても，ｐ型クラッド層のバンドギャップ
エネルギーがｎ型クラッド層のそれより大きくなるように，ｐ型クラッド層の材料
としてＡｌＧａＮを選択することには何の困難性もなかったのであるから，本件特
許発明は乙５８記載の発明から容易想到であると主張する。
　　　しかし，乙５８に開示された技術思想に照らし，結晶性の悪いＩｎＧａＮ層
をＩｎＧａＮ活性層に接して設けることは開示されていないと解されるから，乙５
８の記載から活性層に接したＩｎＧａＮクラッド層の存在を導き出す被告の議論
は，その前提において誤っている。
　コ　無効理由⑩に対する反論
　　　被告は，本件特許発明が乙６２（特開平４－２４２９８５号公報）記載の発
明と同一であるか，又は同発明から容易想到であると主張するが，乙６２記載の発
明は，電子線照射を行うことによりｐ型のＡｌＧａＮができたので，実施例に示さ
れたＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層で挟んだレーザーダイオードができたと
いうだけの発明であって，乙６２の段落【０００４】の記載からわかるとおり，ア
ルミニウムやガリウム（あるいはその両方）と組み合せて組成した窒化インジウム
は，半導体レーザを実現するための材料の候補の１つとして挙げられているにすぎ
ない。
　　　そうすると，そこには，青色，紫色領域あるいは紫外光領域での発光が可能
な半導体レーザダイオードとして，ＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層で挟んだ
層構成の素子がかろうじて開示されているとはいえても，ＩｎＧａＮクラッド層を
ＩｎＧａＮ活性層に接して設けることにより発光出力を増大させることを本質とす
る本件特許発明が，その技術思想の内容が実施できる程度に開示されているとは到
底いえない。したがって，被告の上記主張には理由がない。
第４　当裁判所の判断
　１　争点(1)について
　　ア　本件明細書を検討すると，まず，「現在実用化されている青色，青緑色Ｌ
ＥＤの発光チップは，基本的には，サファイア基板の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ
型コンタクト層と，ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層と，ｎ型ＩｎＧａＮよ
りなる活性層と，ｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層と，ｐ型ＧａＮよりなる
ｐ型コンタクト層とが順に積層された構造を有している。」（段落【０００３】）
と従来技術の代表的な実施例が紹介された上で，「短波長ＬＤの実現，さらに高輝
度なＬＥＤを実現するためには，さらなる発光出力の向上が望まれている」（段落
【０００４】）ところ，「本発明者らは，窒化物半導体で形成されるダブルへテロ
構造においてＩｎとＧａを含む窒化物半導体よりなる活性層を挟むクラッド層につ
いて鋭意研究した結果，少なくとも一方の，好ましくは両方のクラッド層をＩｎと
Ｇａとを含む窒化物半導体で形成することにより，発光素子の出力が飛躍的に向上
することを新たに見出し，本発明をなすに至った。」とされている。
　　　　そして，上記「本発明」（ここでは，特許請求の範囲請求項１ないし１８
各記載の発明を総称して用いられているので，以下，その例にならう。）によれ
ば，(ア)ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体よりなり，第１の面と第２の面とを有す
る活性層を有し，該活性層の第１の面に接して活性層よりもバンドギャップが大き
く，かつＩｎとＧａとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備
えることを特徴とする窒化物半導体発光素子（請求項１ないし３参照），(イ)Ｉｎ
とＧａとを含む窒化物半導体よりなり，第１の面と第２の面とを有する活性層を有
し，該活性層の第２の面に接して活性層よりもバンドギャップが大きく，かつＩｎ
とＧａとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備えることを特
徴とする窒化物半導体発光素子（請求項４ないし６参照），及び，(ウ)ＩｎとＧａ
とを含む窒化物半導体よりなり，第１の面と第２の面とを有する活性層を有し，該
活性層の第１の面に接して活性層よりもバンドギャップが大きく，かつＩｎとＧａ
とを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え，該活性層の第２
の面に接して活性層よりもバンドギャップが大きく，かつＩｎとＧａとを含むｐ型
窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導
体発光素子（請求項７ないし１３参照）がそれぞれ提供されるとして，本発明を実
施した発光素子の基本的な構造が開示されている（段落【０００６】ないし【００
０８】）。
　　　　その上で，図１に即して【本件特許発明の実施形態】が説明されており，
同図における活性層６（構成要件①ないし③の「活性層」に対応する。）につい
て，好ましい組成や膜厚に関する記載がされ（段落【００１４】【００１５】），
それに続いて，「ところで，活性層６を量子井戸構造（単一量子井戸構造または多
重量子井戸構造）とすることにより，発光波長の半値幅がより狭くなり，発光出力
も向上することがわかった。」（段落【００１６】），「ここで，量子井戸構造と
は，ノンドープの活性層構成窒化物半導体（好ましくはＩｎＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ
＜１）による量子準位間の発光が得られる活性層の構造をいい，単一量子井戸構造
とは，井戸層が単一組成の１層よりなる構造を指す。すなわち，単一量子井戸構造
の活性層は，単一の井戸層のみにより構成される。また，多重量子井戸構造とは，
井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多層膜構造において，両
側の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成される。すなわち，多重量子井戸構
造の活性層は，例えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ，ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ（組成が異な
る）等の井戸層／障壁層の組み合わせからなり，これら井戸層および障壁層を交互
に積層した薄膜積層構造である。」（段落【００１７】）との記載が存在する。
　　　　以上からすれば，本件明細書においては，活性層を量子井戸構造にすると
発光出力向上に資するとの発明者の認識が示された上で，量子井戸構造の定義がな
され，同構造には，単一の井戸層から構成される単一量子井戸構造と，井戸層と障
壁層を交互に積層して構成される多重量子井戸構造の２種類があることが明確に示
されているということができる。
　　　　しかも，上記記載に続いて，「活性層６を多重量子井戸構造とすると，単
一量子井戸構造の活性層よりも発光出力が向上する。」と，多重量子井戸構造が単
一量子井戸構造よりも望ましい活性層の構造であることが記載され，以下，多重量
子井戸構造を採った場合の井戸層及び障壁層の望ましい各膜厚について，数Åない
し数十Å（オングストローム）単位で具体的な数値が開示されている（以上，段落
【００１７】）。
　　イ　以上のような本件明細書の記載の体裁及び内容からすると，発明者らは，
本件明細書を記載した当時，活性層を構成する層構造としての量子井戸構造の存在
を明確に意識していただけでなく，量子井戸構造の中でも，多重量子井戸構造を，
本件特許発明の作用効果を高めるとりわけ望ましい構造として認識し，同構造の活
性層を実施する場合の井戸層及び障壁層の望ましい膜厚まで具体的に開示している
のであるから，そこには，活性層を構成する特定の層構造としての多重量子井戸構
造が，本件特許発明の技術思想を具体的に実施できる程度に開示されているという
ことができる。
　　　　したがって，請求項１４の記載においては，単に「活性層」という言葉が
用いられており，特許請求の範囲の記載自体からは，量子井戸構造からなる活性層
が「活性層」に含まれるか否かが必ずしも明らかでないにしても，上記のような
【発明の詳細な説明】欄の記載を斟酌すれば，当業者であれば，特許請求の範囲の
「活性層」に単一量子井戸構造及び多重量子井戸構造を有するものが含まれること
は容易に理解することができるというべきである。したがって，本件特許発明の構
成要件にいう「活性層」には多重量子井戸構造を有するものも含まれるものと認め
るのが相当である。
　　　　なお，被告は，本件明細書には，クラッド層とコンタクト層の間に多層膜
構造の光反射層を設けた発光素子が具体的に開示されている（段落【００２６】）
一方で，多重量子井戸構造の活性層を有する発光素子に関する具体的な構成は開示
されていないから，同構造で活性層を構成する技術思想は積極的に排除されていた
とみるべきである旨主張する（前記第３の１（被告の主張）イ）。
　　　　たしかに，本件明細書には，多重量子井戸構造の活性層を有する発光素子
の図や実施例こそ存在しないが，上記アで摘示したとおり，多重量子井戸構造その
ものについては，十分に詳細な記載がされている上に，本件明細書の記載全体を子
細に検討すると，被告の指摘に係る上記の光反射層を設けた発光素子が素子全体の
層構成と共に採り上げられているのは，クラッド層とコンタクト層の間に半導体層
を積層した多層膜を光反射層として挿入することにより，活性層における発光を同
層内に閉じこめてレーザ発振を容易にするという当時新規な構造に関するものであ
ったからとも考えられる（前記第３の１（原告の主張）イ参照）。よって，被告の
上記主張を採用することはできない。
　　ウ　被告は，仮に「活性層」に多重量子井戸構造のものが含まれると解したと
しても，本件特許発明における「活性層」には「インジウムとガリウムとを含む窒
化物半導体よりな」るという限定があるから，「活性層」に含まれるのは，単一の
ＩｎＧａＮ層又は組成比の異なる複数のＩｎＧａＮ層を積層したものに限られ，被
告チップのようにＩｎＧａＮ層とＧａＮ層を積層したものは含まれないと解すべき
であると主張する（前記第３の２（被告の主張）ア）。
　　　　しかしながら，「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体」という要
件が，半導体発光素子の活性層を構成するすべての層が，インジウム，ガリウム及
び窒素の３種類の元素を含んでいることまで要請しているのかどうかは特許請求の
範囲の記載自体からは定かではなく，明細書の記載全体からすると，従来技術にお
いては，活性層の材料としてＩｎＧａＮを用いるのが通常であったことを受けて，
単に本件特許発明においてもＩｎＧａＮを主体として活性層を構成する趣旨である
と解する余地がある。そして，前記のとおり，【発明の詳細な説明】欄には，それ
と符合するように，「多重量子井戸構造の活性層は，例えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ，
ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ（組成が異なる）等の井戸層／障壁層の組み合わせからな
り，これら井戸層および障壁層を交互に積層した薄膜積層構造である。」との記載
があるのだから，構成要件における「インジウムとガリウムとを含む窒化物化合物
よりな」るとの文言は，必ずしも，活性層を構成する全ての層がインジウム，ガリ
ウム及び窒素を含んでいなければならないことを意味するものではなく，活性層の
主たる組成要素が窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）であれば足りる趣旨をい
うものと理解することができる（なお，被告チップを含め，ＩｎＧａＮとＧａＮを
積層した多重量子井戸構造で活性層を構成する発光素子において，実際に正孔と電
子が結合して発光する層はＩｎＧａＮ層であり，そのことは被告も争わない。）。
　　　　よって，被告の前記主張は採用することができない。
　　エ　また，被告は，本件優先権明細書のみならず，本件明細書にも，量子井戸
構造からなる活性層のバンドギャップを具体的にどのように確定すればよいのかを
示唆する記載は見当たらず，「活性層」に多重量子井戸構造のものも含まれると解
すると，「活性層よりバンドギャップが大き」い（構成要件②）という文言の意味
を確定できなくなってしまうから，この観点からも「活性層」に多重量子井戸構造
のものが含まれると解することはできないと主張する（前記第３の１（被告の主
張）エ）。
　　　　たしかに，理論的には，多重量子井戸構造の活性層においては，井戸層の
バンドギャップエネルギー，障壁層のバンドギャップエネルギーと，いわゆる量子
サイズ効果によって形成されるエネルギー準位に基づき導き出されるバンドギャッ
プエネルギーとが併存する可能性があり，バンドギャップの意義を一義的に定める
のは困難であるかのようにみえる。
　　　　しかしながら，上記ウで触れたとおり，窒化物半導体発光素子の従来技術
においては，活性層の材料としてＩｎＧａＮを用いるのが通常であったところ，Ｉ
ｎＧａＮとＩｎＧａＮ，ＩｎＧａＮとＧａＮを積層して構成する多重量子井戸構造
の活性層は，少なくとも材料選択の観点からは，上記従来技術の延長線上にあった
とみることができ，活性層の主要な組成要素は依然としてＩｎＧａＮであると考え
ることが可能である。また，多重量子井戸構造において実際に発光するのはあくま
で井戸層であるＩｎＧａＮ層であり，障壁層であるＧａＮ層はいわゆる量子サイズ
効果を導いて井戸層の発光効率を高める働きをしているにすぎない。以上からすれ
ば，多重量子井戸構造におけるバンドギャップエネルギーとは，実際に発光するＩ
ｎＧａＮ層とその発光のメカニズムに着目して，井戸層内に閉じ込められた電子及
び正孔が存在できる最も低いエネルギー間隔（伝導体側の量子準位と価電子体側の
量子準位の差）のことと定義することが可能である（前記第３の１（原告の主張）
ウ参照。なお，弁論の全趣旨に照らせば，実際に，このようにして定義したバンド
ギャップエネルギーよりも，活性層を挟んでクラッド機能を果たす層のバンドギャ
ップエネルギーの方が大きければ，素子全体が発光素子として機能することに妨げ
はないものと認められ，被告もその点は争わない。）。
　　　　よって，この点に関する被告の主張も採用の限りでない。
　　オ　以上によれば，構成要件①ないし③の「活性層」には，多重量子井戸構造
からなるものも含まれると解するのが，相当である。
　２　争点(2)について
　　ア　前記１アにおいて説示したとおり，請求項１４においては，単に「活性
層」という言葉が用いられている一方で，本件明細書の【発明の実施の形態】欄に
おいては，図１の活性層６につき，「ところで，活性層６を量子井戸構造（単一量
子井戸構造または多重量子井戸構造）とすることにより，発光波長の半値幅がより
狭くなり，発光出力も向上することがわかった。」，「ここで，量子井戸構造と
は，ノンドープの活性層構成窒化物半導体（好ましくはＩｎＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ
＜１）による量子準位間の発光が得られる活性層の構造をいい，単一量子井戸構造
とは，井戸層が単一組成の１層よりなる構造を指す。すなわち，単一量子井戸構造
の活性層は，単一の井戸層のみにより構成される。また，多重量子井戸構造とは，
井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多層膜構造において，両
側の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成される。すなわち，多重量子井戸構
造の活性層は，例えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ，ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ（組成が異な
る）等の井戸層／障壁層の組み合わせからなり，これら井戸層および障壁層を交互
に積層した薄膜積層構造である。」との各記載がある。
　　　　【特許請求の範囲】から【発明の詳細な説明】にわたるこれらの記載を素
直に読む限り，発明者らは，活性層を構成する層構造として多重量子井戸構造をも
念頭に置いていたが，ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層を積層した場合には，ＩｎＧａＮ層
が井戸層として，ＧａＮ層が障壁層としてそれぞれ機能するものであることを前提
にして，同構造における両側の２つの最外層はＩｎＧａＮ井戸層で構成されると理
解していたとみるのが自然である。
　　　　他方，本件明細書及び本件優先権明細書を精査しても，上記の事情を覆
し，構成要件にいう「活性層」に，ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層を積層した多重量子井
戸構造からなり，かつ，最外層がＧａＮ障壁層からなるものまで含まれると解すべ
き根拠となる記載は見当たらない。また，原告は，「両側の２つ最外層は，それぞ
れ井戸層により構成される。」との前記記載が，多重量子井戸構造の好ましい実施
形態を記載したものにすぎず，その構成を限定したものではないと主張するが（前
記第３の２（原告の主張）ア），そのように解すべき具体的な根拠を見出すことも
できない。
　　イ　前記１アで摘示したとおり，本件明細書の段落【０００６】ないし【００
０８】においては，(ア)ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体よりなり，第１の面と第
２の面とを有する活性層を有し，該活性層の第１の面に接して活性層よりもバンド
ギャップが大きく，かつＩｎとＧａとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型
クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子（請求項１ないし３参
照），(イ)ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体よりなり，第１の面と第２の面とを有
する活性層を有し，該活性層の第２の面に接して活性層よりもバンドギャップが大
きく，かつＩｎとＧａとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を
備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子（請求項４ないし６参照），及び，
(ウ)ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体よりなり，第１の面と第２の面とを有する活
性層を有し，該活性層の第１の面に接して活性層よりもバンドギャップが大きく，
かつＩｎとＧａとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え，
該活性層の第２の面に接して活性層よりもバンドギャップが大きく，かつＩｎとＧ
ａとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備えることを特徴と
する窒化物半導体発光素子（請求項７ないし１３参照）という，本発明を実施した
発光素子に関する基本的な３種類の構造が開示されており，それらにおいては，い
ずれも，ＩｎとＧａとを含むｐ型あるいはｎ型の窒化物半導体からなるクラッド層
が，同じくＩｎとＧａとを含む窒化物半導体からなる活性層に接する構成とされて
いる。
　　　　また，本件明細書の段落【００１１】の【作用】欄には，「従来の窒化物
半導体発光素子はＩｎＧａＮよりなる活性層をＡｌＧａＮよりなるクラッド層で挟
んだ構造を有していた。一方，本発明では新たにこのＩｎＧａＮよりなる活性層
を，その活性層よりもバンドギャップの大きいＩｎＧａＮで挟むことにより発光出
力が飛躍的に向上することを見いだした。これは新たなＩｎＧａＮクラッド層がＩ
ｎＧａＮ活性層とＡｌＧａＮクラッド層との間のバッファ層として働いているから
である。ＩｎＧａＮは結晶の性質として柔らかい性質を有しており，ＡｌＧａＮク
ラッド層とＩｎＧａＮとの格子定数不整と熱膨張係数差によって生じる結晶欠陥を
吸収する働きがあると考えられる。このため新たに形成したＩｎＧａＮクラッド層
が，これら結晶欠陥を吸収してＩｎＧａＮ活性層の結晶欠陥が大幅に減少するの
で，ＩｎＧａＮ活性層の結晶性が飛躍的に良くなるので発光出力が増大するのであ
る。」と記載されており，新たに形成したＩｎＧａＮクラッド層がＩｎＧａＮ活性
層の結晶欠陥を吸収することが，本件特許発明の本質的な作用効果であることが開
示されている。
　　　　そして，本件明細書の段落【００５０】には，【発明の効果】として「以
上説明したように，本発明の発光素子は，ＩｎＧａＮ活性層の両側またはその一方
に接してＩｎＧａＮクラッド層を形成することにより，活性層の結晶性が良化して
発光出力が格段に向上する。………従来では活性層のインジウム組成比を大きくす
ると結晶性が悪くなって，バンド間発光で５２０ｎｍ付近の緑色発光を得ることは
難しかったが，本発明によると活性層の結晶性が良くなるので，従来では困難であ
った高輝度な緑色ＬＥＤも実現できた。」と記載されている。
　　　　以上の各記載に，本件優先権出願当時及び本件特許権出願当時，当業者
が，窒化物半導体発光素子の実用化に関して抱えていた技術的課題（弁論の全趣旨
から認められる。）を併せ考慮すると，本件特許発明が達成しようとした課題と
は，要するに，いかに薄く，かつ結晶性の良いＩｎＧａＮ活性層を形成するかとい
うことであり，そのために，本件特許発明は，ＩｎＧａＮ活性層に接して同じ組成
のＩｎＧａＮクラッド層を形成する構成を採用し，ＩｎＧａＮ活性層の結晶性を良
くするとともに，活性層にかかる歪みを緩和したものと考えられる。したがって，
ここでのＩｎＧａＮ活性層は，その結晶性を良くするために形成されるＩｎＧａＮ
クラッド層に結晶レベルで接していることが必要である。言い換えれば，ＩｎＧａ
Ｎ活性層に接して形成される層は，機能的にクラッド層であることはもちろんのこ
と，活性層と同じＩｎＧａＮから組成される（同じ組成からなる層同士が隣接して
いれば，少なくとも理論的には格子定数不整が生じない。）ことを要するものと考
えられる。
　　　　そうすると，本件特許発明においては，発光素子中のＩｎＧａＮ活性層
が，ＩｎＧａＮという同じ物質からなる結晶のレベルにおいて，ＩｎＧａＮクラッ
ド層と直接に接していることが必要というべきである。すなわち，構成要件①ない
し③の「活性層」には，多重量子井戸構造のものも含まれるが，活性層の２つの面
のうち第１のｎ型クラッド層と接する第１の面，すなわち多重量子井戸構造の２つ
の最外層のうち「第１のｎ型クラッド層」（構成要件②）と接するものがＩｎＧａ
Ｎ層であるものに限られると解するのが相当である。
　これに対して，被告チップにおいては，「第１のｎ型クラッド層」（構成要件
②）に該当するｎ型ＩｎＧａＮ層に接している多重量子井戸構造の最外層は「Ｉｎ
ＧａＮ層」ではなく，「ＧａＮ層」である。
　　ウ　原告は，被告チップの多重量子井戸構造において最外層にＧａＮ層がある
場合とない場合とのＬＥＤチップの各発光出力を比較してみたところ，差異はない
旨の実験結果（甲７１）が出たとして，本件特許発明の作用効果は，多重量子井戸
構造の最外層をＩｎＧａＮ井戸層にしようがＧａＮ障壁層にしようが変わるもので
はなく，「活性層」に含まれる多重量子井戸構造は，最外層がＩｎＧａＮ井戸層の
ものに限定されないと主張する（前記第３の２（原告の主張）ア）。
　　　　しかし，上記実験結果については，実験の条件や手法・精度等の詳細が必
ずしも明らかでない上に，実験のための発光素子の改変が発光効率にどのような影
響を与えたのか，発光出力に関係する他の要因がどのように影響したのかなどの諸
条件が，証拠上一切不明であるから，原告が主張するように，被告チップの多重量
子井戸構造における最外層がＩｎＧａＮ井戸層であってもＧａＮ障壁層であっても
発光出力は変わらないとの事実を，直ちに認めることはできない。また，仮に原告
による実験結果（甲７１）を前提としても，そもそも特許発明は具体的な構成ない
し組成によって表された技術思想について成立するものであって，特定の作用効果
について与えられるものではないから，対象物件が特許発明と同一の作用効果を奏
しているということのみをもって，直ちに当該対象物件が特許発明と同一の技術思
想を用いているということはできない。したがって，本件においても，仮に多重量
子井戸構造の最外層がＩｎＧａＮ層である素子の発光出力が，最外層がＧａＮ層で
ある素子のそれと同じであったとしても，そのことによって，本件明細書の特許請
求の範囲や発明の詳細な説明における記載内容にかかわらず，最外層がＧａＮ層で
ある量子井戸構造のものが本件特許発明の技術的範囲に含まれるものと直ちに判断
することはできない。
　　　　以上のとおり，原告の上記主張は採用することができない。
　　エ　また，原告は，例えば，被告チップ５の多重量子井戸構造におけるｎ型Ｉ
ｎＧａＮ層側の最外層であるＧａＮ層は１００Åに満たない厚さである一方，その
外側の上記ｎ型ＩｎＧａＮ層は１０倍以上の約１５００Åの厚さがあることをもっ
て，このｎ型ＩｎＧａＮ層こそが，クラッド層として機能するとともに，活性層の
結晶性を良くし，ＡｌＧａＮ層と活性層との間の歪みを緩和して，発光出力を増大
させているのだから，実際に発光するＩｎＧａＮ井戸層に直接に接しているのが，
１００Åにも満たない上記ＧａＮ層であるからといって，本件特許発明の本質を利
用していないかのようにいう被告の主張は誤りであるとする（前記第３の２（原告
の主張）エ）。
　　　　しかしながら，被告の指摘するとおり（前記第３の２（被告の主張）
ウ），証拠（乙５３，５４，６３）によれば，原告自身の出願に係る発明において
も，１ｎｍ（１０Å）以上，あるいは５０Åなどという薄い膜厚のＧａＮ層がクラ
ッド層とされているものであり，このことからもわかるとおり，ある層がクラッド
層であるか否かは，正孔や電子を井戸層に閉じ込める機能を有するかどうかで決ま
るのであり，膜厚によって決まるものではないし，また，既に説示したとおり，本
件特許発明においては，ＩｎＧａＮ活性層が直接ＩｎＧａＮクラッド層と接してい
ることにより格子定数不整及び熱膨張係数差によって生じる結晶欠陥を回避してい
るものであるから，上記被告チップにおいて，ＩｎＧａＮ活性層に直接接する層と
して，膜厚が１００Åに満たないとしても，ＧａＮ層が存在する以上，これを本件
特許発明と同視することはできない。
　３　結論
　　　前記１，２のとおり，構成要件①ないし③の「活性層」には，多重量子井戸
構造のものも含まれるが，活性層の２つの面のうち第１のｎ型クラッド層と接する
第１の面，すなわち多重量子井戸構造の２つの最外層のうち「第１のｎ型クラッド
層」（構成要件②）と接するものがＩｎＧａＮ層であるものに限られると解すべき
ところ，被告チップにおいては，「第１のｎ型クラッド層」（構成要件②）に該当
するｎ型ＩｎＧａＮ層に接している多重量子井戸構造の最外層は「ＩｎＧａＮ層」
ではなく，「ＧａＮ層」である（第２の１(6)）。
　　　したがって，被告チップは，構成要件②にいう「第１の面」を備える活性層
を備えているとは認められないから，被告チップはいずれも本件特許発明の技術的
範囲に属しないものであり，したがって，被告チップ及びこれを組み込んだ被告Ｌ
ＥＤ製品は，いずれも本件特許権を侵害するものではない。
　　　以上によれば，その余の点について判断するまでもなく，原告の請求は理由
がない。
よって，主文のとおり判決する。
　　東京地方裁判所民事第４６部
　　　　　　　　裁判長裁判官　三村量一
　　　　　　　　　　　裁判官　村越啓悦
　　　　　　　　　　　裁判官　青木孝之
　　　　　　　　　　　（別紙）物件目録１
　下記のとおりの発光ダイオードチップ
［図面符号の説明］
　　１　　窒化ガリウム系化合物半導体緑色発光ダイオードチップ
　　２　　サファイア単結晶からなる基板
　　３　　ＡｌＮからなるバッファ層
　４１　　Ｓｉが低濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層
　　４　　Ｓｉが高濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層（ｎ電極形成層）
　４３　　ｎ型ＩｎＧａＮからなる層
　　５　　ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる活性層
　　６　　ＭｇがドープされたＡｌＧａＮからなる層
　7－1　　Ｍｇが高濃度でドープされたｐ型ＧａＮ層（ｐ電極形成層）
　7－2　　Ｍｇが低濃度でドープされたｐ型ＧａＮからなる層
　　８　　Ｖ及びＡｌからなるｎ電極層
　　９　　Ａｕ及びＣｏからなる薄膜のｐ電極層
　１０　　Ａｕ及びＮｉを含む台座電極
　１１　　シリコン酸化物からなる膜
　１２　　保護レンズ
　１３，１４　　　リードフレーム
　８１，１０１　　ボール
　８２，１０２　　ワイヤー
［構成の説明］
　　図面に示すとおり，サファイア単結晶からなる基板２の上に，まず，ＡｌＮか
らなるバッファ層３を形成し，次いで，Ｓｉが低濃度でドープされたｎ型ＧａＮか
らなる層４１，Ｓｉが高濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層４，及び，ｎ型
ＩｎＧａＮからなる層４３を順次形成する。
　　その上に，ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる下記「積層図」のとおり
の活性層５を形成し，さらに，ＭｇがドープされたＡｌＧａＮからなる層６，Ｍｇ
が低濃度でドープされたｐ型ＧａＮからなる層7－2，及び，Ｍｇが低濃度でドープ
されたｐ型ＧａＮからなる層7－1を順次形成し，前記層４の表面にＶ及びＡｌから
なるほぼ矩形のｎ電極層８を設け，他方，前記層7－1のほぼ全面に透明かつ導電性
を有し，Ａｕ及びＣｏからなる薄膜のｐ電極層９を設けて，その表面にＡｕ及びＮ
ｉを含むワイヤボンディング用の台座電極１０を形成する。
　　そして，ｐ電極層９からｐ電極形成層7－1の全面に電流が注入されるように構
成し，４ないし６，7－1，7－2，９及び１０の各層をシリコン酸化物からなる膜１
１で覆い，前記ｐ電極層９の側を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体緑
色発光素子。
　　積層図図１、図４図２、図３
　　　　　　　　　　　（別紙）物件目録２
　下記のとおりの発光ダイオードチップ
［図面符号の説明］
　　１　　窒化ガリウム系化合物半導体青色発光ダイオードチップ
　　２　　サファイア単結晶からなる基板
　　３　　ＡｌＮからなるバッファ層
　４１　　Ｓｉが低濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層
　　４　　Ｓｉが高濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層（ｎ電極形成層）
　４３　　ｎ型ＩｎＧａＮからなる層
　　５　　ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる活性層
　　６　　ＭｇがドープされたＡｌＧａＮからなる層
　7－1　　Ｍｇが高濃度でドープされたｐ型ＧａＮ層（ｐ電極形成層）
　7－2　　Ｍｇが低濃度でドープされたｐ型ＧａＮからなる層
　　８　　Ｖ及びＡｌからなるｎ電極層
　　９　　Ａｕ及びＣｏからなる薄膜のｐ電極層
　１０　　Ａｕ及びＮｉを含む台座電極
　１１　　シリコン酸化物からなる膜
［構成の説明］
　　図面に示すとおり，サファイア単結晶からなる基板２の上に，まず，ＡｌＮか
らなるバッファ層３を形成し，次いで，Ｓｉが低濃度でドープされたｎ型ＧａＮか
らなる層４１，Ｓｉが高濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層４，及び，ｎ型
ＩｎＧａＮからなる層４３を順次形成する。
　　その上に，ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる下記「積層図」のとおり
の活性層５を形成し，さらに，ＭｇがドープされたＡｌＧａＮからなる層６，Ｍｇ
が低濃度でドープされたｐ型ＧａＮからなる層7－2，及び，Ｍｇが低濃度でドープ
されたｐ型ＧａＮからなる層7－1を順次形成し，前記層４の表面にＶ及びＡｌから
なるほぼ矩形のｎ電極層８を設け，他方，前記層7－1のほぼ全面に透明かつ導電性
を有し，Ａｕ及びＣｏからなる薄膜のｐ電極層９を設けて，その表面にＡｕ及びＮ
ｉを含むワイヤボンディング用の台座電極１０を形成する。
　　そして，ｐ電極層９からｐ電極形成層7－1の全面に電流が注入されるように構
成し，４ないし６，7－1及び7－2の各層をシリコン酸化物からなる膜１１で覆い，
前記ｐ電極層９の側を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体青色発光素
子。
　　積層図
　　　　　　　　　　　（別紙）物件目録３
　下記のとおりの発光ダイオードチップ
［図面符号の説明］
　　１　　窒化ガリウム系化合物半導体青色発光ダイオードチップ
　　２　　サファイア単結晶からなる基板
　　３　　ＡｌＮからなるバッファ層
　　４　　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　4－1　　Ｓｉが低濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層
　4－2　　Ｓｉが高濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層
　4－3　　ｎ型ＩｎＧａＮからなる層
　4－4　　ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる活性層
　　５　　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　5－1　　Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなる層
　5－2　　Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮからなる層
　　６　　Ｖ及びＡｌからなるｎ電極
　　７　　Ａｕ及びＣｏからなる薄膜の透光性電極
　　８　　Ａｕを含む台座電極
　８１，１０１　　ボール
　８２，１０２　　ワイヤー
　　９　　シリコン酸化物からなる膜
［構成の説明］
　　図面に示す窒化ガリウム系化合物半導体青色発光ダイオードチップは，サファ
イア単結晶からなる基板２の上に，まず，ＡｌＮからなるバッファ層３を形成し，
次いで，Ｓｉが低濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層4－1，Ｓｉが高濃度で
ドープされたｎ型ＧａＮからなる層4－2，及び，ｎ型ＩｎＧａＮからなる層4－3を
順次形成する。
　　その上に，ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる下記「積層図」のとおり
の活性層4－4を形成し，さらに，Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなる層5－
1，及び，Ｍｇが低濃度でドープされたｐ型ＧａＮからなる層5－2を形成する。
　　そして，前記層5－2に，Ａｕ及びＣｏからなる薄膜の透光性電極層７，及び，
Ａｕを含むワイヤーボンディング用の台座電極８を設ける一方で，層５及び層４の
一部をエッチング除去して露出された前記層4－2の表面に，Ｖ及びＡｌからなるｎ
電極６を形成する。
　　金線からなるワイヤー１０２をボンディングした台座電極８と，金線からなる
ワイヤー８２をボンディングしたｎ電極６との通電により，透光性電極７の下にあ
る層5－1及び5－2に均一に電流が広がるので，発光面において，ほぼ均一な青色発
光が観測されることになる。なお，前記電極８の上にあるボール１０１，及び，同
電極６の上にあるボール８１は，いずれも，それぞれのワイヤーを電極にボンディ
ングする際にできるものである。
　　積層図
　　　　　　　　　　　（別紙）物件目録４
　下記のとおりの発光ダイオードチップ
［図面符号の説明］
　　１　　窒化ガリウム系化合物半導体緑色発光ダイオードチップ
　　２　　サファイア単結晶からなる基板
　　３　　ＡｌＮからなるバッファ層
　　４　　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　4－1　　Ｓｉが低濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層
　4－2　　Ｓｉが高濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層
　4－3　　ｎ型ＩｎＧａＮからなる層
　4－4　　ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる活性層
　　５　　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　5－1　　Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなる層
　5－2　　Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮからなる層
　　６　　Ｖ及びＡｌからなるｎ電極
　　７　　Ａｕ及びＣｏからなる薄膜の透光性電極
　　８　　Ａｕを含む台座電極
　８１，１０１　　ボール
　８２，１０２　　ワイヤー
　　９　　シリコン酸化物からなる膜
［構成の説明］
　　図面に示す窒化ガリウム系化合物半導体緑色発光ダイオードチップは，サファ
イア単結晶からなる基板２の上に，まず，ＡｌＮからなるバッファ層３を形成し，
次いで，Ｓｉが低濃度でドープされたｎ型ＧａＮからなる層4－1，Ｓｉが高濃度で
ドープされたｎ型ＧａＮからなる層4－2，及び，ｎ型ＩｎＧａＮからなる層4－3を
順次形成する。
　　その上に，ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる下記「積層図」のとおり
の活性層4－4を形成し，さらに，Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなる層5－
1，及び，Ｍｇが低濃度でドープされたｐ型ＧａＮからなる層5－2を形成する。
　　そして，前記層5－2に，Ａｕ及びＣｏからなる薄膜の透光性電極層７，及び，
Ａｕを含むワイヤーボンディング用の台座電極８を設ける一方で，層５及び層４の
一部をエッチング除去して露出された前記層4－2の表面に，Ｖ及びＡｌからなるｎ
電極６を形成する。
　　金線からなるワイヤー１０２をボンディングした台座電極８と，金線からなる
ワイヤー８２をボンディングしたｎ電極６との通電により，透光性電極７の下にあ
る層5－1及び5－2に均一に電流が広がるので，発光面において，ほぼ均一な青色発
光が観測されることになる。なお，前記電極８の上にあるボール１０１，及び，同
電極６の上にあるボール８１は，いずれも，それぞれのワイヤーを電極にボンディ
ングする際にできるものである。
　　積層図
　　　　　　　　　　　（別紙）物件目録５
　下記のとおりの発光ダイオードチップ
［図面符号の説明］
　　１　　窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードチップ
　　２　　サファイア単結晶からなる基板
　　３　　ＡｌＮからなるバッファ層
　　４　　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　4－2　　Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮからなる層
　4－3　　ｎ型ＩｎＧａＮからなる層
　4－4　　ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる活性層
　　５　　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　5－1　　Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなる層
　5－2　　Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなる層
　　　　　（層5－1よりもＡｌの含有量が少ない）
　　６　　ｎ電極
　　７　　透光性電極
　　８　　電極
［構成の説明］
　　図面に示す発光ダイオードチップは，サファイア単結晶からなる基板２の上
に，まず，ＡｌＮからなるバッファ層３を形成し，次いで，Ｓｉがドープされたｎ
型ＧａＮからなる層4－2，及び，ｎ型ＩｎＧａＮからなる層4－3を順次形成する。
　　その上に，ＩｎＧａＮ及びＧａＮの各層を重ねてなる下記「積層図」のとおり
の活性層4－4を形成し，さらに，Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなる層5－
1，及び，Ｍｇがドープされた層5－1よりＡｌの含有量が少ないｐ型ＡｌＧａＮから
なる層5－2を形成する。
　　そして，前記層5－2に，透光性電極層７及び電極８を設ける一方で，層４の一
部をエッチング除去して露出された前記層4－2の表面に，ｎ電極６を形成する。
　　ｎ電極６，透光性電極７及び電極８は，別紙模式平面図に示す位置関係にあ
り，ｎ電極６と電極８の間に電流を流すことにより，波長が４３０～５３０ｎｍ付
近の青色ないし緑色を発光する。
　　積層図
　　　　　　　　　　　（別紙）物件目録６
　前記物件目録１ないし５各記載の発光ダイオードチップを組み込んだ　「ＴＧ　
ＬＥＤシリーズ」製品

戻る